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BXIR-85090BA-1300 BXIR-85090BA-1300 Bridgelux DS301%20Bridgelux%20IR%203535%203W%20Rev.%20A%2020160721.pdf Description: EMITTER IR 850NM SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXIR-85120AA-0900 BXIR-85120AA-0900 Bridgelux DS300%20Bridgelux%20IR%203535%201W%20Rev.%20A%2020160721.pdf Description: IR 3535 SMD, 0900MW MIN, 850NM,
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXKC-65E1501-B-14 BRIDGELUX BXKC-65E1501-B-14 White power LEDs - COB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N60F BXP10N60F BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9E1B5D6C894C0D6&compId=BXP10N60F-DTE.pdf?ci_sign=05f4b7450a3a1c144e32289588c8e2489341e9c1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+0.94 EUR
86+0.84 EUR
96+0.75 EUR
122+0.59 EUR
130+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N60F BXP10N60F BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9E1B5D6C894C0D6&compId=BXP10N60F-DTE.pdf?ci_sign=05f4b7450a3a1c144e32289588c8e2489341e9c1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 808 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
76+0.94 EUR
86+0.84 EUR
96+0.75 EUR
122+0.59 EUR
130+0.55 EUR
2000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N65CF BXP10N65CF BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE52C1527DE0D2&compId=BXP10N65C.pdf?ci_sign=4216791ca9da7753a90cedb4c265b4ff5403c768 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+0.79 EUR
118+0.61 EUR
136+0.53 EUR
145+0.5 EUR
150+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N65CF BXP10N65CF BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE52C1527DE0D2&compId=BXP10N65C.pdf?ci_sign=4216791ca9da7753a90cedb4c265b4ff5403c768 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 711 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
91+0.79 EUR
118+0.61 EUR
136+0.53 EUR
145+0.5 EUR
150+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N80F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 44W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 44W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 71nC
Pulsed drain current: 40A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N80F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 44W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 44W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 71nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N90F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N90F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP12N65F BXP12N65F BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE574E24AC40D2&compId=BXP12N65.pdf?ci_sign=7ee93f96259d83057e67ec78c2ebaca459d28b6c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; Idm: 48A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.47 EUR
61+1.18 EUR
69+1.05 EUR
108+0.66 EUR
115+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP12N65F BXP12N65F BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE574E24AC40D2&compId=BXP12N65.pdf?ci_sign=7ee93f96259d83057e67ec78c2ebaca459d28b6c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; Idm: 48A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
49+1.47 EUR
61+1.18 EUR
69+1.05 EUR
108+0.66 EUR
115+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP13N50F BXP13N50F BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE5AAEF10620D2&compId=BXP13N50.pdf?ci_sign=80f0289890f2193954309ae2ac8df37b7313d44f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.1A; Idm: 52A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.1A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+1.36 EUR
66+1.09 EUR
74+0.98 EUR
112+0.64 EUR
118+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP13N50F BXP13N50F BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE5AAEF10620D2&compId=BXP13N50.pdf?ci_sign=80f0289890f2193954309ae2ac8df37b7313d44f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.1A; Idm: 52A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.1A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
53+1.36 EUR
66+1.09 EUR
74+0.98 EUR
112+0.64 EUR
118+0.61 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP13N50P BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; Idm: 52A; 158W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 158W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP13N50P BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; Idm: 52A; 158W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 158W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP16N65F BXP16N65F BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE5DED9C90C0D2&compId=BXP16N65.pdf?ci_sign=3f2dd72d3cc9b160890d51a3df4ac4ba5a020111 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; Idm: 64A; 43W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 43W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP16N65F BXP16N65F BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE5DED9C90C0D2&compId=BXP16N65.pdf?ci_sign=3f2dd72d3cc9b160890d51a3df4ac4ba5a020111 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; Idm: 64A; 43W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 43W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 90W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 90W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 90W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 90W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20F BXP18N20F BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE61875DDB20D2&compId=BXP18N20.pdf?ci_sign=8c4cdc310516fe000dbb7cfe17b9136ef07c2d6c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 55W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 55W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 23nC
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+1.06 EUR
85+0.85 EUR
95+0.76 EUR
131+0.55 EUR
139+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20F BXP18N20F BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE61875DDB20D2&compId=BXP18N20.pdf?ci_sign=8c4cdc310516fe000dbb7cfe17b9136ef07c2d6c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 55W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 55W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 23nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
68+1.06 EUR
85+0.85 EUR
95+0.76 EUR
131+0.55 EUR
139+0.52 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20H BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20H BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20P BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 95W; TO220
Case: TO220
Mounting: THT
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 95W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20P BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 95W; TO220
Case: TO220
Mounting: THT
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 95W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N50F BXP18N50F BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE695C4936E0D2&compId=BXP18N50.pdf?ci_sign=02ea48af69631a49103d191b5a7c943710a60986 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+1.96 EUR
46+1.56 EUR
89+0.81 EUR
