| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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AUIPS1042GTR (IPS1042GPBF) Produktcode: 24779
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IR |
IC > IC E-Key (Zugriffsschlüssel), AnalogmultiplexerGehäuse: SOIC-8 Funktionsbeschreibung: Leistungstreiber, 40 V, 15 A Versorgungsspannung, V: 4,5...5,5 V Bemerkung: Anstiegszeit 7 µs / Abfallzeit 10 µs |
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erwartet: 10 St.
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IRF7807VD1 Produktcode: 24875
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 8,3 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: /9.5 Bemerkung: - Montage: SMD |
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IRFP3077PBF Produktcode: 24931
1
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V Drain-Strom Idd, A: 120 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9400/160 Montage: THT |
auf Bestellung: 33 St.
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IRF1010E Produktcode: 24949
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 84 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3210/130 Montage: THT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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IRF8010PBF Produktcode: 25040
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 80 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3830/81 Montage: THT |
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IRLML5103TR (SOT-23, IR) Produktcode: 25079
1
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Id, A: 0,76 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 78/3,4 Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung Montage: SMD |
verfügbar: 60 St.
auf Bestellung: 372 St.
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MBR1645 Produktcode: 25080
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > SchottkydiodenGehäuse: TO-220 Sperrspannung Vrrm, V: 45 V Durchlassstrom (per leg) If, A: 16 A Durchlassspannung Vf, V: 0,57 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IR3220S Produktcode: 25106
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IR |
IC > IC MotortreiberGehäuse: SO-20 Vc, V: 7 V Vss, V: 60 V Iout(peak), A: 6 A Bemerkung: +IRF7484 (IRF7842) Markierung: 8542 39 90 00 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRF8736TRPBF Produktcode: 25137
3
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 18 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0048 Ohm Bemerkung: - Montage: SMD |
auf Bestellung: 152 St.
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IRF7389PBF Produktcode: 25148
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 7,3/5,3 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22 Bemerkung: Zwei Transistoren N+P in einem Gehäuse Montage: SMD |
auf Bestellung: 22 St.
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IRFPS37N50A Produktcode: 25171
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: Super-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V Drain-Strom Idd, A: 36 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5579/180 Montage: THT |
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30CTQ060S Produktcode: 25184
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > SchottkydiodenGehäuse: D2PAK Sperrspannung Vrrm, V: 60 V Durchlassstrom (per leg) If, A: 60 A Durchlassspannung Vf, V: 0,56 V Bemerkung: OK 2x30A |
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20CJQ030 Produktcode: 25203
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > SchottkydiodenGehäuse: SOT-223 Sperrspannung Vrrm, V: 30 V Durchlassstrom (per leg) If, A: 1 A Durchlassspannung Vf, V: 0,42 V Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 1 A pro Diode. Montage: SMD Stoßstrom Ifsm, A: 24 А |
auf Bestellung: 5 St.
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IRF7341TRPBF Produktcode: 25204
1
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 4,7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/24 Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse Montage: SMD |
auf Bestellung: 213 St.
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31DQ06 Produktcode: 25232
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > SchottkydiodenGehäuse: DO-201AD(DO-27) Sperrspannung Vrrm, V: 60 V Durchlassstrom (per leg) If, A: 3,3 A Durchlassspannung Vf, V: 0,62 V |
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IRFP23N50LPBF Produktcode: 25263
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V Drain-Strom Idd, A: 23 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/26 Montage: THT |
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erwartet: 30 St.
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IRF7811AVTR Produktcode: 25341
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 28 V Drain-Strom Idd, A: 11,4 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1800/23 Bemerkung: - Montage: SMD |
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IRF520N Produktcode: 25347
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220AB Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В Drain-Strom Idd, A: 9,7 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/25 Montage: THT |
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20ETS08FP Produktcode: 25367
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und SchaltdiodenGehäuse: TO-220 FULLPACK Urev., V: 800 V Iausr., A: 20 A Beschreibung: 1.1 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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IRF7413Z PBF Produktcode: 25377
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 13 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22 Bemerkung: - Montage: SMD |
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IRLU8259 PBF Produktcode: 25379
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: I-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 V Drain-Strom Idd, A: 57 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0087 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 900/6,8 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT |
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100MT160PAPBF (Diodenbrücke) Produktcode: 25424
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen Gehäuse: MT...PA Sperrspannung Urev, V: 1600 V Durchlassstrom Idir, A: 100 A Typ der Diodenbrücke: Dreiphasig |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IR2520DS Produktcode: 25466
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IR |
IC > IC NetzteileGehäuse: SO-8 Funktion und Eigenschaften: 600V Vorschaltgerät-Controller mit adaptivem Nullspannungsschalten, internem Überstromschutz und integrierter Bootstrap-Diode Eingangsspannung, V: 12,6…15,4 V Ausgangsstrom Iout, A: 230 мА Frequenz Fosc, kHz: 34…86 kHz Temperaturbereich: -25…+125°C |
auf Bestellung: 24 St.
