| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IRF9Z14 Produktcode: 40267
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Id, A: 6,7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 270/12 Montage: THT |
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IRF6215PBF Produktcode: 38755
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V Drain-Strom Id, A: 13 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 860/66 Montage: THT |
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IRG4PH40UDPBF Produktcode: 37004
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V Sättigungsspannung Vce, V: 2,43 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 41 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 21 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 5-40 KHz |
auf Bestellung 14 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLI530G-LF33 Produktcode: 14598
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Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Montage: THT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRG4PC40KDPBF Produktcode: 40711
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 2,1 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 42 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 25 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 5-25 KHz |
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36MT60 (Diodenbrücke) Produktcode: 12263
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und BaugruppenGehäuse: D-34A (D-63, MB) Sperrspannung Urev, V: 600 V Durchlassstrom Idir, A: 35 A Typ der Diodenbrücke: Dreiphasig Kann ersetzen:: SKBPC35-06 Montage: THT Impulsstrom, A: 475 А |
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IRG4PC40UPBF Produktcode: 40713
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 1,72 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 8-60 KHz |
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IRF634 Produktcode: 18551
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220AB Montage: THT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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31DQ06N Produktcode: 4103
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle Gehäuse: DO-41 Sperrspannung Vrr, V: 60 V Mittlerer Strom Iav, A: 3,3 A Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 3,3 ns Montage: THT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRLI530 Produktcode: 14597
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Montage: THT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRF624 Produktcode: 7924
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 V Drain-Strom Idd, A: 4,1 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 335/14 Montage: THT |
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IRFZ48N Produktcode: 14594
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220AB Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 49 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2200/85 Montage: THT |
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IRFR220N Produktcode: 7943
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 4,6 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm Montage: SMD |
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MBR1635 Produktcode: 13147
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > SchottkydiodenGehäuse: TO-220 Sperrspannung Vrrm, V: 35 V Durchlassstrom (per leg) If, A: 16 A Bemerkung: Schottky-Dioden |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRFP22N60KPBF Produktcode: 35348
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V Drain-Strom Idd, A: 22 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3570/150 Montage: THT |
auf Bestellung 11 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF614 Produktcode: 7922
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-263 Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 V Drain-Strom Idd, A: 2,8 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 180/8,5 Montage: SMD |
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MBRS360TR Produktcode: 12975
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > SchottkydiodenGehäuse: SMC (DO-214AB) Sperrspannung Vrrm, V: 60 V Durchlassstrom (per leg) If, A: 3 A |
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IRF620 Produktcode: 7923
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 5 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm Montage: THT |
verfügbar: 12 St.
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MBR1035 Produktcode: 13146
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > SchottkydiodenGehäuse: TO-220 Sperrspannung Vrrm, V: 35 V Durchlassstrom (per leg) If, A: 10 A Bemerkung: Schottky-Gleichrichterdioden, Differenzzähler |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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MBR2035 Produktcode: 13148
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > SchottkydiodenGehäuse: TO-220 Sperrspannung Vrrm, V: 35 V Durchlassstrom (per leg) If, A: 20 A Bemerkung: Schottky-Dioden |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRF7303 Produktcode: 7928
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 4,9 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse Montage: SMD |
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IRF1405ZPBF Produktcode: 35347
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 75 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5480/170 Montage: THT |
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MBRS140TR Produktcode: 7984
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > SchottkydiodenGehäuse: SMB (DO-214AA) Sperrspannung Vrrm, V: 40 V Durchlassstrom (per leg) If, A: 1 A |
auf Bestellung 3 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF540ZPBF Produktcode: 42002
3
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Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 36 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1770/42 Montage: THT |
auf Bestellung 12 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) erwartet 55 St.: |
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Halbleiterrelais PVX6012 Produktcode: 36940
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RelaisRelaistyp: Halbleiterrelais Beschreibung: Kontakttyp: 2C; USpule: 1,2V; I-Schalt: 1A Abmessungen: DIP-14-4 Spulenspannung: 1,2 VDC Strom max.: 1 А Kontaktkonfiguration: SPST-NO(1A) 8541 40 90 00 |
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IRLML2402TRPBF Produktcode: 1173
2
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Idd, A: 1,2 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 110/2,6 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD |
auf Bestellung 3551 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRU3037CF Produktcode: 17732
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IC > IC NetzteileGehäuse: TSSOP-8 Funktion und Eigenschaften: Synchroner PWM-Controller. |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRLU120NPBF Produktcode: 48939
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Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-251 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В Drain-Strom Idd, A: 10 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,185 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/20 Montage: THT ZCODE: 8542 31 90 00 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRGP4063DPBF Produktcode: 31891
1
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 1,65 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 96 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 48 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 330 W Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 60/145 |
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IRFPS43N50KPBF Produktcode: 36735
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Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: Super-247 Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V Drain-Strom Idd, A: 47 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,078 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 8310/350 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF9Z30PBF Produktcode: 40285
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V Drain-Strom Id, A: 18 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,14 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 900/28 Montage: THT |
auf Bestellung 6 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRG4IBC30W Produktcode: 14596
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 2,7 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 17 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 8,4 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 45 W Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 25/99 |
auf Bestellung 16 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF5305PBF Produktcode: 40618
4
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Id, A: 31 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63 Montage: THT |
auf Bestellung 407 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLML2502 Produktcode: 4180
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Idd, A: 4,2 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/8 Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRLR014ATF (AUIRLR014N) Produktcode: 16502
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRG4PC50UDPBF Produktcode: 17973
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren IGBT, LeistungsmoduleGehäuse: TO-247 Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V Sättigungsspannung Vce, V: 1,65 V Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 55 A Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 27 A Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 44/240 |
Produkt ist nicht verfügbar
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IR2110PBF Produktcode: 28037
3
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Lieblingsprodukt
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IR |
IC > IC Transistoren-TreiberGehäuse: DIP-14 Versorgungsspannung Uc, V: 500 V Ausgangsstrom Io ±, A: 2,0/2,0 A Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 120/94 ns Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C Konfiguration: Halbbrücke |
auf Bestellung 45 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IR4427SPBF Produktcode: 35441
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Lieblingsprodukt
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IR |
IC > IC Transistoren-TreiberGehäuse: SO-8 Versorgungsspannung Uc, V: 25 V Ausgangsstrom Io ±, A: 1,5/1,5 A Ausgangsspannung Vout, V: 6-20 V Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 85/65 ns Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C Konfiguration: Low-Side |
verfügbar: 60 St.
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IRLZ44PBF Produktcode: 35366
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 50 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,028 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3300/66 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRLZ44NPBF Produktcode: 35365
5
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 41 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: THT |
auf Bestellung 753 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFZ44PBF Produktcode: 35443
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 49 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0175 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63 Montage: THT |
verfügbar: 5 St.
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IRFR5305TRPBF Produktcode: 4177
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: D-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Id, A: 25 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63 Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRF2804 PBF Produktcode: 23326
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 75 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,002 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6450/160 Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFZ44VPBF Produktcode: 35444
4
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Idd, A: 55 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0165 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1812/67 Montage: THT |
auf Bestellung 68 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLR7833TRPBF Produktcode: 35240
1
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 140 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4010/33 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD |
verfügbar: 6 St.
erwartet: 46 St.
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IRF4905S-111 Produktcode: 15209
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: TO-220AB Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRLR120NTRPBF Produktcode: 22353
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 10 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/20 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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IR4427 Produktcode: 28537
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IR |
IC > IC Transistoren-TreiberGehäuse: DIP-8 Versorgungsspannung Uc, V: 25 V Ausgangsstrom Io ±, A: 1,5/1,5 A Ausgangsspannung Vout, V: 6-20 V Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 85/65 ns Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFZ24NPBF Produktcode: 4381
1
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 17 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 365/19 Montage: THT |
verfügbar: 371 St.
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IRF630A Produktcode: 18853
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 9 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
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IRF1010NPBF Produktcode: 26804
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 85 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3210/120 Montage: THT |
verfügbar: 246 St.
