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IRFZ24NPBF

IRFZ24NPBF

irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7
Produktcode: 4381
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
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Technische Details IRFZ24NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 17A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:17A
  • On State Resistance:0.07ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:3.3`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:45W
  • Power Dissipation Pd:45W
  • Pulse Current Idm:68A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
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tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRFZ24NPBF Hersteller : IR irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7 Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO-220AB Udss=55V; Id=17A; Pdmax=45W; Rds=0,07 Ohm
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Hersteller : Infineon Technologies irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7 Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
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Uin, V: 40 V
Uout,V: 1,2…37 V
Iout,A: 1,5 A
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Bemerkung: Регульований
Temperaturbereich: 0…125°C
auf Bestellung 1743 Stück:
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Produktcode: 30533		 US1A-M.pdf
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Vrr, V: 1000
Iav, A: 1
Trr, ns: 75
Austauschbar:: STTH108A, STTH110A, BYG23M, MURA105T3G, MURA110T3G, MURA120T3G, MURA140T3G, MURA160T3G
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Produktcode: 19795		 2EDGK-5.08-XXP-1Y-00A&ZH-C.pdf
Klemmen 2EDGK-5.08-03P-14-00Z(H)
Hersteller: Degson, KLS
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Beschreibung: Schritt: 5,08mm, Anzahl Kontakte: 03P, Spannung/Strom: 300V/15A, fur Draht: 28-12AWG 2,5mm2
Schritt, mm: 5,08mm
Anzahl Kontakte: 3
Клемник роз’ємного типу
Номінальний струм: 15 A
№ 7: 8536699090
auf Bestellung 2566 Stück:
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