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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MAL215299705E3 MAL215299705E3 VISHAY 2875167.pdf Description: VISHAY - MAL215299705E3 - Aluminium-Elektrolytkondensatoren, SMD, Becher, radial - SMD, 15 µF, 450 V
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: 22mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher, radial - SMD
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 6000 Stunden bei 105°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): -
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 15µF
Spannung (DC): 450V
Rippelstrom: 110mA
Produktpalette: 152 CME Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 16mm
Kondensatoranschlüsse: Lötanschlüsse
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTCS0805E3104SMT NTCS0805E3104SMT VISHAY VISH-S-A0013031991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - NTCS0805E3104SMT - NTC-Thermistor, 100 kOhm, Baureihe NTCS, 3590 K, SMD, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85334010
euEccn: NLR
Thermistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
Thermistor: NTC
Bauform - Thermistor: 0805 [Metrisch 2012]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Fühlerdurchmesser: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
Widerstand (25°C): 100kohm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Thermische Zeitkonstante (in Luft): -
Anschlusslänge: -
NTC-Montage: Oberflächenmontage
B-Konstante: 3590K
Toleranz B-Konstante: ±1%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
NTC-Gehäusegröße: 0805 [Metrisch 2012]
Produktpalette: NTCS0805E3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Widerstandstoleranz (25°C): ±1%
Fühlermaterial: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 4898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.62 EUR
181+1.29 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.95 EUR
2000+0.9 EUR
4000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VJ1812Y474KXAAT VJ1812Y474KXAAT VISHAY vjcommercialseries.pdf Description: VISHAY - VJ1812Y474KXAAT - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.47 µF, 50 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: N
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.58mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 0.47µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 3.2mm
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA99DP-T1-GE3 SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY 2816254.pdf Description: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.12 EUR
56+4.18 EUR
100+2.92 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR680LDP-T1-RE3 SIR680LDP-T1-RE3 VISHAY sir680ldp.pdf Description: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 42539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.47 EUR
50+5.13 EUR
100+3.37 EUR
500+3.06 EUR
1500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA00DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0019859687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.93 EUR
56+4.15 EUR
100+2.83 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR638DP-T1-GE3 SIR638DP-T1-GE3 VISHAY sir638dp.pdf Description: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 730µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.4 EUR
71+3.3 EUR
79+2.74 EUR
100+2.4 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR680DP-T1-RE3 SIR680DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0003320271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.27 EUR
52+4.52 EUR
100+2.94 EUR
500+2.4 EUR
1500+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR580DP-T1-RE3 SIR580DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0019629303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+4.95 EUR
70+3.32 EUR
100+2.36 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD3N50D-GE3 SIHD3N50D-GE3 VISHAY VISH-S-A0012662111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 2664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.38 EUR
129+1.81 EUR
202+1.06 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR872ADP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000184592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.09 EUR
66+3.52 EUR
100+2.84 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA20DP-T1-RE3 SIRA20DP-T1-RE3 VISHAY sira20dp.pdf Description: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90DP-T1-GE3 SIRA90DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002523144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA90DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 13477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
110+1.95 EUR
500+1.43 EUR
1500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR668DP-T1-RE3 SIR668DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0003320274-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 7223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.22 EUR
53+4.39 EUR
100+2.94 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR668ADP-T1-RE3 SIR668ADP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0013473633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 6990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.95 EUR
50+4.83 EUR
100+3.13 EUR
500+2.87 EUR
1500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR570DP-T1-RE3 SIR570DP-T1-RE3 VISHAY 3194653.pdf Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.27 EUR
57+4.13 EUR
100+3.08 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR668ADP-T1-RE3 SIR668ADP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0013473633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 6990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.13 EUR
500+2.87 EUR
1500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA99DP-T1-GE3 SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY 2816254.pdf Description: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.92 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR580DP-T1-RE3 SIR580DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0019629303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.36 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR680DP-T1-RE3 SIR680DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0003320271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.94 EUR
500+2.4 EUR
1500+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR638DP-T1-GE3 SIR638DP-T1-GE3 VISHAY sir638dp.pdf Description: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.4 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA80DP-T1-RE3 SIRA80DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0013439338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA80DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.18 EUR
104+2.07 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.52 EUR
5000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD5N50D-GE3 SIHD5N50D-GE3 VISHAY VISH-S-A0009403020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+2.17 EUR
134+1.74 EUR
160+1.34 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD3N50D-GE3 SIHD3N50D-GE3 VISHAY VISH-S-A0012662111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 2664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.81 EUR
