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IRF1404ZPBF

Name: IRF1404ZPBF
Brand: IR
SKU: 26520
Price: 1.28 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 26520

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0037
JHGF: THT

auf Bestellung 141 Stück:

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IRF1404ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

infineon-irf1404z-datasheet-v01_01-en.pdf

Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

auf Bestellung 1460 Stücke:

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180+	0.8 EUR

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IRF1404ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF1404ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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150+	0.97 EUR
161+	0.83 EUR
176+	0.73 EUR
250+	0.7 EUR
500+	0.66 EUR
1000+	0.61 EUR

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IRF1404ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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500+	1.36 EUR
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500+	1.36 EUR
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IRF1404ZPBF

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2000+	0.71 EUR
5000+	0.7 EUR

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IRF1404ZPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB5BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404z.pdf?ci_sign=4226edaf5a01736c5ac4c822ea7296c120edc159

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 300 Stücke:

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Anzahl	Preis
42+	1.72 EUR
58+	1.24 EUR
81+	0.89 EUR
86+	0.84 EUR
1000+	0.82 EUR
2000+	0.81 EUR

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IRF1404ZPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

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58+	1.24 EUR
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86+	0.84 EUR

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IRF1404ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

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64+	2.26 EUR
92+	1.52 EUR
93+	1.45 EUR
132+	0.98 EUR
250+	0.92 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.72 EUR
2000+	0.71 EUR
5000+	0.7 EUR

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IRF1404ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

IRSDS19311-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V

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8+	2.43 EUR
11+	1.68 EUR
100+	1.19 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.06 EUR

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IRF1404ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRF1404Z_DataSheet_v01_01_EN-3362825.pdf

MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg

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2+	2.59 EUR
10+	1.78 EUR
100+	1.27 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.11 EUR
2000+	1.09 EUR
5000+	1.08 EUR

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IRF1404ZPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012837738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 186 Stücke:

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IRF1404ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF1404ZPBF

Hersteller : International Rectifier Corporation

TO-220AB

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IRF1404ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF1404ZPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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IRF1404PBF
Produktcode: 31360

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irf1404pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dae92618b0

Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 40
Idd,A: 162
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
JHGF: THT

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1N4007 Dioden Brücke
Produktcode: 1574

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Hersteller: YJ/Microsemi
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
№ 7: 8541100090

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Anzahl	Preis
1+	0.35 EUR
10+	0.1 EUR
100+	0.05 EUR
1000+	0.011 EUR

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PC817A
Produktcode: 18418

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Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Optokoppler, CTR: 80...160%
U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 35
Ton/Toff, µs: 18/18
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
№ 8: 8542 39 90 00

auf Bestellung 5424 Stück:

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1+	0.25 EUR
10+	0.12 EUR
100+	0.088 EUR

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IRF4905PBF
Produktcode: 22366

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irf4905pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e329b1197e

Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 74
Rds(on),Om: 0.02
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
/: THT

auf Bestellung 929 Stück:

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Anzahl	Preis
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BZX85-C12
Produktcode: 31111

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Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Ustab.,V: 12
Istab.direkt,A: 20mA
Pmax: 1
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -

verfügbar: 605 Stück

575 Stück - stock Köln
30 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

Anzahl	Preis
1+	0.04 EUR
10+	0.03 EUR
100+	0.027 EUR
1000+	0.025 EUR

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