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IRF9Z24NPBF

IRF9Z24NPBF

irf9z24npbf-datasheet.pdf
Produktcode: 40284
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19
Montage: THT
verfügbar: 16 St.
  • 16 St. - stock Köln
auf Bestellung: 167 St.
  • 167 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 315 Stücke
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 16000 Stücke:
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1000+0.61 EUR
2000+0.54 EUR
5000+0.49 EUR
10000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 16000 Stücke:
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1000+0.61 EUR
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5000+0.5 EUR
10000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 239 Stücke:
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210+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z24n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+1.07 EUR
109+0.79 EUR
124+0.69 EUR
134+0.63 EUR
146+0.58 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
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133+1.32 EUR
194+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6129 Stücke:
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130+1.34 EUR
190+0.9 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.56 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2400 Stücke:
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100+1.75 EUR
143+1.18 EUR
201+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9Z24N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
100+1.37 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
2000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
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86+2.03 EUR
133+1.27 EUR
194+0.83 EUR
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.07 EUR
130+1.3 EUR
191+0.84 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.49 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF INFINEON irf9z24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561218961ddb Description: INFINEON - IRF9Z24NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 28151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+3 EUR
101+2.3 EUR
153+1.4 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.94 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561218961ddb Description: MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
auf Bestellung 3710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.27 EUR
11+2.07 EUR
50+1.55 EUR
100+1.38 EUR
500+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF Infineon Technologies irf9z24npbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IRF9Z24NPBF International Rectifier/Infineon irf9z24npbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 12 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 7,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
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IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
315+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 315 Stücke
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IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1145+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1145 Stücke
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IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.61 EUR
2000+0.54 EUR
5000+0.49 EUR
10000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.61 EUR
2000+0.55 EUR
5000+0.5 EUR
10000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
210+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
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IRF9Z24NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 811 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
80+1.07 EUR
109+0.79 EUR
124+0.69 EUR
134+0.63 EUR
146+0.58 EUR
500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
133+1.32 EUR
194+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
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IRF9Z24NPBF irf9z24npbf.pdf
IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
130+1.34 EUR
190+0.9 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.56 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24NPBF irf9z24npbf.pdf
IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+1.75 EUR
143+1.18 EUR
201+0.81 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z24NPBF Infineon_IRF9Z24N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -12A 175mOhm 12.7nC
auf Bestellung 1976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.03 EUR
100+1.37 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
2000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
86+2.03 EUR
133+1.27 EUR
194+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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IRF9Z24NPBF irf9z24npbf.pdf
IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 6150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
84+2.07 EUR
130+1.3 EUR
191+0.84 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.49 EUR
5000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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IRF9Z24NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z24NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 12 A, 0.175 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.175ohm
auf Bestellung 28151 Stücke:
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84+3 EUR
101+2.3 EUR
153+1.4 EUR
500+1.11 EUR
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5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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IRF9Z24NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Mindestbestellmenge: 26 Stücke
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IRF9Z24NPBF irf9z24npbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 12 А, Ptot, Вт = 45, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 350 @ 25, Qg, нКл = 19 @ 10 В, Rds = 175 мОм @ 7,2 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRFZ24NPBF
Produktcode: 4381
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description irfz24npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563af6ce21f7
IRFZ24NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 365/19
Montage: THT
verfügbar: 39 St.
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IRF4905PBF
Produktcode: 22366
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irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e
IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 74 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3400/180
Montage: THT
auf Bestellung: 1776 St.
  • 1776 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.9 EUR
10+1.71 EUR
100+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF9Z34NPBF
Produktcode: 31477
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description irf9z34npbf-datasheet.pdf
IRF9Z34NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 19 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 620/35
Montage: THT
auf Bestellung: 201 St.
  • 201 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.02 EUR
10+0.88 EUR
100+0.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000
Produktcode: 200238
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2N7000-datasheetjcet.pdf
2N7000
Hersteller: CJ
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В
Drain-Strom Idd, A: 0,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/
Montage: THT
auf Bestellung: 1494 St.
  • 1494 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.098 EUR
100+0.086 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B104K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 2245
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X7R_X5R.pdf
100nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B104K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 100 nF
Nennspannung: 50 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
HS-Code: 8532 24 00 00
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 52000 St.
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10+0.039 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.023 EUR
10000+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
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