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C3D10065E Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3D10065E_data_sheet.pdf C3D10065E SMD Schottky diodes
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C3D10065I C3D10065I Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F11B1BF&compId=C3D10065I-DTE.PDF?ci_sign=4116dd63bb7010e353c4f52da5a1f9375da4fa07 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; 60W; C3D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 60W
Manufacturer series: C3D
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3D10065I C3D10065I Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F11B1BF&compId=C3D10065I-DTE.PDF?ci_sign=4116dd63bb7010e353c4f52da5a1f9375da4fa07 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; 60W; C3D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 60W
Manufacturer series: C3D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+7.95 EUR
11+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3D12065A Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3D12065A_data_sheet.pdf C3D12065A THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3D16060D C3D16060D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1471BF&compId=C3D16060D-DTE.PDF?ci_sign=b15969d23852d4dbd7d074c910ecdce5a3eca877 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8Ax2; TO247-3; 100W; C3D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 100W
Manufacturer series: C3D
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.84 EUR
14+5.31 EUR
15+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3D16060D C3D16060D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1471BF&compId=C3D16060D-DTE.PDF?ci_sign=b15969d23852d4dbd7d074c910ecdce5a3eca877 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8Ax2; TO247-3; 100W; C3D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 100W
Manufacturer series: C3D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.84 EUR
14+5.31 EUR
15+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3D16065D Wolfspeed(CREE) C3D16065D THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3D16065D1 Wolfspeed(CREE) C3D16065D1 THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3D20060D C3D20060D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1731BF&compId=C3D20060D-DTE.PDF?ci_sign=86c4a8f797aa1531b089e39de529d38b1a2586c9 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Power dissipation: 250W
Manufacturer series: C3D
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3D20060D C3D20060D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1731BF&compId=C3D20060D-DTE.PDF?ci_sign=86c4a8f797aa1531b089e39de529d38b1a2586c9 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Power dissipation: 250W
Manufacturer series: C3D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+35.75 EUR
5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3D20065D C3D20065D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1891BF&compId=C3D20065D-DTE.PDF?ci_sign=5ea660f8f2435b0eecdb32c58e92a7e7c4f6bebc Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 250W
Type of diode: Schottky rectifying
Manufacturer series: C3D
Technology: SiC; Z-Rec®
Case: TO247-3
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+8.68 EUR
11+6.51 EUR
30+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3D20065D C3D20065D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1891BF&compId=C3D20065D-DTE.PDF?ci_sign=5ea660f8f2435b0eecdb32c58e92a7e7c4f6bebc Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 250W
Type of diode: Schottky rectifying
Manufacturer series: C3D
Technology: SiC; Z-Rec®
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
9+8.68 EUR
11+6.51 EUR
30+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3D30065D C3D30065D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AEF6C93513C15E27&compId=C3D30065D-DTE.pdf?ci_sign=6780884481cc67ba4e42ed2cd62da4635927cc93 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; 150W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Power dissipation: 150W
Manufacturer series: C3D
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3D30065D C3D30065D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AEF6C93513C15E27&compId=C3D30065D-DTE.pdf?ci_sign=6780884481cc67ba4e42ed2cd62da4635927cc93 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; 150W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Power dissipation: 150W
Manufacturer series: C3D
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065K Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0015065K_data_sheet.pdf C3M0015065K THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120K Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0016120K_data_sheet.pdf C3M0016120K THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0030090K C3M0030090K Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895EBDA640E8F13D6&compId=C3M0030090K.pdf?ci_sign=006ba4c36ac792c5a8cf494e31fc439b03b326a4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 62ns
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+45.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0030090K C3M0030090K Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895EBDA640E8F13D6&compId=C3M0030090K.pdf?ci_sign=006ba4c36ac792c5a8cf494e31fc439b03b326a4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 62ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+45.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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C3M0040120D C3M0040120D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9B1F344F7C820D6&compId=C3M0040120D.pdf?ci_sign=4d613cab2ea53e3303302cf48613fef58ae39c47 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 101nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 75ns
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+20.43 EUR
5+14.57 EUR
6+13.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120D C3M0040120D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9B1F344F7C820D6&compId=C3M0040120D.pdf?ci_sign=4d613cab2ea53e3303302cf48613fef58ae39c47 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 101nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 75ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+20.43 EUR
5+14.57 EUR