94+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N50F BXP18N50F BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE695C4936E0D2&compId=BXP18N50.pdf?ci_sign=02ea48af69631a49103d191b5a7c943710a60986 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
37+1.96 EUR
46+1.56 EUR
89+0.81 EUR
94+0.77 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 37
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP20N50F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 39W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Kind of channel: enhancement
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BXP20N50F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 39W; TO220F
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Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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BXP20N50H BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
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Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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BXP20N50H BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Mounting: THT
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Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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Gate charge: 4.5nC
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BXP2N20L BXP2N20L BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE6C9DC7B100D2&compId=BXP2N20L.pdf?ci_sign=2bc7871620dc1fe11b3350c518952bc3ba1dc075 Category: SMD N channel transistors
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BXP2N65A BRIDGELUX BXP2N65A THT N channel transistors
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO252
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Kind of package: reel; tape
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278+0.26 EUR
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BXP2N65D BXP2N65D BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE716468AD80D2&compId=BXP2N65.pdf?ci_sign=6cbd6c9803d57b74b61c2b32c453835bb7299010 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO252
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BXP2N65F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
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Kind of channel: enhancement
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BXP2N65F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Case: TO220F
Mounting: THT
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BXP2N65N BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 3W; SOT223-3L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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BXP2N65N BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 3W; SOT223-3L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
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Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel
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BXP2N65U BXP2N65U BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE716468AD80D2&compId=BXP2N65.pdf?ci_sign=6cbd6c9803d57b74b61c2b32c453835bb7299010 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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BXP2N65U BXP2N65U BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE716468AD80D2&compId=BXP2N65.pdf?ci_sign=6cbd6c9803d57b74b61c2b32c453835bb7299010 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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Mounting: THT
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BXP3N1K2D BRIDGELUX BXP3N1K2D SMD N channel transistors
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BXP3N1KD BRIDGELUX BXP3N1KD SMD N channel transistors
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BXP3N1KF BXP3N1KF BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE7556B47F40D2&compId=BXP3N1K.pdf?ci_sign=738fa789b68c7f6001f34af0687d8fe147cc0c16 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.6A; Idm: 12A; 25W; TO220F
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Pulsed drain current: 12A
Drain current: 1.6A
Gate charge: 18nC
Case: TO220F
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 25W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 797 Stücke:
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77+0.93 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP3N1KF BXP3N1KF BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE7556B47F40D2&compId=BXP3N1K.pdf?ci_sign=738fa789b68c7f6001f34af0687d8fe147cc0c16 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.6A; Idm: 12A; 25W; TO220F
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Pulsed drain current: 12A
Drain current: 1.6A
Gate charge: 18nC
Case: TO220F
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 25W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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auf Bestellung 797 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP3N50D BRIDGELUX BXP3N50D SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+0.57 EUR
157+0.46 EUR
176+0.41 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
125+0.57 EUR
157+0.46 EUR
176+0.41 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65D BXP4N65D BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+0.41 EUR
215+0.33 EUR
241+0.3 EUR
417+0.17 EUR
439+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65D BXP4N65D BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7465 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
173+0.41 EUR
215+0.33 EUR
241+0.3 EUR
417+0.17 EUR
439+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65F BXP4N65F BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
162+0.44 EUR
205+0.35 EUR
230+0.31 EUR
345+0.21 EUR
365+0.2 EUR
960+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 162
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BXP4N65F BXP4N65F BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
162+0.44 EUR
205+0.35 EUR
230+0.31 EUR
345+0.21 EUR
365+0.2 EUR
960+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 162
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BXP4N65U BXP4N65U BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.39 EUR
231+0.31 EUR
258+0.28 EUR
307+0.23 EUR
447+0.16 EUR
472+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65U BXP4N65U BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
231+0.31 EUR
258+0.28 EUR
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472+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N80D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.2A; Idm: 16A; 130W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 130W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N80D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.2A; Idm: 16A; 130W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 130W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N80F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Case: TO220F
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXIR-85090BA-1300 DS301%20Bridgelux%20IR%203535%203W%20Rev.%20A%2020160721.pdf
BXIR-85090BA-1300
Hersteller: Bridgelux
Description: EMITTER IR 850NM SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXIR-85120AA-0900 DS300%20Bridgelux%20IR%203535%201W%20Rev.%20A%2020160721.pdf
BXIR-85120AA-0900
Hersteller: Bridgelux
Description: IR 3535 SMD, 0900MW MIN, 850NM,
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXKC-65E1501-B-14
Hersteller: BRIDGELUX
BXKC-65E1501-B-14 White power LEDs - COB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N60F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9E1B5D6C894C0D6&compId=BXP10N60F-DTE.pdf?ci_sign=05f4b7450a3a1c144e32289588c8e2489341e9c1
BXP10N60F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
86+0.84 EUR
96+0.75 EUR
122+0.59 EUR
130+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N60F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDFA9E1B5D6C894C0D6&compId=BXP10N60F-DTE.pdf?ci_sign=05f4b7450a3a1c144e32289588c8e2489341e9c1
BXP10N60F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
On-state resistance: 0.68Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 808 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
76+0.94 EUR
86+0.84 EUR
96+0.75 EUR
122+0.59 EUR
130+0.55 EUR
2000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 76
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N65CF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE52C1527DE0D2&compId=BXP10N65C.pdf?ci_sign=4216791ca9da7753a90cedb4c265b4ff5403c768
BXP10N65CF
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Pulsed drain current: 40A
auf Bestellung 711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
118+0.61 EUR
136+0.53 EUR
145+0.5 EUR
150+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N65CF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE52C1527DE0D2&compId=BXP10N65C.pdf?ci_sign=4216791ca9da7753a90cedb4c265b4ff5403c768
BXP10N65CF
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 32nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 711 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.79 EUR
118+0.61 EUR
136+0.53 EUR
145+0.5 EUR
150+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 91
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N80F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 44W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 44W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 71nC
Pulsed drain current: 40A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N80F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 44W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 44W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 71nC
Pulsed drain current: 40A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N90F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP10N90F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP12N65F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE574E24AC40D2&compId=BXP12N65.pdf?ci_sign=7ee93f96259d83057e67ec78c2ebaca459d28b6c
BXP12N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; Idm: 48A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
61+1.18 EUR
69+1.05 EUR
108+0.66 EUR
115+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP12N65F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE574E24AC40D2&compId=BXP12N65.pdf?ci_sign=7ee93f96259d83057e67ec78c2ebaca459d28b6c
BXP12N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; Idm: 48A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
49+1.47 EUR
61+1.18 EUR
69+1.05 EUR
108+0.66 EUR
115+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 49
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP13N50F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE5AAEF10620D2&compId=BXP13N50.pdf?ci_sign=80f0289890f2193954309ae2ac8df37b7313d44f
BXP13N50F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.1A; Idm: 52A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.1A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
66+1.09 EUR
74+0.98 EUR
112+0.64 EUR
118+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP13N50F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE5AAEF10620D2&compId=BXP13N50.pdf?ci_sign=80f0289890f2193954309ae2ac8df37b7313d44f
BXP13N50F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.1A; Idm: 52A; 51W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.1A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 51W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 953 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.36 EUR
66+1.09 EUR
74+0.98 EUR
112+0.64 EUR
118+0.61 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP13N50P
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; Idm: 52A; 158W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 158W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP13N50P
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; Idm: 52A; 158W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 158W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.46Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP16N65F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE5DED9C90C0D2&compId=BXP16N65.pdf?ci_sign=3f2dd72d3cc9b160890d51a3df4ac4ba5a020111
BXP16N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; Idm: 64A; 43W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 43W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP16N65F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE5DED9C90C0D2&compId=BXP16N65.pdf?ci_sign=3f2dd72d3cc9b160890d51a3df4ac4ba5a020111
BXP16N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; Idm: 64A; 43W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 43W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 90W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 90W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 90W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 90W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE61875DDB20D2&compId=BXP18N20.pdf?ci_sign=8c4cdc310516fe000dbb7cfe17b9136ef07c2d6c
BXP18N20F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 55W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 55W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 23nC
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
85+0.85 EUR
95+0.76 EUR
131+0.55 EUR
139+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE61875DDB20D2&compId=BXP18N20.pdf?ci_sign=8c4cdc310516fe000dbb7cfe17b9136ef07c2d6c
BXP18N20F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 55W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 55W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 23nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
68+1.06 EUR
85+0.85 EUR
95+0.76 EUR
131+0.55 EUR
139+0.52 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 68
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20H
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20H
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20P
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 95W; TO220
Case: TO220
Mounting: THT
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 95W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N20P
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; Idm: 72A; 95W; TO220
Case: TO220
Mounting: THT
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 18A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 95W
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N50F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE695C4936E0D2&compId=BXP18N50.pdf?ci_sign=02ea48af69631a49103d191b5a7c943710a60986
BXP18N50F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Anzahl Preis
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N50F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE695C4936E0D2&compId=BXP18N50.pdf?ci_sign=02ea48af69631a49103d191b5a7c943710a60986
BXP18N50F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP20N50F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 39W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 39W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP20N50F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 39W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 39W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP20N50H
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP20N50H
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N20L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE6C9DC7B100D2&compId=BXP2N20L.pdf?ci_sign=2bc7871620dc1fe11b3350c518952bc3ba1dc075
BXP2N20L
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 185V; 1.2A; Idm: 8A; 2W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 185V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.5nC
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544+0.13 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N20L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE6C9DC7B100D2&compId=BXP2N20L.pdf?ci_sign=2bc7871620dc1fe11b3350c518952bc3ba1dc075
BXP2N20L
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 185V; 1.2A; Idm: 8A; 2W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 185V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 4.5nC
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725+0.099 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65A
Hersteller: BRIDGELUX
BXP2N65A THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE716468AD80D2&compId=BXP2N65.pdf?ci_sign=6cbd6c9803d57b74b61c2b32c453835bb7299010
BXP2N65D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.21A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE716468AD80D2&compId=BXP2N65.pdf?ci_sign=6cbd6c9803d57b74b61c2b32c453835bb7299010
BXP2N65D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.21A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel; tape
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Case: TO220F
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Case: TO220F
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65N
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 3W; SOT223-3L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223-3L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65N
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 3W; SOT223-3L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223-3L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65U pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE716468AD80D2&compId=BXP2N65.pdf?ci_sign=6cbd6c9803d57b74b61c2b32c453835bb7299010
BXP2N65U
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.21A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1498 Stücke:
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Anzahl Preis
278+0.26 EUR
338+0.21 EUR
379+0.19 EUR
451+0.16 EUR
527+0.14 EUR
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975+0.12 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65U pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE716468AD80D2&compId=BXP2N65.pdf?ci_sign=6cbd6c9803d57b74b61c2b32c453835bb7299010
BXP2N65U
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.21A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1498 Stücke:
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Anzahl Preis
278+0.26 EUR
338+0.21 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP3N1K2D
Hersteller: BRIDGELUX
BXP3N1K2D SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP3N1KD
Hersteller: BRIDGELUX
BXP3N1KD SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP3N1KF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE7556B47F40D2&compId=BXP3N1K.pdf?ci_sign=738fa789b68c7f6001f34af0687d8fe147cc0c16
BXP3N1KF
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.6A; Idm: 12A; 25W; TO220F
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Pulsed drain current: 12A
Drain current: 1.6A
Gate charge: 18nC
Case: TO220F
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 25W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 797 Stücke:
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Anzahl Preis
77+0.93 EUR
89+0.81 EUR
111+0.65 EUR
175+0.41 EUR
185+0.39 EUR
500+0.38 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP3N1KF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE7556B47F40D2&compId=BXP3N1K.pdf?ci_sign=738fa789b68c7f6001f34af0687d8fe147cc0c16
BXP3N1KF
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.6A; Idm: 12A; 25W; TO220F
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Pulsed drain current: 12A
Drain current: 1.6A
Gate charge: 18nC
Case: TO220F
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 25W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
89+0.81 EUR
111+0.65 EUR
175+0.41 EUR
185+0.39 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP3N50D
Hersteller: BRIDGELUX
BXP3N50D SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N60D
BXP4N60D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
157+0.46 EUR
176+0.41 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N60D
BXP4N60D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
125+0.57 EUR
157+0.46 EUR
176+0.41 EUR
304+0.24 EUR
321+0.22 EUR
Mindestbestellmenge: 125
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
215+0.33 EUR
241+0.3 EUR
417+0.17 EUR
439+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65D pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7465 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
173+0.41 EUR
215+0.33 EUR
241+0.3 EUR
417+0.17 EUR
439+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 173
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
205+0.35 EUR
230+0.31 EUR
345+0.21 EUR
365+0.2 EUR
960+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
162+0.44 EUR
205+0.35 EUR
230+0.31 EUR
345+0.21 EUR
365+0.2 EUR
960+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 162
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65U pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65U
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
231+0.31 EUR
258+0.28 EUR
307+0.23 EUR
447+0.16 EUR
472+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65U pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE78BBCAA640D2&compId=BXP4N65.pdf?ci_sign=bca81f280c6c373166a3d0564ebf20543beb77b2
BXP4N65U
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1611 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
231+0.31 EUR
258+0.28 EUR
307+0.23 EUR
447+0.16 EUR
472+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N80D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.2A; Idm: 16A; 130W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 130W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N80D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.2A; Idm: 16A; 130W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 130W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N80F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Case: TO220F
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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