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IRF9Z34NPBF

IRF9Z34NPBF

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Produktcode: 31477
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 19 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 620/35
Montage: THT
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Ярослав2024-08-03 16:02:00

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Technische Details IRF9Z34NPBF IR

  • MOSFET, P, -55V, -17A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:P
  • Typ Voltage Vds:-55V
  • Current, Id Cont:17A
  • On State Resistance:0.1ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
  • Typ Voltage Vgs th:-4V
  • Case Style:TO-220AB
  • Termination Type:Through Hole
  • Current Temperature:25`C
  • Current, Idm Pulse:68A
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:2.7`C/W
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:55V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Pin Configuration:a
  • Pin Format:1 g
  • 2 d/tab
  • 3 s
  • Power Dissipation:56W
  • Power Dissipation Pd:56W
  • Voltage Vds:55V
  • Transistor Case Style:TO-220AB

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies infineonirf9z34ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z34n.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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74+1.15 EUR
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IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF9Z34N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
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2+2.98 EUR
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IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF Infineon Technologies irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd description Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON INFN-S-A0012826292-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 6821 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.4 EUR
99+2.37 EUR
140+1.54 EUR
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1000+1.04 EUR
5000+0.82 EUR
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IRF9Z34NPBF irf9z34npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561220af1ddd description IRF9Z34NPBF Транзисторы HEXFET
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IRF9Z34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 30000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF9Z34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 30000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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5000+0.57 EUR
10000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF9Z34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9Z34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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10000+0.44 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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10000+0.55 EUR
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Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF9Z34NPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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IRF9Z34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC
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IRF9Z34NPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220AB
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
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IRF9Z34NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9Z34NPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
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Bauform - Transistor: TO-220AB
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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IRFZ24NPBF
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IRFZ24NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 365/19
Montage: THT
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IRF9Z24NPBF
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IRF9Z24NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 12 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,175 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 350/19
Montage: THT
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MBR1060G (TO-220AC, ON)
Produktcode: 61842
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mbr1060-d-datasheet.pdf
MBR1060G (TO-220AC, ON)
Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: TO-220
Sperrspannung Vrrm, V: 60 В
Durchlassstrom (per leg) If, A: 10 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,8 В
Montage: THT
Stoßstrom Ifsm, A: 150 А
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Kühlkörper 25х15х11мм L-KLS21-HS1510-25PMB 15х10х25
Produktcode: 200447
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L-KLS21-HS1510-25PMB.pdf
Kühlkörper 25х15х11мм L-KLS21-HS1510-25PMB 15х10х25
Hersteller: KLS
Verstärkungs- und Metallstangen > Radiatoren
Beschreibung: Kühlkörper L25xW15xH11mm
Anwendung: TO-220
Höhe, mm: 25 мм
Breite, mm: 15 мм
Tiefe, mm: 11 мм
erwartet: 1000 St.
  • 1000 St. - erwartet 06.10.2026
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF540NPBF
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 33 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1960/71
Montage: THT
verfügbar: 26 St.
  • 26 St. - stock Köln
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  • 484 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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