Produkte > IPT

Description: SENS PRESSURE MODULE 1PSID DIFF

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IPT0001G33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 1PSIG GAUGE

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IPT0002D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 2PSID DIFF

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IPT0002G33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 2PSIG GAUGE

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IPT0005D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 5PSID DIFF

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IPT0005D33R-A

Description: SENSOR 5PSID 0.26" 24BIT
Packaging: Bulk
Features: Temperature Compensated
Package / Case: Module
Output Type: SPI
Output: 24 b
Operating Pressure: ±5PSI (±34.47kPa)
Pressure Type: Differential
Accuracy: ±0.1%
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Port Size: Male - 0.26" (6.71mm) Tube, Dual
Applications: Board Mount
Port Style: Barbless
Maximum Pressure: ±15PSI (±103.42kPa)

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IPT0005G33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 5PSIG GAUGE

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IPT0010D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 10PSID DIFF

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IPT0010G33R

Description: SENS PRESSURE MOD 10PSIG GAUGE

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IPT0020A33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 20PSIA ABS

auf Bestellung 47 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

IPT0020D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 20PSID DIFF

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IPT0020G33R

Description: SENS PRESSURE MOD 20PSIG GAUGE

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IPT004N03L

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 160 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.7 EUR
10+	8.15 EUR
25+	7.69 EUR
100+	6.6 EUR
250+	6.23 EUR
500+	5.86 EUR
1000+	5.26 EUR

IPT004N03LATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V

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IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	3.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

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IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

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IPT004N03LATMA1

Description: INFINEON - IPT004N03LATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 A, 370 µohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 370µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 8432 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 1990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	7.11 EUR
25+	6.18 EUR
50+	4.93 EUR
100+	4.73 EUR
200+	4.35 EUR
500+	3.79 EUR
1000+	3.56 EUR

Mindestbestellmenge: 22

IPT004N03LATMA1
Produktcode: 161359

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPT004N03LATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300A; Idm: 1200A; 300W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Case: PG-HSOF-8
Gate charge: 53nC
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2kA
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.4mΩ
Drain current: 300A

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IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	3.35 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPT004N03LATMA1

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IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT004N03LATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 15 V

auf Bestellung 801 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.77 EUR
10+	8.2 EUR
100+	6.63 EUR
500+	5.9 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 737 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	6.43 EUR
27+	5.65 EUR
28+	5.37 EUR
100+	4.58 EUR
250+	4.36 EUR
500+	3.64 EUR

Mindestbestellmenge: 25

IPT004N03LATMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 11377 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.38 EUR
10+	7.29 EUR
25+	7.02 EUR
100+	6.09 EUR
250+	6.04 EUR
500+	5.35 EUR
1000+	4.93 EUR

IPT004N03LATMA1

auf Bestellung 8432 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT004N03LATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 72A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 737 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	6.43 EUR
27+	5.65 EUR
28+	5.37 EUR
100+	4.58 EUR
250+	4.36 EUR
500+	3.64 EUR

Mindestbestellmenge: 25

IPT0050A33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 50PSIA ABS

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IPT0050D33R

Description: SENS PRESSURE MODULE 50PSID DIFF

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IPT0050G33R

Description: SENS PRESSURE MOD 50PSIG GAUGE

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IPT007N06N

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 4590 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.82 EUR
10+	8.43 EUR
25+	7.64 EUR
100+	7.02 EUR
250+	6.6 EUR
500+	6.2 EUR
1000+	5.56 EUR

IPT007N06N
Produktcode: 193411

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPT007N06NATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 216nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced

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IPT007N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	5.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 884 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	7.43 EUR
25+	6.23 EUR
100+	5.19 EUR
250+	4.91 EUR
500+	4.23 EUR

Mindestbestellmenge: 22

IPT007N06NATMA1

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IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

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IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 552 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT007N06NATMA1

Description: INFINEON - IPT007N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 660 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660µohm

auf Bestellung 12683 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9+	17.55 EUR
13+	12.54 EUR
50+	11.27 EUR
100+	9.62 EUR
200+	8.62 EUR
500+	6.89 EUR
1000+	6.57 EUR

Mindestbestellmenge: 9

IPT007N06NATMA1
Produktcode: 180783

Transistoren > MOSFET N-CH

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IPT007N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 287 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

auf Bestellung 8559 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.77 EUR
10+	8.37 EUR
100+	6.98 EUR
500+	6.16 EUR
1000+	5.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 884 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

20+	8.2 EUR
22+	6.87 EUR
100+	5.72 EUR
250+	5.43 EUR
500+	4.67 EUR

Mindestbestellmenge: 20

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 1044 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9.37 EUR
20+	7.76 EUR
100+	6.23 EUR
250+	5.96 EUR
500+	5.23 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT007N06NATMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 52A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 1044 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	9.37 EUR
20+	7.76 EUR
100+	6.23 EUR
250+	5.96 EUR
500+	5.23 EUR

Mindestbestellmenge: 17

IPT007N06NATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 27 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.89 EUR
10+	8.48 EUR
25+	8.45 EUR
100+	7.08 EUR
250+	7.04 EUR
500+	6.23 EUR
1000+	5.61 EUR

IPT007N06NATMA1

auf Bestellung 12683 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 0.00067 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 278W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 670µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00067ohm

auf Bestellung 1998 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	5.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPT008N06NM5LFATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 3059 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.54 EUR
10+	9.03 EUR
25+	8.96 EUR
100+	7.53 EUR
500+	6.65 EUR
1000+	5.98 EUR
2000+	5.61 EUR

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: INFINEON - IPT008N06NM5LFATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 454 A, 0.00067 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 454A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00067ohm

auf Bestellung 1998 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT008N06NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 454A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 30 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.26 EUR
10+	8.79 EUR
100+	7.32 EUR
500+	6.46 EUR
1000+	5.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPT008N06NM5LFATMA1

N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPT009N06NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 427A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.91 EUR
10+	8.5 EUR
100+	7.08 EUR
500+	6.25 EUR
1000+	5.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPT009N06NM5ATMA1

MOSFET

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.98 EUR
10+	8.55 EUR
25+	7.78 EUR
100+	7.13 EUR
250+	6.72 EUR
500+	6.3 EUR
1000+	5.97 EUR

IPT009N06NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 427A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 30 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

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2000+	5.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPT010N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V

auf Bestellung 1990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.76 EUR
10+	10.07 EUR
100+	8.39 EUR
500+	7.41 EUR
1000+	6.66 EUR

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IPT010N08NM5ATMA1

SP005560711

Produkt ist nicht verfügbar

IPT010N08NM5ATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 425A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 40 V

auf Bestellung 1990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

IPT010N08NM5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 3183 Stücke:

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1+	11.97 EUR
10+	10.26 EUR
25+	9.47 EUR
100+	8.54 EUR
250+	8.36 EUR
500+	7.55 EUR
1000+	6.79 EUR

IPT012N06NATMA1

60V Power-Transistor

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IPT012N06NATMA1

60V Power-Transistor

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IPT012N06NATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 1316 Stücke:

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1+	9.89 EUR
10+	8.48 EUR
25+	8.06 EUR
100+	7.08 EUR
250+	6.85 EUR
500+	6.23 EUR
1000+	5.61 EUR

IPT012N06NATMA1

Description: INFINEON - IPT012N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 313 A, 0.001 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1814 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT012N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V

auf Bestellung 1342 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.96 EUR
10+	8.54 EUR
100+	7.11 EUR
500+	6.28 EUR
1000+	5.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPT012N06NATMA1

auf Bestellung 1814 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT012N06NATMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V

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IPT012N08N5

auf Bestellung 40050 Stücke:

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IPT012N08N5

MOSFET TRENCH 40<-<100V

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IPT012N08N5ATMA1

IPT012N08N5ATMA1 SMD N channel transistors

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IPT012N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	15.68 EUR
14+	11.03 EUR
50+	9.42 EUR
100+	8.5 EUR
200+	7.7 EUR
500+	6.87 EUR
1000+	6.17 EUR
2000+	6.15 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPT012N08N5ATMA1

MOSFET N-Ch 80V 300A HSOF-8

auf Bestellung 17836 Stücke:

Lieferzeit 150-154 Tag (e)

1+	10.3 EUR
10+	8.82 EUR
25+	7.66 EUR
100+	7.3 EUR
250+	7.15 EUR
500+	6.48 EUR
1000+	5.84 EUR

IPT012N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 375W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 16246 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT012N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V

auf Bestellung 9729 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.38 EUR
10+	8.9 EUR
100+	7.42 EUR
500+	6.54 EUR
1000+	5.89 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPT012N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT012N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