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IRF7309TRPBF (N-Kanal-FETs) Produktcode: 45192
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SO-8 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 4 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 520/25 Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse Montage: SMD ZCODE: 8541290010 |
verfügbar: 12 St.
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IRFR420 Produktcode: 18228
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-252A Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В Drain-Strom Idd, A: 2,4 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/19 Montage: SMD |
auf Bestellung 42 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRFR9210N Produktcode: 12811
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: D-Pak Anmerkung: Transistor Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRL620S Produktcode: 42010
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 5,2 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD |
auf Bestellung 55 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFR024NTRPBF Produktcode: 42276
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 16 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm Montage: SMD |
verfügbar: 117 St.
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IRFI9Z34GPBF Produktcode: 42009
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IR |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: TO-220F Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V Drain-Strom Id, A: 12 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,14 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1100/34 Anmerkung: Isoliertes Gehäuse Montage: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFL4105 Produktcode: 32875
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Lieblingsprodukt
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SOT-223 Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V Drain-Strom Idd, A: 3,7 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 660/35 Montage: SMD |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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36MB60A PBF (Diodenbrücke) Produktcode: 20542
1
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und BaugruppenGehäuse: D-34A (D-63, MB) Sperrspannung Urev, V: 200...12000 V Durchlassstrom Idir, A: 35 A Typ der Diodenbrücke: Einphasig Montage: THT Impulsstrom, A: 475 А |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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26MB80A PBF (Diodenbrücke) Produktcode: 20600
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IR |
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und BaugruppenGehäuse: D-34A (D-63, MB, SKBPC) Sperrspannung Urev, V: 800 V Durchlassstrom Idir, A: 25 A Typ der Diodenbrücke: Einphasig |
Produkt ist nicht verfügbar
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF9Z14 Produktcode: 40267
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Id, A: 6,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 270/12
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Id, A: 6,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 270/12
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.68 EUR |
| 10+ | 0.5 EUR |
| IRF6215PBF Produktcode: 38755
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Id, A: 13 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 860/66
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V
Drain-Strom Id, A: 13 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 860/66
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.95 EUR |
| 10+ | 0.9 EUR |
| IRG4PH40UDPBF Produktcode: 37004
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,43 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 41 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 21 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 5-40 KHz
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,43 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 41 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 21 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 5-40 KHz
auf Bestellung 14 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.38 EUR |
| 10+ | 4.66 EUR |
| IRLI530G-LF33 Produktcode: 14598
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRG4PC40KDPBF Produktcode: 40711
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,1 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 42 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 25 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 5-25 KHz
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,1 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 42 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 25 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 5-25 KHz
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4 EUR |
| 10+ | 3.88 EUR |
| 36MT60 (Diodenbrücke) Produktcode: 12263
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Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: D-34A (D-63, MB)
Sperrspannung Urev, V: 600 V
Durchlassstrom Idir, A: 35 A
Typ der Diodenbrücke: Dreiphasig
Kann ersetzen:: SKBPC35-06
Montage: THT
Impulsstrom, A: 475 А
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: D-34A (D-63, MB)
Sperrspannung Urev, V: 600 V
Durchlassstrom Idir, A: 35 A
Typ der Diodenbrücke: Dreiphasig
Kann ersetzen:: SKBPC35-06
Montage: THT
Impulsstrom, A: 475 А
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 10.71 EUR |
| 10+ | 8.66 EUR |
| IRG4PC40UPBF Produktcode: 40713
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,72 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 8-60 KHz
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,72 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 40 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 20 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 8-60 KHz
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.66 EUR |
| 10+ | 4.33 EUR |
| IRF634 Produktcode: 18551
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 31DQ06N Produktcode: 4103
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|
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Sperrspannung Vrr, V: 60 V
Mittlerer Strom Iav, A: 3,3 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 3,3 ns
Montage: THT
