Produkte > BRIDGELUX > Alle Produkte des Herstellers BRIDGELUX (3893) > Seite 13 nach 65

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 24 30 36 42 48 54 60 65  [ Nächste Seite >> ]
Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BXP18N50F BXP18N50F BRIDGELUX BXP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+1.82 EUR
50+1.44 EUR
56+1.29 EUR
100+1.09 EUR
250+0.98 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N50F BXP18N50F BRIDGELUX BXP18N50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+1.82 EUR
50+1.44 EUR
56+1.29 EUR
100+1.09 EUR
250+0.98 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP20N50F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 39W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 39W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP20N50H BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N20L BRIDGELUX BXP2N20L SMD N channel transistors
auf Bestellung 2094 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
348+0.21 EUR
848+0.084 EUR
893+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 348
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65D BXP2N65D BRIDGELUX BXP2N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.21A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.5nC
Pulsed drain current: 8A
auf Bestellung 1628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+0.24 EUR
371+0.19 EUR
417+0.17 EUR
496+0.14 EUR
550+0.13 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65D BXP2N65D BRIDGELUX BXP2N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.21A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.5nC
Pulsed drain current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1628 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
295+0.24 EUR
371+0.19 EUR
417+0.17 EUR
496+0.14 EUR
550+0.13 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Case: TO220F
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65N BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 3W; SOT223-3L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223-3L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65U BXP2N65U BRIDGELUX BXP2N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.21A
Power dissipation: 44W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.5nC
Pulsed drain current: 8A
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.26 EUR
341+0.21 EUR
379+0.19 EUR
451+0.16 EUR
500+0.14 EUR
569+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65U BXP2N65U BRIDGELUX BXP2N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.21A
Power dissipation: 44W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.5nC
Pulsed drain current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
278+0.26 EUR
341+0.21 EUR
379+0.19 EUR
451+0.16 EUR
500+0.14 EUR
569+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP3N1KD BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; Idm: 12A; 90W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP3N1KF BXP3N1KF BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE7556B47F40D2&compId=BXP3N1K.pdf?ci_sign=738fa789b68c7f6001f34af0687d8fe147cc0c16 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.6A; Idm: 12A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Pulsed drain current: 12A
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+0.93 EUR
88+0.82 EUR
110+0.65 EUR
147+0.49 EUR
250+0.44 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP3N1KF BXP3N1KF BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE7556B47F40D2&compId=BXP3N1K.pdf?ci_sign=738fa789b68c7f6001f34af0687d8fe147cc0c16 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.6A; Idm: 12A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Pulsed drain current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
77+0.93 EUR
88+0.82 EUR
110+0.65 EUR
147+0.49 EUR
250+0.44 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+0.53 EUR
169+0.42 EUR
190+0.38 EUR
226+0.32 EUR
250+0.29 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N60D BXP4N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
136+0.53 EUR
169+0.42 EUR
190+0.38 EUR
226+0.32 EUR
250+0.29 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65D BXP4N65D BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.39 EUR
232+0.31 EUR
260+0.28 EUR
309+0.23 EUR
343+0.21 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65D BXP4N65D BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
186+0.39 EUR
232+0.31 EUR
260+0.28 EUR
309+0.23 EUR
343+0.21 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65F BXP4N65F BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 13nC
auf Bestellung 1636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
179+0.4 EUR
224+0.32 EUR
250+0.29 EUR
298+0.24 EUR
332+0.22 EUR
480+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65F BXP4N65F BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 13nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1636 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
179+0.4 EUR
224+0.32 EUR
250+0.29 EUR
298+0.24 EUR
332+0.22 EUR
480+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65U BXP4N65U BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+0.36 EUR
248+0.29 EUR
278+0.26 EUR
329+0.22 EUR
368+0.19 EUR
525+0.17 EUR
975+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65U BXP4N65U BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1587 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.36 EUR
248+0.29 EUR
278+0.26 EUR
329+0.22 EUR
368+0.19 EUR
525+0.17 EUR
