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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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C3D16065D Wolfspeed(CREE) C3D16065D THT Schottky diodes
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C3D16065D1 Wolfspeed(CREE) C3D16065D1 THT Schottky diodes
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C3D20060D C3D20060D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1731BF&compId=C3D20060D-DTE.PDF?ci_sign=86c4a8f797aa1531b089e39de529d38b1a2586c9 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Power dissipation: 250W
Manufacturer series: C3D
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Power dissipation: 250W
Manufacturer series: C3D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC; Z-Rec®
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A x2
Power dissipation: 250W
Max. off-state voltage: 650V
Manufacturer series: C3D
Case: TO247-3
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.92 EUR
11+6.51 EUR
30+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3D20065D C3D20065D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1891BF&compId=C3D20065D-DTE.PDF?ci_sign=5ea660f8f2435b0eecdb32c58e92a7e7c4f6bebc Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC; Z-Rec®
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A x2
Power dissipation: 250W
Max. off-state voltage: 650V
Manufacturer series: C3D
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.92 EUR
11+6.51 EUR
30+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3D30065D Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3D30065D_data_sheet.pdf C3D30065D THT Schottky diodes
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C3M0015065K Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0015065K_data_sheet.pdf C3M0015065K THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120K Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE1C58F97500C7&compId=c3m0016120k.pdf?ci_sign=b56a94b76f9c0ff975c0ed489661f134758638d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 556W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 556W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 211nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120K Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE1C58F97500C7&compId=c3m0016120k.pdf?ci_sign=b56a94b76f9c0ff975c0ed489661f134758638d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 556W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 556W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 211nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0030090K C3M0030090K Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895EBDA640E8F13D6&compId=C3M0030090K.pdf?ci_sign=006ba4c36ac792c5a8cf494e31fc439b03b326a4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...15V
Reverse recovery time: 62ns
Gate charge: 87nC
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Drain-source voltage: 900V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+44.96 EUR
30+44.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0030090K C3M0030090K Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895EBDA640E8F13D6&compId=C3M0030090K.pdf?ci_sign=006ba4c36ac792c5a8cf494e31fc439b03b326a4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...15V
Reverse recovery time: 62ns
Gate charge: 87nC
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Drain-source voltage: 900V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+44.96 EUR
30+44.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120D C3M0040120D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9B1F344F7C820D6&compId=C3M0040120D.pdf?ci_sign=4d613cab2ea53e3303302cf48613fef58ae39c47 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 326W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 101nC
Reverse recovery time: 75ns
On-state resistance: 68mΩ
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 223A
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+20.53 EUR
5+14.49 EUR
6+13.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120D C3M0040120D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9B1F344F7C820D6&compId=C3M0040120D.pdf?ci_sign=4d613cab2ea53e3303302cf48613fef58ae39c47 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 326W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 101nC
Reverse recovery time: 75ns
On-state resistance: 68mΩ
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 223A
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.53 EUR
5+14.49 EUR
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C3M0040120K Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0040120K_data_sheet.pdf C3M0040120K THT N channel transistors
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C3M0060065D Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0060065D_data_sheet.pdf C3M0060065D THT N channel transistors
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C3M0060065J Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0060065J_data_sheet.pdf C3M0060065J SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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C3M0060065K Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0060065K_data_sheet.pdf C3M0060065K THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090D C3M0065090D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD718264A622469&compId=C3M0065090D.pdf?ci_sign=fde0daf9047d08d1a65bc5ea94c32c1a17dd60c2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 30.4nC
Reverse recovery time: 30ns
On-state resistance: 78mΩ
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.6 EUR
5+17.59 EUR
30+17.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090D C3M0065090D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD718264A622469&compId=C3M0065090D.pdf?ci_sign=fde0daf9047d08d1a65bc5ea94c32c1a17dd60c2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 30.4nC
Reverse recovery time: 30ns
On-state resistance: 78mΩ
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.6 EUR
5+17.59 EUR
30+17.13 EUR
90+16.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J C3M0065090J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD7144ECC456469&compId=C3M0065090J.pdf?ci_sign=69c68af5243345ffa929c454a0a4ce08d0038760 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+16.69 EUR
50+16.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J C3M0065090J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD7144ECC456469&compId=C3M0065090J.pdf?ci_sign=69c68af5243345ffa929c454a0a4ce08d0038760 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.69 EUR
