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IRF9Z24NPBF

IRF9Z24NPBF

irf9z24npbf-datasheet.pdf
Produktcode: 40284
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2420 Stücke:
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B672F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z24n.pdf?ci_sign=86417c6f7b297148bbf68c7249788f86ad2c878e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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139+0.52 EUR
150+0.48 EUR
250+0.43 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 120
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Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
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auf Bestellung 9937 Stücke:
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231+0.61 EUR
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Mindestbestellmenge: 186
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561218961ddb MOSFETs MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561218961ddb Description: MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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10+1.81 EUR
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Mindestbestellmenge: 10
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012826717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9Z24NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf9z24n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFZ24NPBF
Produktcode: 4381
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description irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7
IRFZ24NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
verfügbar: 675 Stück
39 Stück - stock Köln
636 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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Макетная плата 5x7 двухсторонняя, зеленая
Produktcode: 144388
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Макетная плата 5x7 двухсторонняя, зеленая
+1
Hersteller: Global Tone
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 50x70мм
Опис: Макетна плата 2-х стороння з металізацією отворів, крок: 2,54мм, діаметр отвору: 1мм, 432 отвори під пайку, 4 отвори для кріплення
Тип: Макетна плата під пайку
Вид: двостороння
auf Bestellung 390 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 3000 Stück:
1000 Stück - erwartet 29.12.2025
2000 Stück - erwartet 30.03.2026
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2N2222 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4035
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P2N2222A.pdf
2N2222 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 250 MHz
Uceo,V: 60
Ucbo,V: 60
Ic,A: 0,8
h21: 300
ZCODE: THT
verfügbar: 846 Stück
4 Stück - stock Köln
842 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 4000 Stück
4000 Stück - erwartet 06.12.2025
Anzahl Preis
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10+0.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF
Produktcode: 31477
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description irf9z34npbf-datasheet.pdf
IRF9Z34NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
/: THT
auf Bestellung 193 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.44 EUR
10+0.41 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Produktcode: 11106
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CR-S_080911.pdf
1 kOhm 5% 0,25W (CR025SJTB-1K-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 7019 Stück
1164 Stück - stock Köln
5855 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 40000 Stück
40000 Stück - erwartet 08.12.2025
Anzahl Preis
10+0.01 EUR
100+0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH