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IRG4PH40KDPBF

Produktcode: 24014

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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,74 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 30 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 15 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W

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Technische Details IRG4PH40KDPBF IR

IGBT, TO-247
Transistor Type:IGBT
Transistor Polarity:N Channel
Voltage Vces:1200V
Max Current Ic Continuous a:30A
Max Voltage Vce Sat:3.4V
Power Dissipation:160W
Case Style:TO-247
Termination Type:Through Hole
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
Current Temperature:25`C
Full Power Rating Temperature:25`C
Max Fall Time:330ns
Min Short Circuit Withstand Time:10es
No. of Pins:3
No. of Transistors:1
Power Dissipation Pd:160W
Pulsed Current Icm:60A
Rise Time:31ns

Möglichen Substitutionen IRG4PH40KDPBF IR

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	IRG4PH40KDPBF Produktcode: 191981 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt	China	Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule Gehäuse: TO-247AC Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 В Sättigungsspannung Vce, V: 2,74 В Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 30 А Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 15 А Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 Вт	auf Bestellung 12 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRG4PH40KDPBF
Produktcode: 191981

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irg4ph40kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564827e82314

Hersteller: China
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,74 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 30 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 15 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 Вт

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
IRG4PH40KDPBF	International Rectifier	(IGBT,N-CH,1200V,30A,160W,TO-247AC) Транзистори	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRG4PH40KDPBF	Infineon Technologies	Description: IGBT 1200V 30A TO-247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 63 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 50ns/96ns Switching Energy: 1.31mJ (on), 1.12mJ (off) Test Condition: 800V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 94 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 160 W	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRG4PH40KDPBF	Infineon Technologies	IGBTs 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRG4PH40KDPBF	Infineon Technologies	Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRG4PH40KDPBF

Hersteller: International Rectifier
(IGBT,N-CH,1200V,30A,160W,TO-247AC) Транзистори

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IRG4PH40KDPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 30A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 63 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/96ns
Switching Energy: 1.31mJ (on), 1.12mJ (off)
Test Condition: 800V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 160 W

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IRG4PH40KDPBF

Infineon_IRG4PH40KD_DataSheet_v01_00_EN-1732877.pdf

Hersteller: Infineon Technologies
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke

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