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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
SI5419DU-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage Verlustleistung: 31 Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)	auf Bestellung 9256 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SI5457DC-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.7W Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 76396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SI5457DC-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SI5457DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.03 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.7W Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 76396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SI5471DC-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: 1206 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 1749 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SI5403DC-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SI5403DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.025 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 6 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 6.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 6.3 Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SI5403DC-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SI5403DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.025 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 6 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 6.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 6.3 Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SI5448DU-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SI5448DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.00646 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: PowerPAK ChipFET Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00646ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 5596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SI5476DU-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SI5476DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.028 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 12 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 31 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 31 Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SI5471DC-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SI5471DC-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.02 ohm, 1206, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.3W Bauform - Transistor: 1206 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 1749 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR426DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0105 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025)	auf Bestellung 5108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR402DP-T1-E3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR402DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021)	auf Bestellung 3164 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR404DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 3122 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR422DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0054 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 47886 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR414DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR414DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 7961 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR401DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 6754 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR424DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 14532 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR466DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0029 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021)	auf Bestellung 3635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR416DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025)	auf Bestellung 1165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR416DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025)	auf Bestellung 1165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR424DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.7W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 14532 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR401DP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)	auf Bestellung 8248 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIR4604LDP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIR4604LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 51 A, 0.0089 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025)	auf Bestellung 5923 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF740SPBF	VISHAY	Description: VISHAY - IRF740SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10 A, 0.55 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025)	auf Bestellung 999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CPF215R000FKE14	VISHAY	Description: VISHAY - CPF215R000FKE14 - METAL FILM RESISTOR, 15 OHM, 2W, 1% tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded Widerstandstechnologie: Metal Film hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 Nennleistung: 2W Widerstandstyp: High Power, Precision Widerstand: 15ohm usEccn: EAR99 Netzsteckertyp: 0 Betriebstemperatur, min.: -65°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 100ppm/C Produktlänge: 10.8mm euEccn: NLR Produktpalette: CPF Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 350V Produktdurchmesser: 3.68mm Betriebstemperatur, max.: 230°C Produktbreite: - directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PR02000201509JR500	VISHAY	Description: VISHAY - PR02000201509JR500 - METAL FILM RESISTOR, 15 OHM, 2 W, 5% Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded Widerstandstechnologie: Metal Film Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 2 Widerstandstyp: High Power Widerstand: 15 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 250ppm/K Produktlänge: 12 Produktpalette: PR02 Series Produktdurchmesser: 3.9 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: - SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BYV26E-TR	VISHAY	Description: VISHAY - BYV26E-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 2.5 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 2.5V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYV26 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 9528 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BYV26C-TR	VISHAY	Description: VISHAY - BYV26C-TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 2.5 V, 30 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-57 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.5V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 24235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SFR16S0005609JA500	VISHAY	Description: VISHAY - SFR16S0005609JA500 - Widerstand für Durchsteckmontage, 56 ohm, SFR16S Series, 500 mW, ± 5%, Axial bedrahtet, 200 V tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 500mW Widerstandstyp: Universell Widerstand: 56ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 5% Temperaturkoeffizient: 100ppm/C Produktlänge: 4.1mm euEccn: NLR Produktpalette: SFR16S Series productTraceability: No Nennspannung: 200V Produktdurchmesser: 1.9mm Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: - SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 4750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DG604EEQ-T1-GE4	VISHAY	Description: VISHAY - DG604EEQ-T1-GE4 - Analoger Multiplexer/Demultiplexer, 2 Schaltungen, 1:1, 101 Ohm, 3V-16V, ± 3V bis ± 8V, TSSOP-14 tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Analoger Multiplexer rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 16V, ± 3V bis ± 8V Einschaltwiderstand, max.: 101ohm Einschaltwiderstand, typ.: 64ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 1:1 Schalterkonfiguration: - euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Schaltkreise: 2Schaltkreis(e) Schnittstellen: - Durchlasswiderstand, max.: 101ohm Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQJQ186E-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 0.0019 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 245A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 5572 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQJQ186E-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQJQ186E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 245 A, 0.0019 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 245A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 5572 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
597D156X9050E2T	VISHAY	Description: VISHAY - 597D156X9050E2T - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 15 µF, 50 V, 2917 [Metrisch: 7343], ± 10% Qualifikation: - Rippelstrom: 900 Ausfallrate: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
597D156X9050E2T	VISHAY	Description: VISHAY - 597D156X9050E2T - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 15 µF, 50 V, 2917 [Metrisch: 7343], ± 10% Produkthöhe: 4 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch: 7343] Baugröße: 2917 Ausfallrate: - Kapazitätstoleranz: ± 10% Qualifikation: - Betriebstemperatur, min.: -55 Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.3 Produktlänge: 7.3 Kapazität: 15 Spannung (DC): 50 Rippelstrom: 900 Produktpalette: 597D Hersteller-Größencode: E Name der Serie: 597D Betriebstemperatur, max.: 85 Produktbreite: 4.3 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
