Produkte > IKW
Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IKW03N120H | Infineon Technologies | Description: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns Switching Energy: 140µJ (on), 150µJ (off) Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A Power - Max: 62.5 W | auf Bestellung 683 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW03N120H2 | INF | TO-247 | auf Bestellung 8640 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW03N120H2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW03N120H2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW03N120H2 | INF | 07+; | auf Bestellung 3145 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW03N120H2 | Infineon Technologies | Description: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns Switching Energy: 290µJ Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A Power - Max: 62.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW03N120H2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns Switching Energy: 290µJ Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A Power - Max: 62.5 W | auf Bestellung 3415 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW03N120H2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Td (on/off) @ 25°C: 9.2ns/281ns Switching Energy: 290µJ Test Condition: 800V, 3A, 82Ohm, 15V Gate Charge: 22 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A Power - Max: 62.5 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW03N120H2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62.5mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW08N120 | Infineon | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
IKW08N120CS7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 14A; 53W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 14A Pulsed collector current: 24A Turn-on time: 31ns Turn-off time: 0.5µs Type of transistor: IGBT Power dissipation: 53W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 52nC Technology: TRENCHSTOP™ Mounting: THT Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW08N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: INDUSTRY 14 PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 130 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 8A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns Switching Energy: 370µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 600V, 8A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 52 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 21 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 106 W | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW08N120CS7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW08N120CS7XKSA1 - IGBT, 21 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV rohsCompliant: YES Verlustleistung: 106W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW08N120CS7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 14A; 53W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 14A Pulsed collector current: 24A Turn-on time: 31ns Turn-off time: 0.5µs Type of transistor: IGBT Power dissipation: 53W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 52nC Technology: TRENCHSTOP™ Mounting: THT Case: TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW08N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW08T120 Produktcode: 113720 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW08T120 | Infineon technologies | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
IKW08T120 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 8A | auf Bestellung 915 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW08T120 | INFINEON | MODULE | auf Bestellung 100087 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW08T120FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 8A Pulsed collector current: 24A Turn-on time: 63ns Turn-off time: 520ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 70W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 53nC Technology: TRENCHSTOP™ Mounting: THT Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 8A | auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW08T120FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW08T120FKSA1 - IGBT, Universal, 16 A, 2.2 V, 70 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV rohsCompliant: YES Verlustleistung: 70W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 | auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW08T120FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 8A; 70W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 8A Pulsed collector current: 24A Turn-on time: 63ns Turn-off time: 520ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 70W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 53nC Technology: TRENCHSTOP™ Mounting: THT Case: TO247-3 | auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 382 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 70W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW08T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/450ns Switching Energy: 1.37mJ Test Condition: 600V, 8A, 81Ohm, 15V Gate Charge: 53 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 70 W | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW08T120FKSA1 Produktcode: 166948 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW15N120BH6 | Infineon Technologies | Infineon INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW15N120BH6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 15A Power dissipation: 100W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW15N120BH6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW15N120BH6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW15N120BH6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW15N120BH6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200 V 15A TO247-3-46 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 340 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/240ns Switching Energy: 700µJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 92 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 200 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW15N120BH6XKSA1 Produktcode: 174089 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW15N120BH6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 15A Power dissipation: 100W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW15N120BH6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW15N120BH6XKSA1 - IGBT, 30 A, 1.9 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV rohsCompliant: YES Verlustleistung: 200W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW15N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 135 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 36 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 176 W | auf Bestellung 257 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW15N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW15N120CS7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW15N120CS7XKSA1 - IGBT, 36 A, 1.65 V, 176 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Verlustleistung: 176 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 36 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 157 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW15N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005419706 | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW15N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW15N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW15N120H3 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120H3 Produktcode: 100561 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW15N120H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW15N120H3 | Infineon Technologies | Description: IKW15N120 - DISCRETE IGBT WITH A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW15N120H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW15N120H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 217W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW15N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A Power dissipation: 217W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 260 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns Switching Energy: 1.55mJ Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V Gate Charge: 75 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 217 W | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2116 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A Power dissipation: 217W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 75nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120T2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW15N120T2 Produktcode: 126256 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW15N120T2 | Infineon | IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW15N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 476 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW15N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A Power dissipation: 235W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 93nC Kind of package: tube Turn-on time: 57ns Turn-off time: 457ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW15N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 476 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A Power dissipation: 235W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 93nC Kind of package: tube Turn-on time: 57ns Turn-off time: 457ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW15N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15N120T2FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW15N120T2FKSA1 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 235 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV rohsCompliant: YES Verlustleistung: 235W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | auf Bestellung 462 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW15N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW15N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 30A 235W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 32ns/362ns Switching Energy: 2.05mJ Test Condition: 600V, 15A, 41.8Ohm, 15V Gate Charge: 93 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 235 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW15N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 302 