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IRG4PH40KDPBF

IRG4PH40KDPBF China

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Produktcode: 191981
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Hersteller: China
Gehäuse: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 В
Sättigungsspannung Vce, V: 2,74 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 30 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 15 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 Вт
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Technische Details IRG4PH40KDPBF China

  • IGBT, TO-247
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:1200V
  • Max Current Ic Continuous a:30A
  • Max Voltage Vce Sat:3.4V
  • Power Dissipation:160W
  • Case Style:TO-247
  • Termination Type:Through Hole
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Fall Time:330ns
  • Min Short Circuit Withstand Time:10es
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:160W
  • Pulsed Current Icm:60A
  • Rise Time:31ns

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRG4PH40KDPBF IRG4PH40KDPBF
Produktcode: 24014
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IR IRG4PH40KDPBF.pdf description Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,74 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 30 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 15 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
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IRG4PH40KDPBF International Rectifier irg4ph40kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564827e82314 description (IGBT,N-CH,1200V,30A,160W,TO-247AC) Транзистори
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IRG4PH40KDPBF IRG4PH40KDPBF Infineon Technologies irg4ph40kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564827e82314 description Description: IGBT 1200V 30A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 63 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/96ns
Switching Energy: 1.31mJ (on), 1.12mJ (off)
Test Condition: 800V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 160 W
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IRG4PH40KDPBF IRG4PH40KDPBF Infineon Technologies Infineon_IRG4PH40KD_DataSheet_v01_00_EN-1732877.pdf description IGBTs 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT
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IRG4PH40KDPBF Infineon Technologies irg4ph40kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564827e82314 description Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRG4PH40KDPBF
Produktcode: 24014
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IRG4PH40KDPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 1200 V
Sättigungsspannung Vce, V: 2,74 V
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 30 A
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 15 A
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 160 W
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IRG4PH40KDPBF description irg4ph40kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564827e82314
Hersteller: International Rectifier
(IGBT,N-CH,1200V,30A,160W,TO-247AC) Транзистори
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IRG4PH40KDPBF description irg4ph40kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564827e82314
IRG4PH40KDPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 30A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 63 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/96ns
Switching Energy: 1.31mJ (on), 1.12mJ (off)
Test Condition: 800V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 160 W
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IRG4PH40KDPBF description Infineon_IRG4PH40KD_DataSheet_v01_00_EN-1732877.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
IGBTs 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Werkzeuge > Crimpzange
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auf Bestellung: 18 St.
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Produktcode: 4856
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description LM117, 217, 317.pdf
LM317T (TO-220, ST)
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Eingangsspannung Uin, V: 40 V
Ausgangsspannung Uout, V: 1,2...37 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1,5 A
Spannungsabfall Udrop, V: 1,25 V
Ausgangstyp: Einstellbar
Temperaturbereich: 0...150°C
Montage: 8542 39 90 00
verfügbar: 1 St.
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10+0.45 EUR
100+0.4 EUR
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Produktcode: 4430
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BC337,337-16,337-25,337-40,338-25.pdf
BC337-25 (NPN-Bipolartransistor)
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
Transitfrequenz fT: 210 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 45 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 50 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,8 A
Stromverstärkung h21: 160
Montage: THT
verfügbar: 190 St.
  • 190 St. - stock Köln
auf Bestellung: 420 St.
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IRFZ24NPBF
Produktcode: 4381
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description irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7
IRFZ24NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 365/19
Montage: THT
verfügbar: 39 St.
  • 39 St. - stock Köln
auf Bestellung: 305 St.
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1+0.58 EUR
10+0.52 EUR
100+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
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220uF 35V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR221M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Produktcode: 2427
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EXR_080421.pdf
220uF 35V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR221M35B-Hitano) (Elektrolytkondensator, niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220 µF
Nennspannung: 35 V
Reihe: EXR
Typ: niedrige Impedanz
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x16 mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 490 St.
  • 490 St. - stock Köln
erwartet: 4000 St.
  • 4000 St. - erwartet 06.10.2026
AnzahlPrivatkunde
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10+0.14 EUR
100+0.12 EUR
1000+0.1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH