| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IRLL014NPBF Produktcode: 36808
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SOT-223 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 2,7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 400/8,4 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD |
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IRFIZ24N Produktcode: 13471
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220FULL Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 14 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 370/20 Bemerkung: Isoliertes Gehäuse Montage: THT |
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IRLU8113PBF Produktcode: 31851
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: I-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 94 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,006 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2920/22 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT |
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IRFPS38N60L Produktcode: 31847
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V Drain-Strom Idd, A: 38 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,12 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7990/320 Bemerkung: 170 ns Montage: THT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRFU310PBF Produktcode: 32370
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: I-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V Drain-Strom Idd, A: 1,7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 170/12 Montage: THT |
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IRF7450PBF Produktcode: 32457
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 2,5 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,17 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 940/26 Bemerkung: - Montage: SMD |
verfügbar: 6 St.
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IRG4PF50WPBF Produktcode: 32408
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 2,3 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 55 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 27 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W |
auf Bestellung: 36 St.
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IRFPS40N60KPBF Produktcode: 31848
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V Drain-Strom Idd, A: 40 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7970/330 Bemerkung: 110 ns Montage: THT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRF7307PBF Produktcode: 28597
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Idd, A: 5,7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 660/20 Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse Montage: SMD |
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IRFZ44NSTRRPBF Produktcode: 31849
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 49 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0175 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63 Montage: SMD |
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IRFP23N50LPBF Produktcode: 25263
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V Drain-Strom Idd, A: 23 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/26 Montage: THT |
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IRFD024PBF Produktcode: 31843
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: HVM DIP-4 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 2,4 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 640/25 Montage: THT |
verfügbar: 3 St.
auf Bestellung: 95 St.
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IRF8910PBF Produktcode: 32112
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Idd, A: 10 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0134 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 960/7,4 Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse Montage: SMD |
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IRF9540NPBF Produktcode: 31944
4
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Id, A: 23 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,117 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/97 Montage: THT |
auf Bestellung: 474 St.
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IRF8788PBF Produktcode: 32111
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 24 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5720/44 Montage: SMD |
auf Bestellung: 8 St.
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IRGPS60B120KDP Produktcode: 27288
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: Super-247 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V Sättigungsspannung Vce, V: 2,5 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 105 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 595 W Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 72/366 Zolltarifnummer: 8541 29 00 90 |
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IRF5800TR Produktcode: 37265
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: TSOP-6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Id, A: 4 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 535/11,4 Montage: SMD |
verfügbar: 12 St.
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IRG4PC40W Produktcode: 30315
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-257 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 2,05 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W |
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IRFD120PBF (DIP4-300, IR) Produktcode: 28377
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: HEXDIP (DIP4-300) Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 1,3 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 450/11 Montage: THT |
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IRLML6344TRPBF Produktcode: 42697
12
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 5 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/6,8 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD |
verfügbar: 4 St.
auf Bestellung: 3904 St.
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IRLR8743PBF Produktcode: 31850
2
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 113 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0031 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4880/39 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD |
auf Bestellung: 14 St.
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IRFPE30 Produktcode: 23708
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V Drain-Strom Idd, A: 4,1 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/78 Montage: THT |
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IRF450 Produktcode: 23684
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-3 Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V Drain-Strom Idd, A: 12 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/72 Montage: THT |
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IRFL9014TRPBF Produktcode: 31799
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: SOT-223 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Id, A: 1,8 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm Montage: SMD |
verfügbar: 12 St.
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IRFP460LCPBF Produktcode: 22653
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V Drain-Strom Idd, A: 20 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/120 Montage: THT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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26MB120A - IR (Diodenbrücke) Produktcode: 47403
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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IRFZ48NS Produktcode: 32184
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 64 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2200/85 Montage: SMD |
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IRG4PH40KDPBF Produktcode: 24014
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V Sättigungsspannung Vce, V: 2,74 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 30 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 15 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W |
auf Bestellung: 1 St.
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IRF7413Z PBF Produktcode: 25377
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 13 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22 Bemerkung: - Montage: SMD |
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HFA16PA120CPBF (VS-HFA16PA120CPBF) Produktcode: 26182
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Lieblingsprodukt
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelleGehäuse: TO-247 Sperrspannung Vrr, V: 1200 V Mittlerer Strom Iav, A: 16 A Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 28 ns Bemerkung: 2x8K Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFD9120PBF Produktcode: 31845
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: HD-1 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Id, A: 1 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 390/18 |
auf Bestellung: 8 St.
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IRLU3110ZPBF Produktcode: 32113
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 63 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3980/34 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD |
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IRG4BC40U Produktcode: 24013
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 1,72 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRGB4065PBF Produktcode: 24015
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 300 V Sättigungsspannung Vce, V: 1,75 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 178 W |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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Relais PVT312LPBF Produktcode: 37987
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Lieblingsprodukt
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IR |
RelaisRelaistyp: Halbleiterrelais Beschreibung: Tip Kontakte: 1A; U-ein:1,2V; U-Schaltm: 250B;I-Schalt: 170mA Abmessungen: DIP-6-400 Spulenspannung: 1,2 VDC Strom max.: 0,17 А Kontaktkonfiguration: SPST-NO(1A) Schaltspannung: 250 VAC; 250 VDC 8536 41 10 90 |
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Halbleiterrelais PVT312PBF Produktcode: 42142
1
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IR |
RelaisRelaistyp: Halbleiterrelais Beschreibung: 0 ~ 250V, Eingang 1,2 V Abmessungen: DIP-6 Spulenspannung: 6 VDC Strom max.: 0,19 А Kontaktkonfiguration: SPST-NO(1A) Schaltspannung: 250 VAC; 250 VDC |
auf Bestellung: 22 St.
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IR2E01 Produktcode: 29369
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Lieblingsprodukt
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IR |
IC > IC LED-TreiberGehäuse: DIP-16 Versorgungsspannung Vcc, V: <18 В Bemerkung: Treiber für Segment-Ziffern-Display mit seriellem Eingang |
auf Bestellung: 12 St.
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26MB80A PBF (Diodenbrücke) Produktcode: 20600
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Lieblingsprodukt
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und BaugruppenGehäuse: D-34A (D-63, MB, SKBPC) Sperrspannung Urev, V: 800 V Durchlassstrom Idir, A: 25 A Typ der Diodenbrücke: Einphasig |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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36MB60A PBF (Diodenbrücke) Produktcode: 20542
1
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Lieblingsprodukt
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und BaugruppenGehäuse: D-34A (D-63, MB) Sperrspannung Urev, V: 200...12000 V Durchlassstrom Idir, A: 35 A Typ der Diodenbrücke: Einphasig Montage: THT Impulsstrom, A: 475 А |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRG4PC50WPBF Produktcode: 24036
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 2,3 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 55 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 27 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 178 W |
auf Bestellung: 2 St.
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IRF7309TRPBF (N-Kanal-FETs) Produktcode: 45192
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 4 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 520/25 Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse Montage: SMD ZCODE: 8541290010 |
verfügbar: 12 St.
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IRG4PH50KD Produktcode: 23471
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V Sättigungsspannung Vce, V: 2,77 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 45 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 24 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W |
auf Bestellung: 11 St.
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122NQ030PBF Produktcode: 35524
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Lieblingsprodukt
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > SchottkydiodenGehäuse: D-67 Sperrspannung Vrrm, V: 30 V Durchlassstrom (per leg) If, A: 120 A Durchlassspannung Vf, V: 0,41 V Montage: THT Stoßstrom Ifsm, A: 2000 А |
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IRF8010PBF Produktcode: 25040
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 80 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3830/81 Montage: THT |
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IRLML5103TR (SOT-23, IR) Produktcode: 25079
1
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Id, A: 0,76 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 78/3,4 Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung Montage: SMD |
verfügbar: 60 St.
auf Bestellung: 472 St.
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IRF9640PBF Produktcode: 22646
1
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Id, A: 11 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/44 Montage: THT |
auf Bestellung: 18 St.
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IRF7492PBF Produktcode: 26534
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 3,7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,079 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1820/39 Bemerkung: - Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF8734PBF Produktcode: 26537
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 21 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0035 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3175/20 Bemerkung: - Montage: SMD |
auf Bestellung: 34 St.