975+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N80D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.2A; Idm: 16A; 130W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 130W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N80F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Case: TO220F
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP6N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 24A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N60D BRIDGELUX Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N60F BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 28A; 45W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N60P BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 28A; 166W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 166W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N60U BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 28A; 145W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N65CF BXP7N65CF BRIDGELUX BXP7N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+0.9 EUR
103+0.7 EUR
127+0.57 EUR
151+0.47 EUR
250+0.43 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N65CF BXP7N65CF BRIDGELUX BXP7N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
80+0.9 EUR
103+0.7 EUR
127+0.57 EUR
151+0.47 EUR
250+0.43 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N65D BXP7N65D BRIDGELUX BXP7N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+1 EUR
104+0.69 EUR
129+0.56 EUR
153+0.47 EUR
250+0.42 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N65D BXP7N65D BRIDGELUX BXP7N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2419 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
72+1 EUR
104+0.69 EUR
129+0.56 EUR
153+0.47 EUR
250+0.42 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N65P BXP7N65P BRIDGELUX BXP7N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.22 EUR
87+0.83 EUR
97+0.74 EUR
115+0.62 EUR
250+0.56 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N65P BXP7N65P BRIDGELUX BXP7N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
87+0.83 EUR
97+0.74 EUR
115+0.62 EUR
250+0.56 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N65U BXP7N65U BRIDGELUX BXP7N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N80F BXP7N80F BRIDGELUX pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE7FA5A62B40D2&compId=BXP7N80.pdf?ci_sign=7c5bcea4c5325f52eb91e75b26644dcccc8f4f44 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.2A; Idm: 28A; 43.9W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 43.9W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP8N50D BRIDGELUX BXP8N50.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.3A; Idm: 32A; 100W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP8N50P BRIDGELUX Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 105W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 105W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPD-E04T60DD-0000 BRIDGELUX Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Case: TO252
Collector current: 4A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPD-E06T60DD-0000 BRIDGELUX Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPD-E75T65HD-0000 BXPD-E75T65HD-0000 BRIDGELUX BXPD-E75T65HD-0000.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 65A; 333W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 65A
Power dissipation: 333W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 327nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+2.89 EUR
28+2.59 EUR
32+2.3 EUR
120+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPD-E75T65HD-0000 BXPD-E75T65HD-0000 BRIDGELUX BXPD-E75T65HD-0000.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 65A; 333W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 65A
Power dissipation: 333W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 327nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+2.89 EUR
28+2.59 EUR
32+2.3 EUR
120+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPR-WN-01-A BXPR-WN-01-A BRIDGELUX 3165954.pdf Description: BRIDGELUX - BXPR-WN-01-A - Handheld Wand, USB Cable, NFC Programmer, Vesta Flex BXPR Series
tariffCode: 94054099
Art des Zubehörs: Lesestift, tragbar, mit USB-Kabel
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: NFC-Programmierer der Produktreihe Vesta Flex BXPR von Bridgelux
usEccn: EAR99
Produktpalette: Vesta Flex BXPR
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPR-WN-01-A Bridgelux DS470%20Vesta%20Flex%20Programmer%2010152020%20Rev%20A.pdf Description: NFC PROGRAMMING TOOL
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: LED Driver
Type: Programmer
Contents: Board(s)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+178.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27E0400-A-0300 BXPX-27E0400-A-0300 Bridgelux MicroSM4Preliminary.pdf Description: LED SM4 380LM WM WHT 2725K 1X4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27E0400-A-0300-SB Bridgelux Description: LED SM4 380LM WM WHT 2725K 1X4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27E0400-A-0400 BXPX-27E0400-A-0400 Bridgelux MicroSM4Preliminary.pdf Description: LED HIGH BRIGHT WHT 350MA 12.2V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27E0400-A-0400 BXPX-27E0400-A-0400 Bridgelux MicroSM4Preliminary.pdf Description: LED HIGH BRIGHT WHT 350MA 12.2V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27E0400-A-0400-SB Bridgelux Description: LED SM4 380LM WM WHT 2725K 1X4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27E0400-B-0300 BXPX-27E0400-B-0300 Bridgelux MicroSM4Preliminary.pdf Description: LED SM4 380LM WM WHT 2725K 2X2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27E0400-B-0300-SB Bridgelux Description: LED SM4 380LM WM WHT 2725K 2X2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27E0400-B-0400 BXPX-27E0400-B-0400 Bridgelux MicroSM4Preliminary.pdf Description: LED SM4 WARM WHT 2700K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2020 (5050 Metric)
Color: White, Warm
Size / Dimension: 0.197" L x 0.197" W (5.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 6.5V
Current - Test: 700mA
Viewing Angle: 165°
Current - Max: 1A
Lumens/Watt @ Current - Test: 80 lm/W
Height - Seated (Max): 0.088" (2.24mm)
CCT (K): 2700K 4-Step MacAdam Ellipse
CRI (Color Rendering Index): 80
Flux @ 25°C, Current - Test: 370lm (Typ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27E0400-B-0400-SB Bridgelux Description: LED SM4 380LM WM WHT 2725K 2X2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27G0400-A-0300 BXPX-27G0400-A-0300 Bridgelux MicroSM4Preliminary.pdf Description: LED SM4 300LM WM WHT 2725K 1X4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27G0400-A-0300-SB Bridgelux Description: LED SM4 300LM WM WHT 2725K 1X4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27G0400-A-0400 BXPX-27G0400-A-0400 Bridgelux MicroSM4Preliminary.pdf Description: LED HIGH BRIGHT WHT 350MA 12.2V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27G0400-A-0400 BXPX-27G0400-A-0400 Bridgelux MicroSM4Preliminary.pdf Description: LED HIGH BRIGHT WHT 350MA 12.2V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27G0400-A-0400-SB Bridgelux Description: LED SM4 300LM WM WHT 2725K 1X4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27G0400-B-0300 BXPX-27G0400-B-0300 Bridgelux MicroSM4Preliminary.pdf Description: LED SM4 WARM WHT 2700K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2020 (5050 Metric)
Color: White, Warm
Size / Dimension: 0.197" L x 0.197" W (5.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 6.5V
Current - Test: 700mA
Viewing Angle: 165°
Current - Max: 1A
Lumens/Watt @ Current - Test: 72 lm/W
Height - Seated (Max): 0.088" (2.24mm)
CCT (K): 2700K 3-Step MacAdam Ellipse
CRI (Color Rendering Index): 90
Flux @ 25°C, Current - Test: 330lm (Typ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N50F BXP18N50.pdf
BXP18N50F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
50+1.44 EUR
56+1.29 EUR
100+1.09 EUR
250+0.98 EUR
500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP18N50F BXP18N50.pdf
BXP18N50F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 863 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
40+1.82 EUR
50+1.44 EUR
56+1.29 EUR
100+1.09 EUR
250+0.98 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 40
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP20N50F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 39W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 39W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 51nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP20N50H
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N20L
Hersteller: BRIDGELUX
BXP2N20L SMD N channel transistors
auf Bestellung 2094 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
348+0.21 EUR
848+0.084 EUR
893+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 348
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65D BXP2N65.pdf
BXP2N65D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.21A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.5nC
Pulsed drain current: 8A
auf Bestellung 1628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
371+0.19 EUR
417+0.17 EUR
496+0.14 EUR
550+0.13 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65D BXP2N65.pdf
BXP2N65D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.21A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.5nC
Pulsed drain current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1628 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
371+0.19 EUR
417+0.17 EUR
496+0.14 EUR
550+0.13 EUR
625+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 295
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Case: TO220F
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65N
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 3W; SOT223-3L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223-3L
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65U BXP2N65.pdf
BXP2N65U
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.21A
Power dissipation: 44W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.5nC
Pulsed drain current: 8A
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
341+0.21 EUR
379+0.19 EUR
451+0.16 EUR
500+0.14 EUR
569+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP2N65U BXP2N65.pdf
BXP2N65U
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1.21A; Idm: 8A; 44W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1.21A
Power dissipation: 44W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.5nC
Pulsed drain current: 8A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
341+0.21 EUR
379+0.19 EUR
451+0.16 EUR
500+0.14 EUR
569+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 278
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP3N1KD
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; Idm: 12A; 90W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 90W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP3N1KF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE7556B47F40D2&compId=BXP3N1K.pdf?ci_sign=738fa789b68c7f6001f34af0687d8fe147cc0c16
BXP3N1KF
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.6A; Idm: 12A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Pulsed drain current: 12A
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
88+0.82 EUR
110+0.65 EUR
147+0.49 EUR
250+0.44 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP3N1KF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE7556B47F40D2&compId=BXP3N1K.pdf?ci_sign=738fa789b68c7f6001f34af0687d8fe147cc0c16
BXP3N1KF
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 1.6A; Idm: 12A; 25W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 25W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 18nC
Pulsed drain current: 12A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
77+0.93 EUR
88+0.82 EUR
110+0.65 EUR
147+0.49 EUR
250+0.44 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 77
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N60D
BXP4N60D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
169+0.42 EUR
190+0.38 EUR
226+0.32 EUR
250+0.29 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N60D
BXP4N60D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1281 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
136+0.53 EUR
169+0.42 EUR
190+0.38 EUR
226+0.32 EUR
250+0.29 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 136
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65D BXP4N65.pdf
BXP4N65D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
232+0.31 EUR
260+0.28 EUR
309+0.23 EUR
343+0.21 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65D BXP4N65.pdf
BXP4N65D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1942 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
186+0.39 EUR
232+0.31 EUR
260+0.28 EUR
309+0.23 EUR
343+0.21 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 186
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65F BXP4N65.pdf
BXP4N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 13nC
auf Bestellung 1636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
224+0.32 EUR
250+0.29 EUR
298+0.24 EUR
332+0.22 EUR
480+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65F BXP4N65.pdf
BXP4N65F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 13nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1636 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.4 EUR
224+0.32 EUR
250+0.29 EUR
298+0.24 EUR
332+0.22 EUR
480+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65U BXP4N65.pdf
BXP4N65U
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1587 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
248+0.29 EUR
278+0.26 EUR
329+0.22 EUR
368+0.19 EUR
525+0.17 EUR
975+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N65U BXP4N65.pdf
BXP4N65U
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1587 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.36 EUR
248+0.29 EUR
278+0.26 EUR
329+0.22 EUR
368+0.19 EUR
525+0.17 EUR
975+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N80D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.2A; Idm: 16A; 130W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 130W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP4N80F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Case: TO220F
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP6N60D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 24A; 85W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 85W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N60D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N60F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 28A; 45W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 45W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N60P
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 28A; 166W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 166W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N60U
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 28A; 145W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N65CF BXP7N65.pdf
BXP7N65CF
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.9 EUR
103+0.7 EUR
127+0.57 EUR
151+0.47 EUR
250+0.43 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N65CF BXP7N65.pdf
BXP7N65CF
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 46W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 46W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
80+0.9 EUR
103+0.7 EUR
127+0.57 EUR
151+0.47 EUR
250+0.43 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N65D BXP7N65.pdf
BXP7N65D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
104+0.69 EUR
129+0.56 EUR
153+0.47 EUR
250+0.42 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N65D BXP7N65.pdf
BXP7N65D
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2419 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+1 EUR
104+0.69 EUR
129+0.56 EUR
153+0.47 EUR
250+0.42 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N65P BXP7N65.pdf
BXP7N65P
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
87+0.83 EUR
97+0.74 EUR
115+0.62 EUR
250+0.56 EUR
500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N65P BXP7N65.pdf
BXP7N65P
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 167W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 167W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
59+1.22 EUR
87+0.83 EUR
97+0.74 EUR
115+0.62 EUR
250+0.56 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 59
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N65U BXP7N65.pdf
BXP7N65U
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP7N80F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB9DE7FA5A62B40D2&compId=BXP7N80.pdf?ci_sign=7c5bcea4c5325f52eb91e75b26644dcccc8f4f44
BXP7N80F
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.2A; Idm: 28A; 43.9W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 43.9W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP8N50D BXP8N50.pdf
