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APT1001RBVFRG MICROCHIP TECHNOLOGY APT1001RBVFRG THT N channel transistors
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APT1001RBVRG MICROCHIP TECHNOLOGY 5607-apt1001rbvr-datasheet APT1001RBVRG THT N channel transistors
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APT1001RSVRG MICROCHIP TECHNOLOGY APT1001RSVRG SMD N channel transistors
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APT10021JFLL MICROCHIP TECHNOLOGY 5609-apt10021jfll-datasheet APT10021JFLL Transistor modules MOSFET
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APT10021JLL MICROCHIP TECHNOLOGY 5610-apt10021jll-datasheet APT10021JLL Transistor modules MOSFET
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APT10025JVFR MICROCHIP TECHNOLOGY 6539-apt10025jvfr-datasheet APT10025JVFR Transistor modules MOSFET
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APT10025JVR MICROCHIP TECHNOLOGY 5611-apt10025jvr-datasheet APT10025JVR Transistor modules MOSFET
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APT10026JFLL MICROCHIP TECHNOLOGY 6541-apt10026jfll-datasheet APT10026JFLL Transistor modules MOSFET
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APT10026JLL MICROCHIP TECHNOLOGY 5613-apt10026jll-datasheet APT10026JLL Transistor modules MOSFET
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APT10026L2FLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 6542-apt10026l2fllg-datasheet APT10026L2FLLG THT N channel transistors
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APT10026L2LLG MICROCHIP TECHNOLOGY 5615-apt10026l2ll-datasheet APT10026L2LLG THT N channel transistors
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APT10035B2FLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 6545-apt10035b2fllg-apt10035lfllg-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO247MAX
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 28A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 186nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 112A
Mounting: THT
Case: TO247MAX
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10035JFLL MICROCHIP TECHNOLOGY 6546-apt10035jfll-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 520W
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 25A
On-state resistance: 370mΩ
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10035JLL MICROCHIP TECHNOLOGY 123944-apt10035jll-c-pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 520W
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 25A
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10035LFLLG APT10035LFLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 6545-apt10035b2fllg-apt10035lfllg-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 28A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 186nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 112A
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10035LLLG APT10035LLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 123943-apt10035b2-lll-g-c-pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 28A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 186nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 112A
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT1003RBFLLG MICROCHIP TECHNOLOGY APT1003RBFLLG THT N channel transistors
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APT1003RBLLG MICROCHIP TECHNOLOGY APT1003RxLL.pdf APT1003RBLLG THT N channel transistors
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APT1003RKLLG MICROCHIP TECHNOLOGY APT1003RKLLG THT N channel transistors
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APT1003RSFLLG MICROCHIP TECHNOLOGY APT1003RSFLLG SMD N channel transistors
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APT1003RSLLG MICROCHIP TECHNOLOGY APT1003RxLL.pdf APT1003RSLLG SMD N channel transistors
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APT10045B2FLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 6549-apt10045b2fllg-apt10045lfllg-datasheet APT10045B2FLLG THT N channel transistors
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APT10045B2LLG MICROCHIP TECHNOLOGY 123945-apt10045b2-lll-g-c-pdf APT10045B2LLG THT N channel transistors
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APT10045JFLL MICROCHIP TECHNOLOGY 6548-apt10045jfll-datasheet APT10045JFLL Transistor modules MOSFET
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APT10045JLL MICROCHIP TECHNOLOGY 123946-apt10045jll-d-pdf APT10045JLL Transistor modules MOSFET
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APT10045LFLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 6549-apt10045b2fllg-apt10045lfllg-datasheet APT10045LFLLG THT N channel transistors
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APT10045LLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 123945-apt10045b2-lll-g-c-pdf APT10045LLLG THT N channel transistors
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APT10050B2VFRG MICROCHIP TECHNOLOGY 5634-apt10050b2vfr-apt10050lvfr-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10050JVFR MICROCHIP TECHNOLOGY 5636-apt10050jvfr-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 19A; ISOTOP; screw; Idm: 76A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10050LVFRG APT10050LVFRG MICROCHIP TECHNOLOGY 5638-apt10050lvr-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+37.17 EUR
3+35.14 EUR
10+34.75 EUR
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APT10050LVRG APT10050LVRG MICROCHIP TECHNOLOGY 5638-apt10050lvr-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
2+37.09 EUR
3+37.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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APT10078BFLLG APT10078BFLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 6550-apt10078bfllg-apt10078sfllg-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 403W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
On-state resistance: 780mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10078BLLG APT10078BLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 5639-apt10078bll-apt10078sll-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 403W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
On-state resistance: 780mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10078SLLG APT10078SLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 5639-apt10078bll-apt10078sll-datasheet Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; D3PAK
Kind of package: tube
Power dissipation: 403W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Mounting: SMD
Case: D3PAK
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
On-state resistance: 780mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10086BVFRG MICROCHIP TECHNOLOGY APT10086BVFRG THT N channel transistors
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APT10086BVRG MICROCHIP TECHNOLOGY APT10086BVRG THT N channel transistors
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APT10090BFLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 6552-apt10090bfllg-apt10090sfllg-datasheet APT10090BFLLG THT N channel transistors
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APT10090BLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 6553-apt10090bllg-apt10090sllg-datasheet APT10090BLLG THT N channel transistors
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APT10090SLLG MICROCHIP TECHNOLOGY 6553-apt10090bllg-apt10090sllg-datasheet APT10090SLLG SMD N channel transistors
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APT100D60B2G MICROCHIP TECHNOLOGY APT100D60B2G.pdf APT100D60B2G THT universal diodes
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APT100D60BG MICROCHIP TECHNOLOGY 1245211-apt100d60bg-datasheet APT100D60BG THT universal diodes
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APT100DL60HJ APT100DL60HJ MICROCHIP TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA7CFB67530DDA0C7&compId=APT100DL60HJ.pdf?ci_sign=91719a6f10b892c1135f2689635cb37b558d422f Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 100A; screw; screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Version: module
Technology: FRED
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: SOT227B
Leads: M4 screws
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 100A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100F50J MICROCHIP TECHNOLOGY 6559-apt100f50j-datasheet APT100F50J Transistor modules MOSFET
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APT100GLQ65JU2 MICROCHIP TECHNOLOGY 136224-apt100glq65ju2-rev0-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; motors
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 270A
Application: motors
Electrical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Topology: boost chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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APT100GLQ65JU3 APT100GLQ65JU3 MICROCHIP TECHNOLOGY APT100GLQ65JU3-Rev0.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 270A
Application: motors
Electrical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Topology: buck chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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APT100GN120B2G MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf APT100GN120B2G THT IGBT transistors
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APT100GN120J MICROCHIP TECHNOLOGY 5643-apt100gn120j-datasheet Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 300A
Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100GN120JDQ4 MICROCHIP TECHNOLOGY 6563-apt100gn120jdq4-b-pdf.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 300A
Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100GN60B2G MICROCHIP TECHNOLOGY 5644-apt100gn60b2g-datasheet APT100GN60B2G THT IGBT transistors
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APT100GN60LDQ4G MICROCHIP TECHNOLOGY 5645-apt100gn60ldq4g-datasheet APT100GN60LDQ4G THT IGBT transistors
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APT100GT120JR MICROCHIP TECHNOLOGY 123463-apt100gt120jr-b-pdf.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 67A
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Technology: NPT; Thunderblot IGBT®
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100GT120JRDQ4 MICROCHIP TECHNOLOGY High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 67A
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Technology: NPT; Thunderblot IGBT®
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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APT100GT120JU2 MICROCHIP TECHNOLOGY 6570-apt100gt120ju2-datasheet APT100GT120JU2 IGBT modules
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APT100GT120JU3 MICROCHIP TECHNOLOGY Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; motors
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 280A
Application: motors
Electrical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Topology: buck chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100M50J MICROCHIP TECHNOLOGY 6581-apt100m50j-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 65A; ISOTOP; screw; Idm: 490A; 960W
Case: ISOTOP
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 65A
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 490A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100MC120JCU2 MICROCHIP TECHNOLOGY APT100MC120JCU2 Transistor modules MOSFET
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APT100S20BG MICROCHIP TECHNOLOGY 6582-apt100s20bg-datasheet APT100S20BG THT Schottky diodes
auf Bestellung 11 Stücke:
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5+14.46 EUR
8+8.95 EUR
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APT100S20LCTG MICROCHIP TECHNOLOGY 6583-apt100s20lctg-datasheet APT100S20LCTG THT Schottky diodes
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APT102GA60B2 APT102GA60B2 MICROCHIP TECHNOLOGY index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=123656 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 102A; 780W; T-Max
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 102A
Pulsed collector current: 307A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 389ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 780W
Kind of package: tube
Gate charge: 294nC
Technology: POWER MOS 8®; PT
Mounting: THT
Case: T-Max
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APT102GA60L APT102GA60L MICROCHIP TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8E93882D9E3074A&compId=APT102GA60.pdf?ci_sign=d5d4ddc0251bad9e42d7186f67ba6e38887245d2 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 102A; 780W; TO264
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 102A
Pulsed collector current: 307A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 313ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 780W
Kind of package: tube
Gate charge: 294nC
Technology: POWER MOS 8®
Mounting: THT
Case: TO264
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APT1001RBVFRG
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APT1001RBVFRG THT N channel transistors
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APT1001RBVRG THT N channel transistors