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Sperrspannung Vrr, V: 60 V
Mittlerer Strom Iav, A: 3,3 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 3,3 ns
Montage: THT
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRLI530 Produktcode: 14597
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|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF624 Produktcode: 7924
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|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 V
Drain-Strom Idd, A: 4,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 335/14
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 V
Drain-Strom Idd, A: 4,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 335/14
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.5 EUR |
| IRFZ48N Produktcode: 14594
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2200/85
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2200/85
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.64 EUR |
| 10+ | 0.61 EUR |
| IRFR220N Produktcode: 7943
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 4,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 4,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.38 EUR |
| 10+ | 0.33 EUR |
| MBR1635 Produktcode: 13147
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 35 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 16 A
Bemerkung: Schottky-Dioden
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 35 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 16 A
Bemerkung: Schottky-Dioden
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRFP22N60KPBF Produktcode: 35348
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 22 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3570/150
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 22 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3570/150
Montage: THT
auf Bestellung 11 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.38 EUR |
| 10+ | 2.24 EUR |
| IRF614 Produktcode: 7922
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 V
Drain-Strom Idd, A: 2,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 180/8,5
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-263
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 V
Drain-Strom Idd, A: 2,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 180/8,5
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.5 EUR |
| MBRS360TR Produktcode: 12975
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMC (DO-214AB)
Sperrspannung Vrrm, V: 60 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 3 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMC (DO-214AB)
Sperrspannung Vrrm, V: 60 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 3 A
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.35 EUR |
| 10+ | 0.31 EUR |
| 100+ | 0.27 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
| IRF620 Produktcode: 7923
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.57 EUR |
| 10+ | 0.44 EUR |
| MBR1035 Produktcode: 13146
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 35 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 10 A
Bemerkung: Schottky-Gleichrichterdioden, Differenzzähler
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 35 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 10 A
Bemerkung: Schottky-Gleichrichterdioden, Differenzzähler
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MBR2035 Produktcode: 13148
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 35 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 20 A
Bemerkung: Schottky-Dioden
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 35 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 20 A
Bemerkung: Schottky-Dioden
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF7303 Produktcode: 7928
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 4,9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 4,9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.83 EUR |
| 10+ | 0.68 EUR |
| IRF1405ZPBF Produktcode: 35347
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5480/170
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0053 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5480/170
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.62 EUR |
| 10+ | 1.43 EUR |
| MBRS140TR Produktcode: 7984
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMB (DO-214AA)
Sperrspannung Vrrm, V: 40 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 1 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMB (DO-214AA)
Sperrspannung Vrrm, V: 40 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 1 A
auf Bestellung 3 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.24 EUR |
| 10+ | 0.19 EUR |
| IRF540ZPBF Produktcode: 42002
3
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 36 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1770/42
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 36 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0266 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1770/42
Montage: THT
auf Bestellung 12 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 55 St.:
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.64 EUR |
| 10+ | 0.62 EUR |
| Halbleiterrelais PVX6012 Produktcode: 36940
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Relais
Relaistyp: Halbleiterrelais
Beschreibung: Kontakttyp: 2C; USpule: 1,2V; I-Schalt: 1A
Abmessungen: DIP-14-4
Spulenspannung: 1,2 VDC
Strom max.: 1 А
Kontaktkonfiguration: SPST-NO(1A)
8541 40 90 00
Relais
Relaistyp: Halbleiterrelais
Beschreibung: Kontakttyp: 2C; USpule: 1,2V; I-Schalt: 1A
Abmessungen: DIP-14-4
Spulenspannung: 1,2 VDC
Strom max.: 1 А
Kontaktkonfiguration: SPST-NO(1A)
8541 40 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.85 EUR |
| 10+ | 6.66 EUR |
| IRLML2402TRPBF Produktcode: 1173
2
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 1,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 110/2,6
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 1,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 110/2,6
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung 3551 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.29 EUR |
| 10+ | 0.24 EUR |
| 100+ | 0.14 EUR |
| IRU3037CF Produktcode: 17732
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
IC > IC Netzteile
Gehäuse: TSSOP-8
Funktion und Eigenschaften: Synchroner PWM-Controller.
IC > IC Netzteile
Gehäuse: TSSOP-8
Funktion und Eigenschaften: Synchroner PWM-Controller.
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRLU120NPBF Produktcode: 48939
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-251
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 10 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,185 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/20
Montage: THT
ZCODE: 8542 31 90 00
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-251
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 10 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,185 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/20
Montage: THT
ZCODE: 8542 31 90 00
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRGP4063DPBF Produktcode: 31891
1
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,65 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 96 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 48 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 330 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 60/145
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,65 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 96 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 48 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 330 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 60/145
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.93 EUR |
| IRFPS43N50KPBF Produktcode: 36735
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: Super-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 47 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,078 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 8310/350
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: Super-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 V
Drain-Strom Idd, A: 47 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,078 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 8310/350
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.33 EUR |
| 10+ | 7.5 EUR |
| IRF9Z30PBF Produktcode: 40285
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Id, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,14 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 900/28
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Id, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,14 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 900/28
Montage: THT
auf Bestellung 6 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2 EUR |
| 10+ | 1.63 EUR |
| IRG4IBC30W Produktcode: 14596
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,7 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 17 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 8,4 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 45 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 25/99
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,7 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 17 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 8,4 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 45 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 25/99
auf Bestellung 16 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.98 EUR |
| 10+ | 2.68 EUR |
| IRF5305PBF Produktcode: 40618
4
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 31 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 31 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: THT
auf Bestellung 407 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.56 EUR |
| 10+ | 0.54 EUR |
| IRLML2502 Produktcode: 4180
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 4,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/8
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 4,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 740/8
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.5 EUR |
| 10+ | 0.35 EUR |
| IRLR014ATF (AUIRLR014N) Produktcode: 16502
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|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRG4PC50UDPBF Produktcode: 17973
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,65 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 55 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 27 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 44/240
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 V
Sättigungsspannung Vce, V: 1,65 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 55 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 27 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 200 W
Ein-/Ausschaltzeit td(on)/td(off) bei 100-150°C, ns: 44/240
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4 EUR |
| 10+ | 3.33 EUR |
| IR2110PBF Produktcode: 28037
3
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|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-14
Versorgungsspannung Uc, V: 500 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 2,0/2,0 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 120/94 ns
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-14
Versorgungsspannung Uc, V: 500 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 2,0/2,0 A
Ausgangsspannung Vout, V: 10-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 120/94 ns
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Halbbrücke
auf Bestellung 45 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.57 EUR |
| 10+ | 1.48 EUR |
| IR4427SPBF Produktcode: 35441
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Uc, V: 25 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 1,5/1,5 A
Ausgangsspannung Vout, V: 6-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 85/65 ns
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Low-Side
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Uc, V: 25 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 1,5/1,5 A
Ausgangsspannung Vout, V: 6-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 85/65 ns
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Konfiguration: Low-Side
verfügbar: 60 St.
- 5 St. - stock Köln
- 55 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.48 EUR |
| 10+ | 1.38 EUR |
| IRLZ44PBF Produktcode: 35366
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,028 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3300/66
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 50 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,028 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3300/66
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.98 EUR |
| IRLZ44NPBF Produktcode: 35365
5
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 41 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 41 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1700/48
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: THT
auf Bestellung 753 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.83 EUR |
| 10+ | 0.68 EUR |
| 100+ | 0.6 EUR |
| IRFZ44PBF Produktcode: 35443
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 49 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1470/63
Montage: THT
verfügbar: 5 St.
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.17 EUR |
| 10+ | 0.96 EUR |
| IRFR5305TRPBF Produktcode: 4177
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 25 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 25 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF2804 PBF Produktcode: 23326
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,002 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6450/160
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,002 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 6450/160
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.33 EUR |
| 10+ | 2 EUR |
| IRFZ44VPBF Produktcode: 35444
4
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 55 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0165 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1812/67
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 55 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0165 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1812/67
Montage: THT
auf Bestellung 68 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.76 EUR |
| 10+ | 0.73 EUR |
| IRLR7833TRPBF Produktcode: 35240
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 140 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4010/33
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 140 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4010/33
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 6 St.