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.3A; Idm: 32A; 100W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXP8N50P
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 105W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 105W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPD-E04T60DD-0000
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Case: TO252
Collector current: 4A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPD-E06T60DD-0000
Hersteller: BRIDGELUX
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; TO252
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPD-E75T65HD-0000 BXPD-E75T65HD-0000.pdf
BXPD-E75T65HD-0000
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 65A; 333W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 65A
Power dissipation: 333W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 327nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.89 EUR
28+2.59 EUR
32+2.3 EUR
120+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPD-E75T65HD-0000 BXPD-E75T65HD-0000.pdf
BXPD-E75T65HD-0000
Hersteller: BRIDGELUX
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 65A; 333W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 65A
Power dissipation: 333W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 327nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.89 EUR
28+2.59 EUR
32+2.3 EUR
120+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPR-WN-01-A 3165954.pdf
BXPR-WN-01-A
Hersteller: BRIDGELUX
Description: BRIDGELUX - BXPR-WN-01-A - Handheld Wand, USB Cable, NFC Programmer, Vesta Flex BXPR Series
tariffCode: 94054099
Art des Zubehörs: Lesestift, tragbar, mit USB-Kabel
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Zur Verwendung mit: NFC-Programmierer der Produktreihe Vesta Flex BXPR von Bridgelux
usEccn: EAR99
Produktpalette: Vesta Flex BXPR
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPR-WN-01-A DS470%20Vesta%20Flex%20Programmer%2010152020%20Rev%20A.pdf
Hersteller: Bridgelux
Description: NFC PROGRAMMING TOOL
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: LED Driver
Type: Programmer
Contents: Board(s)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+178.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27E0400-A-0300 MicroSM4Preliminary.pdf
BXPX-27E0400-A-0300
Hersteller: Bridgelux
Description: LED SM4 380LM WM WHT 2725K 1X4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27E0400-A-0300-SB
Hersteller: Bridgelux
Description: LED SM4 380LM WM WHT 2725K 1X4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27E0400-A-0400 MicroSM4Preliminary.pdf
BXPX-27E0400-A-0400
Hersteller: Bridgelux
Description: LED HIGH BRIGHT WHT 350MA 12.2V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27E0400-A-0400 MicroSM4Preliminary.pdf
BXPX-27E0400-A-0400
Hersteller: Bridgelux
Description: LED HIGH BRIGHT WHT 350MA 12.2V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27E0400-A-0400-SB
Hersteller: Bridgelux
Description: LED SM4 380LM WM WHT 2725K 1X4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27E0400-B-0300 MicroSM4Preliminary.pdf
BXPX-27E0400-B-0300
Hersteller: Bridgelux
Description: LED SM4 380LM WM WHT 2725K 2X2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27E0400-B-0300-SB
Hersteller: Bridgelux
Description: LED SM4 380LM WM WHT 2725K 2X2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27E0400-B-0400 MicroSM4Preliminary.pdf
BXPX-27E0400-B-0400
Hersteller: Bridgelux
Description: LED SM4 WARM WHT 2700K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2020 (5050 Metric)
Color: White, Warm
Size / Dimension: 0.197" L x 0.197" W (5.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 6.5V
Current - Test: 700mA
Viewing Angle: 165°
Current - Max: 1A
Lumens/Watt @ Current - Test: 80 lm/W
Height - Seated (Max): 0.088" (2.24mm)
CCT (K): 2700K 4-Step MacAdam Ellipse
CRI (Color Rendering Index): 80
Flux @ 25°C, Current - Test: 370lm (Typ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27E0400-B-0400-SB
Hersteller: Bridgelux
Description: LED SM4 380LM WM WHT 2725K 2X2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27G0400-A-0300 MicroSM4Preliminary.pdf
BXPX-27G0400-A-0300
Hersteller: Bridgelux
Description: LED SM4 300LM WM WHT 2725K 1X4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27G0400-A-0300-SB
Hersteller: Bridgelux
Description: LED SM4 300LM WM WHT 2725K 1X4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27G0400-A-0400 MicroSM4Preliminary.pdf
BXPX-27G0400-A-0400
Hersteller: Bridgelux
Description: LED HIGH BRIGHT WHT 350MA 12.2V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27G0400-A-0400 MicroSM4Preliminary.pdf
BXPX-27G0400-A-0400
Hersteller: Bridgelux
Description: LED HIGH BRIGHT WHT 350MA 12.2V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27G0400-A-0400-SB
Hersteller: Bridgelux
Description: LED SM4 300LM WM WHT 2725K 1X4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BXPX-27G0400-B-0300 MicroSM4Preliminary.pdf
BXPX-27G0400-B-0300
Hersteller: Bridgelux
Description: LED SM4 WARM WHT 2700K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2020 (5050 Metric)
Color: White, Warm
Size / Dimension: 0.197" L x 0.197" W (5.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 6.5V
Current - Test: 700mA
Viewing Angle: 165°
Current - Max: 1A
Lumens/Watt @ Current - Test: 72 lm/W
Height - Seated (Max): 0.088" (2.24mm)
CCT (K): 2700K 3-Step MacAdam Ellipse
CRI (Color Rendering Index): 90
Flux @ 25°C, Current - Test: 330lm (Typ)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 24 30 36 42 48 54 60 65  [ Nächste Seite >> ]