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IPT012N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.001 ohm, PG-HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: PG-HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 16246 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT012N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 40 V

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	5.52 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPT012N08NF2SATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 1621 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.96 EUR
10+	7.53 EUR
25+	7.11 EUR
100+	6.09 EUR
250+	5.74 EUR
500+	5.42 EUR
1000+	4.63 EUR

IPT012N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPT012N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.0011 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 351A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1488 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT012N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPT012N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 39A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT012N08NF2SATMA1

auf Bestellung 1488 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT012N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.23mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V

auf Bestellung 2042 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	8.89 EUR
10+	7.46 EUR
100+	6.04 EUR
500+	5.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPT013N08NM5LF

Description: SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPT013N08NM5LF

Description: SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPT013N08NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPT013N08NM5LFATMA1

Description: TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 333A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPT013N08NM5LFATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 150-154 Tag (e)

1+	11.37 EUR
10+	9.89 EUR
25+	9.49 EUR
100+	8.24 EUR
250+	8.06 EUR
500+	7.25 EUR
1000+	6.44 EUR

IPT013N08NM5LFATMA1

N Channel Power Mosfet

Produkt ist nicht verfügbar

IPT014N08NM5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 5978 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.17 EUR
10+	8.54 EUR
25+	8.29 EUR
100+	6.9 EUR
250+	6.69 EUR
500+	6.14 EUR
1000+	5.26 EUR

IPT014N08NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V

auf Bestellung 2209 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.08 EUR
10+	8.47 EUR
100+	6.85 EUR
500+	6.09 EUR
1000+	5.22 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPT014N08NM5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 37A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPT014N08NM5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 37A/331A HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPT014N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 36A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPT014N10N5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 13 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.49 EUR
10+	8.99 EUR
25+	8.15 EUR
100+	7.5 EUR
250+	7.06 EUR
500+	6.62 EUR
1000+	5.95 EUR

IPT015N10N5

MOSFET TRENCH >=100V

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IPT015N10N5

auf Bestellung 100000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPT015N10N5ATMA1

MOSFET N-Ch 100V 300A HSOF-8

auf Bestellung 14140 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.21 EUR
10+	9.61 EUR
25+	8.71 EUR
100+	8.01 EUR
250+	7.53 EUR
500+	7.06 EUR
1000+	6.35 EUR

IPT015N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 13227 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT015N10N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 243A; Idm: 1200A; 375W
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 169nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2kA
Case: PG-HSOF-8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 243A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPT015N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

auf Bestellung 16013 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	11.28 EUR
10+	9.68 EUR
100+	8.06 EUR
500+	7.12 EUR
1000+	6.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPT015N10N5ATMA1

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IPT015N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPT015N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT015N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 13227 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT015N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 50 V

auf Bestellung 14000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	6 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPT015N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPT015N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 315 A, 0.0013 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 315A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT015N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPT015N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 35A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT015N10NF2SATMA1

auf Bestellung 34 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT015N10NF2SATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 1094 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.4 EUR
10+	8.73 EUR
25+	8.24 EUR
100+	7.06 EUR
250+	6.67 EUR
500+	6.27 EUR
1000+	5.37 EUR

IPT015N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 315A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 242 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

auf Bestellung 867 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.45 EUR
10+	8.78 EUR
100+	7.1 EUR
500+	6.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPT017N10NF2SATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 638 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.43 EUR
10+	7.92 EUR
25+	7.48 EUR
100+	6.42 EUR
250+	6.05 EUR
500+	5.7 EUR
1000+	4.88 EUR

IPT017N10NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPT017N10NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 294 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 294A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1719 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT017N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPT017N10NF2SATMA1

auf Bestellung 1719 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT017N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 294A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 216µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9300 pF @ 50 V

auf Bestellung 1614 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.36 EUR
10+	7.86 EUR
100+	6.36 EUR
500+	5.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPT017N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 33A

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT017N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPT017N12NM6ATMA1

Description: OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 60 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPT017N12NM6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 120V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPT017N12NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 4809 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.42 EUR
10+	8.94 EUR
25+	8.1 EUR
100+	7.44 EUR
250+	7 EUR
500+	6.56 EUR
1000+	6.23 EUR

