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IRG4PH40KDPBF

IRG4PH40KDPBF China

irg4ph40kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564827e82314
Produktcode: 191981
Hersteller: China
Gehäuse: TO-247AC
Vces: 1200 V
Vce: 2,74 V
Ic 25: 30 A
Ic 100: 15 A
Pd 25: 160 W
auf Bestellung 28 Stück:
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Technische Details IRG4PH40KDPBF China

  • IGBT, TO-247
  • Transistor Type:IGBT
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Voltage Vces:1200V
  • Max Current Ic Continuous a:30A
  • Max Voltage Vce Sat:3.4V
  • Power Dissipation:160W
  • Case Style:TO-247
  • Termination Type:Through Hole
  • Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Fall Time:330ns
  • Min Short Circuit Withstand Time:10es
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:160W
  • Pulsed Current Icm:60A
  • Rise Time:31ns

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRG4PH40KDPBF IRG4PH40KDPBF
Produktcode: 24014
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Hersteller : IR IRG4PH40KDPBF.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AC
Vces: 1200
Vce: 2,74
Ic 25: 30
Ic 100: 15
Pd 25: 160
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IRG4PH40KDPBF IRG4PH40KDPBF
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Hersteller : IR IRG4PH40KDPBF.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247AC
Vces: 1200
Vce: 2,74
Ic 25: 30
Ic 100: 15
Pd 25: 160
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IRG4PH40KDPBF IRG4PH40KDPBF Hersteller : Infineon Technologies irg4ph40kdpbf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 160000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRG4PH40KDPBF IRG4PH40KDPBF Hersteller : Infineon Technologies irg4ph40kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153564827e82314 Description: IGBT 1200V 30A TO-247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 63 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/96ns
Switching Energy: 1.31mJ (on), 1.12mJ (off)
Test Condition: 800V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 160 W
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IRG4PH40KDPBF IRG4PH40KDPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRG4PH40KD_DataSheet_v01_00_EN-1732877.pdf IGBTs 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT
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PIC16F886-I/SP(Mikroschaltung)
Produktcode: 60348
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PIC16F886-I/SP(Mikroschaltung)
Hersteller: Microchip
IC > IC Mikrokontroller
Gehäuse: SPDIP-28
Kurzbeschreibung: 8-bit Microcontrollers - MCU 14KB Flash 368 RAM 25 I/O
Strom, V: 2,0...5,5 V
Betriebstemperatur, °С: PIC
Austauschbar: 8-Bit
Bemerkung: 20MHz
Робоча температура, °С: -40…+85°C
auf Bestellung 42 Stück:
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P6SMB30CA-E3/52
Produktcode: 52309
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VISH_S_A0012662138_1-2572475.pdf
P6SMB30CA-E3/52
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: SMB (DO-214AA)
P, Wt: 600 W
U Durchbruch: 28,5 V
n: 25,6 V
n: 1 µA
n: Двунаправленный
Монтаж: SMD
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SPB17N80C3
Produktcode: 37324
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spb17n80c3_rev25_ratio-48451.pdf
SPB17N80C3
Hersteller: Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 800
Idd,A: 11
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 2300/88
JHGF: SMD
auf Bestellung 18 Stück:
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FGA25N120ANTD
Produktcode: 34959
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FGA25N120ANTD FAIR IGPT.pdf
FGA25N120ANTD
Hersteller: FAIR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3P
Vces: 1200
Vce: 2
Ic 25: 50
Ic 100: 25
Pd 25: 312
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 50/190
auf Bestellung 198 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.70 EUR
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IRG4PH50UD
Produktcode: 30175
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description IRG4PH50UD.pdf
IRG4PH50UD
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-247
Vces: 1200
Vce: 2,78
Ic 25: 45
Ic 100: 24
Pd 25: 200
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 46/240
auf Bestellung 25 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+5.48 EUR
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