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IRF1404ZPBF Produktcode: 26520
1
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 75 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm Montage: THT |
auf Bestellung: 119 St.
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IRF740APBF Produktcode: 32589
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V Drain-Strom Idd, A: 10 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1030/36 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7341PBF Produktcode: 26458
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 4,7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/24 Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF3717PBF Produktcode: 26533
1
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Idd, A: 20 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0044 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2890/22 Bemerkung: - Montage: SMD |
auf Bestellung: 12 St.
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IRF8513PBF Produktcode: 26536
1
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 8-11 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0155 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 766/5,7 Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse Montage: SMD |
auf Bestellung: 1 St.
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VS-30CPU04PBF Produktcode: 42868
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Lieblingsprodukt
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelleGehäuse: TO-247 Sperrspannung Vrr, V: 400 V Mittlerer Strom Iav, A: 15 A Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 60 ns Bemerkung: 2x15K Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRFP4227PBF Produktcode: 26521
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 65 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,021 Ohm Montage: THT |
auf Bestellung: 19 St.
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IRF7416TRPBF Produktcode: 25625
3
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Id, A: 10 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/61 Montage: SMD |
verfügbar: 15 St.
auf Bestellung: 136 St.
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IRFR024N Produktcode: 34110
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 16 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 370/20 Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFR9024NTRPBF Produktcode: 23070
6
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: D-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Id, A: 11 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19 Montage: SMD |
verfügbar: 15 St.
auf Bestellung: 790 St.
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IRF740SPBF Produktcode: 32580
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V Drain-Strom Idd, A: 10 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,48 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1400/35 Montage: SMD |
auf Bestellung: 3 St.
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IRF7331PBF Produktcode: 26137
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Lieblingsprodukt
|
IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1340/13 Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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| IRLL014NPBF Produktcode: 36808
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 2,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 400/8,4
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 2,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 400/8,4
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.7 EUR |
| 10+ | 0.63 EUR |
| 100+ | 0.57 EUR |
| IRFIZ24N Produktcode: 13471
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FULL
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 14 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 370/20
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FULL
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 14 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 370/20
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.7 EUR |
| 10+ | 0.63 EUR |
| IRLU8113PBF Produktcode: 31851
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 94 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,006 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2920/22
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 94 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,006 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2920/22
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.17 EUR |
| 10+ | 1 EUR |
| IRFPS38N60L Produktcode: 31847
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 38 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,12 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7990/320
Bemerkung: 170 ns
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 38 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,12 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7990/320
Bemerkung: 170 ns
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFU310PBF Produktcode: 32370
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 1,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 170/12
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 1,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 170/12
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.68 EUR |
| IRF7450PBF Produktcode: 32457
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,17 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 940/26
Bemerkung: -
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,17 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 940/26
Bemerkung: -
Montage: SMD
verfügbar: 6 St.
- 6 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.54 EUR |
| 10+ | 1.19 EUR |
| IRG4PF50WPBF Produktcode: 32408
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,3 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 55 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 27 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,3 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 55 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 27 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W
auf Bestellung: 36 St.
- 36 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.53 EUR |
| 10+ | 11.55 EUR |
| IRFPS40N60KPBF Produktcode: 31848
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 40 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7970/330
Bemerkung: 110 ns
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 40 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7970/330
Bemerkung: 110 ns
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF7307PBF Produktcode: 28597
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 5,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 660/20
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 5,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 660/20
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.68 EUR |
| IRFZ44NSTRRPBF Produktcode: 31849
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1 EUR |
| IRFP23N50LPBF Produktcode: 25263
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/26
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/26
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.19 EUR |
| 10+ | 5.76 EUR |
| IRFD024PBF Produktcode: 31843
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVM DIP-4
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 2,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 640/25
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVM DIP-4
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 2,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 640/25
Montage: THT
verfügbar: 3 St.
- 3 St. - stock Köln
auf Bestellung: 95 St.
- 95 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.64 EUR |
| 10+ | 1.52 EUR |
| 100+ | 1.45 EUR |
| IRF8910PBF Produktcode: 32112
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0134 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 960/7,4
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0134 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 960/7,4
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.71 EUR |
| 10+ | 0.67 EUR |
| IRF9540NPBF Produktcode: 31944
4
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,117 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/97
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,117 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/97
Montage: THT
auf Bestellung: 474 St.
- 474 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.96 EUR |
| 10+ | 0.86 EUR |
| IRF8788PBF Produktcode: 32111
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 24 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5720/44
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 24 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5720/44
Montage: SMD
auf Bestellung: 8 St.
- 8 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.33 EUR |
| 10+ | 1.2 EUR |
| IRGPS60B120KDP Produktcode: 27288
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: Super-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,5 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 105 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 595 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 72/366
Zolltarifnummer: 8541 29 00 90
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: Super-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,5 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 105 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 595 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 72/366
Zolltarifnummer: 8541 29 00 90
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 267.75 EUR |
| IRF5800TR Produktcode: 37265
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 535/11,4
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TSOP-6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 535/11,4
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
- 12 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.35 EUR |
| IRG4PC40W Produktcode: 30315
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-257
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,05 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-257
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,05 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.74 EUR |
| 10+ | 1.87 EUR |
| IRFD120PBF (DIP4-300, IR) Produktcode: 28377
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HEXDIP (DIP4-300)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 1,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 450/11
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HEXDIP (DIP4-300)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 1,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 450/11
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.17 EUR |
| 10+ | 0.96 EUR |
| 100+ | 0.79 EUR |
| IRLML6344TRPBF Produktcode: 42697
12
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/6,8
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/6,8
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 4 St.
- 4 St. - stock Köln
auf Bestellung: 3904 St.
- 3904 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.3 EUR |
| 10+ | 0.23 EUR |
| 100+ | 0.11 EUR |
| 1000+ | 0.098 EUR |
| IRLR8743PBF Produktcode: 31850
2
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 113 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0031 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4880/39
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 113 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0031 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4880/39
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 14 St.
- 14 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.27 EUR |
| 10+ | 2.07 EUR |
| 100+ | 1.88 EUR |
| IRFPE30 Produktcode: 23708
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 4,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/78
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 4,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/78
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.93 EUR |
| 10+ | 2.33 EUR |
| IRF450 Produktcode: 23684
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/72
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/72
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.33 EUR |
| IRFL9014TRPBF Produktcode: 31799
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Id, A: 1,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Id, A: 1,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
- 12 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.96 EUR |
| 10+ | 0.86 EUR |
| IRFP460LCPBF Produktcode: 22653
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/120
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/120
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 26MB120A - IR (Diodenbrücke) Produktcode: 47403
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Lieblingsprodukt
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFZ48NS Produktcode: 32184
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 64 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2200/85
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 64 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2200/85
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.31 EUR |
| IRG4PH40KDPBF Produktcode: 24014
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,74 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 30 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 15 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,74 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 30 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 15 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
auf Bestellung: 1 St.
- 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.31 EUR |
| 10+ | 7.64 EUR |
| IRF7413Z PBF Produktcode: 25377
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 13 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: -
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 13 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: -
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.68 EUR |
| 10+ | 0.5 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
| HFA16PA120CPBF (VS-HFA16PA120CPBF) Produktcode: 26182
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-247
Sperrspannung Vrr, V: 1200 V
Mittlerer Strom Iav, A: 16 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 28 ns
Bemerkung: 2x8K
Montage: THT
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-247
Sperrspannung Vrr, V: 1200 V
Mittlerer Strom Iav, A: 16 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 28 ns
Bemerkung: 2x8K
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.69 EUR |
| 10+ | 2.33 EUR |
| IRFD9120PBF Produktcode: 31845
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: HD-1
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 390/18
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: HD-1
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 390/18
auf Bestellung: 8 St.
- 8 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.4 EUR |
| IRLU3110ZPBF Produktcode: 32113
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 63 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3980/34
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 63 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3980/34
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.83 EUR |
| 10+ | 1.5 EUR |
| IRG4BC40U Produktcode: 24013
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,72 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,72 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.48 EUR |
| 10+ | 2.38 EUR |
| IRGB4065PBF Produktcode: 24015
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 300 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,75 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 178 W
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 300 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,75 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 178 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| Relais PVT312LPBF Produktcode: 37987
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Relais
Relaistyp: Halbleiterrelais
Beschreibung: Tip Kontakte: 1A; U-ein:1,2V; U-Schaltm: 250B;I-Schalt: 170mA
Abmessungen: DIP-6-400
Spulenspannung: 1,2 VDC
Strom max.: 0,17 А
Kontaktkonfiguration: SPST-NO(1A)
Schaltspannung: 250 VAC; 250 VDC
8536 41 10 90
Relais
Relaistyp: Halbleiterrelais
Beschreibung: Tip Kontakte: 1A; U-ein:1,2V; U-Schaltm: 250B;I-Schalt: 170mA
Abmessungen: DIP-6-400
Spulenspannung: 1,2 VDC
Strom max.: 0,17 А
Kontaktkonfiguration: SPST-NO(1A)
Schaltspannung: 250 VAC; 250 VDC
8536 41 10 90
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.94 EUR |
| 10+ | 1.68 EUR |
| Halbleiterrelais PVT312PBF Produktcode: 42142
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Relais
Relaistyp: Halbleiterrelais
Beschreibung: 0 ~ 250V, Eingang 1,2 V
Abmessungen: DIP-6
Spulenspannung: 6 VDC
Strom max.: 0,19 А
Kontaktkonfiguration: SPST-NO(1A)
Schaltspannung: 250 VAC; 250 VDC
Relais
Relaistyp: Halbleiterrelais
Beschreibung: 0 ~ 250V, Eingang 1,2 V
Abmessungen: DIP-6
Spulenspannung: 6 VDC
Strom max.: 0,19 А
Kontaktkonfiguration: SPST-NO(1A)
Schaltspannung: 250 VAC; 250 VDC
auf Bestellung: 22 St.
- 22 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.51 EUR |
| 10+ | 4.07 EUR |
| IR2E01 Produktcode: 29369
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC LED-Treiber
Gehäuse: DIP-16
Versorgungsspannung Vcc, V: <18 В
Bemerkung: Treiber für Segment-Ziffern-Display mit seriellem Eingang
IC > IC LED-Treiber
Gehäuse: DIP-16
Versorgungsspannung Vcc, V: <18 В
Bemerkung: Treiber für Segment-Ziffern-Display mit seriellem Eingang
auf Bestellung: 12 St.
- 12 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.79 EUR |
| 10+ | 0.73 EUR |
| 26MB80A PBF (Diodenbrücke) Produktcode: 20600
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: D-34A (D-63, MB, SKBPC)
Sperrspannung Urev, V: 800 V
Durchlassstrom Idir, A: 25 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: D-34A (D-63, MB, SKBPC)
Sperrspannung Urev, V: 800 V
Durchlassstrom Idir, A: 25 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 36MB60A PBF (Diodenbrücke) Produktcode: 20542
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: D-34A (D-63, MB)
Sperrspannung Urev, V: 200...12000 V
Durchlassstrom Idir, A: 35 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Montage: THT
Impulsstrom, A: 475 А
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: D-34A (D-63, MB)
Sperrspannung Urev, V: 200...12000 V
Durchlassstrom Idir, A: 35 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Montage: THT
Impulsstrom, A: 475 А
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.92 EUR |
| IRG4PC50WPBF Produktcode: 24036
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,3 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 55 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 27 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 178 W
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,3 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 55 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 27 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 178 W
auf Bestellung: 2 St.
- 2 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 16.41 EUR |
| 10+ | 3.57 EUR |
| IRF7309TRPBF (N-Kanal-FETs) Produktcode: 45192
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 520/25
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 520/25
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 12 St.
- 12 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.58 EUR |
| 10+ | 0.52 EUR |
| IRG4PH50KD Produktcode: 23471
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,77 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 45 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 24 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,77 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 45 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 24 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W
auf Bestellung: 11 St.
- 11 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.71 EUR |
| 10+ | 9.48 EUR |
| 122NQ030PBF Produktcode: 35524
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: D-67
Sperrspannung Vrrm, V: 30 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 120 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,41 V
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 2000 А
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: D-67
Sperrspannung Vrrm, V: 30 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 120 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,41 V
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 2000 А
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.71 EUR |
| IRF8010PBF Produktcode: 25040
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 80 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3830/81
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 80 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3830/81
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.55 EUR |
| 10+ | 2.31 EUR |
| 100+ | 2.17 EUR |
| IRLML5103TR (SOT-23, IR) Produktcode: 25079
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 0,76 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 78/3,4
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 0,76 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 78/3,4
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 60 St.
- 60 St. - stock Köln
auf Bestellung: 472 St.
- 472 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.15 EUR |
| 10+ | 0.14 EUR |
| 100+ | 0.12 EUR |
| 1000+ | 0.11 EUR |
| IRF9640PBF Produktcode: 22646
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/44
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/44
Montage: THT
auf Bestellung: 18 St.
- 18 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.73 EUR |
| 10+ | 1.58 EUR |
| 100+ | 1.48 EUR |
| IRF7492PBF Produktcode: 26534
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 3,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,079 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1820/39
Bemerkung: -
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 3,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,079 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1820/39
Bemerkung: -
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2 EUR |
| IRF8734PBF Produktcode: 26537
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 21 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0035 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3175/20
Bemerkung: -
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 21 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0035 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3175/20
Bemerkung: -
Montage: SMD
auf Bestellung: 34 St.
- 34 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.64 EUR |
| 10+ | 1.49 EUR |
| IRF1404ZPBF Produktcode: 26520
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Montage: THT
auf Bestellung: 119 St.
- 119 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.27 EUR |
| 10+ | 2.09 EUR |
| 100+ | 1.92 EUR |
| IRF740APBF Produktcode: 32589
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1030/36
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1030/36
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.17 EUR |
| IRF7341PBF Produktcode: 26458
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 4,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/24
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 4,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/24
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.83 EUR |
| 10+ | 0.7 EUR |
| 100+ | 0.63 EUR |
| IRF3717PBF Produktcode: 26533
1
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0044 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2890/22
Bemerkung: -
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0044 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2890/22
Bemerkung: -
Montage: SMD
auf Bestellung: 12 St.
- 12 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.79 EUR |
| 10+ | 0.71 EUR |
| IRF8513PBF Produktcode: 26536
1
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 8-11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0155 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 766/5,7
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 8-11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0155 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 766/5,7
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 1 St.
- 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1 EUR |
| VS-30CPU04PBF Produktcode: 42868
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-247
Sperrspannung Vrr, V: 400 V
Mittlerer Strom Iav, A: 15 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 60 ns
Bemerkung: 2x15K
Montage: THT
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-247
Sperrspannung Vrr, V: 400 V
Mittlerer Strom Iav, A: 15 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 60 ns
Bemerkung: 2x15K
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFP4227PBF Produktcode: 26521
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 65 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,021 Ohm
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 65 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,021 Ohm
Montage: THT
auf Bestellung: 19 St.
- 19 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.12 EUR |
| IRF7416TRPBF Produktcode: 25625
3
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/61
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/61
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
- 15 St. - stock Köln
auf Bestellung: 136 St.
- 136 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.02 EUR |
| 10+ | 0.88 EUR |
| 100+ | 0.79 EUR |
| IRFR024N Produktcode: 34110
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 16 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 370/20
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 16 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 370/20
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.7 EUR |
| 10+ | 0.63 EUR |
| 100+ | 0.57 EUR |
| IRFR9024NTRPBF Produktcode: 23070
6
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
- 15 St. - stock Köln
auf Bestellung: 790 St.
- 790 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.64 EUR |
| 10+ | 0.58 EUR |
| 100+ | 0.52 EUR |
| IRF740SPBF Produktcode: 32580
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,48 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1400/35
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,48 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1400/35
Montage: SMD
auf Bestellung: 3 St.
- 3 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.43 EUR |
| 10+ | 2.24 EUR |
| IRF7331PBF Produktcode: 26137
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1340/13
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1340/13
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.79 EUR |
| 10+ | 0.7 EUR |






















