| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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DE150-501N04A | IXYS RF |
 Description: IXYS RF - DE150-501N04A - HF-FET-Transistor, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 4.5 Verlustleistung Pd: 200 Betriebsfrequenz, max.: 100 Betriebsfrequenz, min.: - Verlustleistung: 200 Bauform - Transistor: DE-150 Bauform - HF-Transistor: DE-150 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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DE275-201N25A | IXYS RF |
Description: IXYS RF - DE275-201N25A - HF-FET-Transistor, 200 V, 25 A, 590 W, 100 MHz, DE-275 Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 25 Verlustleistung Pd: 590 Betriebsfrequenz, max.: 100 Betriebsfrequenz, min.: - Bauform - HF-Transistor: DE-275 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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DE275-501N16A | IXYS RF |
Description: IXYS RF - DE275-501N16A - HF-FET-Transistor, 500 V, 16 A, 590 W, 100 MHz, DE-275 Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 16 Verlustleistung Pd: 590 Betriebsfrequenz, max.: 100 Betriebsfrequenz, min.: - Verlustleistung: 590 Bauform - Transistor: DE-275 Bauform - HF-Transistor: DE-275 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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DE475-102N21A | IXYS RF |
Description: IXYS RF - DE475-102N21A - HF-FET-Transistor, 1 kV, 24 A, 1.8 kW, 30 MHz, DE-475 Drain-Source-Spannung Vds: 1 Dauer-Drainstrom Id: 24 Verlustleistung Pd: 1.8 Betriebsfrequenz, max.: 30 Betriebsfrequenz, min.: - Bauform - HF-Transistor: DE-475 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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DE475-501N44A | IXYS RF |
Description: IXYS RF - DE475-501N44A - HF-FET-Transistor, 500 V, 44 A, 1.8 kW, 30 MHz, DE-475 Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 44 Verlustleistung Pd: 1.8 Betriebsfrequenz, max.: 30 Betriebsfrequenz, min.: - Bauform - HF-Transistor: DE-475 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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DEIC515 | IXYS RF |
Description: IXYS RF - DEIC515 - Gate-Treiber, Low-Side, MOSFET, 10 Pin(s), DEIC515 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: Low-Side Leistungsschalter: MOSFET Eingang: - Anzahl der Kanäle: - Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 8 Quellstrom: - Bauform - Treiber: DEIC515 Anzahl der Pins: 10 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 30 Eingabeverzögerung: 17.4 Ausgabeverzögerung: 14.6 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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IXRFD630 | IXYS RF |
Description: IXYS RF - IXRFD630 - HF-MOSFET-Treiber, Low-Side, 8V-30V Versorgung, 30Aout Spitze, Verzögerung 21ns In/23ns Out, DCB-6 Sinkstrom: 30 Treiberkonfiguration: Low-Side Leistungsschalter: MOSFET Eingang: Nicht invertierend Anzahl der Kanäle: 1 Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 8 Quellstrom: 30 Bauform - Treiber: DCB Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 30 Eingabeverzögerung: 21 Ausgabeverzögerung: 23 Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IXTT1N250HV | IXYS RF |
Description: IXYS RF - IXTT1N250HV - MOSFET, N-CH, 2.5KV, 1.5A, TO-268 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXZ308N120 | IXYS RF |
Description: IXYS RF - IXZ308N120 - HF-FET-Transistor, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375 Betriebsfrequenz, max.: - Bauform - HF-Transistor: DE-375 Anzahl der Pins: 6 Betriebsfrequenz, min.: - Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 Dauer-Drainstrom Id: 8 Verlustleistung Pd: 880 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DE150-501N04A |
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Hersteller: IXYS RF
Description: IXYS RF - DE150-501N04A - HF-FET-Transistor, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Verlustleistung Pd: 200
Betriebsfrequenz, max.: 100
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: DE-150
Bauform - HF-Transistor: DE-150
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS RF - DE150-501N04A - HF-FET-Transistor, 500 V, 4.5 A, 200 W, 100 MHz, DE-150
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Verlustleistung Pd: 200
Betriebsfrequenz, max.: 100
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: DE-150
Bauform - HF-Transistor: DE-150
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DE275-201N25A |
Hersteller: IXYS RF
Description: IXYS RF - DE275-201N25A - HF-FET-Transistor, 200 V, 25 A, 590 W, 100 MHz, DE-275
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 25
Verlustleistung Pd: 590
Betriebsfrequenz, max.: 100
Betriebsfrequenz, min.: -
Bauform - HF-Transistor: DE-275
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS RF - DE275-201N25A - HF-FET-Transistor, 200 V, 25 A, 590 W, 100 MHz, DE-275
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 25
Verlustleistung Pd: 590
Betriebsfrequenz, max.: 100
Betriebsfrequenz, min.: -
Bauform - HF-Transistor: DE-275
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DE275-501N16A |
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Hersteller: IXYS RF
Description: IXYS RF - DE275-501N16A - HF-FET-Transistor, 500 V, 16 A, 590 W, 100 MHz, DE-275
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 16
Verlustleistung Pd: 590
Betriebsfrequenz, max.: 100
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 590
Bauform - Transistor: DE-275
Bauform - HF-Transistor: DE-275
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS RF - DE275-501N16A - HF-FET-Transistor, 500 V, 16 A, 590 W, 100 MHz, DE-275
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 16
Verlustleistung Pd: 590
Betriebsfrequenz, max.: 100
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 590
Bauform - Transistor: DE-275
Bauform - HF-Transistor: DE-275
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DE475-102N21A |
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Hersteller: IXYS RF
Description: IXYS RF - DE475-102N21A - HF-FET-Transistor, 1 kV, 24 A, 1.8 kW, 30 MHz, DE-475
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 24
Verlustleistung Pd: 1.8
Betriebsfrequenz, max.: 30
Betriebsfrequenz, min.: -
Bauform - HF-Transistor: DE-475
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS RF - DE475-102N21A - HF-FET-Transistor, 1 kV, 24 A, 1.8 kW, 30 MHz, DE-475
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 24
Verlustleistung Pd: 1.8
Betriebsfrequenz, max.: 30
Betriebsfrequenz, min.: -
Bauform - HF-Transistor: DE-475
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DE475-501N44A |
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Hersteller: IXYS RF
Description: IXYS RF - DE475-501N44A - HF-FET-Transistor, 500 V, 44 A, 1.8 kW, 30 MHz, DE-475
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 44
Verlustleistung Pd: 1.8
Betriebsfrequenz, max.: 30
Betriebsfrequenz, min.: -
Bauform - HF-Transistor: DE-475
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS RF - DE475-501N44A - HF-FET-Transistor, 500 V, 44 A, 1.8 kW, 30 MHz, DE-475
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 44
Verlustleistung Pd: 1.8
Betriebsfrequenz, max.: 30
Betriebsfrequenz, min.: -
Bauform - HF-Transistor: DE-475
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DEIC515 |
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Hersteller: IXYS RF
Description: IXYS RF - DEIC515 - Gate-Treiber, Low-Side, MOSFET, 10 Pin(s), DEIC515
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: -
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 8
Quellstrom: -
Bauform - Treiber: DEIC515
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 30
Eingabeverzögerung: 17.4
Ausgabeverzögerung: 14.6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS RF - DEIC515 - Gate-Treiber, Low-Side, MOSFET, 10 Pin(s), DEIC515
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: -
Anzahl der Kanäle: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 8
Quellstrom: -
Bauform - Treiber: DEIC515
Anzahl der Pins: 10
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 30
Eingabeverzögerung: 17.4
Ausgabeverzögerung: 14.6
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXRFD630 |
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Hersteller: IXYS RF
Description: IXYS RF - IXRFD630 - HF-MOSFET-Treiber, Low-Side, 8V-30V Versorgung, 30Aout Spitze, Verzögerung 21ns In/23ns Out, DCB-6
Sinkstrom: 30
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 8
Quellstrom: 30
Bauform - Treiber: DCB
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 30
Eingabeverzögerung: 21
Ausgabeverzögerung: 23
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS RF - IXRFD630 - HF-MOSFET-Treiber, Low-Side, 8V-30V Versorgung, 30Aout Spitze, Verzögerung 21ns In/23ns Out, DCB-6
Sinkstrom: 30
Treiberkonfiguration: Low-Side
Leistungsschalter: MOSFET
Eingang: Nicht invertierend
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 8
Quellstrom: 30
Bauform - Treiber: DCB
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 30
Eingabeverzögerung: 21
Ausgabeverzögerung: 23
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXTT1N250HV |
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Hersteller: IXYS RF
Description: IXYS RF - IXTT1N250HV - MOSFET, N-CH, 2.5KV, 1.5A, TO-268
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
directShipCharge: 25
Description: IXYS RF - IXTT1N250HV - MOSFET, N-CH, 2.5KV, 1.5A, TO-268
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 107.41 EUR |
| 5+ | 87.2 EUR |
| 10+ | 68.92 EUR |
| IXZ308N120 |
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Hersteller: IXYS RF
Description: IXYS RF - IXZ308N120 - HF-FET-Transistor, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375
Betriebsfrequenz, max.: -
Bauform - HF-Transistor: DE-375
Anzahl der Pins: 6
Betriebsfrequenz, min.: -
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 8
Verlustleistung Pd: 880
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS RF - IXZ308N120 - HF-FET-Transistor, 1.2 kV, 8 A, 880 W, DE-375
Betriebsfrequenz, max.: -
Bauform - HF-Transistor: DE-375
Anzahl der Pins: 6
Betriebsfrequenz, min.: -
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 8
Verlustleistung Pd: 880
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH