| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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IR2101PBF Produktcode: 22631
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Lieblingsprodukt
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IR |
IC > IC Transistoren-TreiberGehäuse: DIP-8 Versorgungsspannung Uc, V: 600 V Ausgangsstrom Io ±, A: 0,13/0,27 A Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 160/150 ns Bemerkung: Treiber für Leistungs-Feldeffekttransistoren Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C Konfiguration: Halbbrücke |
auf Bestellung: 60 St.
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IR2102 Produktcode: 22632
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Lieblingsprodukt
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IR |
IC > IC Transistoren-TreiberGehäuse: SO-8 Versorgungsspannung Uc, V: 600 V Ausgangsstrom Io ±, A: 0,13/0,27 A Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 160/150 ns Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C |
Produkt ist nicht verfügbar
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IR2103S Produktcode: 22633
1
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IR |
IC > IC Transistoren-TreiberGehäuse: SO-8 Versorgungsspannung Uc, V: 600 V Ausgangsstrom Io ±, A: 0,13/0,27 A Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 680/150 ns Bemerkung: Halbbrücke Konfiguration: Halbbrücke |
erwartet: 10 St.
auf Bestellung: 152 St.
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IRF540PBF Produktcode: 22634
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 28 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/72 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF640PBF Produktcode: 22635
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 18 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm Montage: THT ZCODE: 8541290090 |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRF710PBF Produktcode: 22637
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V Drain-Strom Idd, A: 2 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF720PBF Produktcode: 22638
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V Drain-Strom Idd, A: 3,3 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm Montage: THT ZCODE: 8541290090 |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7301PBF Produktcode: 22639
1
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Idd, A: 5,7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 660/20 Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse Montage: SMD |
auf Bestellung: 41 St.
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IRF7311PBF_1 Produktcode: 22640
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Idd, A: 6,6 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 900/18 Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse Montage: SMD |
verfügbar: 12 St.
auf Bestellung: 1 St.
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IRF7403PBF Produktcode: 22641
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 8,5 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/57 Bemerkung: - Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7404PBF Produktcode: 22642
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Id, A: 6,7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,040 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1500/50 Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF740AS Produktcode: 22643
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V Drain-Strom Idd, A: 10 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1030/36 Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7473 Produktcode: 22644
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 6,9 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,026 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3180/61 Bemerkung: - Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF9640PBF Produktcode: 22646
1
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Id, A: 11 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/44 Montage: THT |
auf Bestellung: 18 St.
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26MB60APBF (Diodenbrücke) Produktcode: 22652
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und BaugruppenGehäuse: D-34A (D-63, MB, SKBPC) Sperrspannung Urev, V: 600 V Durchlassstrom Idir, A: 25 A Typ der Diodenbrücke: Einphasig |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRFP460LCPBF Produktcode: 22653
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V Drain-Strom Idd, A: 20 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/120 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRFBE30 Produktcode: 23059
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V Drain-Strom Idd, A: 4,1 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/78 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFL014NTRPBF Produktcode: 23060
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SOT-223 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 2,7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 300/11 Montage: SMD |
verfügbar: 12 St.
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IRFL014NPBF Produktcode: 23061
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SOT-223 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 2,7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 300/11 Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP064N Produktcode: 23063
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 110 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4000/170 Montage: THT |
verfügbar: 6 St.
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IRFP90N20DPBF Produktcode: 23066
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 94 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6040/180 Montage: THT |
auf Bestellung: 25 St.
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IRFPG50PBF Produktcode: 23069
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 1000 V Drain-Strom Idd, A: 6,1 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2 Ohm Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRFR9024NTRPBF Produktcode: 23070
6
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: D-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Id, A: 11 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19 Montage: SMD |
verfügbar: 15 St.
auf Bestellung: 746 St.
