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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SUD40N10-25-E3 SUD40N10-25-E3 VISHAY sud40n10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 40A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N03-06AP-E3 VISHAY 73540.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 100A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 VISHAY sud50n04.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 30.8W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2051 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
58+1.24 EUR
66+1.1 EUR
71+1.02 EUR
174+0.41 EUR
184+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 58
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50N06-09L-E3 VISHAY sud50n06.pdf SUD50N06-09L-E3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 2539 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
26+2.85 EUR
48+1.5 EUR
51+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 26
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 VISHAY sud50p04-08.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 73.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 159nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1287 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.8 EUR
52+1.4 EUR
72+1 EUR
76+0.94 EUR
250+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P04-09L-E3 VISHAY sud50p04.pdf SUD50P04-09L-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 VISHAY sud50p06-15.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1823 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.47 EUR
25+2.92 EUR
28+2.62 EUR
57+1.26 EUR
61+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P06-15L-E3 SUD50P06-15L-E3 VISHAY sud50p06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2019 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
21+3.56 EUR
29+2.5 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 21
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P08-25L-E3 VISHAY sud50p08.pdf SUD50P08-25L-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 727 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.39 EUR
40+1.79 EUR
43+1.69 EUR
250+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 VISHAY sud50p10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -37.1A; 95W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -37.1A
Pulsed drain current: -40A
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 43mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 95W
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD50P10-43L-GE3 SUD50P10-43L-GE3 VISHAY sud50p10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -36.4A; 72.7W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -36.4A
Pulsed drain current: -40A
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 43mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 72.7W
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD70090E-GE3 VISHAY sud70090e.pdf SUD70090E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD80460E-GE3 VISHAY sud80460e.pdf SUD80460E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUD90330E-GE3 VISHAY sud90330e.pdf SUD90330E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUG80050E-GE3 VISHAY sug80050e.pdf SUG80050E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUG90090E-GE3 VISHAY sug90090e.pdf SUG90090E-GE3 THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM10250E-GE3 VISHAY sum10250e.pdf SUM10250E-GE3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.2 EUR
26+2.77 EUR
28+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110N10-09-E3 VISHAY sum110n1.pdf SUM110N10-09-E3 SMD N channel transistors
auf Bestellung 577 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+5.05 EUR
22+3.33 EUR
23+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P04-04L-E3 VISHAY sum110p0.pdf SUM110P04-04L-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P04-05-E3 VISHAY 73493.pdf SUM110P04-05-E3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P06-07L-E3 VISHAY sum110p06-07l.pdf SUM110P06-07L-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 751 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.45 EUR
26+2.82 EUR
27+2.66 EUR
800+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P06-08L-E3 VISHAY 73045.pdf SUM110P06-08L-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
17+4.43 EUR
35+2.04 EUR
38+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 17
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM110P08-11L-E3 VISHAY sum110p0.pdf SUM110P08-11L-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.69 EUR
17+4.42 EUR
18+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM40010EL-GE3 VISHAY sum40010el.pdf SUM40010EL-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM40012EL-GE3 VISHAY sum40012el.pdf SUM40012EL-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM40014M-GE3 VISHAY sum40014m.pdf SUM40014M-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM45N25-58-E3 VISHAY sum45n25.pdf SUM45N25-58-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50010E-GE3 VISHAY sum50010e.pdf SUM50010E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50020E-GE3 VISHAY sum50020e.pdf SUM50020E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM50020EL-GE3 VISHAY sum50020el.pdf SUM50020EL-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM55P06-19L-E3 VISHAY sum55p06.pdf SUM55P06-19L-E3 SMD P channel transistors
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.87 EUR
54+1.33 EUR
57+1.26 EUR
9600+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60020E-GE3 VISHAY sum60020e.pdf SUM60020E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60061EL-GE3 VISHAY sum60061el.pdf SUM60061EL-GE3 SMD P channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60N10-17-E3 SUM60N10-17-E3 VISHAY 72070.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 639 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.35 EUR
28+2.63 EUR
44+1.63 EUR
47+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM65N20-30-E3 VISHAY 71702.pdf SUM65N20-30-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70030E-GE3 VISHAY sum70030e.pdf SUM70030E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70030M-GE3 VISHAY sum70030m.pdf SUM70030M-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70040E-GE3 SUM70040E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC883E5151B4143&compId=sum70040e.pdf?ci_sign=c848107692e3b9603eb0d66d31119a040f359295 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 76nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.87 EUR
28+2.56 EUR
29+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70040M-GE3 VISHAY sum70040m.pdf SUM70040M-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70042E-GE3 VISHAY sum70042e.pdf SUM70042E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70060E-GE3 VISHAY sum70060e.pdf SUM70060E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70090E-GE3 VISHAY sum70090e.pdf SUM70090E-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM70101EL-GE3 VISHAY sum70101el.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM80090E-GE3 VISHAY sum80090e.pdf SUM80090E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM85N15-19-E3 VISHAY 71703.pdf SUM85N15-19-E3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90100E-GE3 VISHAY sum90100e.pdf SUM90100E-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90140E-GE3 VISHAY sum90140e.pdf SUM90140E-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90142E-GE3 VISHAY sum90142e.pdf SUM90142E-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90220E-GE3 VISHAY sum90220e.pdf SUM90220E-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90330E-GE3 VISHAY sum90330e.pdf SUM90330E-GE3 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N03-2M2P-E3 VISHAY sum90n03.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 257nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N10-8M2P-E3 SUM90N10-8M2P-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992DFF85E8A00C7&compId=sum90n10-8m2p.pdf?ci_sign=dbbd4ad04fe1261d6c0b9dc869ebb5927833f98a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
15+4.89 EUR
33+2.17 EUR
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
Mindestbestellmenge: 15
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992DB9B0CF5E0C7&compId=SUM90P10-19L.pdf?ci_sign=43a7a297887e797b9b6f3a51b3cf96b72f3880f0 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -90A; Idm: -90A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -90A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 326nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.19 EUR
19+3.88 EUR
20+3.65 EUR
25+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP10250E-GE3 VISHAY sup10250e.pdf SUP10250E-GE3 THT N channel transistors
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
18+4.2 EUR
26+2.77 EUR
28+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 18
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP40010EL-GE3 VISHAY sup40010el.pdf SUP40010EL-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP40012EL-GE3 VISHAY sup40012el.pdf SUP40012EL-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP50010E-GE3 VISHAY sup50010e.pdf SUP50010E-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP50020E-GE3 VISHAY sup50020e.pdf SUP50020E-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP50020EL-GE3 VISHAY sup50020el.pdf SUP50020EL-GE3 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP53P06-20-E3 VISHAY sup53p06-20.pdf SUP53P06-20-E3 THT P channel transistors
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SUD40N10-25-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 40A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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SUD50N03-06AP-E3 73540.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 100A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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SUD50N04-8M8P-4GE3 sud50n04.pdf
SUD50N04-8M8P-4GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 30.8W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: VISHAY
SUD50N06-09L-E3 SMD N channel transistors
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SUD50P04-08-GE3 sud50p04-08.pdf
SUD50P04-08-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 73.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 159nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Hersteller: VISHAY
SUD50P04-09L-E3 SMD P channel transistors
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SUD50P06-15-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
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SUD50P06-15L-E3 sud50p06.pdf
SUD50P06-15L-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A
Case: DPAK; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 165nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
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Hersteller: VISHAY
SUD50P08-25L-E3 SMD P channel transistors
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SUD50P10-43L-E3 sud50p10.pdf
SUD50P10-43L-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -37.1A; 95W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -37.1A
Pulsed drain current: -40A
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 43mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 95W
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
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SUD50P10-43L-GE3 sud50p10.pdf
SUD50P10-43L-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -36.4A; 72.7W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -36.4A
Pulsed drain current: -40A
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 43mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 72.7W
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
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SUD70090E-GE3 sud70090e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUD70090E-GE3 SMD N channel transistors
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SUD80460E-GE3 SMD N channel transistors
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SUD90330E-GE3 sud90330e.pdf
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SUD90330E-GE3 SMD N channel transistors
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SUG80050E-GE3 sug80050e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUG80050E-GE3 THT N channel transistors
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SUG90090E-GE3 THT N channel transistors
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SUM10250E-GE3 sum10250e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM10250E-GE3 SMD N channel transistors