50+16.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J-TR Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0065090J_data_sheet.pdf C3M0065090J-TR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100J Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0065100J_data_sheet.pdf C3M0065100J SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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C3M0075120D Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0075120D_data_sheet.pdf C3M0075120D THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3+25.47 EUR
5+15.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J C3M0075120J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8BCB34104E1074A&compId=C3M0075120J.pdf?ci_sign=7b0b30cfe1d0c075abd16bebfc1880f04efdedbc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 18ns
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+20.36 EUR
5+15.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J C3M0075120J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8BCB34104E1074A&compId=C3M0075120J.pdf?ci_sign=7b0b30cfe1d0c075abd16bebfc1880f04efdedbc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 18ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.36 EUR
5+15.02 EUR
50+14.54 EUR
500+14.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120K Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0075120K_data_sheet.pdf C3M0075120K THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+17.32 EUR
7+10.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090D C3M0120090D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF04C960EF31BF&compId=C3M0120090D-DTE.pdf?ci_sign=b6de96e852929b9963d0f9edee1cbf50d40ddc1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 17.3nC
Reverse recovery time: 24ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+10.67 EUR
30+10.41 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090D C3M0120090D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF04C960EF31BF&compId=C3M0120090D-DTE.pdf?ci_sign=b6de96e852929b9963d0f9edee1cbf50d40ddc1b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 17.3nC
Reverse recovery time: 24ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+10.67 EUR
30+10.41 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090J C3M0120090J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF05A7818431BF&compId=C3M0120090J-DTE.pdf?ci_sign=a82241ac76a7cb4341ce2cb75b929df080cd7ded Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 24ns
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.31 EUR
6+11.94 EUR
7+11.28 EUR
10+11.21 EUR
50+10.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 24ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.31 EUR
6+11.94 EUR
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Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.47 EUR
7+11.8 EUR
10+11.41 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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C3M0120100J C3M0120100J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AA99E471C33D274A&compId=C3M0120100J.pdf?ci_sign=7d2dfed152c90d934ac0e91263da481b3b6216c7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
6+12.47 EUR
7+11.8 EUR
10+11.41 EUR
30+11.34 EUR
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C3M0120100K Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0120100K_data_sheet.pdf C3M0120100K THT N channel transistors
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C3M0160120D C3M0160120D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE50A5768EC0C7&compId=C3M0160120D.pdf?ci_sign=edb9e9e6418ea9052476bb84a5c3b4cbb6ff69ce Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 97W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Technology: C3M™; SiC
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.87 EUR
11+6.88 EUR
12+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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C3M0160120D C3M0160120D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE50A5768EC0C7&compId=C3M0160120D.pdf?ci_sign=edb9e9e6418ea9052476bb84a5c3b4cbb6ff69ce Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 97W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Technology: C3M™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.87 EUR
11+6.88 EUR
12+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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C3M0160120J Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0160120J_data_sheet.pdf C3M0160120J SMD N channel transistors
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C3M0280090D Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0280090D_data_sheet.pdf C3M0280090D THT N channel transistors
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.21 EUR
13+5.55 EUR
14+5.23 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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C3M0280090J C3M0280090J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF0841A2CBB1BF&compId=C3M0280090J-DTE.pdf?ci_sign=88ca97736aa7d9955a7c2277556b0aa39c2517a8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 20ns
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+8.95 EUR
9+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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C3M0280090J C3M0280090J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF0841A2CBB1BF&compId=C3M0280090J-DTE.pdf?ci_sign=88ca97736aa7d9955a7c2277556b0aa39c2517a8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 20ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+8.95 EUR
9+7.95 EUR
50+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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C3M0350120D Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0350120D_data_sheet.pdf C3M0350120D THT N channel transistors
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C3M0350120J Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0350120J_data_sheet.pdf C3M0350120J SMD N channel transistors
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C4D02120A C4D02120A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1B51BF&compId=C4D02120A-DTE.PDF?ci_sign=881f27b355c8c641b46d26cc0bad07ba2c51c1f5 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 60W
Manufacturer series: C4D
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.17 EUR
27+2.75 EUR
29+2.49 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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C4D02120A C4D02120A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1B51BF&compId=C4D02120A-DTE.PDF?ci_sign=881f27b355c8c641b46d26cc0bad07ba2c51c1f5 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 60W