IPT019N08N5

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPT019N08N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 32A T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPT019N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

auf Bestellung 3990 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.09 EUR
10+	5.95 EUR
100+	4.82 EUR
500+	4.28 EUR
1000+	3.67 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPT019N08N5ATMA1

MOSFET TRENCH 40<-<100V

auf Bestellung 1018 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.13 EUR
10+	6 EUR
25+	5.7 EUR
100+	4.86 EUR
250+	4.77 EUR
500+	4.33 EUR
1000+	3.7 EUR

IPT019N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT019N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 247 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 247A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 231W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1215 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT019N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 247A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 159µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 40 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	3.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPT019N08N5ATMA1

auf Bestellung 1215 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT01A16-23SSR

Standard Circular Connector

Produkt ist nicht verfügbar

IPT01A16-8PPHM11F2

Standard Circular Connector

Produkt ist nicht verfügbar

IPT01G10-6SF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

Produkt ist nicht verfügbar

IPT01J14-12/3S

Circular MIL Spec Connector

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

IPT01QC12-A6PGB39

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

Produkt ist nicht verfügbar

IPT020N10N3

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 404 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.92 EUR
10+	11.93 EUR
25+	10.84 EUR
100+	9.94 EUR
250+	9.36 EUR
500+	8.76 EUR
1000+	8.71 EUR

IPT020N10N3ATMA1

Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0017 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 7273 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT020N10N3ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 212A; Idm: 1200A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 212A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 156nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

Produkt ist nicht verfügbar

IPT020N10N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V

auf Bestellung 2707 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.01 EUR
10+	12.01 EUR
100+	10.01 EUR
500+	8.83 EUR
1000+	7.95 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPT020N10N3ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 4993 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.87 EUR
10+	11.86 EUR
25+	11.7 EUR
100+	9.89 EUR
250+	9.7 EUR
500+	8.31 EUR
1000+	8.06 EUR

IPT020N10N3ATMA1

Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0017 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 7273 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT020N10N3ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPT020N10N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT020N10N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 272µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 50 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	7.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPT020N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	5.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPT020N10N5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 24445 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	10.61 EUR
10+	9.08 EUR
25+	8.69 EUR
100+	7.59 EUR
250+	7.46 EUR
500+	6.67 EUR
1000+	6 EUR

IPT020N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT020N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 260 A, 0.0016 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3244 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT020N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 202µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V

auf Bestellung 6194 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	10.68 EUR
10+	9.15 EUR
100+	7.62 EUR
500+	6.73 EUR
1000+	6.05 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPT020N10N5ATMA1

auf Bestellung 3244 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT020N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 31A T/R

auf Bestellung 180 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT020N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

IPT020N13NM6ATMA1

TRENCH >=100V

Produkt ist nicht verfügbar

IPT020N13NM6ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 1959 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.6 EUR
10+	9.94 EUR
25+	9.01 EUR
100+	8.29 EUR
250+	7.81 EUR
500+	7.32 EUR
1000+	6.58 EUR

IPT020N13NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

IPT0218-RJ45-1F6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	833.11 EUR
2+	749.16 EUR
5+	641.52 EUR
10+	365.96 EUR
25+	329.86 EUR

IPT0218-RJ45-1F7

GLENAIR

Description: GLENAIR - IPT0218-RJ45-1F7 - Modularsteckverbinder, RJ45-Buchse, 1 x 1 (Port), 8P8C, Cat6, IP67, Panelmontage
tariffCode: 85366990
LED: Ohne LED
rohsCompliant: YES
Abschirmung: Ungeschirmt
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Modularer Steckverbinder: RJ45-Buchse
Steckverbindermontage: Panelmontage
IP-Schutzart: IP67
Positionen / bestückte Kontakte (pro Port): 8P8C
usEccn: EAR99
Anschlusskonfiguration: 1 x 1 (Port)
euEccn: NLR
Magnetik: Ohne Magnetik
Produktpalette: IPT
LAN-Kategorie: Cat6
productTraceability: No
Steckverbinderausrichtung: Vertikal
Lichtleiter: Ohne Lichtleiter
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)

auf Bestellung 12 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT022N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	8.84 EUR
10+	7.43 EUR
100+	6.01 EUR
500+	5.34 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPT022N10NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 29A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT022N10NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 236A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1800+	4.57 EUR