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SUM110N10-09-E3 SMD N channel transistors
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SUM110P04-04L-E3 sum110p0.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM110P04-04L-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SUM110P04-05-E3 SMD P channel transistors
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SUM110P06-07L-E3 SMD P channel transistors
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SUM110P06-08L-E3 SMD P channel transistors
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SUM110P08-11L-E3 sum110p0.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM110P08-11L-E3 SMD P channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SUM40010EL-GE3 SMD N channel transistors
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SUM40012EL-GE3 sum40012el.pdf
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SUM40012EL-GE3 SMD N channel transistors
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SUM40014M-GE3 sum40014m.pdf
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SUM40014M-GE3 SMD N channel transistors
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SUM45N25-58-E3 sum45n25.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM45N25-58-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SUM50010E-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SUM50020E-GE3 SMD N channel transistors
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SUM50020EL-GE3 sum50020el.pdf
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SUM50020EL-GE3 SMD N channel transistors
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SUM55P06-19L-E3 sum55p06.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM55P06-19L-E3 SMD P channel transistors
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54+1.33 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM60020E-GE3 sum60020e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM60020E-GE3 SMD N channel transistors
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SUM60061EL-GE3 sum60061el.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM60061EL-GE3 SMD P channel transistors
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SUM60N10-17-E3 72070.pdf
SUM60N10-17-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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28+2.63 EUR
44+1.63 EUR
47+1.53 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM65N20-30-E3 71702.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM65N20-30-E3 SMD N channel transistors
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SUM70030E-GE3 sum70030e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM70030E-GE3 SMD N channel transistors
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SUM70030M-GE3 sum70030m.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM70030M-GE3 SMD N channel transistors
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SUM70040E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC883E5151B4143&compId=sum70040e.pdf?ci_sign=c848107692e3b9603eb0d66d31119a040f359295
SUM70040E-GE3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 76nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 774 Stücke:
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28+2.56 EUR
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Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: VISHAY
SUM70040M-GE3 SMD N channel transistors
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SUM70042E-GE3 SMD N channel transistors
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SUM70060E-GE3 sum70060e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM70060E-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SUM70090E-GE3 SMD N channel transistors
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SUM70101EL-GE3 sum70101el.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM80090E-GE3 sum80090e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM80090E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM85N15-19-E3 71703.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM85N15-19-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY
SUM90100E-GE3 SMD N channel transistors
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SUM90140E-GE3 sum90140e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM90140E-GE3 SMD N channel transistors
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SUM90142E-GE3 sum90142e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM90142E-GE3 SMD N channel transistors
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SUM90220E-GE3 sum90220e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM90220E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90330E-GE3 sum90330e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUM90330E-GE3 SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N03-2M2P-E3 sum90n03.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 257nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUM90N10-8M2P-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992DFF85E8A00C7&compId=sum90n10-8m2p.pdf?ci_sign=dbbd4ad04fe1261d6c0b9dc869ebb5927833f98a
SUM90N10-8M2P-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 90A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 532 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
15+4.89 EUR
33+2.17 EUR
34+2.16 EUR
35+2.04 EUR
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SUM90P10-19L-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA992DB9B0CF5E0C7&compId=SUM90P10-19L.pdf?ci_sign=43a7a297887e797b9b6f3a51b3cf96b72f3880f0
SUM90P10-19L-E3
Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -90A; Idm: -90A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Pulsed drain current: -90A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 326nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 617 Stücke:
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20+3.65 EUR
25+3.52 EUR
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SUP10250E-GE3 sup10250e.pdf
Hersteller: VISHAY
SUP10250E-GE3 THT N channel transistors
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26+2.77 EUR
28+2.63 EUR
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SUP53P06-20-E3 THT P channel transistors
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