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IRFZ24NPBF

IRFZ24NPBF

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Produktcode: 4381
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 365/19
Montage: THT
verfügbar: 371 St.
  • 39 St. - stock Köln
  • 332 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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Technische Details IRFZ24NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 17A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:17A
  • On State Resistance:0.07ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:3.3`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:45W
  • Power Dissipation Pd:45W
  • Pulse Current Idm:68A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineonirfz24ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 39985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2000+0.46 EUR
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineonirfz24ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineonirfz24ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineonirfz24ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineonirfz24ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Mindestbestellmenge: 204 Stücke
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz24n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+0.92 EUR
177+0.48 EUR
217+0.39 EUR
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineonirfz24ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineonirfz24ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON INFN-S-A0012813733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 2992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.28 EUR
273+0.86 EUR
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Mindestbestellmenge: 110 Stücke
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7 description Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
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IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF Infineon Technologies infineonirfz24ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ24NPBF INTERNATIONAL RECTIFIER irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7 description MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB
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IRFZ24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ24NPBF
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ24NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 791 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ24NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.07 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
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Hersteller: INTERNATIONAL RECTIFIER
MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB
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Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19
Montage: THT
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 19 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 620/35
Montage: THT
auf Bestellung 231 St.:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LM317T-DG
Produktcode: 150592
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LM317T-DG
Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Eingangsspannung Uin, V: 40 В
Ausgangsspannung Uout, V: 1,2...37 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1,5 А
Spannungsabfall Udrop, V: 1,25 В
Ausgangstyp: Einstellbar
Temperaturbereich: 0...125°C
Montage: THT
auf Bestellung 1756 St.:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NE555P
Produktcode: 26138
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NE555P
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer; 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 2930 St.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Lochrasterplatine 3x7 doppelseitig, grün
Produktcode: 144386
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Lochrasterplatine 3x7 doppelseitig, grün
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Abmessungen: 30x70 mm
Beschreibung: Lochrasterplatine doppelseitig mit durchkontaktierten Bohrungen, Raster: 2.54mm, Bohrungsdurchmesser: 1mm, 240 Lötbohrungen, 4 Befestigungsbohrungen
Typ: Lochrasterplatine zum Löten
Art: doppelseitig
auf Bestellung 1 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 4000 St.:
2000 St. - erwartet 15.07.2026
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