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IRF9Z24NPBF

IRF9Z24NPBF

irf9z24npbf-datasheet.pdf
Produktcode: 40284
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18400 Stücke:
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1000+0.5 EUR
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18000 Stücke:
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z24n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1404 Stücke:
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80+0.9 EUR
109+0.66 EUR
124+0.58 EUR
134+0.53 EUR
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500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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149+0.99 EUR
214+0.67 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.45 EUR
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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84+1.75 EUR
149+0.95 EUR
215+0.63 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.4 EUR
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9Z24N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
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10+1.47 EUR
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1000+0.65 EUR
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561218961ddb Description: MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 3750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+2.08 EUR
100+1.39 EUR
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1000+1.01 EUR
2000+0.93 EUR
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF INFINEON INFN-S-A0012826717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF9Z24NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9Z24NPBF International Rectifier/Infineon irf9z24npbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 12 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 7,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
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IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2420 Stücke:
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IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18400 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18000 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2000+0.55 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 207 Stücke
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1404 Stücke:
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AnzahlPreis
80+0.9 EUR
109+0.66 EUR
124+0.58 EUR
134+0.53 EUR
146+0.49 EUR
500+0.4 EUR
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IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 8580 Stücke:
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500+0.56 EUR
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Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
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IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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IRF9Z24NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z24NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 12 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 7,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
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Produktcode: 4381
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IRFZ24NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
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IRF4905PBF
Produktcode: 22366
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IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
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IRF9Z34NPBF
Produktcode: 31477
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IRF9Z34NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
/: THT
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2N7000
Produktcode: 200238
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2N7000-datasheetjcet.pdf
2N7000
Hersteller: CJ
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
JHGF: THT
auf Bestellung 1745 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B104K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 2245
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X7R_X5R.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (0805B104K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 52000 St.
  • 52000 St. - erwartet 10.08.2026
AnzahlPreis
10+0.03 EUR
100+0.0099 EUR
1000+0.0074 EUR
10000+0.0054 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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