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APT1001RSVRG
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APT1001RSVRG SMD N channel transistors
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APT10021JFLL Transistor modules MOSFET
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APT10021JLL 5610-apt10021jll-datasheet
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APT10021JLL Transistor modules MOSFET
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APT10025JVFR 6539-apt10025jvfr-datasheet
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APT10025JVFR Transistor modules MOSFET
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APT10025JVR 5611-apt10025jvr-datasheet
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APT10025JVR Transistor modules MOSFET
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APT10026JFLL 6541-apt10026jfll-datasheet
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APT10026JFLL Transistor modules MOSFET
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APT10026JLL 5613-apt10026jll-datasheet
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APT10026JLL Transistor modules MOSFET
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APT10026L2FLLG 6542-apt10026l2fllg-datasheet
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APT10026L2FLLG THT N channel transistors
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APT10026L2LLG 5615-apt10026l2ll-datasheet
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APT10026L2LLG THT N channel transistors
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APT10035B2FLLG 6545-apt10035b2fllg-apt10035lfllg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO247MAX
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 28A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 186nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 112A
Mounting: THT
Case: TO247MAX
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APT10035JFLL 6546-apt10035jfll-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 520W
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 25A
On-state resistance: 370mΩ
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
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APT10035JLL 123944-apt10035jll-c-pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 520W
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 25A
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Case: ISOTOP
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10035LFLLG 6545-apt10035b2fllg-apt10035lfllg-datasheet
APT10035LFLLG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 28A
On-state resistance: 370mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 186nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 112A
Mounting: THT
Case: TO264
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APT10035LLLG 123943-apt10035b2-lll-g-c-pdf
APT10035LLLG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 28A; Idm: 112A; 690W; TO264
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 28A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 690W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 186nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 112A
Mounting: THT
Case: TO264
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APT1003RBFLLG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1003RBFLLG THT N channel transistors
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APT1003RBLLG THT N channel transistors
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APT1003RKLLG
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APT1003RKLLG THT N channel transistors
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APT1003RSFLLG
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APT1003RSFLLG SMD N channel transistors
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APT1003RSLLG APT1003RxLL.pdf
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APT1003RSLLG SMD N channel transistors
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APT10045B2FLLG 6549-apt10045b2fllg-apt10045lfllg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10045B2FLLG THT N channel transistors
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APT10045B2LLG 123945-apt10045b2-lll-g-c-pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10045B2LLG THT N channel transistors
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APT10045JFLL 6548-apt10045jfll-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10045JFLL Transistor modules MOSFET
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APT10045JLL 123946-apt10045jll-d-pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10045JLL Transistor modules MOSFET
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APT10045LFLLG 6549-apt10045b2fllg-apt10045lfllg-datasheet
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APT10045LFLLG THT N channel transistors
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APT10045LLLG 123945-apt10045b2-lll-g-c-pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10045LLLG THT N channel transistors
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APT10050B2VFRG 5634-apt10050b2vfr-apt10050lvfr-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Case: TO247MAX
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10050JVFR 5636-apt10050jvfr-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1kV; 19A; ISOTOP; screw; Idm: 76A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 76A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10050LVFRG 5638-apt10050lvr-datasheet
APT10050LVFRG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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3+35.14 EUR
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APT10050LVRG 5638-apt10050lvr-datasheet
APT10050LVRG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 500nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+37.09 EUR
3+37.08 EUR
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APT10078BFLLG 6550-apt10078bfllg-apt10078sfllg-datasheet
APT10078BFLLG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 403W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
On-state resistance: 780mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT10078BLLG 5639-apt10078bll-apt10078sll-datasheet
APT10078BLLG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; TO247-3
Kind of package: tube
Power dissipation: 403W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
On-state resistance: 780mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10078SLLG 5639-apt10078bll-apt10078sll-datasheet
APT10078SLLG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; Idm: 56A; 403W; D3PAK
