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BXIR-85120AA-0900 BXIR-85120AA-0900 Bridgelux DS300%20Bridgelux%20IR%203535%201W%20Rev.%20A%2020160721.pdf Description: IR 3535 SMD, 0900MW MIN, 850NM,
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXKC-65E1501-B-14 BRIDGELUX BXKC-65E1501-B-14 White power LEDs - COB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N60F BXP10N60F BRIDGELUX BXP10N60F-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+0.89 EUR
94+0.77 EUR
104+0.69 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N60F BXP10N60F BRIDGELUX BXP10N60F-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
81+0.89 EUR
94+0.77 EUR
104+0.69 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N65CF BXP10N65CF BRIDGELUX BXP10N65C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+1.26 EUR
71+1.01 EUR
80+0.90 EUR
132+0.54 EUR
139+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N65CF BXP10N65CF BRIDGELUX BXP10N65C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
57+1.26 EUR
71+1.01 EUR
80+0.90 EUR
132+0.54 EUR
139+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N80F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 44W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 44W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 71nC
Pulsed drain current: 40A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N80F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 44W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 44W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 71nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N90F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N90F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP12N65F BXP12N65F BRIDGELUX BXP12N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; Idm: 48A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Pulsed drain current: 48A
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.52 EUR
59+1.21 EUR
67+1.08 EUR
109+0.66 EUR
115+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP12N65F BXP12N65F BRIDGELUX BXP12N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; Idm: 48A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Pulsed drain current: 48A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
48+1.52 EUR
59+1.21 EUR
67+1.08 EUR
109+0.66 EUR
115+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP13N50F BXP13N50F BRIDGELUX BXP13N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.1A; Idm: 52A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.1A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+1.42 EUR
64+1.13 EUR
72+1.01 EUR
112+0.64 EUR
118+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP13N50F BXP13N50F BRIDGELUX BXP13N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.1A; Idm: 52A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.1A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
51+1.42 EUR
64+1.13 EUR
72+1.01 EUR
112+0.64 EUR
118+0.61 EUR
1000+0.60 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP13N50P BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; Idm: 52A; 158W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 158W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP13N50P BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; Idm: 52A; 158W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 158W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP16N65F BXP16N65F BRIDGELUX BXP16N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; Idm: 64A; 43W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 43W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP16N65F BXP16N65F BRIDGELUX BXP16N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; Idm: 64A; 43W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 43W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 90W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tube
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 90W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tube
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20F BXP18N20F BRIDGELUX BXP18N20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 55W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 55W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 23nC
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+1.29 EUR
70+1.03 EUR
78+0.92 EUR
127+0.56 EUR
135+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20F BXP18N20F BRIDGELUX BXP18N20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 55W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 55W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 23nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
56+1.29 EUR
70+1.03 EUR
78+0.92 EUR
127+0.56 EUR
135+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20H BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20H BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20P BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 95W; TO220
Case: TO220
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20P BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 95W; TO220
Case: TO220
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N50F BXP18N50F BRIDGELUX BXP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+2.10 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N50F BXP18N50F BRIDGELUX BXP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
34+2.10 EUR
48+1.49 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 34
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP20N50F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 39W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 39W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP20N50F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 39W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 39W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP20N50H BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP20N50H BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N20L BRIDGELUX BXP2N20L SMD N channel transistors
auf Bestellung 2435 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
313+0.23 EUR
807+0.09 EUR
848+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 313
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65A BRIDGELUX BXP2N65A THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65D BXP2N65D BRIDGELUX BXP2N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.21A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.26 EUR
334+0.21 EUR
374+0.19 EUR
447+0.16 EUR
610+0.12 EUR
650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65D BXP2N65D BRIDGELUX BXP2N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.21A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1702 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
334+0.21 EUR
374+0.19 EUR
447+0.16 EUR
610+0.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Case: TO220F
Mounting: THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Case: TO220F
Mounting: THT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65N BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 3W; SOT223-3L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Case: SOT223-3L
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On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65N BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 3W; SOT223-3L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
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Case: SOT223-3L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65U BXP2N65U BRIDGELUX BXP2N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.21A
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Power dissipation: 44W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65U BXP2N65U BRIDGELUX BXP2N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.21A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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218+0.33 EUR
277+0.26 EUR
309+0.23 EUR
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BXP3N1K2D BRIDGELUX BXP3N1K2D SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP3N1KD BRIDGELUX BXP3N1KD SMD N channel transistors
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BXP3N1KF BRIDGELUX BXP3N1KF THT N channel transistors
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BXP3N50D BRIDGELUX BXP3N50D SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
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Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
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Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
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Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
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125+0.57 EUR
157+0.46 EUR
176+0.41 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65D BXP4N65D BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65D BXP4N65D BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
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Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65F BXP4N65F BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
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Gate-source voltage: ±30V
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Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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162+0.44 EUR
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365+0.20 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65F BXP4N65F BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
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Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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auf Bestellung 1857 Stücke:
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200+0.36 EUR
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345+0.21 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65U BXP4N65U BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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200+0.36 EUR
261+0.27 EUR
291+0.25 EUR
348+0.21 EUR
451+0.16 EUR
477+0.15 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65U BXP4N65U BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2232 Stücke:
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200+0.36 EUR
261+0.27 EUR
291+0.25 EUR
348+0.21 EUR
451+0.16 EUR
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Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N80D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.2A; Idm: 16A; 130W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 130W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N80D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.2A; Idm: 16A; 130W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 130W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N80F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Case: TO220F
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N80F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Case: TO220F
