| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IR2118SPBF Produktcode: 27965
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IR |
IC > IC Transistoren-TreiberGehäuse: SO-8 Bemerkung: High-Side-MOSFET-Treiber |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRLML6402TRPBF Produktcode: 27968
7
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Id, A: 3,7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 633/8 Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung Montage: SMD ZCODE: 8541 21 00 90 |
auf Bestellung: 2454 St.
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IRL2505PBF Produktcode: 27992
2
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 104 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5000/130 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT ZCODE: 8541290010 |
auf Bestellung: 90 St.
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IR2110PBF Produktcode: 28037
3
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IR |
IC > IC Transistoren-TreiberGehäuse: DIP-14 Versorgungsspannung Uc, V: 500 V Ausgangsstrom Io ±, A: 2,0/2,0 A Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 120/94 ns Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C Konfiguration: Halbbrücke |
auf Bestellung: 30 St.
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10MQ040NTRPBF Produktcode: 28057
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > SchottkydiodenGehäuse: SMA (DO-214AC) Sperrspannung Vrrm, V: 40 V Durchlassstrom (per leg) If, A: 2,1 A Durchlassspannung Vf, V: 0,561 V Montage: SMD Stoßstrom Ifsm, A: 30 А |
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IRF1104PBF Produktcode: 28062
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 100 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,009 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2900/93 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRF7328PBF Produktcode: 28319
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Id, A: 8 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,021 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2675/52 Anmerkung: 2P Montage: SMD |
verfügbar: 5 St.
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IRFD120PBF (DIP4-300, IR) Produktcode: 28377
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: HEXDIP (DIP4-300) Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 1,3 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 450/11 Montage: THT |
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IRL3705NLPBF Produktcode: 28463
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-262 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 89 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/98 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IR2184 Produktcode: 28536
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IR |
IC > IC Transistoren-TreiberGehäuse: DIP-8 Versorgungsspannung Uc, V: 600 V Ausgangsstrom Io ±, A: 1,4/1,8 A Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 680/270 ns Bemerkung: Halbbrücke Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C |
auf Bestellung: 1 St.
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IR4427 Produktcode: 28537
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IR |
IC > IC Transistoren-TreiberGehäuse: DIP-8 Versorgungsspannung Uc, V: 25 V Ausgangsstrom Io ±, A: 1,5/1,5 A Ausgangsspannung Vout, V: 6-20 V Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 85/65 ns Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C |
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IRF7307PBF Produktcode: 28597
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Idd, A: 5,7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 660/20 Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse Montage: SMD |
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IRL3803PBF Produktcode: 28690
1
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 140 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,006 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5000/140 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT |
auf Bestellung: 31 St.
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2KBP10 (Diodenbrücke) Produktcode: 28730
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und BaugruppenGehäuse: KBP Sperrspannung Urev, V: 1000 V Durchlassstrom Idir, A: 2 A Typ der Diodenbrücke: Einphasig Kann ersetzen:: 2KBP02, 2KBP04, 2KBP06, 2KBP08, KBP10, KPB210, KBP210G |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRF7342D2PBF Produktcode: 28747
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Id, A: 3,4 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm Anmerkung: 2P Montage: SMD |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRS2110PBF Produktcode: 28772
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IR |
IC > IC Transistoren-TreiberGehäuse: DIP-8 Versorgungsspannung Uc, V: 500 V Ausgangsstrom Io ±, A: 2,0/2,0 A Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 130/120 ns Bemerkung: Logikeingang |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MURD620CTPBF Produktcode: 28855
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelleGehäuse: DPAK Sperrspannung Vrr, V: 200 V Mittlerer Strom Iav, A: 3 A Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 35 ns Bemerkung: 2x3 |
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IRFP2907 Produktcode: 28880
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V Drain-Strom Idd, A: 209 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 13000/620 Montage: THT |
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IR2104 Produktcode: 29360
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IR |
IC > IC Transistoren-TreiberGehäuse: DIP-8 Versorgungsspannung Uc, V: 600 V Ausgangsstrom Io ±, A: 0,13/0,27 A Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 680/150 ns Bemerkung: Halbbrücke Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C |
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150EBU02 Produktcode: 29365
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle Gehäuse: PowIRtab Sperrspannung Vrr, V: 200 V Mittlerer Strom Iav, A: 150 A Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 45 ns Montage: THT |
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IR2E01 Produktcode: 29369
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IR |
IC > IC LED-TreiberGehäuse: DIP-16 Versorgungsspannung Vcc, V: <18 В Bemerkung: Treiber für Segment-Ziffern-Display mit seriellem Eingang |
auf Bestellung: 9 St.
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IRF5801TRPBF Produktcode: 29370
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TSOP-6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 0,6 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 88/3,9 Montage: SMD |
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IRF7342PBF Produktcode: 29394
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Id, A: 3,4 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26 Anmerkung: 2P Montage: SMD |
verfügbar: 12 St.
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10CTQ150 Produktcode: 29763
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > SchottkydiodenGehäuse: TO-220 Sperrspannung Vrrm, V: 150 V Durchlassstrom (per leg) If, A: 5 A Durchlassspannung Vf, V: 0,73 V Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 5 A pro Diode. Montage: THT Stoßstrom Ifsm, A: 115 А |
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IRFL4310 Produktcode: 30167
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SOT-223 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 1,6 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/17 Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP064 Produktcode: 30168
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 70 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,009 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7400/190 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP3710 Produktcode: 30169
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 57 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3000/190 Montage: THT |
verfügbar: 1 St.
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IRFPS3815 Produktcode: 30170
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V Drain-Strom Idd, A: 105 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6810/260 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRG4BC30U Produktcode: 30172
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 1,95 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 23 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 12 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 100 W |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRG4PH50K Produktcode: 30174
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V Sättigungsspannung Vce, V: 2,77 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 45 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 24 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 38/380 |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRG4PH50UD Produktcode: 30175
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V Sättigungsspannung Vce, V: 2,78 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 45 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 24 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 46/240 |
auf Bestellung: 12 St.
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IRG4PSC71UD Produktcode: 30176
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 1,67 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 85 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 350 W Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 91/245 |
Produkt ist nicht verfügbar
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36MT160PBF (Diodenbrücke) Produktcode: 30244
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und BaugruppenGehäuse: D-34A (D-63, MB) Sperrspannung Urev, V: 1600 V Durchlassstrom Idir, A: 35 A Typ der Diodenbrücke: Dreiphasig Kann ersetzen:: SKBPC35-16 |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRG4PC40W Produktcode: 30315
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-257 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 2,05 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF9622 Produktcode: 30496
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Id, A: 3 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,4 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/16 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF640N Produktcode: 30510
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 18 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67 Montage: THT |
verfügbar: 12 St.
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IRF7832 Produktcode: 30575
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 20 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4310/34 Bemerkung: - Montage: SMD |
auf Bestellung: 40 St.
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IR3103 Produktcode: 30609
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Lieblingsprodukt
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IR |
IC > IC MotortreiberGehäuse: HSIP-11 Vc, V: 500 V Iout(peak), A: 0,7 A T on/off, ns: 30/400 ns Bemerkung: Halbbrücke |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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IRLR2905 Produktcode: 30677
2
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 42 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48 Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7101PBF Produktcode: 30739
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 В Drain-Strom Idd, A: 3,5 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,10 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 320/15 Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRLR3410 Produktcode: 30761
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 17 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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183NQ100 Produktcode: 30959
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Lieblingsprodukt
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > SchottkydiodenGehäuse: D-67 Sperrspannung Vrrm, V: 100 V Durchlassstrom (per leg) If, A: 180 A Durchlassspannung Vf, V: 0,75 V |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRG4BC40W Produktcode: 31011
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 2,05 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 25/170 |
auf Bestellung: 8 St.
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IR2153S Produktcode: 31136
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Lieblingsprodukt
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IR |
IC > IC Transistoren-TreiberGehäuse: SO-8 Versorgungsspannung Uc, V: 600 V Ausgangsstrom Io ±, A: 1,0/1,2 A Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 80/40 ns Bemerkung: selbstschwingend, Halbbrücke, fo < 100 kHz Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C Konfiguration: Halbbrücke |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRS2153DPBF Produktcode: 31246
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IR |
IC > IC Transistoren-TreiberGehäuse: DIP-8 Versorgungsspannung Uc, V: 600 V Ausgangsstrom Io ±, A: 0,18/0,26 A Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 120/50 ns Bemerkung: selbstschwingend, Halbbrücke, fo < 100 kHz Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C |
auf Bestellung: 52 St.
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IRF7530TRPBF Produktcode: 31263
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Idd, A: 5,4 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1310/18 Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF1404PBF Produktcode: 31360
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 202 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7360/160 Montage: THT |
erwartet: 3 St.
auf Bestellung: 740 St.
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IRF9Z34NPBF Produktcode: 31477
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Id, A: 19 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 620/35 Montage: THT |
auf Bestellung: 154 St.
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IRF840PBF Produktcode: 31523
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V Drain-Strom Idd, A: 8 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF9620 Produktcode: 31591
1
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Id, A: 3,5 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/22 Montage: THT |
auf Bestellung: 25 St.
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PVT422S Produktcode: 31619
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IR |
HEXFET® Power MOSFET Photovoltaic Relay Dual Pole, Normally Open 0-400V, 120mA AC/DC 8542 39 90 00 |
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 4 St.
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IRFU9024NPBF Produktcode: 31708
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: I-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Id, A: 11 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRU1010-18CY Produktcode: 31747
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Lieblingsprodukt
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IR |
IC > IC lineare SpannungsreglerGehäuse: SOT-223 Eingangsspannung Uin, V: 7 V Ausgangsspannung Uout, V: 1,8 V Ausgangsstrom Iout, A: 1,1 A Spannungsabfall Udrop, V: 1,3 V Ausgangstyp: Fest Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7342TRPBF Produktcode: 31772
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Id, A: 3,4 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26 Anmerkung: 2P Montage: SMD |
auf Bestellung: 130 St.
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IRFL9014TRPBF Produktcode: 31799
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: SOT-223 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Id, A: 1,8 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm Montage: SMD |
verfügbar: 12 St.
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IRFR9310 Produktcode: 31820
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: D-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V Drain-Strom Id, A: 1,8 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 270/13 Montage: SMD |
verfügbar: 5 St.
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IRFD024PBF Produktcode: 31843
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: HVM DIP-4 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 2,4 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 640/25 Montage: THT |
verfügbar: 3 St.
auf Bestellung: 97 St.
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IRFD9120PBF Produktcode: 31845
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: HD-1 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Id, A: 1 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 390/18 |
auf Bestellung: 8 St.
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IRFPS38N60L Produktcode: 31847
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V Drain-Strom Idd, A: 38 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,12 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7990/320 Bemerkung: 170 ns Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRFPS40N60KPBF Produktcode: 31848
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V Drain-Strom Idd, A: 40 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7970/330 Bemerkung: 110 ns Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
|
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IR2118SPBF Produktcode: 27965
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRLML6402TRPBF Produktcode: 27968
7
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 3,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 633/8
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 3,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 633/8
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung: 2454 St.
- 2454 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.36 EUR |
| 10+ | 0.31 EUR |
| 100+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| IRL2505PBF Produktcode: 27992
2
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 104 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5000/130
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 104 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,008 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5000/130
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
ZCODE: 8541290010
auf Bestellung: 90 St.
- 90 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.58 EUR |
| 10+ | 2.33 EUR |
| IR2110PBF Produktcode: 28037
3
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-14
Versorgungsspannung Uc, V: 500 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 2,0/2,0 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 120/94 ns
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-14
Versorgungsspannung Uc, V: 500 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 2,0/2,0 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 120/94 ns
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
auf Bestellung: 30 St.
- 30 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.89 EUR |
| 10+ | 4.46 EUR |
| 10MQ040NTRPBF Produktcode: 28057
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Sperrspannung Vrrm, V: 40 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 2,1 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,561 V
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 30 А
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Sperrspannung Vrrm, V: 40 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 2,1 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,561 V
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 30 А
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.15 EUR |
| 10+ | 0.14 EUR |
| 100+ | 0.12 EUR |
| IRF1104PBF Produktcode: 28062
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 100 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,009 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2900/93
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 100 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,009 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2900/93
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF7328PBF Produktcode: 28319
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,021 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2675/52
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,021 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2675/52
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
verfügbar: 5 St.
- 5 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.09 EUR |
| 10+ | 0.93 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| IRFD120PBF (DIP4-300, IR) Produktcode: 28377
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HEXDIP (DIP4-300)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 1,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 450/11
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HEXDIP (DIP4-300)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 1,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 450/11
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.17 EUR |
| 10+ | 0.96 EUR |
| 100+ | 0.79 EUR |
| IRL3705NLPBF Produktcode: 28463
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-262
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 89 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/98
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-262
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 89 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/98
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.93 EUR |
| IR2184 Produktcode: 28536
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 1,4/1,8 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 680/270 ns
Bemerkung: Halbbrücke
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 1,4/1,8 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 680/270 ns
Bemerkung: Halbbrücke
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
auf Bestellung: 1 St.
- 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.15 EUR |
| 10+ | 3.75 EUR |
| IR4427 Produktcode: 28537
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 25 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 1,5/1,5 A
Ausgangsspannung Vout, V: 6-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 85/65 ns
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 25 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 1,5/1,5 A
Ausgangsspannung Vout, V: 6-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 85/65 ns
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.33 EUR |
| 10+ | 1.67 EUR |
| IRF7307PBF Produktcode: 28597
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 5,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 660/20
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 5,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 660/20
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.68 EUR |
| IRL3803PBF Produktcode: 28690
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 140 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,006 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5000/140
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 140 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,006 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5000/140
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
auf Bestellung: 31 St.
- 31 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.52 EUR |
| 10+ | 1.36 EUR |
| 2KBP10 (Diodenbrücke) Produktcode: 28730
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBP
Sperrspannung Urev, V: 1000 V
Durchlassstrom Idir, A: 2 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Kann ersetzen:: 2KBP02, 2KBP04, 2KBP06, 2KBP08, KBP10, KPB210, KBP210G
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBP
Sperrspannung Urev, V: 1000 V
Durchlassstrom Idir, A: 2 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Kann ersetzen:: 2KBP02, 2KBP04, 2KBP06, 2KBP08, KBP10, KPB210, KBP210G
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF7342D2PBF Produktcode: 28747
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRS2110PBF Produktcode: 28772
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 500 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 2,0/2,0 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 130/120 ns
Bemerkung: Logikeingang
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 500 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 2,0/2,0 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 130/120 ns
Bemerkung: Logikeingang
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MURD620CTPBF Produktcode: 28855
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DPAK
Sperrspannung Vrr, V: 200 V
Mittlerer Strom Iav, A: 3 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 35 ns
Bemerkung: 2x3
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DPAK
Sperrspannung Vrr, V: 200 V
Mittlerer Strom Iav, A: 3 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 35 ns
Bemerkung: 2x3
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.9 EUR |
| 10+ | 0.83 EUR |
| IRFP2907 Produktcode: 28880
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 209 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 13000/620
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 209 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 13000/620
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.38 EUR |
| IR2104 Produktcode: 29360
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,13/0,27 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 680/150 ns
Bemerkung: Halbbrücke
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,13/0,27 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 680/150 ns
Bemerkung: Halbbrücke
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.34 EUR |
| 150EBU02 Produktcode: 29365
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: PowIRtab
Sperrspannung Vrr, V: 200 V
Mittlerer Strom Iav, A: 150 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 45 ns
Montage: THT
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: PowIRtab
Sperrspannung Vrr, V: 200 V
Mittlerer Strom Iav, A: 150 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 45 ns
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.72 EUR |
| 10+ | 5.11 EUR |
| IR2E01 Produktcode: 29369
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC LED-Treiber
Gehäuse: DIP-16
Versorgungsspannung Vcc, V: <18 В
Bemerkung: Treiber für Segment-Ziffern-Display mit seriellem Eingang
IC > IC LED-Treiber
Gehäuse: DIP-16
Versorgungsspannung Vcc, V: <18 В
Bemerkung: Treiber für Segment-Ziffern-Display mit seriellem Eingang
auf Bestellung: 9 St.
- 9 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.79 EUR |
| 10+ | 0.73 EUR |
| IRF5801TRPBF Produktcode: 29370
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TSOP-6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 0,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 88/3,9
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TSOP-6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 0,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 88/3,9
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.55 EUR |
| 10+ | 0.49 EUR |
| IRF7342PBF Produktcode: 29394
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
- 12 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.09 EUR |
| 10+ | 0.98 EUR |
| 10CTQ150 Produktcode: 29763
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 150 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 5 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,73 V
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 5 A pro Diode.
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 115 А
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 150 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 5 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,73 V
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 5 A pro Diode.
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 115 А
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.07 EUR |
| 10+ | 0.96 EUR |
| IRFL4310 Produktcode: 30167
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 1,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/17
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 1,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/17
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.68 EUR |
| 10+ | 0.5 EUR |
| IRFP064 Produktcode: 30168
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 70 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,009 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7400/190
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 70 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,009 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7400/190
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.21 EUR |
| 10+ | 3.01 EUR |
| IRFP3710 Produktcode: 30169
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 57 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3000/190
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 57 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3000/190
Montage: THT
verfügbar: 1 St.
- 1 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.33 EUR |
| 10+ | 3.11 EUR |
| IRFPS3815 Produktcode: 30170
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Idd, A: 105 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6810/260
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Idd, A: 105 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6810/260
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRG4BC30U Produktcode: 30172
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,95 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 23 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 12 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 100 W
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,95 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 23 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 12 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 100 W
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.24 EUR |
| IRG4PH50K Produktcode: 30174
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,77 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 45 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 24 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 38/380
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,77 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 45 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 24 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 38/380
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.85 EUR |
| IRG4PH50UD Produktcode: 30175
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,78 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 45 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 24 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 46/240
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,78 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 45 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 24 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 46/240
auf Bestellung: 12 St.
- 12 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.28 EUR |
| IRG4PSC71UD Produktcode: 30176
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,67 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 85 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 350 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 91/245
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,67 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 85 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 350 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 91/245
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.71 EUR |
| 36MT160PBF (Diodenbrücke) Produktcode: 30244
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: D-34A (D-63, MB)
Sperrspannung Urev, V: 1600 V
Durchlassstrom Idir, A: 35 A
Typ der Diodenbrücke: Dreiphasig
Kann ersetzen:: SKBPC35-16
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: D-34A (D-63, MB)
Sperrspannung Urev, V: 1600 V
Durchlassstrom Idir, A: 35 A
Typ der Diodenbrücke: Dreiphasig
Kann ersetzen:: SKBPC35-16
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRG4PC40W Produktcode: 30315
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-257
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,05 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-257
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,05 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.74 EUR |
| 10+ | 1.87 EUR |
| IRF9622 Produktcode: 30496
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/16
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/16
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.34 EUR |
| IRF640N Produktcode: 30510
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1160/67
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
- 12 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.79 EUR |
| 10+ | 0.44 EUR |
| IRF7832 Produktcode: 30575
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4310/34
Bemerkung: -
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4310/34
Bemerkung: -
Montage: SMD
auf Bestellung: 40 St.
- 40 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.17 EUR |
| 10+ | 0.96 EUR |
| IR3103 Produktcode: 30609
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC Motortreiber
Gehäuse: HSIP-11
Vc, V: 500 V
Iout(peak), A: 0,7 A
T on/off, ns: 30/400 ns
Bemerkung: Halbbrücke
IC > IC Motortreiber
Gehäuse: HSIP-11
Vc, V: 500 V
Iout(peak), A: 0,7 A
T on/off, ns: 30/400 ns
Bemerkung: Halbbrücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRLR2905 Produktcode: 30677
2
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,027 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.58 EUR |
| 10+ | 0.52 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |
| IRF7101PBF Produktcode: 30739
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 В
Drain-Strom Idd, A: 3,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,10 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 320/15
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 В
Drain-Strom Idd, A: 3,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,10 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 320/15
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.52 EUR |
| 10+ | 0.51 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
| IRLR3410 Produktcode: 30761
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1 EUR |
| 10+ | 0.83 EUR |
| 183NQ100 Produktcode: 30959
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: D-67
Sperrspannung Vrrm, V: 100 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 180 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,75 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: D-67
Sperrspannung Vrrm, V: 100 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 180 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,75 V
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 21.59 EUR |
| IRG4BC40W Produktcode: 31011
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,05 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 25/170
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,05 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 25/170
auf Bestellung: 8 St.
- 8 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.61 EUR |
| 10+ | 3.33 EUR |
| IR2153S Produktcode: 31136
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 1,0/1,2 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 80/40 ns
Bemerkung: selbstschwingend, Halbbrücke, fo < 100 kHz
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 1,0/1,2 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 80/40 ns
Bemerkung: selbstschwingend, Halbbrücke, fo < 100 kHz
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.05 EUR |
| 10+ | 0.96 EUR |
| IRS2153DPBF Produktcode: 31246
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,18/0,26 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 120/50 ns
Bemerkung: selbstschwingend, Halbbrücke, fo < 100 kHz
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,18/0,26 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 120/50 ns
Bemerkung: selbstschwingend, Halbbrücke, fo < 100 kHz
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
auf Bestellung: 52 St.