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IR2110SPBF Produktcode: 25569
1
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IR |
IC > IC Transistoren-TreiberGehäuse: SOIC-16 Versorgungsspannung Uc, V: 500 V Ausgangsstrom Io ±, A: 2,0/2,0 A Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 120/94 ns Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C |
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IRFB4227PBF Produktcode: 25579
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 130 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,197 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4600/70 Montage: THT |
verfügbar: 3 St.
auf Bestellung: 53 St.
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IRS2092PBF Produktcode: 25580
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IR |
IC > IC NiederfrequenzverstärkerGehäuse: DIP-16 Versorgungsspannung Uпит, V: ±100 V Klirrfaktor Kг, %: 0,01 % Bemerkung: Vorverstärker der Klasse D (Io = 1 A) |
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IRLML5203TRPBF Produktcode: 25596
2
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Id, A: 3 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,098 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 510/9,5 Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung Montage: SMD ZCODE: 8541 29 00 90 |
erwartet: 3000 St.
auf Bestellung: 1065 St.
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IRF7416TRPBF Produktcode: 25625
3
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Id, A: 10 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/61 Montage: SMD |
verfügbar: 15 St.
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IRL540NPBF Produktcode: 25626
2
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 36 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1800/74 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT |
verfügbar: 5 St.
auf Bestellung: 35 St.
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PVG612PBF Produktcode: 25670
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Lieblingsprodukt
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IC > Optokoppler (Optrone)Gehäuse: Solid-State Typ: Solid-State-Fotorelais mit MOSFET-Ausgang (HEXFET®), einpolig, Schließer Isolationsspannung Uisol, kV: DIP-6 Betriebstemperatur, °C: 60 VDC |
auf Bestellung: 269 St.
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IRF7204 Produktcode: 25811
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Id, A: 5,3 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,060 Ohm Montage: SMD |
verfügbar: 12 St.
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IR2301S Produktcode: 25980
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IC > IC Transistoren-Treiber Gehäuse: SO-8 Versorgungsspannung Uc, V: 625 V Ausgangsstrom Io ±, A: 0,2/0,35 A Ausgangsspannung Vout, V: 5-20 V Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 300/280 ns Bemerkung: High- und Low-Side-Treiber Betriebstemperatur, °C: -40…+150°C |
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IRL5602S Produktcode: 26008
3
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: D2Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Id, A: 24 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1460/44 Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung Montage: SMD |
verfügbar: 12 St.
auf Bestellung: 445 St.
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IRF7331PBF Produktcode: 26137
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Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1340/13 Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse Montage: SMD |
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HFA16PA120CPBF (VS-HFA16PA120CPBF) Produktcode: 26182
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelleGehäuse: TO-247 Sperrspannung Vrr, V: 1200 V Mittlerer Strom Iav, A: 16 A Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 28 ns Bemerkung: 2x8K Montage: THT |
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IRG4PC40UDPBF Produktcode: 26200
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Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 1,72 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 54/110 |
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IRF7341PBF Produktcode: 26458
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 4,7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/24 Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse Montage: SMD |
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VS-80CPQ150PBF Produktcode: 26495
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > SchottkydiodenGehäuse: TO-247AC Sperrspannung Vrrm, V: 150 V Durchlassstrom (per leg) If, A: 40 A Durchlassspannung Vf, V: 0,71 V Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 40 A pro Diode. Montage: THT Stoßstrom Ifsm, A: 500 А UKTZED: 8541 10 00 90 |
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VS-63CPQ100PBF Produktcode: 26515
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > SchottkydiodenGehäuse: TO-247AC Sperrspannung Vrrm, V: 100 V Durchlassstrom (per leg) If, A: 30 A Durchlassspannung Vf, V: 0,64 V Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 30 A pro Diode. Montage: THT Stoßstrom Ifsm, A: 410 А |
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IRF1404ZPBF Produktcode: 26520
1
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 75 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm Montage: THT |
auf Bestellung: 119 St.
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IRFP4227PBF Produktcode: 26521
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 65 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,021 Ohm Montage: THT |
auf Bestellung: 19 St.
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IRF3717PBF Produktcode: 26533
1
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Idd, A: 20 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0044 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2890/22 Bemerkung: - Montage: SMD |
auf Bestellung: 10 St.
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IRF7492PBF Produktcode: 26534
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Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 3,7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,079 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1820/39 Bemerkung: - Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF8513PBF Produktcode: 26536
1
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Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 8-11 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0155 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 766/5,7 Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse Montage: SMD |
auf Bestellung: 1 St.
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IRF8734PBF Produktcode: 26537
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Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 21 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0035 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3175/20 Bemerkung: - Montage: SMD |
auf Bestellung: 34 St.
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IRL3705ZSPBF Produktcode: 26657
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Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В Drain-Strom Idd, A: 75 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2880/40 Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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36MB140A PBF (Diodenbrücke) Produktcode: 26766
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und BaugruppenGehäuse: D-34A (D-63, MB) Sperrspannung Urev, V: 1400 V Durchlassstrom Idir, A: 35 A Typ der Diodenbrücke: Einphasig |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRLMS6802TRPBF (IR) Produktcode: 26801
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: SOT-23-6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 В Drain-Strom Id, A: 4,5 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,050 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1079/11 Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF1010NPBF Produktcode: 26804
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 85 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3210/120 Montage: THT |
verfügbar: 12 St.
auf Bestellung: 234 St.
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IRFBC40 Produktcode: 26834
1
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V Drain-Strom Idd, A: 6,2 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/60 Montage: THT |
auf Bestellung: 1 St.
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IRGB14C40LPBF Produktcode: 26851
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 430 V Sättigungsspannung Vce, V: 1,5 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 20 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 14 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 125 W Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 1,35/6 |
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IRLML2803TRPBF Produktcode: 27051
1
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 1,2 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 85/3,3 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD |
verfügbar: 15 St.
auf Bestellung: 663 St.
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IRF7507PBF Produktcode: 27069
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Idd, A: 2,4 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,135 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 260/5,3 Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRF1405PBF Produktcode: 27155
1
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 169 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm Montage: THT |
auf Bestellung: 206 St.
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IRGPS60B120KDP Produktcode: 27288
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: Super-247 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V Sättigungsspannung Vce, V: 2,5 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 105 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 595 W Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 72/366 Zolltarifnummer: 8541 29 00 90 |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7822 Produktcode: 27356
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 18 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,005 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5500/44 Bemerkung: - Montage: SMD |
verfügbar: 5 St.
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IRFP150NPBF (TO-247AC, IR) Produktcode: 27503
1
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 42 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1900/110 Montage: THT |
auf Bestellung: 42 St.
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IPS022G Produktcode: 27707
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Lieblingsprodukt
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IR |
IC > IC E-Key (Zugriffsschlüssel), AnalogmultiplexerGehäuse: SOIC-8 Funktionsbeschreibung: Dualer vollgeschützter Leistungs-MOSFET-Schalter Versorgungsspannung, V: 4...6 V Bemerkung: Anstiegszeit 0.9 µs / Abfallzeit 1.3 µs |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP264N Produktcode: 27857
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247AC Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В Drain-Strom Idd, A: 44 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3860/210 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRL1404ZSPBF Produktcode: 27885
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 В Drain-Strom Idd, A: 120 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,1 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5080/75 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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| AUIPS1042GTR (IPS1042GPBF) Produktcode: 24779
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
IC > IC E-Key (Zugriffsschlüssel), Analogmultiplexer
Gehäuse: SOIC-8
Funktionsbeschreibung: Leistungstreiber, 40 V, 15 A
Versorgungsspannung, V: 4,5...5,5 V
Bemerkung: Anstiegszeit 7 µs / Abfallzeit 10 µs
IC > IC E-Key (Zugriffsschlüssel), Analogmultiplexer
Gehäuse: SOIC-8
Funktionsbeschreibung: Leistungstreiber, 40 V, 15 A
Versorgungsspannung, V: 4,5...5,5 V
Bemerkung: Anstiegszeit 7 µs / Abfallzeit 10 µs
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 10 St.
- 10 St. - erwartet
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.62 EUR |
| 10+ | 2.14 EUR |
| IRF7807VD1 Produktcode: 24875
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 8,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: /9.5
Bemerkung: -
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 8,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,017 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: /9.5
Bemerkung: -
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1 EUR |
| IRFP3077PBF Produktcode: 24931
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 120 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9400/160
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 120 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 9400/160
Montage: THT
auf Bestellung: 33 St.
- 33 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.46 EUR |
| 10+ | 6.03 EUR |
| IRF1010E Produktcode: 24949
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 84 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3210/130
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 84 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3210/130
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF8010PBF Produktcode: 25040
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|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 80 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3830/81
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 80 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3830/81
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.55 EUR |
| 10+ | 2.31 EUR |
| 100+ | 2.17 EUR |
| IRLML5103TR (SOT-23, IR) Produktcode: 25079
1
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|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 0,76 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 78/3,4
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 0,76 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 78/3,4
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 60 St.
- 60 St. - stock Köln
auf Bestellung: 372 St.
- 372 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.15 EUR |
| 10+ | 0.14 EUR |
| 100+ | 0.12 EUR |
| 1000+ | 0.11 EUR |
| MBR1645 Produktcode: 25080
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|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 45 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 16 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,57 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 45 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 16 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,57 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IR3220S Produktcode: 25106
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC Motortreiber
Gehäuse: SO-20
Vc, V: 7 V
Vss, V: 60 V
Iout(peak), A: 6 A
Bemerkung: +IRF7484 (IRF7842)
Markierung: 8542 39 90 00
IC > IC Motortreiber
Gehäuse: SO-20
Vc, V: 7 V
Vss, V: 60 V
Iout(peak), A: 6 A
Bemerkung: +IRF7484 (IRF7842)
Markierung: 8542 39 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF8736TRPBF Produktcode: 25137
3
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0048 Ohm
Bemerkung: -
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0048 Ohm
Bemerkung: -
Montage: SMD
auf Bestellung: 152 St.
- 152 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.58 EUR |
| 10+ | 0.52 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |
| IRF7389PBF Produktcode: 25148
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 7,3/5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren N+P in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 7,3/5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren N+P in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 22 St.
- 22 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.63 EUR |
| 10+ | 0.56 EUR |
| IRFPS37N50A Produktcode: 25171
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: Super-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 36 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5579/180
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: Super-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 36 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5579/180
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.85 EUR |
| 30CTQ060S Produktcode: 25184
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: D2PAK
Sperrspannung Vrrm, V: 60 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 60 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,56 V
Bemerkung: OK 2x30A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: D2PAK
Sperrspannung Vrrm, V: 60 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 60 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,56 V
Bemerkung: OK 2x30A
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.5 EUR |
| 20CJQ030 Produktcode: 25203
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SOT-223
Sperrspannung Vrrm, V: 30 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 1 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,42 V
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 1 A pro Diode.
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 24 А
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SOT-223
Sperrspannung Vrrm, V: 30 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 1 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,42 V
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 1 A pro Diode.
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 24 А
auf Bestellung: 5 St.
- 5 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.67 EUR |
| IRF7341TRPBF Produktcode: 25204
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 4,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/24
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 4,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/24
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 213 St.
- 213 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.3 EUR |
| 10+ | 1.15 EUR |
| 31DQ06 Produktcode: 25232
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-201AD(DO-27)
Sperrspannung Vrrm, V: 60 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 3,3 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,62 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-201AD(DO-27)
Sperrspannung Vrrm, V: 60 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 3,3 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,62 V
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.29 EUR |
| 10+ | 0.25 EUR |
| IRFP23N50LPBF Produktcode: 25263
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/26
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,19 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/26
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 30 St.
