IRF9Z34NPBF
Produktcode: 31477
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
/: THT
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF9Z34NPBF IR
- MOSFET, P, -55V, -17A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P
- Typ Voltage Vds:-55V
- Current, Id Cont:17A
- On State Resistance:0.1ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
- Typ Voltage Vgs th:-4V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Current Temperature:25`C
- Current, Idm Pulse:68A
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:2.7`C/W
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:55V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Pin Configuration:a
- Pin Format:1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- Power Dissipation:56W
- Power Dissipation Pd:56W
- Voltage Vds:55V
- Transistor Case Style:TO-220AB
Weitere Produktangebote IRF9Z34NPBF nach Preis ab 0.36 EUR bis 2.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 9030 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 16041 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 16031 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 10307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 10307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 16562 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -19A Power dissipation: 68W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 23.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 392 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 41689 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC |
auf Bestellung 10326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRF9Z34NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 56W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm |
auf Bestellung 8392 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRF9Z34NPBF |
IRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET |
auf Bestellung 4643 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.51 EUR |
| 2000+ | 0.48 EUR |
| 5000+ | 0.46 EUR |
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.51 EUR |
| 2000+ | 0.49 EUR |
| 5000+ | 0.48 EUR |
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 16041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 221+ | 0.65 EUR |
| 224+ | 0.62 EUR |
| 244+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.41 EUR |
| 2000+ | 0.39 EUR |
| 5000+ | 0.37 EUR |
| 10000+ | 0.36 EUR |
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 16031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 222+ | 0.65 EUR |
| 224+ | 0.64 EUR |
| 245+ | 0.57 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| 2000+ | 0.43 EUR |
| 5000+ | 0.42 EUR |
| 10000+ | 0.41 EUR |
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 216+ | 0.67 EUR |
| 218+ | 0.64 EUR |
| 240+ | 0.56 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.41 EUR |
| 2000+ | 0.39 EUR |
| 5000+ | 0.37 EUR |
| 10000+ | 0.36 EUR |
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 216+ | 0.67 EUR |
| 218+ | 0.66 EUR |
| 240+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.44 EUR |
| 2000+ | 0.43 EUR |
| 5000+ | 0.42 EUR |
| 10000+ | 0.41 EUR |
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 16562 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 198+ | 0.73 EUR |
| 200+ | 0.71 EUR |
| 223+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.51 EUR |
| 1000+ | 0.47 EUR |
| 2000+ | 0.45 EUR |
| 5000+ | 0.44 EUR |
| 10000+ | 0.43 EUR |
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 76+ | 0.94 EUR |
| 116+ | 0.62 EUR |
| 139+ | 0.51 EUR |
| 158+ | 0.45 EUR |
| 167+ | 0.43 EUR |
| 250+ | 0.41 EUR |
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 41689 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 2.15 EUR |
| 50+ | 1.01 EUR |
| 100+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.7 EUR |
| 1000+ | 0.64 EUR |
| 2000+ | 0.58 EUR |
| 5000+ | 0.53 EUR |
| 10000+ | 0.49 EUR |
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
auf Bestellung 10326 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.82 EUR |
| 10+ | 1.72 EUR |
| 100+ | 1.14 EUR |
| 500+ | 0.9 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| 2000+ | 0.7 EUR |
| 5000+ | 0.62 EUR |
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 8392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF9Z34NPBF |
![]() |
IRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 4643 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Mit diesem Produkt kaufen
| IRFZ24NPBF Produktcode: 4381
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
verfügbar: 373 St.
- 39 St. - stock Köln
- 334 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.4 EUR |
| 10+ | 0.35 EUR |
| 100+ | 0.28 EUR |
| IRF9Z24NPBF Produktcode: 40284
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
verfügbar: 210 St.
- 16 St. - stock Köln
- 194 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.36 EUR |
| 10+ | 0.32 EUR |
| IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB Produktcode: 3289
2
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 1581 St.
- 26 St. - stock Köln
- 1555 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.88 EUR |
| 10+ | 0.79 EUR |
| IRF4905PBF Produktcode: 22366
15
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT
auf Bestellung 1864 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 150 St.:
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 1.16 EUR |
| 10+ | 1.13 EUR |
| MBR1060G(Diode) Produktcode: 61842
1
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 60 V
If(A): 10 А
VF@IF: 0,8 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Vrrm(V): 60 V
If(A): 10 А
VF@IF: 0,8 V
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
auf Bestellung 88 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)