Manufacturer series: C4D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
23+3.17 EUR
27+2.75 EUR
29+2.49 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 23
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C4D02120E C4D02120E Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE580F4112D45014469&compId=C4D02120E.pdf?ci_sign=6a558db1aae32c064aaeb1ef3ed1193836956cea Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Power dissipation: 52W
Manufacturer series: C4D
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.63 EUR
30+2.39 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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C4D02120E C4D02120E Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE580F4112D45014469&compId=C4D02120E.pdf?ci_sign=6a558db1aae32c064aaeb1ef3ed1193836956cea Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Power dissipation: 52W
Manufacturer series: C4D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.63 EUR
30+2.39 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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C4D05120A C4D05120A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1CB1BF&compId=C4D05120A-DTE.PDF?ci_sign=d558eb8404672cd5cb309a9686b6cd42021dbc34 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 81W
Manufacturer series: C4D
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+6.65 EUR
20+3.76 EUR
21+3.55 EUR
100+3.47 EUR
200+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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C4D05120A C4D05120A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1CB1BF&compId=C4D05120A-DTE.PDF?ci_sign=d558eb8404672cd5cb309a9686b6cd42021dbc34 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 81W
Manufacturer series: C4D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
11+6.65 EUR
20+3.76 EUR
21+3.55 EUR
100+3.47 EUR
200+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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C4D05120E Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C4D05120E_data_sheet.pdf C4D05120E SMD Schottky diodes
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
14+5.36 EUR
19+3.86 EUR
20+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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C4D08120A Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C4D08120A_data_sheet.pdf C4D08120A THT Schottky diodes
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C4D08120E Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C4D08120E_data_sheet.pdf C4D08120E SMD Schottky diodes
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C4D10120A C4D10120A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F20D1BF&compId=C4D10120A-DTE.PDF?ci_sign=7bb92391402f1ef6c40cd14568edc5769dd7bf5c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; 136W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 136W
Manufacturer series: C4D
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.33 EUR
10+7.29 EUR
11+6.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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C4D10120A C4D10120A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F20D1BF&compId=C4D10120A-DTE.PDF?ci_sign=7bb92391402f1ef6c40cd14568edc5769dd7bf5c Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; 136W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 136W
Manufacturer series: C4D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.33 EUR
10+7.29 EUR
11+6.89 EUR
50+6.81 EUR
100+6.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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C4D10120D C4D10120D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F2231BF&compId=C4D10120D-DTE.PDF?ci_sign=68a4300d43e7a2c9a042b9f0d66548b2e760e799 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; 187W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Power dissipation: 187W
Manufacturer series: C4D
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.03 EUR
10+7.19 EUR
11+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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C4D10120D C4D10120D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F2231BF&compId=C4D10120D-DTE.PDF?ci_sign=68a4300d43e7a2c9a042b9f0d66548b2e760e799 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; 187W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Power dissipation: 187W
Manufacturer series: C4D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.03 EUR
10+7.19 EUR
11+6.81 EUR
120+6.55 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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C4D10120E C4D10120E Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F2391BF&compId=C4D10120E-DTE.PDF?ci_sign=ebc5d8f60b140bb3c169cd16b3af24b081e6bdfa Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 170W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Power dissipation: 170W
Manufacturer series: C4D
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.12 EUR
10+7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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C4D10120E C4D10120E Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F2391BF&compId=C4D10120E-DTE.PDF?ci_sign=ebc5d8f60b140bb3c169cd16b3af24b081e6bdfa Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 170W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Power dissipation: 170W
Manufacturer series: C4D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.12 EUR
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C4D10120H C4D10120H Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895EB7B54629A33D6&compId=C4D10120H.pdf?ci_sign=6d9c05058a689c48a1b4c219eb48082d409e40e4 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; 66W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Power dissipation: 66W
Manufacturer series: C4D
Produkt ist nicht verfügbar
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C4D10120H C4D10120H Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895EB7B54629A33D6&compId=C4D10120H.pdf?ci_sign=6d9c05058a689c48a1b4c219eb48082d409e40e4 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; 66W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Power dissipation: 66W
Manufacturer series: C4D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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C3D16065D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3D16065D THT Schottky diodes
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C3D16065D1
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3D16065D1 THT Schottky diodes