202+1.06 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR510DP-T1-RE3 SIR510DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0024282161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.65 EUR
63+3.69 EUR
100+2.49 EUR
500+2 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR510DP-T1-RE3 SIR510DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0024282161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.49 EUR
500+2 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR570DP-T1-RE3 SIR570DP-T1-RE3 VISHAY 3194653.pdf Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.08 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR680LDP-T1-RE3 SIR680LDP-T1-RE3 VISHAY sir680ldp.pdf Description: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00233ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 34134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.37 EUR
500+2.84 EUR
1500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR872ADP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000184592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.09 EUR
70+3.34 EUR
85+2.55 EUR
100+2.3 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA20DP-T1-RE3 SIRA20DP-T1-RE3 VISHAY sira20dp.pdf Description: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR668DP-T1-RE3 SIR668DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0003320274-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 7223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.94 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA00DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0019859687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.83 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VJ0603A5R6CXACW1BC VJ0603A5R6CXACW1BC VISHAY VISH-S-A0021330455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VJ0603A5R6CXACW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 5.6 pF, 50 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 0.25pF, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 0.25pF
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 5.6pF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VJ0603D5R6CXPAJ VJ0603D5R6CXPAJ VISHAY VISH-S-A0020776423-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VJ0603D5R6CXPAJ - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 5.6 pF, 250 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 0.25pF, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 0.25pF
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 5.6pF
Spannung (DC): 250V
Produktpalette: VJ HIFREQ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1067+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1067 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VJ1206A100JXGAT5Z VJ1206A100JXGAT5Z VISHAY 3965981.pdf Description: VISHAY - VJ1206A100JXGAT5Z - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 10 pF, 1 kV, 1206 [Metrisch: 3216], ± 5%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch: 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 5%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10pF
Spannung (DC): 1kV
Produktpalette: VJ HVArc Guard Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW20101K00JNEF-DEL CRCW20101K00JNEF-DEL VISHAY Description: VISHAY - CRCW20101K00JNEF-DEL - RES, THICK FILM, 1K, 5%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 0
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 0
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: 0
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
279+0.89 EUR
324+0.71 EUR
466+0.46 EUR
827+0.26 EUR
855+0.25 EUR
901+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW20102R00JNEF CRCW20102R00JNEF VISHAY dcrcwe3.pdf Description: VISHAY - CRCW20102R00JNEF - RES, THICK FILM, 2R, 5%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 750mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 2ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 200ppm/K
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2440+0.1 EUR
2778+0.083 EUR
3334+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 2440 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VJ0603Y564KXQCW1BC VJ0603Y564KXQCW1BC VISHAY VISH-S-A0021330455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VJ0603Y564KXQCW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.56 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 0.56µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 0.85mm
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
962+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 962 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VJ0603Y473JXQPW1BC VJ0603Y473JXQPW1BC VISHAY VISH-S-A0021330455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VJ0603Y473JXQPW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.047 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 0.047µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 0.85mm
auf Bestellung 17489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1905+0.13 EUR
2156+0.11 EUR
2907+0.074 EUR
3572+0.06 EUR
7500+0.044 EUR
15000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1905 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VJ0603Y564KXQCW1BC VJ0603Y564KXQCW1BC VISHAY VISH-S-A0021330455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VJ0603Y564KXQCW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.56 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 0.56µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 0.85mm
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
962+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 962 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474090-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 7.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 2392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
500+3 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002474090-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 7.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 2392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.22 EUR
60+3.93 EUR
100+3.32 EUR
500+3 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VJ1206A470KXBPW1BC VJ1206A470KXBPW1BC VISHAY VISH-S-A0021330455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VJ1206A470KXBPW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 47 pF, 100 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 10%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 3.2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 47pF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 1.6mm
auf Bestellung 7530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
848+0.3 EUR
962+0.24 EUR
1224+0.18 EUR
2500+0.14 EUR
7500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 848 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1.5KE18A-E3/54. 1.5KE18A-E3/54. VISHAY VISH-S-A0017356990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 1.5KE18A-E3/54. - TVS-Diode, TRANSZORB 1.5KE Series, Unidirektional, 15.3 V, 25.2 V, DO-201, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 17.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 18.9V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 15.3V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB 1.5KE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 25.2V