- 30 St. - erwartet 05.10.2026
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.19 EUR |
| 10+ | 5.76 EUR |
| IRF7811AVTR Produktcode: 25341
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 28 V
Drain-Strom Idd, A: 11,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1800/23
Bemerkung: -
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 28 V
Drain-Strom Idd, A: 11,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1800/23
Bemerkung: -
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.83 EUR |
| IRF520N Produktcode: 25347
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 9,7 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/25
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 9,7 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/25
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.55 EUR |
| 20ETS08FP Produktcode: 25367
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: TO-220 FULLPACK
Urev., V: 800 V
Iausr., A: 20 A
Beschreibung: 1.1
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: TO-220 FULLPACK
Urev., V: 800 V
Iausr., A: 20 A
Beschreibung: 1.1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF7413Z PBF Produktcode: 25377
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 13 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: -
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 13 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: -
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.68 EUR |
| 10+ | 0.5 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
| IRLU8259 PBF Produktcode: 25379
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 V
Drain-Strom Idd, A: 57 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0087 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 900/6,8
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: I-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 25 V
Drain-Strom Idd, A: 57 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0087 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 900/6,8
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.7 EUR |
| 10+ | 0.63 EUR |
| 100MT160PAPBF (Diodenbrücke) Produktcode: 25424
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: MT...PA
Sperrspannung Urev, V: 1600 V
Durchlassstrom Idir, A: 100 A
Typ der Diodenbrücke: Dreiphasig
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: MT...PA
Sperrspannung Urev, V: 1600 V
Durchlassstrom Idir, A: 100 A
Typ der Diodenbrücke: Dreiphasig
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IR2520DS Produktcode: 25466
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Funktion und Eigenschaften: 600V Vorschaltgerät-Controller mit adaptivem Nullspannungsschalten, internem Überstromschutz und integrierter Bootstrap-Diode
Eingangsspannung, V: 12,6…15,4 V
Ausgangsstrom Iout, A: 230 мА
Frequenz Fosc, kHz: 34…86 kHz
Temperaturbereich: -25…+125°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Funktion und Eigenschaften: 600V Vorschaltgerät-Controller mit adaptivem Nullspannungsschalten, internem Überstromschutz und integrierter Bootstrap-Diode
Eingangsspannung, V: 12,6…15,4 V
Ausgangsstrom Iout, A: 230 мА
Frequenz Fosc, kHz: 34…86 kHz
Temperaturbereich: -25…+125°C
auf Bestellung: 24 St.
- 24 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.94 EUR |
| 10+ | 1.7 EUR |
| IR2110SPBF Produktcode: 25569
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SOIC-16
Versorgungsspannung Uc, V: 500 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 2,0/2,0 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 120/94 ns
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SOIC-16
Versorgungsspannung Uc, V: 500 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 2,0/2,0 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 120/94 ns
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.76 EUR |
| IRFB4227PBF Produktcode: 25579
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 130 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,197 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4600/70
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 130 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,197 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4600/70
Montage: THT
verfügbar: 3 St.
- 3 St. - stock Köln
auf Bestellung: 53 St.
- 53 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.82 EUR |
| 10+ | 7.79 EUR |
| IRS2092PBF Produktcode: 25580
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: DIP-16
Versorgungsspannung Uпит, V: ±100 V
Klirrfaktor Kг, %: 0,01 %
Bemerkung: Vorverstärker der Klasse D (Io = 1 A)
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: DIP-16
Versorgungsspannung Uпит, V: ±100 V
Klirrfaktor Kг, %: 0,01 %
Bemerkung: Vorverstärker der Klasse D (Io = 1 A)
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.81 EUR |
| IRLML5203TRPBF Produktcode: 25596
2
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,098 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 510/9,5
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,098 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 510/9,5
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
ZCODE: 8541 29 00 90
erwartet: 3000 St.
- 3000 St. - erwartet 05.10.2026
auf Bestellung: 1065 St.
- 1065 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.18 EUR |
| 10+ | 0.15 EUR |
| 100+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.11 EUR |
| IRF7416TRPBF Produktcode: 25625
3
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/61
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/61
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
- 15 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.02 EUR |
| 10+ | 0.88 EUR |
| 100+ | 0.79 EUR |
| IRL540NPBF Produktcode: 25626
2
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 36 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1800/74
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 36 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,044 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1800/74
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
verfügbar: 5 St.
- 5 St. - stock Köln
auf Bestellung: 35 St.
- 35 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.19 EUR |
| 10+ | 1.98 EUR |
| PVG612PBF Produktcode: 25670
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: Solid-State
Typ: Solid-State-Fotorelais mit MOSFET-Ausgang (HEXFET®), einpolig, Schließer
Isolationsspannung Uisol, kV: DIP-6
Betriebstemperatur, °C: 60 VDC
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: Solid-State
Typ: Solid-State-Fotorelais mit MOSFET-Ausgang (HEXFET®), einpolig, Schließer
Isolationsspannung Uisol, kV: DIP-6
Betriebstemperatur, °C: 60 VDC
auf Bestellung: 269 St.
- 269 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.19 EUR |
| 10+ | 7.54 EUR |
| IRF7204 Produktcode: 25811
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,060 Ohm
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,060 Ohm
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
- 12 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.94 EUR |
| 10+ | 0.84 EUR |
| 100+ | 0.75 EUR |
| IR2301S Produktcode: 25980
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Uc, V: 625 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,2/0,35 A
Ausgangsspannung Vout, V: 5-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 300/280 ns
Bemerkung: High- und Low-Side-Treiber
Betriebstemperatur, °C: -40…+150°C
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Uc, V: 625 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,2/0,35 A
Ausgangsspannung Vout, V: 5-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 300/280 ns
Bemerkung: High- und Low-Side-Treiber
Betriebstemperatur, °C: -40…+150°C
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.15 EUR |
| IRL5602S Produktcode: 26008
3
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 24 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1460/44
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 24 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1460/44
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
- 12 St. - stock Köln
auf Bestellung: 445 St.
- 445 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.08 EUR |
| 10+ | 0.98 EUR |
| 100+ | 0.86 EUR |
| IRF7331PBF Produktcode: 26137
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1340/13
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1340/13
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.79 EUR |
| 10+ | 0.7 EUR |
| HFA16PA120CPBF (VS-HFA16PA120CPBF) Produktcode: 26182
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-247
Sperrspannung Vrr, V: 1200 V
Mittlerer Strom Iav, A: 16 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 28 ns
Bemerkung: 2x8K
Montage: THT
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: TO-247
Sperrspannung Vrr, V: 1200 V
Mittlerer Strom Iav, A: 16 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 28 ns
Bemerkung: 2x8K
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.69 EUR |
| 10+ | 2.33 EUR |
| IRG4PC40UDPBF Produktcode: 26200
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,72 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 54/110
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,72 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 54/110
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 17.23 EUR |
| 10+ | 3.33 EUR |
| IRF7341PBF Produktcode: 26458
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 4,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/24
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 4,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/24
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.83 EUR |
| 10+ | 0.7 EUR |
| 100+ | 0.63 EUR |
| VS-80CPQ150PBF Produktcode: 26495
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-247AC
Sperrspannung Vrrm, V: 150 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 40 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,71 V
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 40 A pro Diode.
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 500 А
UKTZED: 8541 10 00 90
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-247AC
Sperrspannung Vrrm, V: 150 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 40 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,71 V
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 40 A pro Diode.
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 500 А
UKTZED: 8541 10 00 90
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.27 EUR |
| VS-63CPQ100PBF Produktcode: 26515
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-247AC
Sperrspannung Vrrm, V: 100 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 30 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,64 V
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 30 A pro Diode.
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 410 А
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-247AC
Sperrspannung Vrrm, V: 100 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 30 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,64 V
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 30 A pro Diode.
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 410 А
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.43 EUR |
| IRF1404ZPBF Produktcode: 26520
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Montage: THT
auf Bestellung: 119 St.
- 119 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.27 EUR |
| 10+ | 2.09 EUR |
| 100+ | 1.92 EUR |
| IRFP4227PBF Produktcode: 26521
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 65 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,021 Ohm
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 65 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,021 Ohm
Montage: THT
auf Bestellung: 19 St.
- 19 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.12 EUR |
| IRF3717PBF Produktcode: 26533
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0044 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2890/22
Bemerkung: -
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0044 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2890/22
Bemerkung: -
Montage: SMD
auf Bestellung: 10 St.
- 10 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.79 EUR |
| 10+ | 0.71 EUR |
| IRF7492PBF Produktcode: 26534
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 3,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,079 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1820/39
Bemerkung: -
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 3,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,079 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1820/39
Bemerkung: -
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2 EUR |
| IRF8513PBF Produktcode: 26536
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 8-11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0155 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 766/5,7
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 8-11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0155 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 766/5,7
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 1 St.
- 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1 EUR |
| IRF8734PBF Produktcode: 26537
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 21 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0035 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3175/20
Bemerkung: -
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 21 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0035 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3175/20
Bemerkung: -
Montage: SMD
auf Bestellung: 34 St.