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP5N20D BRIDGELUX BXP5N20D SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP5N20P BRIDGELUX BXP5N20P THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXIR-85120AA-0900 DS300%20Bridgelux%20IR%203535%201W%20Rev.%20A%2020160721.pdf
BXIR-85120AA-0900
Hersteller: Bridgelux
Description: IR 3535 SMD, 0900MW MIN, 850NM,
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXKC-65E1501-B-14
Hersteller: BRIDGELUX
BXKC-65E1501-B-14 White power LEDs - COB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N60F BXP10N60F-DTE.pdf
BXP10N60F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
94+0.77 EUR
104+0.69 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 81
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N60F BXP10N60F-DTE.pdf
BXP10N60F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 978 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
81+0.89 EUR
94+0.77 EUR
104+0.69 EUR
124+0.58 EUR
131+0.55 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N65CF BXP10N65C.pdf
BXP10N65CF
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
71+1.01 EUR
80+0.90 EUR
132+0.54 EUR
139+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N65CF BXP10N65C.pdf
BXP10N65CF
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
57+1.26 EUR
71+1.01 EUR
80+0.90 EUR
132+0.54 EUR
139+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 57
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N80F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 44W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 44W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 71nC
Pulsed drain current: 40A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N80F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 44W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 44W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 71nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N90F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N90F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP12N65F BXP12N65.pdf
BXP12N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; Idm: 48A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Pulsed drain current: 48A
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
59+1.21 EUR
67+1.08 EUR
109+0.66 EUR
115+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP12N65F BXP12N65.pdf
BXP12N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; Idm: 48A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Pulsed drain current: 48A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
59+1.21 EUR
67+1.08 EUR
109+0.66 EUR
115+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP13N50F BXP13N50.pdf
BXP13N50F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.1A; Idm: 52A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.1A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
64+1.13 EUR
72+1.01 EUR
112+0.64 EUR
118+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP13N50F BXP13N50.pdf
BXP13N50F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.1A; Idm: 52A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.1A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
51+1.42 EUR
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Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP13N50P
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; Idm: 52A; 158W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 158W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP13N50P
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; Idm: 52A; 158W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 158W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP16N65F BXP16N65.pdf
BXP16N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; Idm: 64A; 43W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 43W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP16N65F BXP16N65.pdf
BXP16N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; Idm: 64A; 43W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 43W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 90W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tube
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 90W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tube
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 90W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20F BXP18N20.pdf
BXP18N20F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 55W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 55W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 23nC
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
70+1.03 EUR
78+0.92 EUR
127+0.56 EUR
135+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20F BXP18N20.pdf
BXP18N20F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 55W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 55W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 23nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
70+1.03 EUR
78+0.92 EUR
127+0.56 EUR
135+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20H
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20H
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20P
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 95W; TO220
Case: TO220
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20P
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 95W; TO220
Case: TO220
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
On-state resistance: 0.18Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N50F BXP18N50.pdf
BXP18N50F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N50F BXP18N50.pdf
BXP18N50F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
34+2.10 EUR
48+1.49 EUR
1000+0.87 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP20N50F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 39W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 39W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP20N50F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 39W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 39W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP20N50H
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP20N50H
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N20L
Hersteller: BRIDGELUX
BXP2N20L SMD N channel transistors
auf Bestellung 2435 Stücke:
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313+0.23 EUR
807+0.09 EUR
848+0.08 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65A
Hersteller: BRIDGELUX
BXP2N65A THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65D BXP2N65.pdf
BXP2N65D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.21A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
334+0.21 EUR
374+0.19 EUR
447+0.16 EUR
610+0.12 EUR
650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65D BXP2N65.pdf
BXP2N65D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.21A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1702 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
334+0.21 EUR
374+0.19 EUR
447+0.16 EUR
610+0.12 EUR
650+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Case: TO220F
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Case: TO220F
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65N
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 3W; SOT223-3L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223-3L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65N
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 3W; SOT223-3L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223-3L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65U BXP2N65.pdf
BXP2N65U
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.21A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
277+0.26 EUR
309+0.23 EUR
368+0.19 EUR
506+0.14 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65U BXP2N65.pdf
BXP2N65U
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.21A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1575 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
218+0.33 EUR
277+0.26 EUR
309+0.23 EUR
368+0.19 EUR
506+0.14 EUR
538+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 218
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP3N1K2D
Hersteller: BRIDGELUX
BXP3N1K2D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP3N1KD
Hersteller: BRIDGELUX
BXP3N1KD SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP3N1KF
Hersteller: BRIDGELUX
BXP3N1KF THT N channel transistors
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.28 EUR
164+0.44 EUR
174+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 56
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP3N50D
Hersteller: BRIDGELUX
BXP3N50D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N60D
BXP4N60D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
157+0.46 EUR
176+0.41 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N60D
BXP4N60D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1320 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
157+0.46 EUR
176+0.41 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65D BXP4N65.pdf
BXP4N65D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65D BXP4N65.pdf
BXP4N65D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65F BXP4N65.pdf
BXP4N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1857 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
200+0.36 EUR
224+0.32 EUR
345+0.21 EUR
365+0.20 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65F BXP4N65.pdf
BXP4N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1857 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
200+0.36 EUR
224+0.32 EUR
345+0.21 EUR
365+0.20 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65U BXP4N65.pdf
BXP4N65U
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
261+0.27 EUR
291+0.25 EUR
348+0.21 EUR
451+0.16 EUR
477+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65U BXP4N65.pdf
BXP4N65U
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2232 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
261+0.27 EUR
291+0.25 EUR
348+0.21 EUR
451+0.16 EUR
477+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N80D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.2A; Idm: 16A; 130W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 130W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N80D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.2A; Idm: 16A; 130W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 130W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N80F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Case: TO220F
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N80F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Case: TO220F
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP5N20D
Hersteller: BRIDGELUX
BXP5N20D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP5N20P
Hersteller: BRIDGELUX
BXP5N20P THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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