auf Bestellung 602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.84 EUR
108+2.15 EUR
141+1.52 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-GE3 SI7949DP-T1-GE3 VISHAY 73130.pdf Description: VISHAY - SI7949DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.12 EUR
75+3.13 EUR
101+2.12 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ342ADT-T1-GE3 SIZ342ADT-T1-GE3 VISHAY 2898284.pdf Description: VISHAY - SIZ342ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 33.4 A, 33.4 A, 7800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 33.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 33.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ998BDT-T1-GE3 SIZ998BDT-T1-GE3 VISHAY siz998bdt.pdf Description: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 1800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.05 EUR
115+2.03 EUR
171+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ998BDT-T1-GE3 SIZ998BDT-T1-GE3 VISHAY siz998bdt.pdf Description: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 1800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.05 EUR
115+2.03 EUR
171+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3552DV-T1-E3 SI3552DV-T1-E3 VISHAY si3552dv.pdf Description: VISHAY - SI3552DV-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1539CDL-T1-GE3 SI1539CDL-T1-GE3 VISHAY VISHS99206-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1539CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 700 mA, 700 mA, 0.323 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.323ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 340mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.323ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 340mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.26 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ1539EH-T1_GE3 SQ1539EH-T1_GE3 VISHAY sq1539eh.pdf Description: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 7957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.92 EUR
372+0.62 EUR
409+0.52 EUR
500+0.49 EUR
1500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW04022R20FKED CRCW04022R20FKED VISHAY dcrcwe3.pdf Description: VISHAY - CRCW04022R20FKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2.2 ohm, ± 1%, 100 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 2.2ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
auf Bestellung 111213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2977+0.084 EUR
4292+0.054 EUR
4673+0.046 EUR
5682+0.038 EUR
6061+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 2977 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW12062R20FKEA CRCW12062R20FKEA VISHAY dcrcwe3.pdf Description: VISHAY - CRCW12062R20FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2.2 ohm, ± 1%, 250 mW, 1206 [Metrisch 3216]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 2.2ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 3.2mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.6mm
auf Bestellung 19256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1648+0.15 EUR
2299+0.1 EUR
2545+0.084 EUR
2786+0.077 EUR
2986+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 1648 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW08052R20FKEA CRCW08052R20FKEA VISHAY dcrcwe3.pdf Description: VISHAY - CRCW08052R20FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2.2 ohm, ± 1%, 250 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 2.2ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
auf Bestellung 40213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2248+0.11 EUR
3145+0.074 EUR
3473+0.062 EUR
3803+0.056 EUR
4066+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 2248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW08052R20FKEAHP CRCW08052R20FKEAHP VISHAY crcwhpe3.pdf Description: VISHAY - CRCW08052R20FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2.2 ohm, ± 1%, 500 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
isCanonical: Y
Widerstand: 2.2ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
auf Bestellung 10805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1024+0.25 EUR
1265+0.18 EUR
1532+0.14 EUR
1643+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1024 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW12062R20FKEAHP VISHAY crcwhpe3.pdf Description: VISHAY - CRCW12062R20FKEAHP - DICKSCHICHTWIDERSTAND 2R2 1% 0.75W 1206
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 750mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
isCanonical: Y
Widerstand: 2.2ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 3.1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
794+0.31 EUR
981+0.24 EUR
1190+0.18 EUR
1276+0.17 EUR
2500+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 794 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW12062R20FKEA CRCW12062R20FKEA VISHAY dcrcwe3.pdf Description: VISHAY - CRCW12062R20FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2.2 ohm, ± 1%, 250 mW, 1206 [Metrisch 3216]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 2.2ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW08052R20FKEAHP CRCW08052R20FKEAHP VISHAY crcwhpe3.pdf Description: VISHAY - CRCW08052R20FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2.2 ohm, ± 1%, 500 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
isCanonical: N
Widerstand: 2.2ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
auf Bestellung 10805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1024+0.25 EUR
1265+0.18 EUR
1532+0.14 EUR
1643+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1024 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW12102R20FKEAHP CRCW12102R20FKEAHP VISHAY crcwhpe3.pdf Description: VISHAY - CRCW12102R20FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2.2 ohm, ± 1%, 750 mW, 1210 [Metrisch 3225]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1210 [Metrisch 3225]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 750mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
Widerstand: 2.2ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 2.5mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW04022R20FKED CRCW04022R20FKED VISHAY dcrcwe3.pdf Description: VISHAY - CRCW04022R20FKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2.2 ohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 2.2ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAL215299705E3 2875167.pdf
MAL215299705E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - MAL215299705E3 - Aluminium-Elektrolytkondensatoren, SMD, Becher, radial - SMD, 15 µF, 450 V
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: 22mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher, radial - SMD
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 6000 Stunden bei 105°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): -
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 15µF
Spannung (DC): 450V
Rippelstrom: 110mA
Produktpalette: 152 CME Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 16mm
Kondensatoranschlüsse: Lötanschlüsse
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTCS0805E3104SMT VISH-S-A0013031991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTCS0805E3104SMT