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW15N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 235W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 872 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15T120 Produktcode: 119901 | Infineon | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 1200 V Vce: 1,7 V Ic 25: 30 A Ic 100: 15 A Pd 25: 110 W td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/520 | auf Bestellung 46 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW15T120 | Infineon Technologies | Description: IKW15T120 - DISCRETE IGBT WITH A Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns Switching Energy: 1.3mJ (on), 1.4mJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V Gate Charge: 85 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 110 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW15T120 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW15T120 E8161 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 15A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 30A 110W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 140 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/520ns Switching Energy: 2.7mJ Test Condition: 600V, 15A, 56Ohm, 15V Gate Charge: 85 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 110 W | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 14730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 14733 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 14730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW15T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW15T120T2 | MODULE | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
IKW20N60H3 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW20N60H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V 20A 170W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW20N60H3 | Infineon technologies | auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
IKW20N60H3 | Infineon Technologies | Description: IKW20N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 112 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns Switching Energy: 560µJ (on), 240µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V 20A 170W | auf Bestellung 1980 Stücke: Lieferzeit 143-147 Tag (e) |
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IKW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 85W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 28ns Turn-off time: 205ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 112 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 17ns/194ns Switching Energy: 800µJ Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW20N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 85W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 28ns Turn-off time: 205ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW20N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW20N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A | auf Bestellung 721 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW20N60T Produktcode: 187316 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW20N60T E8161 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW20N60TA | Infineon Technologies | Description: IKW20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 166 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW20N60TA | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW20N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 40A 166W TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 770µJ Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 166 W | auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW20N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW20N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 40A 166W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 770µJ Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 166 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW20N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW20N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A | auf Bestellung 386 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW20N60TFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW20N60TFKSA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 166 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 717 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW20N60TFKSA1 | Infineon | 40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode IKW20N60T TIKW20n60t Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW20N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 166W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW20N60TFKSA1 Produktcode: 188050 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 41 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 770µJ Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 166 W | auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 508 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW20N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 166W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 36ns Turn-off time: 299ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 403 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW20N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 166W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 508 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW20N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW20N65ET7XKSA1 Produktcode: 178407 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW20N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 128 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 136 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1432 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW20N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 4169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW20N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005348286 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW20N65ET7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW20N65ET7XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 136 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 136W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 1946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 451 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 1947 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005419560 | auf Bestellung 1907 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW25N120CS7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW25N120CS7XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A | auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 150 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 250 W | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120CS7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 37A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Turn-on time: 38ns Turn-off time: 490ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW25N120CS7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 125W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 37A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Turn-on time: 38ns Turn-off time: 490ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW25N120H3 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120H3 | Infineon | 50A; 1200V; 326W; IGBT w/ Diode IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3 | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW25N120H3 Produktcode: 113551 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW25N120H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 1638 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1597 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW25N120H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW25N120H3FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.4 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1597 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 290 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns Switching Energy: 2.65mJ Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 115 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 326 W | auf Bestellung 397 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 143-147 Tag (e) |
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IKW25N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 326W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 115nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW25N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 203 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120H3XK | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25N120T2 Produktcode: 39789 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW25N120T2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A | auf Bestellung 3365 Stücke: Lieferzeit 143-147 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 349W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | Infineon | 50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode IKW25N120T2 TIKW25n120t2 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 109 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW25N120T2FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW25N120T2FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 25A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1068 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW25N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 50A Power dissipation: 349W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 148 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 195 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns Switching Energy: 2.9mJ Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 349 W | auf Bestellung 231 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25N120T2XK | Infineon Technologies | Description: IGBT, 50A, 1200V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 195 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns Switching Energy: 1.55mJ (on), 1.35mJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 349 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW25T120 | Infineon Technologies | Description: IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns Switching Energy: 2mJ (on), 2.2mJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 190 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW25T120 Produktcode: 175269 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW25T120 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A | auf Bestellung 1499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 558 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 860 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW25T120FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW25T120FKSA1 - IGBT, Universal, 50 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 1885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A | auf Bestellung 2094 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 1200V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 50ns/560ns Switching Energy: 4.2mJ Test Condition: 600V, 25A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 190 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW25T120FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 75A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 190W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 155nC Mounting: THT Case: TO247-3 | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW25T120FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 75A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 190W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 155nC Mounting: THT Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW25T120T2 | MODULE | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
