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IRG4PH40KDPBF

IRG4PH40KDPBF

IRG4PH40KDPBF.pdf
Produktcode: 24014
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Vces: 1200
Vce: 2,74
Ic 25: 30
Ic 100: 15
Pd 25: 160
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Technische Details IRG4PH40KDPBF IR

  • IGBT, TO-247
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:1200V
  • Max Current Ic Continuous a:30A
  • Max Voltage Vce Sat:3.4V
  • Power Dissipation:160W
  • Case Style:TO-247
  • Termination Type:Through Hole
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Fall Time:330ns
  • Min Short Circuit Withstand Time:10es
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:160W
  • Pulsed Current Icm:60A
  • Rise Time:31ns

Möglichen Substitutionen IRG4PH40KDPBF IR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRG4PH40KDPBF IRG4PH40KDPBF
Produktcode: 191981 		Hersteller : China irg4ph40kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564827e82314 Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AC
Vces: 1200 V
Vce: 2,74 V
Ic 25: 30 A
Ic 100: 15 A
Pd 25: 160 W
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IRG4PH40KDPBF IRG4PH40KDPBF
Produktcode: 191981 		Hersteller : China irg4ph40kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564827e82314 Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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IRG4PH40KDPBF IRG4PH40KDPBF Hersteller : Infineon Technologies irg4ph40kdpbf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRG4PH40KDPBF IRG4PH40KDPBF Hersteller : Infineon Technologies irg4ph40kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564827e82314 Description: IGBT 1200V 30A 160W TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 63 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/96ns
Switching Energy: 1.31mJ (on), 1.12mJ (off)
Test Condition: 800V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 160 W
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IRG4PH40KDPBF IRG4PH40KDPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRG4PH40KD_DataSheet_v01_00_EN-1732877.pdf IGBT Transistors 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT
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Kapazität: 10uF
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Reihe: EZV-SMD niedriger Impedanz
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Abmessungen: SMD size A
Макс.пульс.струм: 80mA
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