1.5KE6.8CA-E3/54	VISHAY	Description: VISHAY - 1.5KE6.8CA-E3/54 - TVS DIODE, 1.5KW, 6.8V, 1.5KE tariffCode: 85363030 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX Anzahl der Pins: 2Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99	auf Bestellung 277 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIHG24N65E-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIHG24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.12 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 2538 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIHG018N60E-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIHG018N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 99 A, 0.021 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 524W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIHG80N60EF-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIHG80N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 80 A, 0.032 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 412 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIHG70N60AEF-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIHG70N60AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 60 A, 0.041 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 544 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIHG065N60E-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIHG065N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 40 A, 0.057 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 791 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIHG17N80AE-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIHG17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.25 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 1251 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIHG44N65EF-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIHG44N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.063 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIHG21N65EF-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIHG21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIHG039N60EF-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIHG039N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 357W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIHG068N60EF-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIHG068N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 41 A, 0.068 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIHG186N60EF-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIHG186N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8.4 A, 0.193 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.193ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 506 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIHG15N80AEF-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIHG15N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.305 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
VS-E5PH6012LHN3	VISHAY	Description: VISHAY - VS-E5PH6012LHN3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.2 kV, 60 A, Einfach, 2.3 V, 100 ns, 460 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247AD Durchlassstoßstrom: 460A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 2.3V Sperrverzögerungszeit: 100ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: FRED Pt G5 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)	auf Bestellung 294 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQJQ142E-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQJQ142E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 0.001 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 460A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 1215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQ4401CEY-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQ4401CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.011 ohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.14W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 4218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SQ4401CEY-T1_GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SQ4401CEY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.011 ohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.14W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	auf Bestellung 4218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
VJ0805Y105KXARW1BC	VISHAY	Description: VISHAY - VJ0805Y105KXARW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1 µF, 50 V, 0805 [Metrisch 2012], ± 10%, X7R tariffCode: 85322400 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0805 [Metrisch 2012] rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 10% Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: X7R Produktlänge: 2.01mm euEccn: NLR Kapazität: 1µF Spannung (DC): 50V Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kondensatoranschlüsse: Umwickelt Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 1.25mm SVHC: To Be Advised	auf Bestellung 30220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIUD401ED-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.23 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: PowerPAK 0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 3450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SIUD401ED-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIUD401ED-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 500 mA, 1.23 ohm, PowerPAK 0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: PowerPAK 0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.23ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 3450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CRCW080510R7FKEA	VISHAY	Description: VISHAY - CRCW080510R7FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10.7 ohm, ± 1%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125mW Widerstandstyp: Universell Widerstand: 10.7ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 100ppm/K Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 150V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 1.25mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)	auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
CRCW080510R7FKEA	VISHAY	Description: VISHAY - CRCW080510R7FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10.7 ohm, ± 1%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125mW Widerstandstyp: Universell Widerstand: 10.7ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 100ppm/K Produktlänge: 2mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 150V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 1.25mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)	auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
PR02000203003JR500	VISHAY	Description: VISHAY - PR02000203003JR500 - METAL FILM RESISTOR, 300 KOHM, 2 W, 5% tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded Widerstandstechnologie: Metal Film hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 2W Widerstandstyp: High Power Widerstand: 300kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 250ppm/K Produktlänge: 12mm euEccn: NLR Produktpalette: PR02 Series productTraceability: No Produktdurchmesser: 3.9mm Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: - directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)	auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
D151K20Y5PL63L6R	VISHAY	Description: VISHAY - D151K20Y5PL63L6R - CERAMIC CAPACITOR 150PF, 500V, Y5P, 10%, RADIAL tariffCode: 85322300 rohsCompliant: YES Anschlussabstand: 6.35mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 10% usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -30°C Dielektrikum: Y5P euEccn: NLR Kapazität: 150pF Spannung (DC): 500V Produktpalette: D Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kondensatoranschlüsse: Radial Leaded Betriebstemperatur, max.: 85°C directShipCharge: 25	auf Bestellung 11224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
D101K20Y5PL63L6R.	VISHAY	Description: VISHAY - D101K20Y5PL63L6R. - CERAMIC CAPACITOR 100PF, 500V, Y5P, 10%, RADIAL tariffCode: 85322300 rohsCompliant: YES Anschlussabstand: 6.35mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 10% usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -30°C Dielektrikum: Y5P euEccn: NLR Kapazität: 100pF Spannung (DC): 500V Produktpalette: D Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kondensatoranschlüsse: Radial Leaded Betriebstemperatur, max.: 85°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 1934 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
VY1221K31Y5SQ63V0	VISHAY	Description: VISHAY - VY1221K31Y5SQ63V0 - CERAMIC CAPACITOR 220PF, 250V, Y5S, 10%, RADIAL Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial Leaded Anschlussabstand: 10 Kapazitätstoleranz: ± 10% Kondensatormontage: Through Hole Betriebstemperatur, min.: -40 Nennspannung Y: 500 Kapazität: 220 Produktpalette: VY1 Series Nennspannung X: 760 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)	auf Bestellung 3917 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
440LD50-R	VISHAY	Description: VISHAY - 440LD50-R - CAPACITOR, CERAMIC, 5000 pF, 760/500V, RADIAL tariffCode: 85322300 Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial Leaded rohsCompliant: Y-EX Anschlussabstand: 9.5mm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: 20% Kondensatormontage: Through Hole usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -30°C Entstörklasse: X1 / Y1 Nennspannung Y: 0 euEccn: NLR Kapazität: 5000pF Produktpalette: 440L Series Nennspannung X: 0 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)	auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SI5419DU-T1-GE3

VISH-S-A0001142604-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI5419DU-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK ChipFET, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 31
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

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