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25CTQ045S Produktcode: 23080
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Lieblingsprodukt
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > SchottkydiodenGehäuse: D2PAK Sperrspannung Vrrm, V: 40 V Durchlassstrom (per leg) If, A: 30 A Durchlassspannung Vf, V: 0,5 V Bemerkung: OK 2x15 Stoßstrom Ifsm, A: 250 А |
Produkt ist nicht verfügbar
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VS-25CTQ045 Produktcode: 23086
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Lieblingsprodukt
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > SchottkydiodenGehäuse: TO-220 Sperrspannung Vrrm, V: 40 V Durchlassstrom (per leg) If, A: 30 A Durchlassspannung Vf, V: 0,5 V Bemerkung: OK 2x15 |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF2804 PBF Produktcode: 23326
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 75 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,002 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6450/160 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IR2153PBF Produktcode: 23423
1
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Lieblingsprodukt
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IR |
IC > IC Transistoren-TreiberGehäuse: DIP-8 Versorgungsspannung Uc, V: 600 V Ausgangsstrom Io ±, A: 0,1/0,1 А Ausgangsspannung Vout, V: 15,6 V Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 80/40 ns Bemerkung: Selbstschwingender Halbbrückentreiber Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C Konfiguration: Halbbrücke |
erwartet: 150 St.
auf Bestellung: 58 St.
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IRG4PH50KD Produktcode: 23471
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V Sättigungsspannung Vce, V: 2,77 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 45 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 24 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W |
auf Bestellung: 6 St.
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IRF8313PBF Produktcode: 23488
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 9,7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 760/6 Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse Montage: SMD |
auf Bestellung: 14 St.
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6CWQ10FNPBF Produktcode: 23512
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Lieblingsprodukt
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > SchottkydiodenGehäuse: D-Pak (TO-252) Sperrspannung Vrrm, V: 100 V Durchlassstrom (per leg) If, A: 3,5 A Durchlassspannung Vf, V: 0,81 V Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 3,5 A pro Diode. Montage: SMD Stoßstrom Ifsm, A: 70 А |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7842PBF Produktcode: 23513
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 18 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,005 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4500/33 Bemerkung: - Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IR21531PBF Produktcode: 23543
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Lieblingsprodukt
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IR |
IC > IC Transistoren-TreiberGehäuse: DIP-8 Versorgungsspannung Uc, V: 600 V Ausgangsstrom Io ±, A: 0,05 А Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 80/40 ns Bemerkung: Selbstschwingender Halbbrückentreiber Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C Konfiguration: Halbbrücke |
auf Bestellung: 22 St.
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IRF7313TRPBF Produktcode: 23579
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 6,5 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22 Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse Montage: SMD |
verfügbar: 12 St.
auf Bestellung: 223 St.
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IRF5851 Produktcode: 23586
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TSOP-6 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Idd, A: 2,7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,09 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 400/4 Bemerkung: N+P Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF2807 Produktcode: 23680
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V Drain-Strom Idd, A: 82 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
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IRF3415 Produktcode: 23681
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V Drain-Strom Idd, A: 43 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF350 Produktcode: 23682
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-3 Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 В Drain-Strom Idd, A: 14 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ом Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF3710 Produktcode: 23683
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 57 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF450 Produktcode: 23684
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-3 Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V Drain-Strom Idd, A: 12 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/72 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF710 Produktcode: 23685
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V Drain-Strom Idd, A: 2 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 170/17 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF540G Produktcode: 23705
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 28 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFPE30 Produktcode: 23708
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V Drain-Strom Idd, A: 4,1 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/78 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7104PBF Produktcode: 23932
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Id, A: 2,3 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm Anmerkung: 2P Montage: SMD |
auf Bestellung: 67 St.
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IRS21850SPBF Produktcode: 23946
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Lieblingsprodukt
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IR |
IC > IC NetzteileGehäuse: SO-8 Funktion und Eigenschaften: 600V einzelner High-Side-Treiber mit laufzeitangepassten Ausgangskanälen Eingangsspannung, V: 10…20 V Ausgangsstrom Iout, A: 4 A Temperaturbereich: -40…+125°C |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRS2186PBF Produktcode: 23947
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Lieblingsprodukt
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IR |
IC > IC NetzteileGehäuse: DIP-8 Funktion und Eigenschaften: High- und Low-Side-Treiber mit Ausgangsstrom (Source/Sink) von 4A und 4A Eingangsspannung, V: 10…20 V Ausgangsstrom Iout, A: 4 A Temperaturbereich: -40…+125°C |
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IRS2541PBF Produktcode: 23948
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Lieblingsprodukt
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IR |
IC > IC NetzteileGehäuse: DIP-8 Funktion und Eigenschaften: Halbbrückentreiber, LED-Abwärtsregler |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRF7471PBF Produktcode: 23971
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 10 A Bemerkung: - Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRG4BC40U Produktcode: 24013
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-220AB Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 1,72 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRG4PH40KDPBF Produktcode: 24014
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V Sättigungsspannung Vce, V: 2,74 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 30 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 15 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W |
auf Bestellung: 1 St.
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IRGB4065PBF Produktcode: 24015
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 300 V Sättigungsspannung Vce, V: 1,75 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 178 W |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRF7319PBF Produktcode: 24016
1
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 6,3 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22 Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse Montage: SMD |
auf Bestellung: 26 St.
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IRL3705NPBF Produktcode: 24017
6
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220AB Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 89 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/98 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT |
verfügbar: 6 St.
auf Bestellung: 224 St.
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IRF740PBF Produktcode: 24032
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V Drain-Strom Idd, A: 10 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm Montage: THT |
verfügbar: 6 St.
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IRG4PC50WPBF Produktcode: 24036
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 2,3 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 55 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 27 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 178 W |
auf Bestellung: 2 St.
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IRF7201PBF Produktcode: 24055
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Lieblingsprodukt
|
IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 7,3 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 550/19 Bemerkung: - Montage: SMD |
auf Bestellung: 25 St.
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IRF1407PBF Produktcode: 24062
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V Drain-Strom Idd, A: 130 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5600/160 Montage: THT |
verfügbar: 2 St.
auf Bestellung: 79 St.
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IRFZ46 Produktcode: 24066
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Lieblingsprodukt
|
IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V Drain-Strom Idd, A: 50 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1800/65 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFP240PBF Produktcode: 24070
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Lieblingsprodukt
|
IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 20 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/70 Montage: THT |
auf Bestellung: 1 St.
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IRS2092 Produktcode: 24234
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Lieblingsprodukt
|
IR |
IC > IC Niederfrequenzverstärker Gehäuse: DIP-16 Versorgungsspannung Uпит, V: 10...18 V Leistung P, W: 500 W Lastwiderstand R, Ohm: 4 Ohm Bemerkung: Geschützter digitaler Audioverstärker; Kanäle: 1; Betriebstemperatur: -40…+125 °C |
Produkt ist nicht verfügbar
|
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
|
IRLZ14 Produktcode: 24762
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Lieblingsprodukt
|
IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 10 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 400/8,4 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
|
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| IR2101PBF Produktcode: 22631
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,13/0,27 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 160/150 ns
Bemerkung: Treiber für Leistungs-Feldeffekttransistoren
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,13/0,27 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 160/150 ns
Bemerkung: Treiber für Leistungs-Feldeffekttransistoren
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
auf Bestellung: 60 St.
- 60 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.7 EUR |
| 10+ | 4.27 EUR |
| IR2102 Produktcode: 22632
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,13/0,27 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 160/150 ns
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,13/0,27 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 160/150 ns
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.25 EUR |
| IR2103S Produktcode: 22633
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,13/0,27 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 680/150 ns
Bemerkung: Halbbrücke
Konfiguration: Halbbrücke
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,13/0,27 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 680/150 ns
Bemerkung: Halbbrücke
Konfiguration: Halbbrücke
erwartet: 10 St.
- 10 St. - erwartet
auf Bestellung: 152 St.
- 152 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.39 EUR |
| 10+ | 1.24 EUR |
| IRF540PBF Produktcode: 22634
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 28 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/72
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 28 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/72
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.88 EUR |
| 10+ | 0.77 EUR |
| 100+ | 0.7 EUR |
| IRF640PBF Produktcode: 22635
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Montage: THT
ZCODE: 8541290090
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Montage: THT
ZCODE: 8541290090
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF710PBF Produktcode: 22637
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.58 EUR |
| 10+ | 0.55 EUR |
| 100+ | 0.52 EUR |
| IRF720PBF Produktcode: 22638
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 3,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Montage: THT
ZCODE: 8541290090
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 3,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Montage: THT
ZCODE: 8541290090
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.73 EUR |
| 10+ | 0.64 EUR |
| IRF7301PBF Produktcode: 22639
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 5,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 660/20
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 5,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 660/20
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 41 St.
- 41 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.96 EUR |
| 10+ | 0.86 EUR |
| IRF7311PBF_1 Produktcode: 22640
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 6,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 900/18
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 6,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 900/18
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
- 12 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1 St.
- 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.75 EUR |
| 10+ | 0.69 EUR |
| 100+ | 0.52 EUR |
| IRF7403PBF Produktcode: 22641
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 8,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/57
Bemerkung: -
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 8,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/57
Bemerkung: -
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.64 EUR |
| 10+ | 0.54 EUR |
| IRF7404PBF Produktcode: 22642
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 6,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,040 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1500/50
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 6,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,040 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1500/50
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.68 EUR |
| 10+ | 0.5 EUR |
| IRF740AS Produktcode: 22643
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1030/36
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1030/36
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.76 EUR |
| IRF7473 Produktcode: 22644
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 6,9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,026 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3180/61
Bemerkung: -
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 6,9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,026 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3180/61
Bemerkung: -
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.83 EUR |
| IRF9640PBF Produktcode: 22646
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/44
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/44
Montage: THT
auf Bestellung: 18 St.
- 18 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.73 EUR |
| 10+ | 1.58 EUR |
| 100+ | 1.48 EUR |
| 26MB60APBF (Diodenbrücke) Produktcode: 22652
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: D-34A (D-63, MB, SKBPC)
Sperrspannung Urev, V: 600 V
Durchlassstrom Idir, A: 25 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: D-34A (D-63, MB, SKBPC)
Sperrspannung Urev, V: 600 V
Durchlassstrom Idir, A: 25 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFP460LCPBF Produktcode: 22653
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/120
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/120
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFBE30 Produktcode: 23059
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 4,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/78
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 4,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/78
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.83 EUR |
| 10+ | 1.5 EUR |
| IRFL014NTRPBF Produktcode: 23060
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 2,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 300/11
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 2,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 300/11
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
- 12 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.63 EUR |
| IRFL014NPBF Produktcode: 23061
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 2,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 300/11
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 2,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 300/11
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.83 EUR |
| 10+ | 0.68 EUR |
| IRFP064N Produktcode: 23063
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4000/170
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4000/170
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
- 6 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.81 EUR |
| 10+ | 1.67 EUR |
| 100+ | 1.57 EUR |
| IRFP90N20DPBF Produktcode: 23066
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 94 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6040/180
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 94 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6040/180
Montage: THT
auf Bestellung: 25 St.
- 25 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.25 EUR |
| 10+ | 6.77 EUR |
| IRFPG50PBF Produktcode: 23069
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 1000 V
Drain-Strom Idd, A: 6,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 1000 V
Drain-Strom Idd, A: 6,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFR9024NTRPBF Produktcode: 23070
6
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 11 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
- 15 St. - stock Köln
auf Bestellung: 746 St.
- 746 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.64 EUR |
| 10+ | 0.58 EUR |
| 100+ | 0.52 EUR |
| 25CTQ045S Produktcode: 23080
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: D2PAK
Sperrspannung Vrrm, V: 40 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 30 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,5 V
Bemerkung: OK 2x15
Stoßstrom Ifsm, A: 250 А
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: D2PAK
Sperrspannung Vrrm, V: 40 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 30 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,5 V
Bemerkung: OK 2x15
Stoßstrom Ifsm, A: 250 А
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.57 EUR |
| VS-25CTQ045 Produktcode: 23086
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 40 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 30 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,5 V
Bemerkung: OK 2x15
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 40 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 30 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,5 V
Bemerkung: OK 2x15
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.83 EUR |
| IRF2804 PBF Produktcode: 23326
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,002 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6450/160
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,002 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6450/160
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.33 EUR |
| 10+ | 2 EUR |
| IR2153PBF Produktcode: 23423
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,1/0,1 А
Ausgangsspannung Vout, V: 15,6 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 80/40 ns
Bemerkung: Selbstschwingender Halbbrückentreiber
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,1/0,1 А
Ausgangsspannung Vout, V: 15,6 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 80/40 ns
Bemerkung: Selbstschwingender Halbbrückentreiber
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
erwartet: 150 St.
