IRF7313TRPBF
Produktcode: 23579
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 6,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 0.9 EUR |
| 10+ | 0.81 EUR |
| 100+ | 0.73 EUR |
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Technische Details IRF7313TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:Dual N Channel
- Drain Source Voltage, Vds:30V
- Continuous Drain Current, Id:6.5A
- On Resistance, Rds(on):29mohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
- Package/Case:8-SOIC
Weitere Produktangebote IRF7313TRPBF nach Preis ab 0.39 EUR bis 2.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IRF7313TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7313TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7313TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7313TRPBF | International Rectifier |
SO-8 Транзистори |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7313TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 7115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7313TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 7115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7313TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
auf Bestellung 49731 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7313TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 3328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRF7313TRPBF | International Rectifier/Infineon |
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
verfügbar 70 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRF7313TRPBF |
IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET |
auf Bestellung 995 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF7313TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.49 EUR |
| 12000+ | 0.46 EUR |
| IRF7313TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.5 EUR |
| 12000+ | 0.49 EUR |
| IRF7313TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.54 EUR |
| 12000+ | 0.52 EUR |
| IRF7313TRPBF |
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Hersteller: International Rectifier
SO-8 Транзистори
SO-8 Транзистори
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 1.15 EUR |
| IRF7313TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 104+ | 1.69 EUR |
| 151+ | 1.12 EUR |
| 197+ | 0.82 EUR |
| 221+ | 0.7 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| 4000+ | 0.39 EUR |
| IRF7313TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 104+ | 1.69 EUR |
| 151+ | 1.14 EUR |
| 197+ | 0.86 EUR |
| 221+ | 0.74 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| 4000+ | 0.44 EUR |
| IRF7313TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 49731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 2.05 EUR |
| 17+ | 1.3 EUR |
| 50+ | 0.95 EUR |
| 100+ | 0.84 EUR |
| 500+ | 0.65 EUR |
| IRF7313TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF7313TRPBF |
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 70 Stücke:
| IRF7313TRPBF |
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IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 995 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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| Adapter SO8 / MSOP8-DIP8 doppelseitig Produktcode: 88555
12
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Lieblingsprodukt
|
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Beschreibung: Adapter SO8 / MSOP8-DIP8 doppelseitig
Typ: Adapter
Art: doppelseitig
Beschreibung: Adapter SO8 / MSOP8-DIP8 doppelseitig
Typ: Adapter
Art: doppelseitig
erwartet: 45 St.
- 5 St. - erwartet
- 40 St. - erwartet
auf Bestellung: 107 St.
- 107 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.35 EUR |
| 10+ | 0.29 EUR |
| 100+ | 0.13 EUR |
| 1000+ | 0.11 EUR |
| IRF7389PBF Produktcode: 25148
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 7,3/5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren N+P in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 7,3/5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren N+P in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 22 St.
- 22 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 0.63 EUR |
| 10+ | 0.56 EUR |
| IRF9540NPBF Produktcode: 31944
4
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,117 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/97
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 23 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,117 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/97
Montage: THT
auf Bestellung: 424 St.
- 424 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 0.96 EUR |
| 10+ | 0.86 EUR |
| MC33063ADR Produktcode: 36210
3
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Funktion und Eigenschaften: DC/DC-Schaltregler, Aufwärts-/Abwärts-/invertierender Schalter
Eingangsspannung, V: 40 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1,5 A
Frequenz Fosc, kHz: 100 kHz
Temperaturbereich: -40…+85°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Funktion und Eigenschaften: DC/DC-Schaltregler, Aufwärts-/Abwärts-/invertierender Schalter
Eingangsspannung, V: 40 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1,5 A
Frequenz Fosc, kHz: 100 kHz
Temperaturbereich: -40…+85°C
auf Bestellung: 472 St.
- 472 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 0.5 EUR |
| 10+ | 0.45 EUR |
| 100+ | 0.38 EUR |
| 4,7nF 1000V X7R 10% 1206 2k/reel (C1206B472K102N2-Hitano) (Keramikkondensatoren SMD) Produktcode: 43266
1
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 4,7 nF
Nennspannung: 1000 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
UKTZED: 8532 24 00 00
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 4,7 nF
Nennspannung: 1000 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
UKTZED: 8532 24 00 00
erwartet: 4000 St.
- 4000 St. - erwartet
auf Bestellung: 319 St.
- 319 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 0.12 EUR |
| 100+ | 0.067 EUR |
| 1000+ | 0.056 EUR |
| 10000+ | 0.046 EUR |