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C3D20060D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1731BF&compId=C3D20060D-DTE.PDF?ci_sign=86c4a8f797aa1531b089e39de529d38b1a2586c9
C3D20060D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Power dissipation: 250W
Manufacturer series: C3D
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
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C3D20060D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1731BF&compId=C3D20060D-DTE.PDF?ci_sign=86c4a8f797aa1531b089e39de529d38b1a2586c9
C3D20060D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Power dissipation: 250W
Manufacturer series: C3D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
5+14.3 EUR
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C3D20065D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1891BF&compId=C3D20065D-DTE.PDF?ci_sign=5ea660f8f2435b0eecdb32c58e92a7e7c4f6bebc
C3D20065D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC; Z-Rec®
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A x2
Power dissipation: 250W
Max. off-state voltage: 650V
Manufacturer series: C3D
Case: TO247-3
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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11+6.51 EUR
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C3D20065D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1891BF&compId=C3D20065D-DTE.PDF?ci_sign=5ea660f8f2435b0eecdb32c58e92a7e7c4f6bebc
C3D20065D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
Technology: SiC; Z-Rec®
Type of diode: Schottky rectifying
Load current: 10A x2
Power dissipation: 250W
Max. off-state voltage: 650V
Manufacturer series: C3D
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 88 Stücke:
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8+9.92 EUR
11+6.51 EUR
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Mindestbestellmenge: 8
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C3D30065D Wolfspeed_C3D30065D_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3D30065D THT Schottky diodes
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C3M0015065K Wolfspeed_C3M0015065K_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0015065K THT N channel transistors
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C3M0016120K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE1C58F97500C7&compId=c3m0016120k.pdf?ci_sign=b56a94b76f9c0ff975c0ed489661f134758638d1
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 556W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 556W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 211nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Produkt ist nicht verfügbar
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C3M0016120K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE1C58F97500C7&compId=c3m0016120k.pdf?ci_sign=b56a94b76f9c0ff975c0ed489661f134758638d1
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 556W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 556W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 211nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-4
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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C3M0030090K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895EBDA640E8F13D6&compId=C3M0030090K.pdf?ci_sign=006ba4c36ac792c5a8cf494e31fc439b03b326a4
C3M0030090K
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...15V
Reverse recovery time: 62ns
Gate charge: 87nC
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Drain-source voltage: 900V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+44.96 EUR
30+44.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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C3M0030090K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895EBDA640E8F13D6&compId=C3M0030090K.pdf?ci_sign=006ba4c36ac792c5a8cf494e31fc439b03b326a4
C3M0030090K
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-4
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...15V
Reverse recovery time: 62ns
Gate charge: 87nC
On-state resistance: 37mΩ
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Drain-source voltage: 900V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+44.96 EUR
30+44.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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C3M0040120D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9B1F344F7C820D6&compId=C3M0040120D.pdf?ci_sign=4d613cab2ea53e3303302cf48613fef58ae39c47
C3M0040120D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 326W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 101nC
Reverse recovery time: 75ns
On-state resistance: 68mΩ
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 223A
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.53 EUR
5+14.49 EUR
6+13.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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C3M0040120D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9B1F344F7C820D6&compId=C3M0040120D.pdf?ci_sign=4d613cab2ea53e3303302cf48613fef58ae39c47
C3M0040120D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 326W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 101nC
Reverse recovery time: 75ns
On-state resistance: 68mΩ
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 223A
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.53 EUR
5+14.49 EUR
6+13.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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C3M0040120K Wolfspeed_C3M0040120K_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0040120K THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065D Wolfspeed_C3M0060065D_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0060065D THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065J Wolfspeed_C3M0060065J_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0060065J SMD N channel transistors
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C3M0060065K Wolfspeed_C3M0060065K_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0060065K THT N channel transistors
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C3M0065090D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD718264A622469&compId=C3M0065090D.pdf?ci_sign=fde0daf9047d08d1a65bc5ea94c32c1a17dd60c2
C3M0065090D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 30.4nC
Reverse recovery time: 30ns
On-state resistance: 78mΩ
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.6 EUR
5+17.59 EUR
30+17.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD718264A622469&compId=C3M0065090D.pdf?ci_sign=fde0daf9047d08d1a65bc5ea94c32c1a17dd60c2
C3M0065090D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 30.4nC