IKW30N60DTP | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N60DTP | Infineon | auf Bestellung 91440 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
IKW30N60DTP | Infineon Technologies | Description: HIGH SPEED IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 130 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 53 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 200 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 389 Stücke: Lieferzeit 143-147 Tag (e) |
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IKW30N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW30N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 53A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 15ns/179ns Switching Energy: 710µJ (on), 420µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 130 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 53 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 200 W | auf Bestellung 1430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N60H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V 30A 187W | auf Bestellung 3721 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N60H3 Produktcode: 94542 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW30N60H3 | Infineon | 60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60H3 TIKW30n60h3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 94W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW30N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 94W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 165nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 616 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 38 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns Switching Energy: 1.38mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 187 W | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V 30A 187W | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N60H3FKSA1 - IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 598 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW30N60T Produktcode: 99658 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW30N60T | Infineon Technologies | Description: IKW30N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 45 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N60T | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60TA | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT TrnchStp w/Soft Fast recovery | auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW30N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH/FS 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 1.46mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 1.46mJ Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W | auf Bestellung 2094 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N60TFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 60 A, 2.05 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 618 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW30N60TFKSA1 | Infineon | 45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode IKW30N60T TIKW30n60t Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW30N60TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A | auf Bestellung 1374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 39A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 167nC Kind of package: tube Turn-on time: 44ns Turn-off time: 0.3µs Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 39A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 167nC Kind of package: tube Turn-on time: 44ns Turn-off time: 0.3µs Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N65EL5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N65EL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 227W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | auf Bestellung 1176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW30N65EL5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 62A Power dissipation: 114W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 168nC Kind of package: tube Turn-on time: 44ns Turn-off time: 359ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5 | auf Bestellung 3080 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 570 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65EL5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 62A; 114W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 62A Power dissipation: 114W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 168nC Kind of package: tube Turn-on time: 44ns Turn-off time: 359ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 85A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 33ns/308ns Switching Energy: 470µJ (on), 1.35mJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 168 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 227 W | auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N65ES5 | Infineon | auf Bestellung 22080 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
IKW30N65ES5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT | auf Bestellung 1516 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 39.5A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-on time: 29ns Turn-off time: 154ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1602 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 39.5A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Turn-on time: 29ns Turn-off time: 154ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 26 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1604 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 62 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 188 W | auf Bestellung 591 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65ES5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N65ES5XKSA1 - IGBT, 62 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 62A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1586 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 62A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 483 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 80 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/245ns Switching Energy: 590µJ (on), 500µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 188 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N65ET7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N65ET7XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.35 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A | auf Bestellung 588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW30N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IKW30N65ET7 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65H5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N65H5 | Infineon technologies | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
IKW30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 35A Power dissipation: 94W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 31ns Turn-off time: 209ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/190ns Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 188 W | auf Bestellung 178 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 35A Power dissipation: 94W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 31ns Turn-off time: 209ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N65H5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N65H5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A | auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW30N65H5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N65NL5 | Infineon Technologies | Description: IKW30N65 - DISCRETE IGBT WITH AN | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N65NL5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N65NL5XKSA1 - IGBT, 85 A, 1.05 V, 227 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.05 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 227 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 85 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N65NL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N65NL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5 | auf Bestellung 2403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N65NL5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 85A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 59 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 59ns/283ns Switching Energy: 560µJ (on), 1.35mJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 168 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 227 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N65NL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 227mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW30N65WR5 | Infineon technologies | auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