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - NTCS0805E3104SMT - NTC-Thermistor, 100 kOhm, Baureihe NTCS, 3590 K, SMD, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85334010
euEccn: NLR
Thermistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
Thermistor: NTC
Bauform - Thermistor: 0805 [Metrisch 2012]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Fühlerdurchmesser: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
Widerstand (25°C): 100kohm
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Thermische Zeitkonstante (in Luft): -
Anschlusslänge: -
NTC-Montage: Oberflächenmontage
B-Konstante: 3590K
Toleranz B-Konstante: ±1%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
NTC-Gehäusegröße: 0805 [Metrisch 2012]
Produktpalette: NTCS0805E3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Widerstandstoleranz (25°C): ±1%
Fühlermaterial: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
auf Bestellung 4898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
155+1.62 EUR
181+1.29 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.95 EUR
2000+0.9 EUR
4000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VJ1812Y474KXAAT vjcommercialseries.pdf
VJ1812Y474KXAAT
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1812Y474KXAAT - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.47 µF, 50 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: N
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.58mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 0.47µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 3.2mm
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA99DP-T1-GE3 2816254.pdf
SIRA99DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
41+6.12 EUR
56+4.18 EUR
100+2.92 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR680LDP-T1-RE3 sir680ldp.pdf
SIR680LDP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
auf Bestellung 42539 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.47 EUR
50+5.13 EUR
100+3.37 EUR
500+3.06 EUR
1500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA00DP-T1-GE3 VISH-S-A0019859687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIRA00DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+6.93 EUR
56+4.15 EUR
100+2.83 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR638DP-T1-GE3 sir638dp.pdf
SIR638DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 730µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+4.4 EUR
71+3.3 EUR
79+2.74 EUR
100+2.4 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR680DP-T1-RE3 VISH-S-A0003320271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR680DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+7.27 EUR
52+4.52 EUR
100+2.94 EUR
500+2.4 EUR
1500+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR580DP-T1-RE3 VISH-S-A0019629303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR580DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
51+4.95 EUR
70+3.32 EUR
100+2.36 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD3N50D-GE3 VISH-S-A0012662111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHD3N50D-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 2664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
106+2.38 EUR
129+1.81 EUR
202+1.06 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR872ADP-T1-GE3 VISH-S-A0000184592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR872ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5.09 EUR
66+3.52 EUR
100+2.84 EUR
500+2.31 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA20DP-T1-RE3 sira20dp.pdf
SIRA20DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA90DP-T1-GE3 VISH-S-A0002523144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIRA90DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA90DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 13477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.55 EUR
110+1.95 EUR
500+1.43 EUR
1500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR668DP-T1-RE3 VISH-S-A0003320274-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR668DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 7223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+7.22 EUR
53+4.39 EUR
100+2.94 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR668ADP-T1-RE3 VISH-S-A0013473633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR668ADP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 6990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
32+7.95 EUR
50+4.83 EUR
100+3.13 EUR
500+2.87 EUR
1500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR570DP-T1-RE3 3194653.pdf
SIR570DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+5.27 EUR
57+4.13 EUR
100+3.08 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR668ADP-T1-RE3 VISH-S-A0013473633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR668ADP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 6990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.13 EUR
500+2.87 EUR
1500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA99DP-T1-GE3 2816254.pdf
SIRA99DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.92 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR580DP-T1-RE3 VISH-S-A0019629303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR580DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.36 EUR
500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR680DP-T1-RE3 VISH-S-A0003320271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR680DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.94 EUR
500+2.4 EUR
1500+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR638DP-T1-GE3 sir638dp.pdf
SIR638DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1766 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.4 EUR
500+2.08 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA80DP-T1-RE3 VISH-S-A0013439338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIRA80DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA80DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.18 EUR
104+2.07 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.52 EUR
5000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD5N50D-GE3 VISH-S-A0009403020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHD5N50D-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
116+2.17 EUR
134+1.74 EUR
160+1.34 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHD3N50D-GE3 VISH-S-A0012662111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHD3N50D-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 2664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
150+1.81 EUR
202+1.06 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR510DP-T1-RE3 VISH-S-A0024282161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR510DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
54+4.65 EUR
63+3.69 EUR
100+2.49 EUR
500+2 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR510DP-T1-RE3 VISH-S-A0024282161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR510DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 7346 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.49 EUR
500+2 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR570DP-T1-RE3 3194653.pdf