6+13.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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C3M0040120K Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0040120K_data_sheet.pdf C3M0040120K THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065D Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0045065D_data_sheet.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065D Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0060065D_data_sheet.pdf C3M0060065D THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065J Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0060065J_data_sheet.pdf C3M0060065J SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065K Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0060065K_data_sheet.pdf C3M0060065K THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090D C3M0065090D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD718264A622469&compId=C3M0065090D.pdf?ci_sign=fde0daf9047d08d1a65bc5ea94c32c1a17dd60c2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 125W
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 36A
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+18.42 EUR
5+17.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090D C3M0065090D Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD718264A622469&compId=C3M0065090D.pdf?ci_sign=fde0daf9047d08d1a65bc5ea94c32c1a17dd60c2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 125W
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
4+18.42 EUR
5+17.42 EUR
120+16.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J C3M0065090J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD7144ECC456469&compId=C3M0065090J.pdf?ci_sign=69c68af5243345ffa929c454a0a4ce08d0038760 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+16.72 EUR
10+16.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J C3M0065090J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD7144ECC456469&compId=C3M0065090J.pdf?ci_sign=69c68af5243345ffa929c454a0a4ce08d0038760 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+16.72 EUR
10+16.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J-TR C3M0065090J-TR Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A7BE615288B5274A&compId=C3M0065090J.pdf?ci_sign=07eabd01493bcf13c325a05201d18b1419128c7b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090J-TR C3M0065090J-TR Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A7BE615288B5274A&compId=C3M0065090J.pdf?ci_sign=07eabd01493bcf13c325a05201d18b1419128c7b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 113.6W
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19.7A
On-state resistance: 0.105Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+22.64 EUR
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Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 113.6W
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19.7A
On-state resistance: 0.105Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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auf Bestellung 38 Stücke:
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Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Reverse recovery time: 18ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113.6W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 14nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+19.78 EUR
5+15.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Reverse recovery time: 18ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113.6W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 14nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
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Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 97W
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+13.61 EUR
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Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 97W
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
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auf Bestellung 81 Stücke:
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Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+14.51 EUR
7+11.23 EUR
10+11.21 EUR
50+10.78 EUR
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Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
5+14.51 EUR
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C3M0120100J C3M0120100J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AA99E471C33D274A&compId=C3M0120100J.pdf?ci_sign=7d2dfed152c90d934ac0e91263da481b3b6216c7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+12.4 EUR
7+11.71 EUR
10+11.7 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 256mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
Mounting: THT
Case: TO247-3
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+11.11 EUR
11+6.81 EUR
12+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 256mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
7+11.11 EUR
11+6.81 EUR
12+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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C3M0160120J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE5959CD05E0C7&compId=C3M0160120J.pdf?ci_sign=b2f1126d529b964a81a3d7cea7d3878a342d0581 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 90W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 256mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 24nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Produkt ist nicht verfügbar
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C3M0160120J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE5959CD05E0C7&compId=C3M0160120J.pdf?ci_sign=b2f1126d529b964a81a3d7cea7d3878a342d0581 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 90W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 256mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 24nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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C3M0280090D Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0280090D_data_sheet.pdf C3M0280090D THT N channel transistors
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+7.21 EUR
13+5.55 EUR