IKW30N65WR5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N65WR5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 185 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 185W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 75W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Turn-on time: 51ns Turn-off time: 376ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 95 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 39ns/367ns Switching Energy: 990µJ (on), 330µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 26Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 185 W | auf Bestellung 349 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW30N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 30A Power dissipation: 75W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Turn-on time: 51ns Turn-off time: 376ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 185W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 156 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 36ns/336ns Switching Energy: 1.69mJ (on), 920µJ (off) Gate Charge: 290 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 82 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 330 W | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 618 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120CH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N120CH7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.7 V, 330 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 206 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 330W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N120CS6 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 384 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120CS6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N120CS6XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 500 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV rohsCompliant: YES Verlustleistung: 500W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N120CS6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 285nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 4078 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1898 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 4078 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/315ns Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.55mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 285 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 500 W | auf Bestellung 507 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120CS6XKSA1 Produktcode: 193315 | Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120CS6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 285nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 175 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/190ns Switching Energy: 2.55mJ (on), 1.75mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 4Ohm, 15V Gate Charge: 230 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 82 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 357 W | auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 281 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120CS7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 56A Power dissipation: 179W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Turn-on time: 45ns Turn-off time: 0.5µs Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N120CS7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 357 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV rohsCompliant: YES Verlustleistung: 357W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | auf Bestellung 387 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT7 S7 with Anti-parallel Diode | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N120CS7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 56A Power dissipation: 179W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Turn-on time: 45ns Turn-off time: 0.5µs Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005415716 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N120H3 Produktcode: 153177 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW40N120H3 | Infineon Technologies | High speed Trans IGBT Chip | auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120H3 | Infineon | 80A; 1200V; 483W; IGBT w/ Diode IKW40N120H3 TIKW40n120h3 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N120H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 2951 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 80A Power dissipation: 483W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 80A Power dissipation: 483W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N120H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N120H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV rohsCompliant: YES Verlustleistung: 483W Anzahl der Pins: 3Pins euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Produktpalette: - | auf Bestellung 13950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 483000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 322 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 355 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns Switching Energy: 4.4mJ Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 185 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 483 W | auf Bestellung 6362 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120H3FKSA1 Produktcode: 144428 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW40N120T2 Produktcode: 150870 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW40N120T2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A | auf Bestellung 2251 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120T2 Produktcode: 73806 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW40N120T2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120T2 | Infineon | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 480W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 165A Mounting: THT Gate charge: 192nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V 75A 480W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 258 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 33ns/314ns Switching Energy: 5.25mJ Test Condition: 600V, 40A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 192 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 480 W | auf Bestellung 1927 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2721 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 480W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 165A Mounting: THT Gate charge: 192nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A | auf Bestellung 599 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N120T2FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N120T2FKSA1 - IGBT, 75 A, 1.75 V, 480 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 480W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N60DTP | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N60DTP | Infineon | auf Bestellung 21840 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 67A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 87 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V Gate Charge: 177 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 67 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 246 W | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | IKW40N60DT Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247 | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N60DTPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N60DTPXKSA1 - IGBT, 67 A, 1.6 V, 246 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6 Verlustleistung Pd: 246 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TRENCHSTOP DC-Kollektorstrom: 67 Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 67A 246W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N60H3 | Infineon technologies | auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
IKW40N60H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V 40A 306W | auf Bestellung 305 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N60H3 | Infineon Technologies | Description: IKW40N60 - DISCRETE IGBT WITH AN | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N60H3 Produktcode: 128556 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 224 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N60H3FKSA1 - IGBT, 40 A, 2.4 V, 306 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.4V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 306W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3 Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Turn-on time: 52ns Turn-off time: 218ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 153W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 223nC Technology: TRENCHSTOP™ Mounting: THT Case: TO247-3 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 124 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/197ns Switching Energy: 1.68mJ Test Condition: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V Gate Charge: 223 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 306 W | auf Bestellung 1280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3 Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 160A Turn-on time: 52ns Turn-off time: 218ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 153W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 223nC Technology: TRENCHSTOP™ Mounting: THT Case: TO247-3 | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IKW40N60H3 IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3 | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N60H3FKSA1 (TO-247, Infineon) IGBT N-ch 600V/80A Produktcode: 160842 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247 Vces: 600 V | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW40N65ES5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT | auf Bestellung 292 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65ES5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N65ES5XKSA1 - IGBT, 79 A, 1.7 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 79A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 1058 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 115W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Turn-on time: 37ns Turn-off time: 153ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 