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IRF7313TRPBF

IRF7313TRPBF

irf7313 -datasheet.pdf
Produktcode: 23579
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 6,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Два транзистори в одному корпусі
Montage: SMD
verfügbar: 264 St.
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IRF7313TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:Dual N Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:30V
  • Continuous Drain Current, Id:6.5A
  • On Resistance, Rds(on):29mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Package/Case:8-SOIC

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 description Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.67 EUR
8000+0.62 EUR
12000+0.6 EUR
20000+0.56 EUR
28000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF International Rectifier irf7313pbf.pdf description SO-8 Транзистори
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.5A
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 3376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.31 EUR
113+0.76 EUR
140+0.61 EUR
250+0.57 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies infineonirf7313datasheeten.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.63 EUR
156+1.12 EUR
223+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
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IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF Infineon Technologies irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 description Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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8+2.67 EUR
13+1.67 EUR
100+1.09 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.77 EUR
2000+0.7 EUR
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IRF7313TRPBF International Rectifier/Infineon Infineon-IRF7313-DataSheet-v01_01-EN.pdf description 2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 70 Stücke:
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IRF7313TRPBF irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 description IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET
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IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
IRF7313TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
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Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
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SO-8 Транзистори
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IRF7313TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Power dissipation: 2W
Kind of package: reel
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.5A
Drain-source voltage: 30V
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Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
IRF7313TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRF7313TRPBF description Infineon-IRF7313-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 33 @ 10 В, Rds = 29 мОм @ 5,8 А, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-SOIC Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
IRF7313TRPBF Транзисторы HEXFET
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IRF7389PBF
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Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 7,3/5,3A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren N+P in einem Gehäuse
Montage: SMD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MC33063ADR
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fmc33063a
MC33063ADR
Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Funktion und Eigenschaften: DC/DC Switching Regulators Peak Boost/ Buck/Inverting Swit
Spannung eing., V: 40 V
I-ausg., A: 1,5 A
Fosc, kHz: 100 kHz
Temperaturbereich: -40…+85°C
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10+0.45 EUR
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Lochrasterplatine 2x8 doppelseitig, grün
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Lochrasterplatine 2x8 doppelseitig, grünLochrasterplatine 2x8 doppelseitig, grün
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Abmessungen: 20x80 mm
Beschreibung: Lochrasterplatine doppelseitig mit durchkontaktierten Bohrungen, Raster: 2.54mm, Bohrungsdurchmesser: 1mm, 168 Lötbohrungen, 4 Befestigungsbohrungen
Typ: Lochrasterplatine zum Löten
Art: doppelseitig
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erwartet: 3000 St.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Kabelbinder 3x100мм 100 Stk.
Produktcode: 180623
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Kabelbinder 3x100мм 100 Stk.
Hersteller: Ruicheng
Verstärkungs- und Metallstangen > Kabelbinder
Beschreibung: Nylon-Kabelbinder, Packung 100 Stück
Länge, mm: 100
Breite, mm: 3
Material: Nylon
auf Bestellung 1612 Verpackung:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 2000 Verpackung:
2000 Verpackung - erwartet 02.09.2026
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