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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis ohne MwSt
RGW-100-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
Kit Type: Paste, Washers
Values: 101 pcs - 100 ea of Grounding Washer, Paste
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+321.55 EUR
RGW-100-1YPanduitRacks & Rack Cabinet Accessories GROUNDING WASHERS KT 3/8 PACK OF 100
Produkt ist nicht verfügbar
RGW-12-1YPANDUITDescription: PANDUIT - RGW-12-1Y - Zubehör für Gehäuse, Unterlegscheibe
Art des Zubehörs: Unterlegscheibe
Zur Verwendung mit: Standard-Ausrüstungsschränke CMR19X84, CMR19X84S und CMR23X84 von Panduit
Produktpalette: StructuredGround RGW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
RGW-12-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
Produkt ist nicht verfügbar
RGW-1273 500MES Cable & WireOld Part RGW-1273^ESCABLE
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RGW-1295ES Cable & WireHoneywell - CS 92 PVC stranded 100m reel
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RGW-1296ES Cable & WireHoneywell - CS 92 PVC solid 100m reel
Produkt ist nicht verfügbar
RGW-1382ES Cable & Wire2 x 22 AWG PVC, with Black PVC Jacket, -40 to 85C
Produkt ist nicht verfügbar
RGW-24-1YPanduitRacks & Rack Cabinet Accessories Grounding Washer Kit, 3/8" (9.5mm) Stud
Produkt ist nicht verfügbar
RGW-24-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
Produkt ist nicht verfügbar
RGW-32-1YPanduit CorpDescription: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
Produkt ist nicht verfügbar
RGW-45-CC-ZA-HHIWINDescription: HIWIN CARRIER
Packaging: Bulk
Type: Linear Bearing Platform
Specifications: 153.2mm Length
Part Status: Active
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+404.8 EUR
RGW00TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 45A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 95 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/180ns
Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 89 W
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.25 EUR
30+ 8.98 EUR
120+ 8.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RGW00TK65DGVC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TK65DGVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 45A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGW00TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.56 EUR
10+ 9.7 EUR
25+ 9.35 EUR
100+ 8.08 EUR
250+ 8.04 EUR
500+ 7.13 EUR
1000+ 6.12 EUR
RGW00TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.95 EUR
10+ 9.2 EUR
100+ 7.43 EUR
500+ 6.46 EUR
1000+ 5.21 EUR
RGW00TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 45A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/180ns
Switching Energy: 1.18mJ (on), 960µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 89 W
Produkt ist nicht verfügbar
RGW00TK65GVC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TK65GVC11 - IGBT, 45 A, 1.5 V, 89 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 45A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGW00TS65CHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 49ns/180ns
Switching Energy: 180µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.07 EUR
10+ 18.56 EUR
100+ 16.05 EUR
RGW00TS65CHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65CHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGW00TS65CHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.49 EUR
10+ 18.94 EUR
25+ 18.78 EUR
50+ 16.37 EUR
250+ 14.84 EUR
450+ 13.6 EUR
RGW00TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
RGW00TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Produkt ist nicht verfügbar
RGW00TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGW00TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.8 EUR
10+ 10.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RGW00TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.88 EUR
10+ 11.05 EUR
25+ 9.2 EUR
250+ 8.11 EUR
450+ 7.3 EUR
900+ 6.95 EUR
RGW00TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/183ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.76 EUR
10+ 11.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RGW00TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
Produkt ist nicht verfügbar
RGW00TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65EHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGW00TS65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 385 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.03 EUR
10+ 8.99 EUR
25+ 8.52 EUR
100+ 7.37 EUR
500+ 6.28 EUR
1000+ 5.17 EUR
2500+ 5 EUR
RGW00TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
auf Bestellung 439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.07 EUR
10+ 9.04 EUR
100+ 7.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RGW00TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGW00TS65HRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 254W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGW00TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 48ns/186ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 141 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 254 W
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.61 EUR
10+ 9.09 EUR
450+ 6.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RGW00TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 325-329 Tag (e)
1+11.32 EUR
10+ 10.24 EUR
30+ 9.77 EUR
120+ 8.47 EUR
RGW40NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW40NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Indu
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.84 EUR
10+ 4.91 EUR
25+ 4.63 EUR
100+ 3.96 EUR
250+ 3.75 EUR
500+ 3.52 EUR
1000+ 3.01 EUR
RGW40NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.76 EUR
10+ 5.17 EUR
25+ 4.88 EUR
100+ 4.23 EUR
250+ 4.02 EUR
500+ 3.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4
RGW40NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.04 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
RGW40NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
RGW40NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/129ns
Switching Energy: 110µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 144 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.88 EUR
10+ 4.37 EUR
25+ 4.13 EUR
100+ 3.58 EUR
250+ 3.4 EUR
500+ 3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 4
RGW40NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 20A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW40NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 111-115 Tag (e)
1+4.95 EUR
10+ 4.15 EUR
25+ 3.91 EUR
100+ 3.36 EUR
250+ 3.17 EUR
500+ 2.97 EUR
1000+ 2.55 EUR
RGW40TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 27A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 61 W
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.93 EUR
30+ 7.87 EUR
120+ 6.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RGW40TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 16A
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10 EUR
10+ 8.4 EUR
25+ 8.13 EUR
100+ 6.79 EUR
250+ 6.58 EUR
450+ 6.02 EUR
900+ 4.86 EUR
RGW40TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 16A
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.52 EUR
10+ 7.15 EUR
25+ 6.92 EUR
100+ 5.77 EUR
250+ 5.6 EUR
450+ 5.26 EUR
900+ 4.14 EUR
RGW40TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 27A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 27 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 61 W
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.45 EUR
30+ 6.7 EUR
120+ 5.74 EUR
Mindestbestellmenge: 3
RGW40TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 136 W
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.36 EUR
30+ 6.62 EUR
120+ 5.68 EUR
Mindestbestellmenge: 3
RGW40TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 20A Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.5 EUR
10+ 7.13 EUR
30+ 6.72 EUR
120+ 5.76 EUR
270+ 5.46 EUR
510+ 5.12 EUR
1020+ 4.38 EUR
RGW40TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGW40TS65DGC11 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGW40TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/76ns
Switching Energy: 330µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 59 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 136 W
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.93 EUR
10+ 5.83 EUR
450+ 4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3
RGW40TS65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 20A Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.06 EUR
10+ 5.95 EUR
30+ 4.79 EUR
270+ 4.26 EUR
510+ 3.64 EUR
1020+ 3.43 EUR
RGW40TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW40TS65GC11 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 136 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGW50NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.2 EUR
10+ 5.56 EUR
25+ 5.25 EUR
100+ 4.55 EUR
250+ 4.32 EUR
500+ 3.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3
RGW50NL65DHRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 71 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
RGW50NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW50NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Indu
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.28 EUR
10+ 5.26 EUR
25+ 4.98 EUR
100+ 4.28 EUR
250+ 4.03 EUR
500+ 3.8 EUR
1000+ 3.15 EUR
RGW50NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
RGW50NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW50NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 111-115 Tag (e)
1+5.39 EUR
10+ 4.52 EUR
25+ 4.28 EUR
100+ 3.64 EUR
250+ 3.45 EUR
500+ 3.24 EUR
1000+ 2.69 EUR
RGW50NL65HRBTLRohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 31ns/119ns
Switching Energy: 110µJ (on), 230µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 57 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 165 W
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
RGW50TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 30A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 67 W
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.96 EUR
30+ 7.89 EUR
120+ 6.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RGW50TK65DGVC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TK65DGVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGW50TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.03 EUR
10+ 8.43 EUR
30+ 8.17 EUR
120+ 6.81 EUR
270+ 6.6 EUR
510+ 6.05 EUR
1020+ 4.88 EUR
RGW50TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 30A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 67 W
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.54 EUR
30+ 6.76 EUR
120+ 5.79 EUR
Mindestbestellmenge: 3
RGW50TK65GVC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TK65GVC11 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 67 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGW50TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.59 EUR
10+ 7.22 EUR
30+ 6.99 EUR
120+ 5.83 EUR
270+ 5.65 EUR
510+ 5.17 EUR
1020+ 4.17 EUR
RGW50TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.69 EUR
30+ 6.88 EUR
120+ 5.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3
RGW50TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TS65DGC11 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 156W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGW50TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 25A Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.84 EUR
10+ 7.41 EUR
25+ 5.98 EUR
250+ 5.32 EUR
450+ 4.56 EUR
900+ 4.29 EUR
RGW50TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/102ns
Switching Energy: 390µJ (on), 430µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 73 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 156 W
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.27 EUR
10+ 6.1 EUR
450+ 4.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3
RGW50TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW50TS65GC11 - IGBT, 50 A, 1.5 V, 156 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 156W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGW50TS65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 25A Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.39 EUR
10+ 6.21 EUR
25+ 5.02 EUR
250+ 4.45 EUR
450+ 3.82 EUR
900+ 3.59 EUR
RGW60NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW60NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Indu
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 111-115 Tag (e)
1+6.97 EUR
10+ 5.86 EUR
25+ 5.53 EUR
100+ 4.73 EUR
250+ 4.47 EUR
500+ 4.21 EUR
1000+ 3.61 EUR
RGW60NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW60NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.91 EUR
10+ 4.96 EUR
25+ 4.68 EUR
100+ 4.01 EUR
250+ 3.78 EUR
500+ 3.57 EUR
1000+ 2.96 EUR
RGW60TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 72 W
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.35 EUR
10+ 8.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RGW60TK65DGVC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TK65DGVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 72 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGW60TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.42 EUR
10+ 8.76 EUR
25+ 8.45 EUR
100+ 7.37 EUR
450+ 5.67 EUR
900+ 5.07 EUR
RGW60TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.19 EUR
10+ 7.71 EUR
25+ 7.48 EUR
100+ 6.23 EUR
250+ 6.04 EUR
500+ 5.54 EUR
1000+ 4.47 EUR
RGW60TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 72 W
auf Bestellung 102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.13 EUR
30+ 7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RGW60TS65CHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/91ns
Switching Energy: 70µJ (on), 220µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.47 EUR
10+ 18.92 EUR
100+ 16.37 EUR
RGW60TS65CHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
auf Bestellung 473 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.98 EUR
10+ 17.62 EUR
25+ 17.34 EUR
50+ 16.79 EUR
100+ 15.21 EUR
250+ 14.94 EUR
450+ 13.78 EUR
RGW60TS65CHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65CHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGW60TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/114ns
Switching Energy: 480µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.93 EUR
10+ 8.34 EUR
100+ 6.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RGW60TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
RGW60TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65DGC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5
DC-Kollektorstrom: 60
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247N
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 178
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGW60TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.77 EUR
10+ 9.28 EUR
25+ 8.34 EUR
100+ 8.22 EUR
250+ 7.57 EUR
RGW60TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65DHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGW60TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/107ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.49 EUR
10+ 8.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RGW60TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 146 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/101ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.04 EUR
10+ 9.45 EUR
450+ 6.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RGW60TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.33 EUR
10+ 9.77 EUR
25+ 8.78 EUR
100+ 8.64 EUR
250+ 7.96 EUR
RGW60TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65EHRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGW60TS65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 544 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.04 EUR
10+ 7.23 EUR
25+ 6.85 EUR
100+ 5.93 EUR
500+ 5.03 EUR
1000+ 4.15 EUR
2500+ 4.01 EUR
RGW60TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65GC11 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGW60TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
auf Bestellung 430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.18 EUR
10+ 7.35 EUR
100+ 6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3
RGW60TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/107ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 84 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 64 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 178 W
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.86 EUR
10+ 8.28 EUR
450+ 5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RGW60TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.93 EUR
10+ 8.34 EUR
25+ 6.72 EUR
250+ 5.98 EUR
450+ 5.12 EUR
900+ 4.82 EUR
RGW60TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGW60TS65HRC11 - IGBT, 64 A, 1.5 V, 178 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 64A
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGW80NL65DHRBTLROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW80NL65DHRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Indu
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.48 EUR
10+ 7.13 EUR
25+ 6.72 EUR
100+ 5.76 EUR
250+ 5.44 EUR
500+ 5.12 EUR
1000+ 4.38 EUR
RGW80NL65HRBTLROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, LPDL, Field Stop Trench IGBT for Automotive: RGW80NL65HRB is a IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for On & Off Board Chagers, DC-DC Converters, PFC, Industrial Inverter
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.86 EUR
10+ 5.76 EUR
25+ 5.44 EUR
100+ 4.66 EUR
250+ 4.4 EUR
500+ 4.14 EUR
1000+ 3.56 EUR
RGW80TK65DGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.17 EUR
30+ 8.12 EUR
120+ 7.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RGW80TK65DGVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.23 EUR
10+ 8.76 EUR
25+ 7.96 EUR
100+ 7.32 EUR
250+ 6.6 EUR
500+ 6.44 EUR
1000+ 5.54 EUR
RGW80TK65EGVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors TO3PFMP 650V TRNCH 25A
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.56 EUR
10+ 9.93 EUR
25+ 9.42 EUR
100+ 8.25 EUR
250+ 7.99 EUR
450+ 7.44 EUR
900+ 6.25 EUR
RGW80TK65EGVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 102 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.48 EUR
30+ 9.17 EUR
120+ 8.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RGW80TK65GVC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 39 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 81 W
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.91 EUR
30+ 7.86 EUR
120+ 6.74 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RGW80TK65GVC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.96 EUR
10+ 8.38 EUR
25+ 8.11 EUR
100+ 6.78 EUR
250+ 6.56 EUR
500+ 6.02 EUR
1000+ 4.86 EUR
RGW80TS65CHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.72 EUR
10+ 18.27 EUR
25+ 18.11 EUR
50+ 15.79 EUR
250+ 14.31 EUR
450+ 13.11 EUR
RGW80TS65CHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65CHRC11 - IGBT, 81 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 81A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGW80TS65CHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT 650V 81A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/145ns
Switching Energy: 120µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 81 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.57 EUR
30+ 16.66 EUR
120+ 15.68 EUR
RGW80TS65DGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 107W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 228ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 107W
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 110nC
Produkt ist nicht verfügbar
RGW80TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
auf Bestellung 438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.51 EUR
10+ 10.34 EUR
100+ 8.47 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RGW80TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
Produkt ist nicht verfügbar
RGW80TS65DGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 107W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 228ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 107W
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 110nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RGW80TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.35 EUR
10+ 9.73 EUR
450+ 7.16 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RGW80TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGW80TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.67 EUR
10+ 10.05 EUR
25+ 9.05 EUR
100+ 8.91 EUR
250+ 8.18 EUR
RGW80TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.76 EUR
10+ 10.98 EUR
25+ 9.91 EUR
100+ 9.73 EUR
250+ 8.96 EUR
RGW80TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 86 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.41 EUR
10+ 10.64 EUR
450+ 7.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RGW80TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGW80TS65GC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/143ns
Switching Energy: 760µJ (on), 720µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 78 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+9.61 EUR
10+ 8.62 EUR
100+ 7.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RGW80TS65GC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65GC11 - IGBT, 78 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 78A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGW80TS65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.2 EUR
10+ 6.48 EUR
30+ 6.46 EUR
120+ 5.79 EUR
510+ 4.91 EUR
1020+ 4.52 EUR
RGW80TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.12 EUR
10+ 9.49 EUR
25+ 8.87 EUR
250+ 7.88 EUR
450+ 5.63 EUR
900+ 5.3 EUR
RGW80TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/148ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 110 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 214 W
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.82 EUR
10+ 9.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RGW80TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGW80TS65HRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGWS00TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247G
Produkt ist nicht verfügbar
RGWS00TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.19 EUR
10+ 8.75 EUR
120+ 7.29 EUR
510+ 6.42 EUR
1020+ 5.4 EUR
RGWS00TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWS00TS65GC13 - IGBT, 88 A, 2 V, 245 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 88A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGWS00TS65GC13ROHM SemiconductorIGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.7 EUR
10+ 8.15 EUR
RGWS60TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 51A TO247G
Produkt ist nicht verfügbar
RGWS60TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT
auf Bestellung 594 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.2 EUR
10+ 7.73 EUR
RGWS60TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
Produkt ist nicht verfügbar
RGWS60TS65GC13ROHM SemiconductorIGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.78 EUR
10+ 6.53 EUR
120+ 5.28 EUR
RGWS80TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 71A TO247G
Produkt ist nicht verfügbar
RGWS80TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.17 EUR
10+ 8.54 EUR
30+ 8.29 EUR
120+ 6.9 EUR
270+ 6.67 EUR
510+ 5.98 EUR
1020+ 4.95 EUR
RGWS80TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWS80TS65GC13 - IGBT, 71 A, 2 V, 202 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 71A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGWS80TS65GC13ROHM SemiconductorIGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 703-707 Tag (e)
1+9.26 EUR
10+ 8.34 EUR
25+ 7.87 EUR
100+ 6.83 EUR
600+ 5.81 EUR
1200+ 4.79 EUR
RGWSX2TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 703-707 Tag (e)
1+12.25 EUR
10+ 11.09 EUR
25+ 10.58 EUR
100+ 9.19 EUR
600+ 7.99 EUR
1200+ 7.04 EUR
RGWSX2TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 104A TO247G
Produkt ist nicht verfügbar
RGWSX2TS65GC13ROHM SemiconductorIGBT Transistors HIGH-SPEED FAST SWITCHING IGBT
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 703-707 Tag (e)
1+12.04 EUR
10+ 10.82 EUR
25+ 10.23 EUR
100+ 8.87 EUR
RGWSX2TS65GC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 104A TO247G
Produkt ist nicht verfügbar
RGWSX2TS65GC13ROHMDescription: ROHM - RGWSX2TS65GC13 - IGBT, 104 A, 2 V, 288 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 288W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 104A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGWX5TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Produkt ist nicht verfügbar
RGWX5TS65DGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 174W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 305ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 213nC
Produkt ist nicht verfügbar
RGWX5TS65DGC11ROHM SEMICONDUCTORCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 174W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Pulsed collector current: 300A
Turn-on time: 93ns
Turn-off time: 305ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 174W
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 213nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
RGWX5TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors IGBT
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.06 EUR
10+ 11.81 EUR
30+ 11.26 EUR
120+ 9.75 EUR
510+ 8.5 EUR
1020+ 7.52 EUR
2520+ 7.23 EUR
RGWX5TS65DHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.33 EUR
10+ 8.91 EUR
25+ 8.03 EUR
100+ 7.88 EUR
250+ 7.25 EUR
RGWX5TS65DHRC11ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGWX5TS65DHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/237ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
auf Bestellung 332 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.05 EUR
10+ 8.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2
RGWX5TS65EHRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 59ns/243ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
Produkt ist nicht verfügbar
RGWX5TS65EHRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
Produkt ist nicht verfügbar
RGWX5TS65EHRC11ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGWX5TS65GC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors IGBT
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.82 EUR
10+ 9.79 EUR
30+ 9.33 EUR
120+ 8.1 EUR
510+ 7.06 EUR
1020+ 6.23 EUR
2520+ 6 EUR
RGWX5TS65HRC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors High-Speed Fast Switching Type, 650V 75A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT for Automotive.
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.64 EUR
10+ 11.81 EUR
25+ 11.44 EUR
250+ 10.08 EUR
450+ 7.57 EUR
900+ 7.23 EUR
RGWX5TS65HRC11ROHMDescription: ROHM - RGWX5TS65HRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RGWX5TS65HRC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FLD 650V 132A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/237ns
Test Condition: 400V, 37.5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 213 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 132 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 348 W
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