79A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 73 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 79 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 230 W | auf Bestellung 523 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 115W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 115W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Turn-on time: 37ns Turn-off time: 153ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IKW40N65ET7XKSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N65ET7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N65ET7XKSA1 - IGBT, 76 A, 1.35 V, 230.8 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 230.8W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 76A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/310ns Switching Energy: 1.05mJ (on), 590µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 235 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 76 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 230.8 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 866 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005403468 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IKW40N65ET7XKSA1 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 12362 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65F5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 73 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 250 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N65F5F | Infineon Technologies | Description: IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W | auf Bestellung 1722 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 74A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 74A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 247 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65F5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N65F5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 255W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N65H5 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65H5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N65H5 | Infineon | IGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N65H5 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N65H5 | Infineon technologies | auf Bestellung 242 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
IKW40N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/153ns Switching Energy: 380µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 92 nC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 250 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 74A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 74A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65H5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N65H5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 255W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 18444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 765 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 62 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 255 W | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors SIC DISCRETE | auf Bestellung 612 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65RH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 74A, 250W, To-247, 1.65Vsat tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 H5 CoolSiC Gen VI Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A | auf Bestellung 436 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | SP004038146 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/165ns Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 250 W | auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65WR5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N65WR5 | Infineon technologies | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 112 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 42ns/432ns Switching Energy: 770µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 193 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 230 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 115W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Turn-on time: 60ns Turn-off time: 448ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 115W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Turn-on time: 60ns Turn-off time: 448ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65WR5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A | auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40N65WR5XKSA1 Produktcode: 200399 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW40T120 | INFINEON | MODULE | auf Bestellung 500094 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40T120 Produktcode: 48060 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW40T120 | INFINEON | 10+ TO-247 | auf Bestellung 3240 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40T120 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40T120 | Infineon technologies | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
IKW40T120 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A | auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40T120 | INFINEON | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
IKW40T120FKSA1 Produktcode: 152618 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40T120FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3 Kind of package: tube Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 270W Type of transistor: IGBT Turn-off time: 700ns Turn-on time: 92ns Pulsed collector current: 105A Collector current: 40A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 203nC Case: TO247-3 Mounting: THT | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40T120FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW40T120FKSA1 - IGBT, Universal, 75 A, 2.3 V, 270 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40T120FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 270W; TO247-3 Kind of package: tube Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 270W Type of transistor: IGBT Turn-off time: 700ns Turn-on time: 92ns Pulsed collector current: 105A Collector current: 40A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.2kV Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 203nC Case: TO247-3 Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A | auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT FS 1200V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 240 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns Switching Energy: 6.5mJ Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 203 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A Power - Max: 270 W | auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40T120FKSA1 | Infineon | IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 75A 270W IKW40T120FKSA1 IKW40T120 TIKW40t120 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW40T120XK | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW40TI20FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT, 75A, 1200V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 240 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns Switching Energy: 3.3mJ (on), 3.2mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 203 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A Power - Max: 270 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 423 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 86A 398W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N120CH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N120CH7XKSA1 - IGBT, 86 A, 1.7 V, 398 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 398W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 86A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 223 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW50N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 86A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 116 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 39ns/319ns Switching Energy: 2.33mJ (on), 1.12mJ (off) Gate Charge: 375 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 86 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 398 W | auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 1549 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N120CS7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N120CS7XKSA1 - IGBT, 82 A, 1.65 V, 428 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 428W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 82A | auf Bestellung 449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW50N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 82A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 165 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 29ns/170ns Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.2mJ (off) Test Condition: 600V, 50A, 2.3Ohm, 15V Gate Charge: 290 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 82 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 428 W | auf Bestellung 399 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | SP005419710 | auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW50N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 82A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60DTP | Infineon technologies | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
IKW50N60DTP | Infineon | auf Bestellung 15600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