Reverse recovery time: 30ns
On-state resistance: 78mΩ
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.6 EUR
5+17.59 EUR
30+17.13 EUR
90+16.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD7144ECC456469&compId=C3M0065090J.pdf?ci_sign=69c68af5243345ffa929c454a0a4ce08d0038760
C3M0065090J
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.69 EUR
50+16.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD7144ECC456469&compId=C3M0065090J.pdf?ci_sign=69c68af5243345ffa929c454a0a4ce08d0038760
C3M0065090J
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
Power dissipation: 113W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.69 EUR
50+16.03 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J-TR Wolfspeed_C3M0065090J_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0065090J-TR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065100J Wolfspeed_C3M0065100J_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0065100J SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120D Wolfspeed_C3M0075120D_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0075120D THT N channel transistors
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+25.47 EUR
5+15.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8BCB34104E1074A&compId=C3M0075120J.pdf?ci_sign=7b0b30cfe1d0c075abd16bebfc1880f04efdedbc
C3M0075120J
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 18ns
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.36 EUR
5+15.02 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0075120J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8BCB34104E1074A&compId=C3M0075120J.pdf?ci_sign=7b0b30cfe1d0c075abd16bebfc1880f04efdedbc
C3M0075120J
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Power dissipation: 113.6W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 18ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.36 EUR
5+15.02 EUR
50+14.54 EUR
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Mindestbestellmenge: 4
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C3M0075120K Wolfspeed_C3M0075120K_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0075120K THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
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C3M0120090D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF04C960EF31BF&compId=C3M0120090D-DTE.pdf?ci_sign=b6de96e852929b9963d0f9edee1cbf50d40ddc1b
C3M0120090D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 17.3nC
Reverse recovery time: 24ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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30+10.41 EUR
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C3M0120090D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -8...19V
Gate charge: 17.3nC
Reverse recovery time: 24ns
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 900V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.67 EUR
30+10.41 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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C3M0120090J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF05A7818431BF&compId=C3M0120090J-DTE.pdf?ci_sign=a82241ac76a7cb4341ce2cb75b929df080cd7ded
C3M0120090J
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 24ns
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.31 EUR
6+11.94 EUR
7+11.28 EUR
10+11.21 EUR
50+10.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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C3M0120090J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF05A7818431BF&compId=C3M0120090J-DTE.pdf?ci_sign=a82241ac76a7cb4341ce2cb75b929df080cd7ded
C3M0120090J
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 24ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.31 EUR
6+11.94 EUR
7+11.28 EUR
10+11.21 EUR
50+10.85 EUR
Mindestbestellmenge: 5
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C3M0120100J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AA99E471C33D274A&compId=C3M0120100J.pdf?ci_sign=7d2dfed152c90d934ac0e91263da481b3b6216c7
C3M0120100J
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.47 EUR
7+11.8 EUR
10+11.41 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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C3M0120100J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AA99E471C33D274A&compId=C3M0120100J.pdf?ci_sign=7d2dfed152c90d934ac0e91263da481b3b6216c7
C3M0120100J
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.47 EUR
7+11.8 EUR
10+11.41 EUR
30+11.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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C3M0120100K Wolfspeed_C3M0120100K_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0120100K THT N channel transistors
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C3M0160120D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE50A5768EC0C7&compId=C3M0160120D.pdf?ci_sign=edb9e9e6418ea9052476bb84a5c3b4cbb6ff69ce
C3M0160120D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 97W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Technology: C3M™; SiC
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.87 EUR
11+6.88 EUR
12+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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C3M0160120D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE50A5768EC0C7&compId=C3M0160120D.pdf?ci_sign=edb9e9e6418ea9052476bb84a5c3b4cbb6ff69ce
C3M0160120D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 97W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 256mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Technology: C3M™; SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.87 EUR
11+6.88 EUR
12+6.49 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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C3M0160120J Wolfspeed_C3M0160120J_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0160120J SMD N channel transistors
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C3M0280090D Wolfspeed_C3M0280090D_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0280090D THT N channel transistors
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.21 EUR
13+5.55 EUR
14+5.23 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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C3M0280090J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF0841A2CBB1BF&compId=C3M0280090J-DTE.pdf?ci_sign=88ca97736aa7d9955a7c2277556b0aa39c2517a8
C3M0280090J
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 20ns
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.95 EUR
9+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF0841A2CBB1BF&compId=C3M0280090J-DTE.pdf?ci_sign=88ca97736aa7d9955a7c2277556b0aa39c2517a8