- 150 St. - erwartet 05.10.2026
auf Bestellung: 58 St.
- 58 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.88 EUR |
| 10+ | 1.69 EUR |
| 100+ | 1.51 EUR |
| IRG4PH50KD Produktcode: 23471
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,77 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 45 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 24 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,77 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 45 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 24 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W
auf Bestellung: 6 St.
- 6 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.71 EUR |
| 10+ | 9.48 EUR |
| IRF8313PBF Produktcode: 23488
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 9,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 760/6
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 9,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,015 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 760/6
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 14 St.
- 14 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.51 EUR |
| 10+ | 2.27 EUR |
| 6CWQ10FNPBF Produktcode: 23512
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Sperrspannung Vrrm, V: 100 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 3,5 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,81 V
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 3,5 A pro Diode.
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 70 А
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Sperrspannung Vrrm, V: 100 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 3,5 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,81 V
Bemerkung: Aufbau: zwei Dioden in einem Gehäuse, gemeinsame Kathode, Strom 3,5 A pro Diode.
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 70 А
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.25 EUR |
| 10+ | 1.13 EUR |
| IRF7842PBF Produktcode: 23513
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,005 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4500/33
Bemerkung: -
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,005 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4500/33
Bemerkung: -
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.5 EUR |
| IR21531PBF Produktcode: 23543
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,05 А
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 80/40 ns
Bemerkung: Selbstschwingender Halbbrückentreiber
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 600 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 0,05 А
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 80/40 ns
Bemerkung: Selbstschwingender Halbbrückentreiber
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
auf Bestellung: 22 St.
- 22 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.33 EUR |
| 10+ | 3.09 EUR |
| IRF7313TRPBF Produktcode: 23579
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 6,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 6,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
- 12 St. - stock Köln
auf Bestellung: 223 St.
- 223 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.9 EUR |
| 10+ | 0.81 EUR |
| 100+ | 0.73 EUR |
| IRF5851 Produktcode: 23586
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TSOP-6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 2,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,09 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 400/4
Bemerkung: N+P
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TSOP-6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 2,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,09 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 400/4
Bemerkung: N+P
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.5 EUR |
| IRF2807 Produktcode: 23680
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 82 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 82 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,013 Ohm
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF3415 Produktcode: 23681
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Idd, A: 43 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Idd, A: 43 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,042 Ohm
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.92 EUR |
| IRF350 Produktcode: 23682
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 В
Drain-Strom Idd, A: 14 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ом
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 В
Drain-Strom Idd, A: 14 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ом
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.63 EUR |
| IRF3710 Produktcode: 23683
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 57 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 57 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.9 EUR |
| 10+ | 0.87 EUR |
| IRF450 Produktcode: 23684
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/72
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-3
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/72
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.33 EUR |
| IRF710 Produktcode: 23685
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 170/17
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,6 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 170/17
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.68 EUR |
| 10+ | 0.63 EUR |
| IRF540G Produktcode: 23705
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 28 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 28 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,077 Ohm
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.83 EUR |
| IRFPE30 Produktcode: 23708
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 4,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/78
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 4,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/78
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.93 EUR |
| 10+ | 2.33 EUR |
| IRF7104PBF Produktcode: 23932
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 2,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 2,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Anmerkung: 2P
Montage: SMD
auf Bestellung: 67 St.
- 67 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.7 EUR |
| 10+ | 0.64 EUR |
| IRS21850SPBF Produktcode: 23946
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Funktion und Eigenschaften: 600V einzelner High-Side-Treiber mit laufzeitangepassten Ausgangskanälen
Eingangsspannung, V: 10…20 V
Ausgangsstrom Iout, A: 4 A
Temperaturbereich: -40…+125°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Funktion und Eigenschaften: 600V einzelner High-Side-Treiber mit laufzeitangepassten Ausgangskanälen
Eingangsspannung, V: 10…20 V
Ausgangsstrom Iout, A: 4 A
Temperaturbereich: -40…+125°C
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4 EUR |
| 10+ | 1.09 EUR |
| 100+ | 0.99 EUR |
| IRS2186PBF Produktcode: 23947
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Funktion und Eigenschaften: High- und Low-Side-Treiber mit Ausgangsstrom (Source/Sink) von 4A und 4A
Eingangsspannung, V: 10…20 V
Ausgangsstrom Iout, A: 4 A
Temperaturbereich: -40…+125°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Funktion und Eigenschaften: High- und Low-Side-Treiber mit Ausgangsstrom (Source/Sink) von 4A und 4A
Eingangsspannung, V: 10…20 V
Ausgangsstrom Iout, A: 4 A
Temperaturbereich: -40…+125°C
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.12 EUR |
| IRS2541PBF Produktcode: 23948
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Funktion und Eigenschaften: Halbbrückentreiber, LED-Abwärtsregler
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Funktion und Eigenschaften: Halbbrückentreiber, LED-Abwärtsregler
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF7471PBF Produktcode: 23971
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Bemerkung: -
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Bemerkung: -
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.88 EUR |
| 10+ | 1.73 EUR |
| IRG4BC40U Produktcode: 24013
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,72 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,72 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.48 EUR |
| 10+ | 2.38 EUR |
| IRG4PH40KDPBF Produktcode: 24014
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,74 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 30 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 15 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,74 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 30 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 15 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
auf Bestellung: 1 St.
- 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.31 EUR |
| 10+ | 7.64 EUR |
| IRGB4065PBF Produktcode: 24015
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 300 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,75 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 178 W
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 300 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,75 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 70 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 40 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 178 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF7319PBF Produktcode: 24016
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 6,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 6,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
auf Bestellung: 26 St.
- 26 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.52 EUR |
| 10+ | 1.36 EUR |
| 100+ | 1.21 EUR |
| IRL3705NPBF Produktcode: 24017
6
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 89 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/98
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 89 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3600/98
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
- 6 St. - stock Köln
auf Bestellung: 224 St.
- 224 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.18 EUR |
| 10+ | 1.07 EUR |
| IRF740PBF Produktcode: 24032
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
- 6 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.64 EUR |
| 10+ | 1.51 EUR |
| 100+ | 0.54 EUR |
| IRG4PC50WPBF Produktcode: 24036
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,3 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 55 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 27 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 178 W
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,3 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 55 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 27 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 178 W
auf Bestellung: 2 St.
- 2 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 16.41 EUR |
| 10+ | 3.57 EUR |
| IRF7201PBF Produktcode: 24055
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 7,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 550/19
Bemerkung: -
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 7,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,03 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 550/19
Bemerkung: -
Montage: SMD
auf Bestellung: 25 St.
- 25 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.52 EUR |
| 10+ | 0.46 EUR |
| 100+ | 0.42 EUR |
| IRF1407PBF Produktcode: 24062
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 130 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5600/160
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 75 V
Drain-Strom Idd, A: 130 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0078 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5600/160
Montage: THT
verfügbar: 2 St.
- 2 St. - stock Köln
auf Bestellung: 79 St.
- 79 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.96 EUR |
| 10+ | 1.82 EUR |
| IRFZ46 Produktcode: 24066
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1800/65
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1800/65
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.76 EUR |
| 10+ | 0.73 EUR |
| IRFP240PBF Produktcode: 24070
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/70
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 20 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/70
Montage: THT
auf Bestellung: 1 St.
- 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.84 EUR |
| 10+ | 3.58 EUR |
| IRS2092 Produktcode: 24234
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: IR
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: DIP-16
Versorgungsspannung Uпит, V: 10...18 V
Leistung P, W: 500 W
Lastwiderstand R, Ohm: 4 Ohm
Bemerkung: Geschützter digitaler Audioverstärker; Kanäle: 1; Betriebstemperatur: -40…+125 °C
IC > IC Niederfrequenzverstärker
Gehäuse: DIP-16
Versorgungsspannung Uпит, V: 10...18 V
Leistung P, W: 500 W
Lastwiderstand R, Ohm: 4 Ohm
Bemerkung: Geschützter digitaler Audioverstärker; Kanäle: 1; Betriebstemperatur: -40…+125 °C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRLZ14 Produktcode: 24762
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 400/8,4
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 400/8,4
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.83 EUR |





