IKW50N60DTP | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N60DTPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N60DTPXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 319.2 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Verlustleistung: 319.2 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 Kollektorstrom: 80 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: TRENCHSTOP SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW50N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 115 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/215ns Switching Energy: 1.53mJ (on), 850µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 249 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 319.2 W | auf Bestellung 114 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 1695 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 49 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60DTPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 61A Power dissipation: 159.6W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 249nC Kind of package: tube Turn-on time: 50ns Turn-off time: 233ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N60DTPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 61A Power dissipation: 159.6W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 249nC Kind of package: tube Turn-on time: 50ns Turn-off time: 233ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 319.2W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N60H3 Produktcode: 94376 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW50N60H3 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60H3 | Infineon Technologies | Description: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N60H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HIGH SPEED SWITCHING | auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 630 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW50N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 315nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Turn-on time: 54ns Turn-off time: 297ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 130 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/235ns Switching Energy: 2.36mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 315 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 333 W | auf Bestellung 475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 315nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Turn-on time: 54ns Turn-off time: 297ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HIGH SPEED SWITCHING | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 143-147 Tag (e) |
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IKW50N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N60H3FKSA1 - IGBT, 100 A, 1.85 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 368 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW50N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 50A | auf Bestellung 741 Stücke: Lieferzeit 143-147 Tag (e) |
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IKW50N60T Produktcode: 145126 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW50N60T | Infineon | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N60T | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60T | Infineon | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab)TO247 IKW50N60TFKSA1 IKW50N60T TIKW50n60t Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N60T | Infineon Technologies | Description: IKW50N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A Supplier Device Package: PG-TO247-3-21 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N60TA | Infineon Technologies | Description: IKW50N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N60TA Produktcode: 139366 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW50N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 2.6mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 2.6mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W | auf Bestellung 9853 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 807 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 807 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 333W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | auf Bestellung 5189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 2.6mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W | auf Bestellung 1916 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 10565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 50A | auf Bestellung 307 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 10565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65EH5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65EH5 | Infineon | auf Bestellung 12360 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65EH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 138W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 54ns Turn-off time: 207ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65EH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 138W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 138W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 54ns Turn-off time: 207ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 275000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65EH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65EH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 275 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 275 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 80 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 81 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 25ns/172ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 500µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 275 W | auf Bestellung 133 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65ES5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 94-98 Tag (e) |
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IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 94-98 Tag (e) |
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IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60.5A Power dissipation: 137W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 47ns Turn-off time: 161ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW50N65ES5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 274 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 274W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 20ns/127ns Switching Energy: 1.23mJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 274 W | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60.5A; 137W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60.5A Power dissipation: 137W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 47ns Turn-off time: 161ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 274W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65ET7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 273 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 273W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 93 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/350ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 850µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 290 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 273 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 92 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65ET7XKSA1 Produktcode: 178408 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 273W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65F5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65F5 | Infineon | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
IKW50N65F5 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65F5 Produktcode: 187321 | Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1 | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 77 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 108 nC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65F5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65F5FKSA1 Produktcode: 162192 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW50N65F5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65F5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A | auf Bestellung 14315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW50N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 52 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 21ns/175ns Switching Energy: 490µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 305 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65H5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65H5A | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 58 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 21ns/173ns Switching Energy: 450µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 116 nC Grade: Automotive Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65H5AXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 270000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 57 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 21ns/180ns Switching Energy: 520µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 305 W | auf Bestellung 398 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 Produktcode: 125871 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW50N65H5FKSA1 | Infineon | 80A; 650V; 305W; IGBT w/ Diode IKW50N65H5 TIKW50n65h5 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65H5FKSA1 - IGBT, 50 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A | auf Bestellung 362 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW50N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 2590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 305W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors SIC DISCRETE | auf Bestellung 1074 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/180ns Switching Energy: 230µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 305 W | auf Bestellung 96 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65RH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 305W, To-247, 1.65Vsat tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 305W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | auf Bestellung 639 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW50N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | SP004038142 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors SIC DISCRETE | auf Bestellung 623 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/140ns Switching Energy: 320µJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 110 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 274 W | auf Bestellung 116 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | auf Bestellung 20160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65SS5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 274W, To-247, 1.35Vsat tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 274W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | auf Bestellung 171 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | SP001668430 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete Chip | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 