SIR570DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 1604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.08 EUR
500+2.63 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR680LDP-T1-RE3 sir680ldp.pdf
SIR680LDP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00233ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 34134 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.37 EUR
500+2.84 EUR
1500+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR872ADP-T1-GE3 VISH-S-A0000184592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR872ADP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
auf Bestellung 1282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
61+4.09 EUR
70+3.34 EUR
85+2.55 EUR
100+2.3 EUR
500+2.11 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA20DP-T1-RE3 sira20dp.pdf
SIRA20DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIR668DP-T1-RE3 VISH-S-A0003320274-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR668DP-T1-RE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
auf Bestellung 7223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.94 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIRA00DP-T1-GE3 VISH-S-A0019859687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIRA00DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1334 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.83 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VJ0603A5R6CXACW1BC VISH-S-A0021330455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VJ0603A5R6CXACW1BC
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VJ0603A5R6CXACW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 5.6 pF, 50 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 0.25pF, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 0.25pF
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 5.6pF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VJ0603D5R6CXPAJ VISH-S-A0020776423-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VJ0603D5R6CXPAJ
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VJ0603D5R6CXPAJ - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 5.6 pF, 250 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 0.25pF, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 0.25pF
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 5.6pF
Spannung (DC): 250V
Produktpalette: VJ HIFREQ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1067+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1067 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VJ1206A100JXGAT5Z 3965981.pdf
VJ1206A100JXGAT5Z
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1206A100JXGAT5Z - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 10 pF, 1 kV, 1206 [Metrisch: 3216], ± 5%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch: 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 5%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10pF
Spannung (DC): 1kV
Produktpalette: VJ HVArc Guard Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW20101K00JNEF-DEL
CRCW20101K00JNEF-DEL
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW20101K00JNEF-DEL - RES, THICK FILM, 1K, 5%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 0
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 0
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: 0
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
279+0.89 EUR
324+0.71 EUR
466+0.46 EUR
827+0.26 EUR
855+0.25 EUR
901+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 279 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW20102R00JNEF dcrcwe3.pdf
CRCW20102R00JNEF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW20102R00JNEF - RES, THICK FILM, 2R, 5%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 750mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 2ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 200ppm/K
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2440+0.1 EUR
2778+0.083 EUR
3334+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 2440 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VJ0603Y564KXQCW1BC VISH-S-A0021330455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VJ0603Y564KXQCW1BC
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VJ0603Y564KXQCW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.56 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 0.56µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 0.85mm
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
962+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 962 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VJ0603Y473JXQPW1BC VISH-S-A0021330455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VJ0603Y473JXQPW1BC
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VJ0603Y473JXQPW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.047 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 0.047µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 0.85mm
auf Bestellung 17489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1905+0.13 EUR
2156+0.11 EUR
2907+0.074 EUR
3572+0.06 EUR
7500+0.044 EUR
15000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1905 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VJ0603Y564KXQCW1BC VISH-S-A0021330455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VJ0603Y564KXQCW1BC
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VJ0603Y564KXQCW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.56 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 0.56µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 0.85mm
auf Bestellung 1060 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
962+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 962 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4497DY-T1-GE3 VISH-S-A0002474090-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4497DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 7.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 2392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.32 EUR
500+3 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4497DY-T1-GE3 VISH-S-A0002474090-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4497DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 7.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 2392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+8.22 EUR
60+3.93 EUR
100+3.32 EUR
500+3 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
VJ1206A470KXBPW1BC VISH-S-A0021330455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VJ1206A470KXBPW1BC
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1206A470KXBPW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 47 pF, 100 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 10%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 3.2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 47pF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Produktbreite: 1.6mm
auf Bestellung 7530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
848+0.3 EUR
962+0.24 EUR
1224+0.18 EUR
2500+0.14 EUR
7500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 848 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1.5KE18A-E3/54. VISH-S-A0017356990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1.5KE18A-E3/54.
