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IRF8734PBF

IRF8734PBF

irf8734pbf.pdf
Produktcode: 26537
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 21
Rds(on), Ohm: 0.0035
Ciss, pF/Qg, nC: 3175/20
JHGF: SMD
auf Bestellung 35 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Technische Details IRF8734PBF IR

  • MOSFET,N-CH 30V 21A SO8
  • Transistor Polarity:N
  • On State Resistance:3.5mohm
  • Operating Temperature Range:-55`C to +150`C
  • Transistor Case Style:SOIC
  • No. of Pins:8
  • Case Style:SOIC
  • Cont Current Id:21A
  • Max Voltage Vgs th:2.35V
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Type:Power MOSFET
  • Typ Voltage Vds:30V
  • Typ Voltage Vgs th:1.8V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF8734PBF irf8734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d97fd1d7d description Power MOSFET, N-Channel, SOIC-8 Транзистори
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IRF8734PBF IRF8734PBF Infineon Technologies irf8734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d97fd1d7d description Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
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IRF8734PBF IRF8734PBF Infineon Technologies Infineon_IRF8734_DataSheet_v01_01_EN-1228454.pdf description MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 20nC
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IRF8734PBF description irf8734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d97fd1d7d
Power MOSFET, N-Channel, SOIC-8 Транзистори
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IRF8734PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
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IRF8734PBF description Infineon_IRF8734_DataSheet_v01_01_EN-1228454.pdf
IRF8734PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 20nC
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JHGF: SMD
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Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 600
Montage: SMD
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10+0.03 EUR
100+0.026 EUR
1000+0.023 EUR
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U, V: 60
U, V: 70
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h21,max: 5000
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auf Bestellung 33 St.:
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Uceo,V: 30 V
Ucbo,V: 30 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 450
Montage: SMD
verfügbar: 2067 St.
  • 250 St. - stock Köln
  • 1817 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPreis
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