- 5 St. - stock Köln
- 1 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 46 St.
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 1.34 EUR |
| 10+ | 1.13 EUR |
| IRF4905S-111 Produktcode: 15209
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Lieblingsprodukt
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRLR120NTRPBF Produktcode: 22353
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/20
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/20
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.6 EUR |
| 10+ | 0.57 EUR |
| IR4427 Produktcode: 28537
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 25 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 1,5/1,5 A
Ausgangsspannung Vout, V: 6-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 85/65 ns
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Versorgungsspannung Uc, V: 25 V
Ausgangsstrom Io ±, A: 1,5/1,5 A
Ausgangsspannung Vout, V: 6-20 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, ns: 85/65 ns
Betriebstemperatur, °C: -40…+125°C
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.33 EUR |
| IRFZ24NPBF Produktcode: 4381
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 365/19
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 365/19
Montage: THT
verfügbar: 371 St.
- 39 St. - stock Köln
- 332 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.48 EUR |
| 10+ | 0.42 EUR |
| 100+ | 0.33 EUR |
| IRF630A Produktcode: 18853
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRF1010NPBF Produktcode: 26804
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 85 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3210/120
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 85 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3210/120
Montage: THT
verfügbar: 246 St.
- 12 St. - stock Köln
- 234 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.9 EUR |
| 10+ | 0.86 EUR |
| IRF7309TRPBF (N-Kanal-FETs) Produktcode: 45192
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 520/25
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 4 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,05 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 520/25
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 12 St.
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.42 EUR |
| IRFR420 Produktcode: 18228
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252A
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 2,4 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/19
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-252A
Drain-Source-Spannung Uds, V: 500 В
Drain-Strom Idd, A: 2,4 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/19
Montage: SMD
auf Bestellung 42 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| IRFR9210N Produktcode: 12811
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Anmerkung: Transistor
Montage: SMD
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D-Pak
Anmerkung: Transistor
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IRL620S Produktcode: 42010
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 5,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2PAK (TO-263)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 5,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung 55 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.83 EUR |
| 10+ | 0.68 EUR |
| 100+ | 0.6 EUR |
| IRFR024NTRPBF Produktcode: 42276
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 16 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 16 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Montage: SMD
verfügbar: 117 St.
- 20 St. - stock Köln
- 97 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.4 EUR |
| 10+ | 0.38 EUR |
| 100+ | 0.36 EUR |
| IRFI9Z34GPBF Produktcode: 42009
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,14 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1100/34
Anmerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220F
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,14 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1100/34
Anmerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.65 EUR |
| 10+ | 0.58 EUR |
| 100+ | 0.51 EUR |
| IRFL4105 Produktcode: 32875
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 3,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 660/35
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 3,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 660/35
Montage: SMD
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Stück im Wert von UAH
| 36MB60A PBF (Diodenbrücke) Produktcode: 20542
1
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: D-34A (D-63, MB)
Sperrspannung Urev, V: 200...12000 V
Durchlassstrom Idir, A: 35 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Montage: THT
Impulsstrom, A: 475 А
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: D-34A (D-63, MB)
Sperrspannung Urev, V: 200...12000 V
Durchlassstrom Idir, A: 35 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Montage: THT
Impulsstrom, A: 475 А
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| 26MB80A PBF (Diodenbrücke) Produktcode: 20600
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Lieblingsprodukt
|
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Hersteller: IR
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: D-34A (D-63, MB, SKBPC)
Sperrspannung Urev, V: 800 V
Durchlassstrom Idir, A: 25 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: D-34A (D-63, MB, SKBPC)
Sperrspannung Urev, V: 800 V
Durchlassstrom Idir, A: 25 A
Typ der Diodenbrücke: Einphasig
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Stück im Wert von UAH




























