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SIS472BDN-T1-GE3 VISHAY sis472bdn.pdf SIS472BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS472DN-T1-GE3 VISHAY sis472dn.pdf SIS472DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS476DN-T1-GE3 VISHAY sis476dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIS488DN-T1-GE3 VISHAY sis488dn.pdf SIS488DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS606BDN-T1-GE3 VISHAY sis606bdn.pdf SIS606BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS698DN-T1-GE3 VISHAY SIS698DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS780DN-T1-GE3 VISHAY sis780dn.pdf SIS780DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS822DNT-T1-GE3 VISHAY sis822dnt.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 10W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIS862ADN-T1-GE3 VISHAY sis862adn.pdf SIS862ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS862DN-T1-GE3 VISHAY sis862dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 40A; Idm: 100A; 52W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20.8nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIS888DN-T1-GE3 VISHAY sis888dn.pdf SIS888DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS890ADN-T1-GE3 VISHAY sis890adn.pdf SIS890ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS890DN-T1-GE3 VISHAY sis890dn.pdf SIS890DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS892ADN-T1-GE3 SIS892ADN-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B3F662251E03A0C4&compId=SIS892ADN-T1-GE3.pdf?ci_sign=0a834ab447961948415ca38054b4337a39ebce76 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 28A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.1nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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SIS892DN-T1-GE3 VISHAY sis892dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 27A; Idm: 50A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 43W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SIS903DN-T1-GE3 VISHAY sis903dn.pdf SIS903DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SIS932EDN-T1-GE3 VISHAY sis932edn.pdf SIS932EDN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIS990DN-T1-GE3 VISHAY sis990dn.pdf SIS990DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SISA01DN-T1-GE3 VISHAY sisa01dn.pdf SISA01DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SISA04DN-T1-GE3 VISHAY sisa04dn.pdf SISA04DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISA10DN-T1-GE3 VISHAY sisa10dn.pdf SISA10DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISA12ADN-T1-GE3 VISHAY sisa12adn.pdf SISA12ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISA14BDN-T1-GE3 VISHAY sisa14bdn.pdf SISA14BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISA14DN-T1-GE3 VISHAY sisa14dn.pdf SISA14DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISA18ADN-T1-GE3 VISHAY sisa18adn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.6A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 12.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SISA24DN-T1-GE3 VISHAY sisa24dn.pdf SISA24DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISA35DN-T1-GE3 VISHAY sisa35dn.pdf SISA35DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SISA40DN-T1-GE3 VISHAY sisa40dn.pdf SISA40DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISA72ADN-T1-GE3 VISHAY sisa72adn.pdf SISA72ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISA72DN-T1-GE3 VISHAY sisa72dn.pdf SISA72DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISA88DN-T1-GE3 VISHAY SISA88DN_Rev.A_Oct02%2C2017_DS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 32.4A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32.4A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 12.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SiSA96DN-T1-GE3 VISHAY sisa96dn.pdf SISA96DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISB46DN-T1-GE3 VISHAY sisb46dn.pdf SISB46DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SISC06DN-T1-GE3 VISHAY sisc06dn.pdf SISC06DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISF00DN-T1-GE3 VISHAY sisf00dn.pdf SISF00DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SISF02DN-T1-GE3 VISHAY sisf02dn.pdf SISF02DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SISF06DN-T1-GE3 VISHAY sisf06dn.pdf SISF06DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SISF20DN-T1-GE3 VISHAY sisf20dn.pdf SISF20DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SISH101DN-T1-GE3 VISHAY sish101dn.pdf SISH101DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SISH106DN-T1-GE3 VISHAY sish106dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 15.6A; Idm: 60A; 2W
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15.6A
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SISH108DN-T1-GE3 VISHAY sish108dn.pdf SISH108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISH110DN-T1-GE3 VISHAY sish110dn.pdf SISH110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISH112DN-T1-GE3 VISHAY sish112dn.pdf SISH112DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISH114ADN-T1-GE3 VISHAY tf-sish114adn-t1-ge3.pdf SISH114ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISH116DN-T1-GE3 VISHAY sish116dn.pdf SISH116DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISH129DN-T1-GE3 VISHAY sish129dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -35A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 33.3W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SISH402DN-T1-GE3 VISHAY sish402dn.pdf SISH402DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISH407DN-T1-GE3 VISHAY sish407dn.pdf SISH407DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SISH410DN-T1-GE3 VISHAY sish410dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SISH434DN-T1-GE3 VISHAY sish434dn.pdf SISH434DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISH472DN-T1-GE3 VISHAY sish472dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 18W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SISH536DN-T1-GE3 VISHAY sish536dn.pdf SISH536DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISH615ADN-T1-GE3 VISHAY sish615adn.pdf SISH615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SISH617DN-T1-GE3 VISHAY sish617dn.pdf SISH617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SISH625DN-T1-GE3 VISHAY sish625dn.pdf SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SISHA10DN-T1-GE3 VISHAY SISHA10DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISHA12ADN-T1-GE3 VISHAY tf-sisha12adn-t1-ge3.pdf SISHA12ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISHA14DN-T1-GE3 VISHAY sisha14dn.pdf SISHA14DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS472BDN-T1-GE3 sis472bdn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS472BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS472DN-T1-GE3 sis472dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS472DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS476DN-T1-GE3 sis476dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS488DN-T1-GE3 sis488dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS488DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS606BDN-T1-GE3 sis606bdn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS606BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS698DN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
SIS698DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS780DN-T1-GE3 sis780dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS780DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SIS822DNT-T1-GE3 sis822dnt.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A; 10W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 10W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS862ADN-T1-GE3 sis862adn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS862ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS862DN-T1-GE3 sis862dn.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 40A; Idm: 100A; 52W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20.8nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS888DN-T1-GE3 sis888dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS888DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS890ADN-T1-GE3 sis890adn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS890ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS890DN-T1-GE3 sis890dn.pdf
Hersteller: VISHAY
SIS890DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIS892ADN-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B3F662251E03A0C4&compId=SIS892ADN-T1-GE3.pdf?ci_sign=0a834ab447961948415ca38054b4337a39ebce76
SIS892ADN-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 28A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.1nC
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 27A; Idm: 50A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 43W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SIS903DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SIS932EDN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SIS990DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SISA01DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SISA04DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISA10DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISA12ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SISA14BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISA14DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.6A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 12.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SISA24DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISA35DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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SISA40DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISA72ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISA72DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISA88DN-T1-GE3 SISA88DN_Rev.A_Oct02%2C2017_DS.pdf
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 32.4A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32.4A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 12.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SISA96DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISB46DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SISC06DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISF00DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SISF02DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SISF06DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SISF20DN-T1-GE3 Multi channel transistors
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SISH101DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 15.6A; Idm: 60A; 2W
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15.6A
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SISH108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISH110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -35A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 33.3W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SISH402DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SISH407DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 33W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 18W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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