Mindestbestellmenge: 1800

IPT022N10NF2SATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 1800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.92 EUR
10+	7.5 EUR
25+	7.08 EUR
100+	6.05 EUR
250+	5.74 EUR
500+	5.39 EUR
1000+	4.61 EUR

IPT026N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 0.0022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm

auf Bestellung 2074 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT026N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V

auf Bestellung 7216 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.29 EUR
10+	6.96 EUR
100+	5.63 EUR
500+	5.01 EUR
1000+	4.29 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPT026N10N5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 32213 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	8.32 EUR
10+	7 EUR
25+	6.67 EUR
100+	5.67 EUR
250+	5.35 EUR
500+	5.03 EUR
1000+	4.31 EUR

IPT026N10N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 202A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 158µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 50 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	4.04 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPT026N10N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 0.0022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm

auf Bestellung 2074 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT026N10N5ATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT029N08N5ATMA1

MOSFET MV POWER MOS

auf Bestellung 3314 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.23 EUR
10+	5.24 EUR
25+	4.95 EUR
100+	4.24 EUR
250+	4 EUR
500+	3.77 EUR
1000+	3.22 EUR

IPT029N08N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT029N08N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 169 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1703 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT029N08N5ATMA1

OptiMOS 5Power-Transistor,80V

Produkt ist nicht verfügbar

IPT029N08N5ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 676A; 167W
Case: PG-HSOF-8
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tape
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 167W
Gate charge: 70nC
Technology: OptiMOS™ 5
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

Produkt ist nicht verfügbar

IPT029N08N5ATMA1

Description: POWER TRANSISTOR 80V OPTIMOS-5

Produkt ist nicht verfügbar

IPT029N08N5ATMA1

OptiMOS 5Power-Transistor,80V

Produkt ist nicht verfügbar

IPT029N08N5ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPT029N08N5ATMA1

Description: POWER TRANSISTOR 80V OPTIMOS-5

Produkt ist nicht verfügbar

IPT029N08N5ATMA1

auf Bestellung 1703 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT029N08N5ATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8

Produkt ist nicht verfügbar

IPT02A12-10S

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

Produkt ist nicht verfügbar

IPT02A12-10SF6

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

Produkt ist nicht verfügbar

IPT02A14-19SCMB

Standard Circular Connector

Produkt ist nicht verfügbar

IPT02A8-4PF7

Circular MIL Spec Connector REAR BOX MNT FLNG REC PIN BLACK ZINC

Produkt ist nicht verfügbar

IPT02E10-6PF2

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

Produkt ist nicht verfügbar

IPT02E10-6PMB

Standard Circular Connector

Produkt ist nicht verfügbar

IPT02E12-3P

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

Produkt ist nicht verfügbar

IPT02E12-3PF7

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

Produkt ist nicht verfügbar

IPT02QC12-A6P

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

Produkt ist nicht verfügbar

IPT02QC12-A6PCGA76

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

Produkt ist nicht verfügbar

IPT02QC12-A6PGU01

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

Produkt ist nicht verfügbar

IPT02Y20-41PX

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

Produkt ist nicht verfügbar

IPT02YL10-6S

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

Produkt ist nicht verfügbar

IPT02YL12-10SW

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

Produkt ist nicht verfügbar

IPT02YL14-19PF2

Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 26482 CONNECTORS

Produkt ist nicht verfügbar

IPT030N12N3GATMA1

Description: INFINEON - IPT030N12N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 237 A, 0.0025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 375W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1841 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT030N12N3GATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 60 V

auf Bestellung 6424 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.97 EUR
10+	6.69 EUR
100+	5.42 EUR
500+	4.81 EUR
1000+	4.12 EUR

Mindestbestellmenge: 3

IPT030N12N3GATMA1

N-Channel MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

IPT030N12N3GATMA1

auf Bestellung 1841 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT030N12N3GATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 60 V

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	3.88 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPT030N12N3GATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 3292 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.92 EUR
10+	6.65 EUR
25+	6.32 EUR
100+	5.39 EUR
250+	5.32 EUR
500+	4.79 EUR
1000+	4.1 EUR

IPT039N15N5ATMA1

MOSFET

auf Bestellung 3378 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.56 EUR
10+	9.91 EUR
25+	8.99 EUR
100+	8.25 EUR
250+	7.78 EUR
500+	7.29 EUR
1000+	6.55 EUR

IPT039N15N5ATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPT039N15N5ATMA1

Description: OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPT039N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

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IPT039N15N5XTMA1

SP005537494

Produkt ist nicht verfügbar

IPT039N15N5XTMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 257µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 75 V

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IPT03YQC12-A6PF7N405

Standard Circular Connector

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IPT043N15N5ATMA1

SP001326444

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IPT043N15N5ATMA1

MOSFET

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IPT044N15N5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 2661 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11 EUR
10+	9.43 EUR
25+	8.54 EUR
100+	7.85 EUR
250+	7.37 EUR
500+	6.92 EUR
1000+	6.23 EUR

IPT044N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPT044N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT044N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0038 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm

auf Bestellung 113 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT044N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 221µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

IPT044N15N5ATMA1

auf Bestellung 113 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT044N15N5ATMA1

SP005537524

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IPT044N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

Produkt ist nicht verfügbar

IPT054N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

Produkt ist nicht verfügbar

IPT054N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.84 EUR
10+	8.26 EUR
100+	6.69 EUR
500+	5.94 EUR
1000+	5.09 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPT054N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

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IPT054N15N5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 1995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.96 EUR
10+	8.38 EUR
100+	6.78 EUR
500+	6.02 EUR
1000+	5.17 EUR
2000+	4.75 EUR

IPT054N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 181µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 75 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	4.79 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPT059N15N3

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

13+	12.21 EUR
25+	11.23 EUR
50+	10.38 EUR
100+	9.63 EUR
250+	8.96 EUR
500+	8.35 EUR
1000+	7.79 EUR

Mindestbestellmenge: 13

IPT059N15N3

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 9814 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.97 EUR
10+	11.99 EUR
25+	10.86 EUR
100+	9.98 EUR
250+	9.4 EUR
500+	8.8 EUR
1000+	8.36 EUR

IPT059N15N3

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	7.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 1988 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT059N15N3ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; Idm: 620A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced

Produkt ist nicht verfügbar

IPT059N15N3ATMA1

Description: INFINEON - IPT059N15N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 3842 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 4645 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10+	16.12 EUR
14+	11.31 EUR
50+	9.67 EUR
100+	8.73 EUR
200+	7.91 EUR
500+	7.07 EUR
1000+	6.34 EUR
2000+	6.32 EUR

Mindestbestellmenge: 10

IPT059N15N3ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

IPT059N15N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V

auf Bestellung 2111 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	13.89 EUR
10+	11.9 EUR
100+	9.92 EUR
500+	8.75 EUR
1000+	7.87 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	7.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT059N15N3ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 29 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	13.97 EUR
10+	11.99 EUR
25+	11.51 EUR
100+	10 EUR
250+	9.87 EUR
500+	8.82 EUR
1000+	7.94 EUR

IPT059N15N3ATMA1

auf Bestellung 3842 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	6.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPT059N15N3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 75 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	7.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPT059N15N3ATMA1

Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	7.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPT063N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	4.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	5.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

Produkt ist nicht verfügbar

IPT063N15N5ATMA1

MOSFET TRENCH >=100V

auf Bestellung 2563 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.15 EUR
10+	7.69 EUR
25+	7.44 EUR
100+	6.21 EUR
250+	6.02 EUR
500+	5.53 EUR
1000+	4.88 EUR

IPT063N15N5ATMA1

Description: INFINEON - IPT063N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 0.0054 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm

auf Bestellung 4578 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	3.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPT063N15N5ATMA1

Description: TRENCH >=100V PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 153µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 75 V

auf Bestellung 3926 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	9.08 EUR
10+	7.63 EUR
100+	6.17 EUR
500+	5.48 EUR
1000+	4.7 EUR

Mindestbestellmenge: 2

IPT063N15N5ATMA1

N Channel Power Mosfet

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	3.86 EUR

Mindestbestellmenge: 2000

IPT063N15N5ATMA1

SP005537534

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT063N15N5ATMA1

auf Bestellung 4578 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

IPT067N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V

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IPT067N20NM6ATMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V

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MOSFET TRENCH >=100V

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IPT06A10-6SF7

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Circular MIL Spec Connector CONNECTOR

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Circular MIL Spec Connector Straight Plug 10P Size 12

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Circular MIL Spec Connector ST PLUG CBL CLAMP W/ BUSHING BLK ZINC

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Circular MIL Spec Connector POWER PRODUCTS - 5015 REVERSE BAYONET CONN

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