Kind of package: tube
Power dissipation: 403W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Mounting: SMD
Case: D3PAK
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
On-state resistance: 780mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT10086BVFRG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10086BVFRG THT N channel transistors
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APT10086BVRG
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10086BVRG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT10090BFLLG 6552-apt10090bfllg-apt10090sfllg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10090BFLLG THT N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT10090BLLG 6553-apt10090bllg-apt10090sllg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10090BLLG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT10090SLLG 6553-apt10090bllg-apt10090sllg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10090SLLG SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100D60B2G APT100D60B2G.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT100D60B2G THT universal diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100D60BG 1245211-apt100d60bg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT100D60BG THT universal diodes
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100DL60HJ pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA7CFB67530DDA0C7&compId=APT100DL60HJ.pdf?ci_sign=91719a6f10b892c1135f2689635cb37b558d422f
APT100DL60HJ
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 100A; screw; screw
Mechanical mounting: screw
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Version: module
Technology: FRED
Type of bridge rectifier: single-phase
Case: SOT227B
Leads: M4 screws
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. forward voltage: 2V
Load current: 100A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100F50J 6559-apt100f50j-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT100F50J Transistor modules MOSFET
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APT100GLQ65JU2 136224-apt100glq65ju2-rev0-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; motors
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 270A
Application: motors
Electrical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Topology: boost chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GLQ65JU3 APT100GLQ65JU3-Rev0.pdf
APT100GLQ65JU3
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 650V; Ic: 100A
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 270A
Application: motors
Electrical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Topology: buck chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GN120B2G High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT100GN120B2G THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GN120J 5643-apt100gn120j-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 300A
Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GN120JDQ4 6563-apt100gn120jdq4-b-pdf.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 70A; SOT227B
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 70A
Pulsed collector current: 300A
Application: for inductive load; for UPS; motors; SMPS
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100GN60B2G 5644-apt100gn60b2g-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT100GN60B2G THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GN60LDQ4G 5645-apt100gn60ldq4g-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT100GN60LDQ4G THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT100GT120JR 123463-apt100gt120jr-b-pdf.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 67A
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Technology: NPT; Thunderblot IGBT®
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100GT120JRDQ4 High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 67A; SOT227B
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 67A
Pulsed collector current: 200A
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Technology: NPT; Thunderblot IGBT®
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100GT120JU2 6570-apt100gt120ju2-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT100GT120JU2 IGBT modules
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APT100GT120JU3
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; motors
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 280A
Application: motors
Electrical mounting: screw
Technology: Field Stop; Trench
Topology: buck chopper
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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APT100M50J 6581-apt100m50j-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 65A; ISOTOP; screw; Idm: 490A; 960W
Case: ISOTOP
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 65A
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 490A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT100MC120JCU2
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT100MC120JCU2 Transistor modules MOSFET
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APT100S20BG 6582-apt100s20bg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT100S20BG THT Schottky diodes
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APT100S20LCTG 6583-apt100s20lctg-datasheet
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT100S20LCTG THT Schottky diodes
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APT102GA60B2 index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=123656
APT102GA60B2
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 600V; 102A; 780W; T-Max
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 102A
Pulsed collector current: 307A
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 389ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 780W
Kind of package: tube
Gate charge: 294nC
Technology: POWER MOS 8®; PT
Mounting: THT
Case: T-Max
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT102GA60L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8E93882D9E3074A&compId=APT102GA60.pdf?ci_sign=d5d4ddc0251bad9e42d7186f67ba6e38887245d2
APT102GA60L
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 102A; 780W; TO264
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 102A
Pulsed collector current: 307A
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 313ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 780W
Kind of package: tube
Gate charge: 294nC
Technology: POWER MOS 8®
Mounting: THT
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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