14+5.23 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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C3M0280090J C3M0280090J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF0841A2CBB1BF&compId=C3M0280090J-DTE.pdf?ci_sign=88ca97736aa7d9955a7c2277556b0aa39c2517a8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 9.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 20ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+9.01 EUR
13+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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C3M0280090J C3M0280090J Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF0841A2CBB1BF&compId=C3M0280090J-DTE.pdf?ci_sign=88ca97736aa7d9955a7c2277556b0aa39c2517a8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 9.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 20ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
8+9.01 EUR
13+5.53 EUR
50+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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C3M0350120D Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C3M0350120D_data_sheet.pdf C3M0350120D THT N channel transistors
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C4D02120A C4D02120A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1B51BF&compId=C4D02120A-DTE.PDF?ci_sign=881f27b355c8c641b46d26cc0bad07ba2c51c1f5 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 60W
Manufacturer series: C4D
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.26 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
250+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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C4D02120A C4D02120A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1B51BF&compId=C4D02120A-DTE.PDF?ci_sign=881f27b355c8c641b46d26cc0bad07ba2c51c1f5 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 60W
Manufacturer series: C4D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
22+3.26 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
250+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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C4D02120E C4D02120E Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE580F4112D45014469&compId=C4D02120E.pdf?ci_sign=6a558db1aae32c064aaeb1ef3ed1193836956cea Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Power dissipation: 52W
Manufacturer series: C4D
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.62 EUR
31+2.35 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
525+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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C4D02120E C4D02120E Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE580F4112D45014469&compId=C4D02120E.pdf?ci_sign=6a558db1aae32c064aaeb1ef3ed1193836956cea Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Power dissipation: 52W
Manufacturer series: C4D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
28+2.62 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C4D05120A C4D05120A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1CB1BF&compId=C4D05120A-DTE.PDF?ci_sign=d558eb8404672cd5cb309a9686b6cd42021dbc34 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 81W
Manufacturer series: C4D
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.21 EUR
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C4D05120A C4D05120A Wolfspeed(CREE) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1CB1BF&compId=C4D05120A-DTE.PDF?ci_sign=d558eb8404672cd5cb309a9686b6cd42021dbc34 Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 81W
Manufacturer series: C4D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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20+3.75 EUR
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C4D05120E Wolfspeed(CREE) Wolfspeed_C4D05120E_data_sheet.pdf C4D05120E SMD Schottky diodes
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Mindestbestellmenge: 14
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C3D10065E Wolfspeed_C3D10065E_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3D10065E SMD Schottky diodes
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C3D10065I pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F11B1BF&compId=C3D10065I-DTE.PDF?ci_sign=4116dd63bb7010e353c4f52da5a1f9375da4fa07
C3D10065I
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; 60W; C3D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 60W
Manufacturer series: C3D
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
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C3D10065I pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F11B1BF&compId=C3D10065I-DTE.PDF?ci_sign=4116dd63bb7010e353c4f52da5a1f9375da4fa07
C3D10065I
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; 60W; C3D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 60W
Manufacturer series: C3D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+7.95 EUR
11+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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C3D12065A Wolfspeed_C3D12065A_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3D12065A THT Schottky diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3D16060D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1471BF&compId=C3D16060D-DTE.PDF?ci_sign=b15969d23852d4dbd7d074c910ecdce5a3eca877
C3D16060D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8Ax2; TO247-3; 100W; C3D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 100W
Manufacturer series: C3D
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.84 EUR
14+5.31 EUR
15+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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C3D16060D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1471BF&compId=C3D16060D-DTE.PDF?ci_sign=b15969d23852d4dbd7d074c910ecdce5a3eca877
C3D16060D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 8Ax2; TO247-3; 100W; C3D
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247-3
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 100W
Manufacturer series: C3D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.84 EUR
14+5.31 EUR
15+5.02 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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C3D16065D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3D16065D THT Schottky diodes
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C3D16065D1