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - 1.5KE18A-E3/54. - TVS-Diode, TRANSZORB 1.5KE Series, Unidirektional, 15.3 V, 25.2 V, DO-201, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 17.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 18.9V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 15.3V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB 1.5KE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 25.2V
auf Bestellung 602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+2.84 EUR
108+2.15 EUR
141+1.52 EUR
500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7949DP-T1-GE3 73130.pdf
SI7949DP-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 4590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+5.12 EUR
75+3.13 EUR
101+2.12 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ342ADT-T1-GE3 2898284.pdf
SIZ342ADT-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ342ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 33.4 A, 33.4 A, 7800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 33.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 33.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ998BDT-T1-GE3 siz998bdt.pdf
SIZ998BDT-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 1800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
62+4.05 EUR
115+2.03 EUR
171+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIZ998BDT-T1-GE3 siz998bdt.pdf
SIZ998BDT-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ998BDT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 30 V, 94.6 A, 94.6 A, 1800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 94.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 94.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 32.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Verlustleistung, n-Kanal: 32.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.05 EUR
115+2.03 EUR
171+1.26 EUR
500+1 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3552DV-T1-E3 si3552dv.pdf
SI3552DV-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3552DV-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.15W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.15W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI1539CDL-T1-GE3 VISHS99206-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI1539CDL-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI1539CDL-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 700 mA, 700 mA, 0.323 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 700mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.323ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 340mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.323ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 340mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.26 EUR
9000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQ1539EH-T1_GE3 sq1539eh.pdf
SQ1539EH-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQ1539EH-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 850 mA, 850 mA, 0.21 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 850mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.21ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 7957 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
274+0.92 EUR
372+0.62 EUR
409+0.52 EUR
500+0.49 EUR
1500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW04022R20FKED dcrcwe3.pdf
CRCW04022R20FKED
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW04022R20FKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2.2 ohm, ± 1%, 100 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 2.2ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
auf Bestellung 111213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2977+0.084 EUR
4292+0.054 EUR
4673+0.046 EUR
5682+0.038 EUR
6061+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 2977 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW12062R20FKEA dcrcwe3.pdf
CRCW12062R20FKEA
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW12062R20FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2.2 ohm, ± 1%, 250 mW, 1206 [Metrisch 3216]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 2.2ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 3.2mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.6mm
auf Bestellung 19256 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1648+0.15 EUR
2299+0.1 EUR
2545+0.084 EUR
2786+0.077 EUR
2986+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 1648 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW08052R20FKEA dcrcwe3.pdf
CRCW08052R20FKEA
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW08052R20FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2.2 ohm, ± 1%, 250 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 2.2ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
auf Bestellung 40213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2248+0.11 EUR
3145+0.074 EUR
3473+0.062 EUR
3803+0.056 EUR
4066+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 2248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW08052R20FKEAHP crcwhpe3.pdf
CRCW08052R20FKEAHP
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW08052R20FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2.2 ohm, ± 1%, 500 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
isCanonical: Y
Widerstand: 2.2ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
auf Bestellung 10805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1024+0.25 EUR
1265+0.18 EUR
1532+0.14 EUR
1643+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1024 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW12062R20FKEAHP crcwhpe3.pdf
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW12062R20FKEAHP - DICKSCHICHTWIDERSTAND 2R2 1% 0.75W 1206
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 750mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
isCanonical: Y
Widerstand: 2.2ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 3.1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11016 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
794+0.31 EUR
981+0.24 EUR
1190+0.18 EUR
1276+0.17 EUR
2500+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 794 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW12062R20FKEA dcrcwe3.pdf
CRCW12062R20FKEA
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW12062R20FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2.2 ohm, ± 1%, 250 mW, 1206 [Metrisch 3216]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 2.2ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW08052R20FKEAHP crcwhpe3.pdf
CRCW08052R20FKEAHP
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW08052R20FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2.2 ohm, ± 1%, 500 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
isCanonical: N
Widerstand: 2.2ohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
auf Bestellung 10805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1024+0.25 EUR
1265+0.18 EUR
1532+0.14 EUR
1643+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1024 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
CRCW12102R20FKEAHP crcwhpe3.pdf
CRCW12102R20FKEAHP
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW12102R20FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2.2 ohm, ± 1%, 750 mW, 1210 [Metrisch 3225]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1210 [Metrisch 3225]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 750mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
Widerstand: 2.2ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 2.5mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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CRCW04022R20FKED dcrcwe3.pdf
CRCW04022R20FKED
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW04022R20FKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2.2 ohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 2.2ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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