C3M0280090J
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 20ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+8.95 EUR
9+7.95 EUR
50+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120D Wolfspeed_C3M0350120D_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0350120D THT N channel transistors
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C3M0350120J Wolfspeed_C3M0350120J_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0350120J SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C4D02120A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1B51BF&compId=C4D02120A-DTE.PDF?ci_sign=881f27b355c8c641b46d26cc0bad07ba2c51c1f5
C4D02120A
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 60W
Manufacturer series: C4D
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.17 EUR
27+2.75 EUR
29+2.49 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C4D02120A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1B51BF&compId=C4D02120A-DTE.PDF?ci_sign=881f27b355c8c641b46d26cc0bad07ba2c51c1f5
C4D02120A
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 60W
Manufacturer series: C4D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
23+3.17 EUR
27+2.75 EUR
29+2.49 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C4D02120E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE580F4112D45014469&compId=C4D02120E.pdf?ci_sign=6a558db1aae32c064aaeb1ef3ed1193836956cea
C4D02120E
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Power dissipation: 52W
Manufacturer series: C4D
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.63 EUR
30+2.39 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C4D02120E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE580F4112D45014469&compId=C4D02120E.pdf?ci_sign=6a558db1aae32c064aaeb1ef3ed1193836956cea
C4D02120E
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Power dissipation: 52W
Manufacturer series: C4D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.63 EUR
30+2.39 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 28
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C4D05120A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1CB1BF&compId=C4D05120A-DTE.PDF?ci_sign=d558eb8404672cd5cb309a9686b6cd42021dbc34
C4D05120A
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 81W
Manufacturer series: C4D
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.65 EUR
20+3.76 EUR
21+3.55 EUR
100+3.47 EUR
200+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 11
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C4D05120A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1CB1BF&compId=C4D05120A-DTE.PDF?ci_sign=d558eb8404672cd5cb309a9686b6cd42021dbc34
C4D05120A
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 81W
Manufacturer series: C4D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 491 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+6.65 EUR
20+3.76 EUR
21+3.55 EUR
100+3.47 EUR
200+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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C4D05120E Wolfspeed_C4D05120E_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C4D05120E SMD Schottky diodes
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.36 EUR
19+3.86 EUR
20+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 14
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C4D08120A Wolfspeed_C4D08120A_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C4D08120A THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C4D08120E Wolfspeed_C4D08120E_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C4D08120E SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C4D10120A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F20D1BF&compId=C4D10120A-DTE.PDF?ci_sign=7bb92391402f1ef6c40cd14568edc5769dd7bf5c
C4D10120A
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; 136W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 136W
Manufacturer series: C4D
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.33 EUR
10+7.29 EUR
11+6.89 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C4D10120A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F20D1BF&compId=C4D10120A-DTE.PDF?ci_sign=7bb92391402f1ef6c40cd14568edc5769dd7bf5c
C4D10120A
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; 136W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 136W
Manufacturer series: C4D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
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11+6.89 EUR
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C4D10120D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; 187W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Power dissipation: 187W
Manufacturer series: C4D
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.03 EUR
10+7.19 EUR
11+6.81 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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C4D10120D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; 187W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Power dissipation: 187W
Manufacturer series: C4D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.03 EUR
10+7.19 EUR
11+6.81 EUR
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Mindestbestellmenge: 7
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C4D10120E
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 170W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Power dissipation: 170W
Manufacturer series: C4D
auf Bestellung 12 Stücke:
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Anzahl Preis
9+8.12 EUR
10+7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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C4D10120E
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; 170W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Power dissipation: 170W
Manufacturer series: C4D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.12 EUR
10+7.31 EUR
25+7.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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C4D10120H
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; 66W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Power dissipation: 66W
Manufacturer series: C4D
Produkt ist nicht verfügbar
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C4D10120H pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895EB7B54629A33D6&compId=C4D10120H.pdf?ci_sign=6d9c05058a689c48a1b4c219eb48082d409e40e4
C4D10120H
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; 66W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Power dissipation: 66W
Manufacturer series: C4D
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