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IRF1404ZPBF

IRF1404ZPBF

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Produktcode: 26520
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 75 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Montage: THT
auf Bestellung 125 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies irf7380pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
376+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 376 Stücke
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IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies irf7380pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1430 Stücke:
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372+0.48 EUR
376+0.45 EUR
384+0.43 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 372 Stücke
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IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies irf7380pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10098 Stücke:
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136+1.3 EUR
164+1.06 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.95 EUR
2000+0.93 EUR
5000+0.9 EUR
10000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies irf7380pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10100 Stücke:
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137+1.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1082 Stücke:
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46+1.87 EUR
65+1.31 EUR
68+1.26 EUR
71+1.21 EUR
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500+1.04 EUR
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Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies irf7380pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2965 Stücke:
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52+3.42 EUR
75+2.33 EUR
123+1.38 EUR
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1000+1.15 EUR
2000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies irf7380pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2965 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRF1404Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
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IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF Infineon Technologies IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
auf Bestellung 555 Stücke:
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IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON INFN-S-A0012837738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 3700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 220W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 1139 Stücke:
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IRF1404ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1430 Stücke:
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372+0.48 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10098 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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164+1.06 EUR
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IRF1404ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10100 Stücke:
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137+1.24 EUR
166+0.99 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1082 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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65+1.31 EUR
68+1.26 EUR
71+1.21 EUR
100+1.15 EUR
500+1.04 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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AnzahlPrivatkunde
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75+2.33 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
52+3.42 EUR
75+2.28 EUR
123+1.33 EUR
500+1.15 EUR
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2000+1.01 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
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10+3.14 EUR
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IRF1404ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
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IRF1404ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 3700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 220W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
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IRF3205PBF
Produktcode: 25094
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description irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Hersteller: IR/Infineon
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3450/76
Montage: THT
auf Bestellung 1283 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 50 St.:
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IRF1404PBF
Produktcode: 31360
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irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0
IRF1404PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 202 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 7360/160
Montage: THT
auf Bestellung 809 St.:
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IRF740PBF
Produktcode: 162988
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91054.pdf
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 400 V
Drain-Strom Idd, A: 10 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1400/63
Montage: THT
auf Bestellung 696 St.:
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Li-Ion 3500мАг, 3,7В, 18650 LiitoKala Li-Ion-Akku mit Anschlüssen LiitoKala-35E-N
Produktcode: 184011
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Li-Ion 3500мАг, 3,7В, 18650 LiitoKala Li-Ion-Akku mit Anschlüssen LiitoKala-35E-NLi-Ion 3500мАг, 3,7В, 18650 LiitoKala Li-Ion-Akku mit Anschlüssen LiitoKala-35E-N
Li-Ion 3500мАг, 3,7В, 18650 LiitoKala Li-Ion-Akku mit Anschlüssen LiitoKala-35E-NLi-Ion 3500мАг, 3,7В, 18650 LiitoKala Li-Ion-Akku mit Anschlüssen LiitoKala-35E-N
Hersteller: LiitoKala
Akkus > LiIon-Batterien
Technologie: Li-Ion
Typgröße / Abmessungen: 18650
Kapazität, mAh: 3500 mAh
Form: zylindrisch
Spannung, V: 3,7 V
Gewicht, g: 49,7 g
Besonderheiten: Mit Kontakten
auf Bestellung 58 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 400 St.:
200 St. - erwartet 10.07.2026
200 St. - erwartet 26.09.2026
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10uF 50V E°CR 5x11mm (E°CR100M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 3129
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ECR_081225.pdf
10uF 50V E°CR 5x11mm (E°CR100M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung, miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
auf Bestellung 19679 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200 St.:
AnzahlPrivatkunde
1+0.048 EUR
10+0.036 EUR
100+0.014 EUR
1000+0.0094 EUR
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