- 52 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.82 EUR |
| 10+ | 2.55 EUR |
| IRF7530TRPBF Produktcode: 31263
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 5,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1310/18
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 5,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1310/18
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.68 EUR |
| 10+ | 0.6 EUR |
| IRF1404PBF Produktcode: 31360
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 202 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7360/160
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 202 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7360/160
Montage: THT
erwartet: 3 St.
- 3 St. - erwartet
auf Bestellung: 740 St.
- 740 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.88 EUR |
| 10+ | 1.73 EUR |
| 100+ | 1.55 EUR |
| IRF9Z34NPBF Produktcode: 31477
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 19 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 620/35
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 19 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 620/35
Montage: THT
auf Bestellung: 154 St.
- 154 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.02 EUR |
| 10+ | 0.88 EUR |
| 100+ | 0.79 EUR |
| IRF840PBF Produktcode: 31523
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.49 EUR |
| 10+ | 1.34 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
| IRF9620 Produktcode: 31591
1
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 3,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/22
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 3,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/22
Montage: THT
auf Bestellung: 25 St.
- 25 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.02 EUR |
| 10+ | 0.92 EUR |
| PVT422S Produktcode: 31619
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
HEXFET® Power MOSFET Photovoltaic Relay Dual Pole, Normally Open 0-400V, 120mA AC/DC
8542 39 90 00
HEXFET® Power MOSFET Photovoltaic Relay Dual Pole, Normally Open 0-400V, 120mA AC/DC
8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 4 St.
- 4 St. - erwartet
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.17 EUR |
| 10+ | 1.88 EUR |
| IRFU9024NPBF Produktcode: 31708
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.94 EUR |
| 10+ | 0.84 EUR |
| 100+ | 0.76 EUR |
| IRU1010-18CY Produktcode: 31747
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Hersteller: IR
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-223
Eingangsspannung Uin, V: 7 V
Ausgangsspannung Uout, V: 1,8 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1,1 A
Spannungsabfall Udrop, V: 1,3 V
Ausgangstyp: Fest
Montage: SMD
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-223
Eingangsspannung Uin, V: 7 V
Ausgangsspannung Uout, V: 1,8 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1,1 A
Spannungsabfall Udrop, V: 1,3 V
Ausgangstyp: Fest
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.5 EUR |
| IRF7342TRPBF Produktcode: 31772
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|
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 3,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 690/26
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
auf Bestellung: 130 St.
- 130 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.18 EUR |
| 10+ | 1.06 EUR |
| 100+ | 0.95 EUR |
| IRFL9014TRPBF Produktcode: 31799
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Id, A: 1,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Id, A: 1,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
- 12 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.96 EUR |
| 10+ | 0.86 EUR |
| IRFR9310 Produktcode: 31820
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|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Id, A: 1,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 270/13
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Id, A: 1,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 7 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 270/13
Montage: SMD
verfügbar: 5 St.
- 5 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.17 EUR |
| 10+ | 0.96 EUR |
| IRFD024PBF Produktcode: 31843
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVM DIP-4
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 2,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 640/25
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVM DIP-4
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 2,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 640/25
Montage: THT
verfügbar: 3 St.
- 3 St. - stock Köln
auf Bestellung: 97 St.
- 97 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.64 EUR |
| 10+ | 1.52 EUR |
| 100+ | 1.45 EUR |
| IRFD9120PBF Produktcode: 31845
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: HD-1
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 390/18
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: HD-1
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 390/18
auf Bestellung: 8 St.
- 8 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.4 EUR |
| IRFPS38N60L Produktcode: 31847
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 38 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,12 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7990/320
Bemerkung: 170 ns
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 38 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,12 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7990/320
Bemerkung: 170 ns
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFPS40N60KPBF Produktcode: 31848
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 40 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7970/330
Bemerkung: 110 ns
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 40 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7970/330
Bemerkung: 110 ns
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH

























