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BC337-25 (Bipolartransistor NPN)

BC337-25 (Bipolartransistor NPN) ON

BC337,337-16,337-25,337-40,338-25.pdf
Produktcode: 4430
Hersteller: ON
Gehäuse: TO-92
fT: 210 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,8
h21: 160
ZCODE: THT
verfügbar 1096 Stück:
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BC337-25
+1
 		BC337-25 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR bc337.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 250
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Mindestbestellmenge: 239
BC337-25
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 		BC337-25 Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR bc337.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 625mW; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 250
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
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654+ 0.11 EUR
916+ 0.078 EUR
1015+ 0.07 EUR
3165+ 0.023 EUR
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Mindestbestellmenge: 239
BC337-25 BC337-25 Hersteller : Diotec Electronics bc337.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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BC337-25 BC337-25 Hersteller : Diotec Semiconductor bc337.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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BC337-25 BC337-25 Hersteller : Diotec Electronics bc337.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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BC337-25 BC337-25 Hersteller : Diotec Electronics bc337.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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1518+0.1 EUR
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BC33725 BC33725 Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIRS25032-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 45V 0.8A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
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4438+0.17 EUR
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BC337-25 BC337-25 Hersteller : Diotec Semiconductor bc337.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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819+ 0.19 EUR
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BC337-25 BC337-25 Hersteller : Diotec Semiconductor bc337.pdf BC337-16%20Series_B14.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 45V, 800mA, NPN
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4000+ 0.11 EUR
8000+ 0.07 EUR
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BC337-25 BC337-25 Hersteller : Diotec Semiconductor bc337.pdf Description: BJT TO-92 45V 800MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
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2000+ 0.073 EUR
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BC337-25 BC337-25 Hersteller : Diotec Semiconductor bc337.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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BC337-25 BC337-25 Hersteller : Diotec Semiconductor bc337.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
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BC337-25 Hersteller : LGE bc337.pdf BC337-16%20Series_B14.pdf NPN 800mA 45V 625mW 200MHz BC337-25 LGE TBC33725
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BC337-25 Hersteller : DIOTEC bc337.pdf BC337-16%20Series_B14.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW Automotive 3-Pin TO-92 Ammo BC337-25 DIOTEC TBC33725 DIOTEC
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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BC337-25 Hersteller : LGE bc337.pdf BC337-16%20Series_B14.pdf NPN 800mA 45V 625mW 200MHz 160 < beta < 400 BC337-25 LGE TBC33725cd
Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke
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BC33725 Hersteller : FSC FAIRS25032-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ SOP
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BC33725 Hersteller : PHILIPS FAIRS25032-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
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BC33725 Hersteller : FSC FAIRS25032-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+
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BC337-25 Hersteller : LGE bc337.pdf BC337-16%20Series_B14.pdf NPN 800mA 45V 625mW 200MHz 160 < beta < 400 BC337-25 LGE TBC33725cd
auf Bestellung 6000 Stücke:
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BC33725 Hersteller : ONSEMI FAIRS25032-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BC33725 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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BC337-25 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC BC337_338.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 160...400
Mounting: THT
Frequency: 210MHz
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
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BC337-25 BC337-25 Hersteller : Diotec Semiconductor bc337.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
BC337-25 BC337-25 Hersteller : Diotec Semiconductor bc337.pdf Description: BJT TO-92 45V 800MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
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BC337-25 Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation BC337-16%20Series_B14.pdf Description: TO-92, 50V, 0.8A, NPN BIPOLAR TR
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 625 mW
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BC337-25 BC337-25 Hersteller : Taiwan Semiconductor bc337-16series_b14.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92
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BC337-25 BC337-25 Hersteller : Diotec Semiconductor bc337.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Produkt ist nicht verfügbar
BC33725 BC33725 Hersteller : onsemi / Fairchild BC337_D-2309963.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 45V 800mA HFE/4
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BC337-25 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC BC337_338.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.8A; 0.625W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.8A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 160...400
Mounting: THT
Frequency: 210MHz
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BC33725 BC33725 Hersteller : ON Semiconductor 728bc337-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
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BC327-25
Produktcode: 15290		 bc327-datasheet.pdf
BC327-25
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.8
h21,max: 450
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 2316 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.036 EUR
100+ 0.028 EUR
1000+ 0.02 EUR
BD140
Produktcode: 15292		 BD136,138,140.pdf
BD140
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 2017 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.14 EUR
10+ 0.12 EUR
1N4148
Produktcode: 176824		 1n4148-datasheet_do35.pdf
1N4148
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
auf Bestellung 7983 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
BC327-40
Produktcode: 22436		 bc327-datasheet.pdf
BC327-40
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.8
h21,max: 630
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 251 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.036 EUR
100+ 0.033 EUR
1N4007
Produktcode: 176822		 1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 40971 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)