
IRF9Z34NPBF

Produktcode: 31477
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 19
Rds(on),Om: 0.1
Ciss, pF/Qg, nC: 620/35
/: THT
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Anzahl | Preis |
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1+ | 0.44 EUR |
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Technische Details IRF9Z34NPBF IR
- MOSFET, P, -55V, -17A, TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P
- Typ Voltage Vds:-55V
- Current, Id Cont:17A
- On State Resistance:0.1ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
- Typ Voltage Vgs th:-4V
- Case Style:TO-220AB
- Termination Type:Through Hole
- Current Temperature:25`C
- Current, Idm Pulse:68A
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Junction to Case Thermal Resistance A:2.7`C/W
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:55V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Pin Configuration:a
- Pin Format:1 g
- 2 d/tab
- 3 s
- Power Dissipation:56W
- Power Dissipation Pd:56W
- Voltage Vds:55V
- Transistor Case Style:TO-220AB
Weitere Produktangebote IRF9Z34NPBF nach Preis ab 0.30 EUR bis 1.97 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRF9Z34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRF9Z34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRF9Z34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRF9Z34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9Z34NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -19A Power dissipation: 68W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 23.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9Z34NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -19A Power dissipation: 68W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 23.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9Z34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
auf Bestellung 55290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9Z34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 386 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9Z34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 9353 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9Z34NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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IRF9Z34NPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 16526 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9Z34NPBF | Hersteller : IR |
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IRF9Z34NPBF |
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Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 01.07.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 365/19
JHGF: THT
verfügbar: 567 Stück
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528 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 0.035
Ciss, pF/Qg, nC: 880/25
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 0.035
Ciss, pF/Qg, nC: 880/25
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
auf Bestellung 145 Stück:
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
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Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
/: THT
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
/: THT
auf Bestellung 21 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 10 Stück:
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IRF9Z24NPBF Produktcode: 40284
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
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Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 12
Rds(on),Om: 0.175
Ciss, pF/Qg, nC: 350/19
/: THT
verfügbar: 251 Stück
16 Stück - stock Köln
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235 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
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Gehäuse: TO-220
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Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
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Gehäuse: TO-220
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Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5939 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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