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3D16065D1 THT Schottky diodes
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C3D20060D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1731BF&compId=C3D20060D-DTE.PDF?ci_sign=86c4a8f797aa1531b089e39de529d38b1a2586c9
C3D20060D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Power dissipation: 250W
Manufacturer series: C3D
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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C3D20060D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1731BF&compId=C3D20060D-DTE.PDF?ci_sign=86c4a8f797aa1531b089e39de529d38b1a2586c9
C3D20060D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 600V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Power dissipation: 250W
Manufacturer series: C3D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+35.75 EUR
5+14.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3D20065D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1891BF&compId=C3D20065D-DTE.PDF?ci_sign=5ea660f8f2435b0eecdb32c58e92a7e7c4f6bebc
C3D20065D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 250W
Type of diode: Schottky rectifying
Manufacturer series: C3D
Technology: SiC; Z-Rec®
Case: TO247-3
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.68 EUR
11+6.51 EUR
30+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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C3D20065D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1891BF&compId=C3D20065D-DTE.PDF?ci_sign=5ea660f8f2435b0eecdb32c58e92a7e7c4f6bebc
C3D20065D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; 250W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 250W
Type of diode: Schottky rectifying
Manufacturer series: C3D
Technology: SiC; Z-Rec®
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+8.68 EUR
11+6.51 EUR
30+6.26 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3D30065D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AEF6C93513C15E27&compId=C3D30065D-DTE.pdf?ci_sign=6780884481cc67ba4e42ed2cd62da4635927cc93
C3D30065D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; 150W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Power dissipation: 150W
Manufacturer series: C3D
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3D30065D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AEF6C93513C15E27&compId=C3D30065D-DTE.pdf?ci_sign=6780884481cc67ba4e42ed2cd62da4635927cc93
C3D30065D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15Ax2; TO247-3; 150W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Power dissipation: 150W
Manufacturer series: C3D
Anzahl je Verpackung: 450 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0015065K Wolfspeed_C3M0015065K_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0015065K THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0016120K Wolfspeed_C3M0016120K_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0016120K THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0030090K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895EBDA640E8F13D6&compId=C3M0030090K.pdf?ci_sign=006ba4c36ac792c5a8cf494e31fc439b03b326a4
C3M0030090K
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 62ns
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2+45.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0030090K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE895EBDA640E8F13D6&compId=C3M0030090K.pdf?ci_sign=006ba4c36ac792c5a8cf494e31fc439b03b326a4
C3M0030090K
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 40A; 149W; TO247-4; 62ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 40A
Power dissipation: 149W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -4...15V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 62ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+45.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9B1F344F7C820D6&compId=C3M0040120D.pdf?ci_sign=4d613cab2ea53e3303302cf48613fef58ae39c47
C3M0040120D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 101nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 75ns
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.43 EUR
5+14.57 EUR
6+13.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9B1F344F7C820D6&compId=C3M0040120D.pdf?ci_sign=4d613cab2ea53e3303302cf48613fef58ae39c47
C3M0040120D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 48A; Idm: 223A; 326W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: C3M™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 223A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 101nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 75ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+20.43 EUR
5+14.57 EUR
6+13.77 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0040120K Wolfspeed_C3M0040120K_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0040120K THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0045065D Wolfspeed_C3M0045065D_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065D Wolfspeed_C3M0060065D_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0060065D THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065J Wolfspeed_C3M0060065J_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0060065J SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0060065K Wolfspeed_C3M0060065K_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0060065K THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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C3M0065090D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD718264A622469&compId=C3M0065090D.pdf?ci_sign=fde0daf9047d08d1a65bc5ea94c32c1a17dd60c2
C3M0065090D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 125W
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 36A
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.42 EUR
5+17.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0065090D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD718264A622469&compId=C3M0065090D.pdf?ci_sign=fde0daf9047d08d1a65bc5ea94c32c1a17dd60c2
C3M0065090D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 36A; 125W; TO247-3; 30ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 125W
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 30.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 30ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 36A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 89 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+18.42 EUR
5+17.42 EUR
120+16.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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C3M0065090J
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+16.72 EUR
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C3M0065090J
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 59 Stücke:
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C3M0065090J-TR
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
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C3M0065090J-TR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A7BE615288B5274A&compId=C3M0065090J.pdf?ci_sign=07eabd01493bcf13c325a05201d18b1419128c7b
C3M0065090J-TR
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 35A; 113W; D2PAK-7; 16ns
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 35A
On-state resistance: 78mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 30.4nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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C3M0065100J Wolfspeed_C3M0065100J_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0065100J SMD N channel transistors
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C3M0075120D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE4421F6CA20C7&compId=c3m0075120d.pdf?ci_sign=4c2ea1493f3c8949a3ea77f9162d43dc7bd0cac5
C3M0075120D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 113.6W
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19.7A
On-state resistance: 0.105Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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4+22.64 EUR
5+15.04 EUR
6+14.23 EUR
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C3M0075120D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE4421F6CA20C7&compId=c3m0075120d.pdf?ci_sign=4c2ea1493f3c8949a3ea77f9162d43dc7bd0cac5
C3M0075120D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19.7A; Idm: 80A; 113.6W
Case: TO247-3
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Power dissipation: 113.6W
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 19.7A
On-state resistance: 0.105Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+22.64 EUR
5+15.04 EUR
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C3M0075120J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8BCB34104E1074A&compId=C3M0075120J.pdf?ci_sign=7b0b30cfe1d0c075abd16bebfc1880f04efdedbc
C3M0075120J
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Reverse recovery time: 18ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113.6W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 14nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.78 EUR
5+15.07 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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C3M0075120J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8BCB34104E1074A&compId=C3M0075120J.pdf?ci_sign=7b0b30cfe1d0c075abd16bebfc1880f04efdedbc
C3M0075120J
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 30A; 113.6W; D2PAK-7
Reverse recovery time: 18ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 113.6W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 14nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+19.78 EUR
5+15.07 EUR
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C3M0075120K Wolfspeed_C3M0075120K_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0075120K THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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5+17.32 EUR
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C3M0120090D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF04C960EF31BF&compId=C3M0120090D-DTE.pdf?ci_sign=b6de96e852929b9963d0f9edee1cbf50d40ddc1b
C3M0120090D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 97W
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.61 EUR
7+10.67 EUR
30+10.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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C3M0120090D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF04C960EF31BF&compId=C3M0120090D-DTE.pdf?ci_sign=b6de96e852929b9963d0f9edee1cbf50d40ddc1b
C3M0120090D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Technology: C3M™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 97W
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+13.61 EUR
7+10.67 EUR
30+10.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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C3M0120090J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF05A7818431BF&compId=C3M0120090J-DTE.pdf?ci_sign=a82241ac76a7cb4341ce2cb75b929df080cd7ded
C3M0120090J
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.51 EUR
7+11.23 EUR
10+11.21 EUR
50+10.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120090J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF05A7818431BF&compId=C3M0120090J-DTE.pdf?ci_sign=a82241ac76a7cb4341ce2cb75b929df080cd7ded
C3M0120090J
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns
Case: D2PAK-7
Technology: C3M™; SiC
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 17.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 136 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+14.51 EUR
7+11.23 EUR
10+11.21 EUR
50+10.78 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AA99E471C33D274A&compId=C3M0120100J.pdf?ci_sign=7d2dfed152c90d934ac0e91263da481b3b6216c7
C3M0120100J
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.4 EUR
7+11.71 EUR
10+11.7 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AA99E471C33D274A&compId=C3M0120100J.pdf?ci_sign=7d2dfed152c90d934ac0e91263da481b3b6216c7
C3M0120100J
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -8...19V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: C3M™; SiC
Reverse recovery time: 16ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.4 EUR
7+11.71 EUR
10+11.7 EUR
30+11.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0120100K Wolfspeed_C3M0120100K_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0120100K THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE50A5768EC0C7&compId=C3M0160120D.pdf?ci_sign=edb9e9e6418ea9052476bb84a5c3b4cbb6ff69ce
C3M0160120D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 256mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
Mounting: THT
Case: TO247-3
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.11 EUR
11+6.81 EUR
12+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE50A5768EC0C7&compId=C3M0160120D.pdf?ci_sign=edb9e9e6418ea9052476bb84a5c3b4cbb6ff69ce
C3M0160120D
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 97W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 256mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 443 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+11.11 EUR
11+6.81 EUR
12+6.45 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE5959CD05E0C7&compId=C3M0160120J.pdf?ci_sign=b2f1126d529b964a81a3d7cea7d3878a342d0581
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 90W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 256mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 24nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0160120J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB8CDE5959CD05E0C7&compId=C3M0160120J.pdf?ci_sign=b2f1126d529b964a81a3d7cea7d3878a342d0581
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 34A; 90W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 256mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 24nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Pulsed drain current: 34A
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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C3M0280090D Wolfspeed_C3M0280090D_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0280090D THT N channel transistors
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+7.21 EUR
13+5.55 EUR
14+5.23 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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C3M0280090J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF0841A2CBB1BF&compId=C3M0280090J-DTE.pdf?ci_sign=88ca97736aa7d9955a7c2277556b0aa39c2517a8
C3M0280090J
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 9.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 20ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.01 EUR
13+5.53 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0280090J pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BFAF0841A2CBB1BF&compId=C3M0280090J-DTE.pdf?ci_sign=88ca97736aa7d9955a7c2277556b0aa39c2517a8
C3M0280090J
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 11A; 50W; D2PAK-7; 20ns
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 9.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 20ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.01 EUR
13+5.53 EUR
50+5.32 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120D Wolfspeed_C3M0350120D_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0350120D THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
C3M0350120J Wolfspeed_C3M0350120J_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C3M0350120J SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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C4D02120A
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 60W
Manufacturer series: C4D
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.26 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
250+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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C4D02120A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1B51BF&compId=C4D02120A-DTE.PDF?ci_sign=881f27b355c8c641b46d26cc0bad07ba2c51c1f5
C4D02120A
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; 60W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 60W
Manufacturer series: C4D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 830 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
22+3.26 EUR
48+1.52 EUR
50+1.43 EUR
250+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 22
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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C4D02120E
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Power dissipation: 52W
Manufacturer series: C4D
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.62 EUR
31+2.35 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
525+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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C4D02120E pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE580F4112D45014469&compId=C4D02120E.pdf?ci_sign=6a558db1aae32c064aaeb1ef3ed1193836956cea
C4D02120E
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 1.2kV; 2A; 52W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO252-2
Power dissipation: 52W
Manufacturer series: C4D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 846 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.62 EUR
31+2.35 EUR
46+1.56 EUR
49+1.47 EUR
525+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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C4D05120A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1CB1BF&compId=C4D05120A-DTE.PDF?ci_sign=d558eb8404672cd5cb309a9686b6cd42021dbc34
C4D05120A
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 81W
Manufacturer series: C4D
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.21 EUR
20+3.75 EUR
21+3.55 EUR
250+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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C4D05120A pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BC3CB10F1CB1BF&compId=C4D05120A-DTE.PDF?ci_sign=d558eb8404672cd5cb309a9686b6cd42021dbc34
C4D05120A
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220-2; 81W; C4D
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC; Z-Rec®
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Power dissipation: 81W
Manufacturer series: C4D
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+6.21 EUR
20+3.75 EUR
21+3.55 EUR
250+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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C4D05120E Wolfspeed_C4D05120E_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed(CREE)
C4D05120E SMD Schottky diodes
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
14+5.36 EUR
19+3.86 EUR
20+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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