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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
IDW20G65C5BXKSA2	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; PG-TO247-3; 130W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Case: PG-TO247-3 Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 46A Leakage current: 2µA Power dissipation: 130W Kind of package: tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IDW20G65C5XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO247-3; 112W Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: PG-TO247-3 Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 87A Leakage current: 4.1µA Power dissipation: 112W Kind of package: tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IDDD20G65C6XTMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; PG-HDSOP-10-1; SiC; SMD; 650V; 20A Type of diode: Schottky rectifying Technology: CoolSiC™ 5G; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: PG-HDSOP-10-1 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 79A Leakage current: 2µA Power dissipation: 169W Kind of package: reel; tape	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
BSC016N03LSGATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 125W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ISC026N03L5SATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 48W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 100A Power dissipation: 48W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ISZ056N03LF2SATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 52W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 72A Power dissipation: 52W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 5.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.4nC Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IDW20G65C5BXKSA2

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; PG-TO247-3; 130W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: PG-TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 46A
Leakage current: 2µA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube

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