- 34 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.64 EUR |
| 10+ | 1.49 EUR |
| IRL3705ZSPBF Produktcode: 26657
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 75 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2880/40
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Idd, A: 75 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2880/40
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.31 EUR |
| 10+ | 1.13 EUR |
| 36MB140A PBF (Diodenbrücke) Produktcode: 26766
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: D-34A (D-63, MB)
Sperrspannung Urev, V: 1400 V
Durchlassstrom Idir, A: 35 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: D-34A (D-63, MB)
Sperrspannung Urev, V: 1400 V
Durchlassstrom Idir, A: 35 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRLMS6802TRPBF (IR) Produktcode: 26801
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23-6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 В
Drain-Strom Id, A: 4,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,050 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1079/11
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23-6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 В
Drain-Strom Id, A: 4,5 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,050 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1079/11
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.39 EUR |
| 10+ | 0.36 EUR |
| 100+ | 0.32 EUR |
| IRF1010NPBF Produktcode: 26804
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 85 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3210/120
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 85 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3210/120
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
- 12 St. - stock Köln
auf Bestellung: 234 St.
- 234 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.49 EUR |
| 10+ | 1.37 EUR |
| 100+ | 1.24 EUR |
| IRFBC40 Produktcode: 26834
1
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 6,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/60
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 6,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/60
Montage: THT
auf Bestellung: 1 St.
- 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.09 EUR |
| 10+ | 0.99 EUR |
| 100+ | 0.88 EUR |
| IRGB14C40LPBF Produktcode: 26851
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 430 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,5 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 20 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 14 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 125 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 1,35/6
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 430 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,5 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 20 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 14 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 125 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 1,35/6
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.72 EUR |
| 10+ | 2.98 EUR |
| IRLML2803TRPBF Produktcode: 27051
1
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 1,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 85/3,3
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 1,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 85/3,3
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
- 15 St. - stock Köln
auf Bestellung: 663 St.
- 663 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.35 EUR |
| 100+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| IRF7507PBF Produktcode: 27069
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 2,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,135 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 260/5,3
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 2,4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,135 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 260/5,3
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF1405PBF Produktcode: 27155
1
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 169 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 169 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Montage: THT
auf Bestellung: 206 St.
- 206 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.37 EUR |
| 10+ | 2.13 EUR |
| 100+ | 1.9 EUR |
| IRGPS60B120KDP Produktcode: 27288
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: Super-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,5 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 105 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 595 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 72/366
Zolltarifnummer: 8541 29 00 90
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: Super-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,5 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 105 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 60 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 595 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 72/366
Zolltarifnummer: 8541 29 00 90
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 267.75 EUR |
| IRF7822 Produktcode: 27356
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,005 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5500/44
Bemerkung: -
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,005 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5500/44
Bemerkung: -
Montage: SMD
verfügbar: 5 St.
- 5 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.5 EUR |
| 10+ | 1.33 EUR |
| IRFP150NPBF (TO-247AC, IR) Produktcode: 27503
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1900/110
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 42 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,036 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1900/110
Montage: THT
auf Bestellung: 42 St.
- 42 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.94 EUR |
| 10+ | 1.81 EUR |
| IPS022G Produktcode: 27707
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
IC > IC E-Key (Zugriffsschlüssel), Analogmultiplexer
Gehäuse: SOIC-8
Funktionsbeschreibung: Dualer vollgeschützter Leistungs-MOSFET-Schalter
Versorgungsspannung, V: 4...6 V
Bemerkung: Anstiegszeit 0.9 µs / Abfallzeit 1.3 µs
IC > IC E-Key (Zugriffsschlüssel), Analogmultiplexer
Gehäuse: SOIC-8
Funktionsbeschreibung: Dualer vollgeschützter Leistungs-MOSFET-Schalter
Versorgungsspannung, V: 4...6 V
Bemerkung: Anstiegszeit 0.9 µs / Abfallzeit 1.3 µs
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.62 EUR |
| 10+ | 2.14 EUR |
| 100+ | 1.94 EUR |
| IRFP264N Produktcode: 27857
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 44 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3860/210
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247AC
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 В
Drain-Strom Idd, A: 44 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 60 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3860/210
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRL1404ZSPBF Produktcode: 27885
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 В
Drain-Strom Idd, A: 120 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,1 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5080/75
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 В
Drain-Strom Idd, A: 120 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,1 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5080/75
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.83 EUR |
| 10+ | 1.76 EUR |

