141W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Turn-on time: 79ns Turn-off time: 420ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65WR5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW50N65WR5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 282W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW50N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW50N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW50N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 413 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW50N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 141W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Turn-on time: 79ns Turn-off time: 420ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 108 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW50N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 45ns/417ns Switching Energy: 840µJ (on), 220µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 16Ohm, 15V Gate Charge: 230 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 282 W | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW60N60H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop | auf Bestellung 174 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW60N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 375nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Turn-on time: 64ns Turn-off time: 314ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/252ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 1.13mJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 375 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 416 W | auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW60N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 60A; 416W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 60A Power dissipation: 416W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 180A Mounting: THT Gate charge: 375nC Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Turn-on time: 64ns Turn-off time: 314ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW60N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW60N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 416 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 416W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: Produktreihe TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW60N60H3 Produktcode: 198550 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 416W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW60N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 92A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 145 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 55ns/461ns Switching Energy: 4.22mJ (on), 1.66mJ (off) Gate Charge: 535 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 92 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 549 W | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 92A 549W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N60H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N60H3 | Infineon technologies | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
IKW75N60H3 | Infineon Technologies | Description: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 190 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-on time: 85ns Turn-off time: 332ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 80A 428W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 190 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 31ns/265ns Switching Energy: 3mJ (on), 1.7mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5.2Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N60H3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N60H3FKSA1 - IGBT, 80 A, 1.85 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 428W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | auf Bestellung 121 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW75N60H3FKSA1 Produktcode: 138035 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 815 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-on time: 85ns Turn-off time: 332ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 75A | auf Bestellung 882 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N60T | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 1180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60T Produktcode: 40498 | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW75N60TA | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V 75A 100nA | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW75N60TA | Infineon Technologies | Description: IKW75N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 121 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V 75A 100nA | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 121 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns Switching Energy: 4.5mJ Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N60TAFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 331 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW75N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-on time: 69ns Turn-off time: 401ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 549 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N60TFKSA1 Produktcode: 169611 | Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | Infineon | 80A; 600V; 428W; IGBT w/ Diode IKW75N60T TIKW75n60t Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-on time: 69ns Turn-off time: 401ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N60TFKSA1 - IGBT, Universal, 80 A, 2 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 428W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 6823 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 121 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns Switching Energy: 4.5mJ Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W | auf Bestellung 1643 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N60TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 75A | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N60TXK | Infineon Technologies | Description: IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N65EH5 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EH5 | Infineon Technologies | IKW75N65EH5XKSA1 IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3 | auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW75N65EH5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EH5XKSA1 Produktcode: 177738 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 92 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 90 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W | auf Bestellung 388 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 285-289 Tag (e) |
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IKW75N65EH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 198W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N65EH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N65EH5XKSA1 - IGBT, 90 A, 1.65 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 90A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 14628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N65EH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N65EH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 198W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 198W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 61ns Turn-off time: 215ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N65EL5 | Infineon technologies | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
IKW75N65EL5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N65EL5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N65EL5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.1 V, 536 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 536W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 564 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5 | auf Bestellung 895 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65EL5XKSA1 Produktcode: 190876 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 114 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V Gate Charge: 436 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 536 W | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65EL5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 358 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65ES5 | Infineon technologies | auf Bestellung 167 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | ||||||||||||||||
IKW75N65ES5 Produktcode: 169192 | Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule | Produkt ist nicht verfügbar | ||||||||||||||||
IKW75N65ES5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT | auf Bestellung 2128 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 85 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V Gate Charge: 164 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W | auf Bestellung 14509 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65ES5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N65ES5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.42 V, 395 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.42 DC-Kollektorstrom: 80 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650 Verlustleistung Pd: 395 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: TRENCHSTOP™ 5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 197W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 164nC Kind of package: tube Turn-on time: 86ns Turn-off time: 185ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N65ES5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW75N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 80A Power dissipation: 197W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 164nC Kind of package: tube Turn-on time: 86ns Turn-off time: 185ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65ET7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N65ET7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A | auf Bestellung 226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333000mW Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 435 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 333 W Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 454 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65ET7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 168 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W | auf Bestellung 274 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors SIC DISCRETE | auf Bestellung 456 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65RH5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65RH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N65RH5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.65Vsat tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 395W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | auf Bestellung 28 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V Gate Charge: 164 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 395 W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode | auf Bestellung 240 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors SIC DISCRETE | auf Bestellung 637 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N65SS5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKW75N65SS5XKSA1 - IGBT, 650V, 80A, 395W, To-247, 1.35Vsat tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 395W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 | auf Bestellung 213 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode | auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | SP004038158 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKW75N65SS5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode | auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IKWH100N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 140A 427W | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKWH100N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 140A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 106 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 100A IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 32ns/240ns Switching Energy: 3.58mJ (on), 2.37mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 199 nC Current - Collector (Ic) (Max): 140 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A Power - Max: 427 W | auf Bestellung 194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH100N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH100N65EH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH100N65EH7XKSA1 - IGBT, 140 A, 1.4 V, 427 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 427W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 140A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKWH20N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Gate Charge: 97 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 136 W | auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH20N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH20N65WR6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH20N65WR6XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.35 V, 140 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKWH20N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | SP005545963 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKWH30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH30N65WR5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH30N65WR5XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.4 V, 190 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 190 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKWH30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | SP005430891 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKWH30N65WR5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 41ns/398ns Switching Energy: 870µJ (on), 400µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 27Ohm, 15V Gate Charge: 133 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 190 W | auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH30N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | SP005430886 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKWH30N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 67A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Gate Charge: 97 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 67 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 136 W | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH30N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 913 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH30N65WR6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH30N65WR6XKSA1 - IGBT, 60 A, 1.45 V, 165 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 165 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60 Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKWH40N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 74 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/141ns Switching Energy: 970µJ (on), 420µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V Gate Charge: 81 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 208 W | auf Bestellung 209 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH40N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 163 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH40N65EH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH40N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 208 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKWH40N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 208W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKWH40N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | SP005542785 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKWH40N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 650V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 79 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 37ns/353ns Switching Energy: 1.09mJ (on), 570µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 27Ohm, 15V Gate Charge: 117 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 175 W | auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH40N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 576 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH40N65WR6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH40N65WR6XKSA1 - IGBT, 75 A, 1.55 V, 175 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 175W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A | auf Bestellung 266 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKWH50N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 50A IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19ns/147ns Switching Energy: 1.27mJ (on), 650µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 102 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 249 W Package / Case: TO-247-3 Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 Reverse Recovery Time (trr): 76 ns | auf Bestellung 195 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH50N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH50N65EH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH50N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 249 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 249W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKWH50N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | INDUSTRY 14 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKWH50N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 605 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH50N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | SP005542787 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKWH50N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 85A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 40ns/351ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 730µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 144 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 85 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 205 W | auf Bestellung 456 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH60N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | SP005430894 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKWH60N65WR6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH60N65WR6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.55 V, 240 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A | auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKWH60N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 100A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 60A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 35ns/311ns Switching Energy: 1.82mJ (on), 850µJ (off) Test Condition: 400V, 60A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 174 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A Power - Max: 240 W | auf Bestellung 318 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | |||||||||||||||
IKWH60N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH70N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 122A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 42ns/378ns Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.07mJ (off) Test Condition: 400V, 70A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 269 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 122 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 210 A Power - Max: 290 W | auf Bestellung 248 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH70N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 143-147 Tag (e) |
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IKWH70N65WR6XKSA1 | Infineon Technologies | SP005430896 | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKWH75N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 341W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | |||||||||||||||
IKWH75N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: PG-TO247-3-32 Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 89 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 150 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 341 W | auf Bestellung 184 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IKWH75N65EH7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKWH75N65EH7XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.4 V, 341 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.4V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | |||||||||||||||
IKWH75N65EH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 | auf Bestellung 73 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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