Produkte > MICROCHIP TECHNOLOGY > Alle Produkte des Herstellers MICROCHIP TECHNOLOGY (360189) > Seite 3391 nach 6004
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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APT106N60B2C6 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO247MAX Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Power dissipation: 833W Case: TO247MAX Mounting: THT Gate charge: 308nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 35mΩ Drain current: 68A Drain-source voltage: 600V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 318A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT106N60LC6 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO264 Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 68A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 833W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 308nC Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 318A Case: TO264 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT10M07JVFR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 225A; ISOTOP; screw; Idm: 900A Drain-source voltage: 100V Drain current: 225A On-state resistance: 7mΩ Power dissipation: 700W Polarisation: unipolar Case: ISOTOP Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 900A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT10M09LVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT10M11JVFR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 100V; 144A; ISOTOP; screw; Idm: 576A Drain-source voltage: 100V Drain current: 144A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 450W Polarisation: unipolar Case: ISOTOP Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 576A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT10M11JVRU2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT10M11JVRU3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W Drain-source voltage: 100V Drain current: 106A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 450W Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Topology: buck chopper Pulsed drain current: 576A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: diode/transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT10M11LVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT10M19BVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT10M19SVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT10M19SVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT10M25BVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT11F80B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT11N80BC3G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 33A; 156W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 156W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 60nC Pulsed drain current: 33A Part status: Not recommended for new designs Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT1201R2BFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT1201R2BLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 400W; TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 400W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 150nC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Case: TO247-3 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 12A On-state resistance: 1.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT1201R4BFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT1201R4BLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Technology: POWER MOS 7® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Case: TO247-3 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 9A On-state resistance: 1.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT1201R4SFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT1201R4SFLLG SMD N channel transistors |
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APT1201R5BVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT1201R5BVFRG THT N channel transistors |
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APT1201R5BVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 10A; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 10A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 28nC Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT1201R6BVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT1201R6BVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; TO247-3 Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Technology: POWER MOS 5® Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT1201R6SVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT1201R6SVFRG SMD N channel transistors |
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APT12031JFLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT12040JVR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; single transistor; 1.2kV; 26A; ISOTOP; screw; 700W; tube Technology: POWER MOS 5® Drain current: 26A On-state resistance: 0.4Ω Power dissipation: 700W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Case: ISOTOP Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: MOSFET transistor Drain-source voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT12040L2FLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT12040L2FLLG THT N channel transistors |
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APT1204R7BFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT1204R7SFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT12057B2FLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT12057B2LLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT12057JFLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT12057LFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT12060LVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT12060LVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT12060LVRG THT N channel transistors |
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APT12067JFLL | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT12067LFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT12080JVFR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 15A; ISOTOP; screw; Idm: 60A; 450W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A Case: ISOTOP Electrical mounting: screw On-state resistance: 0.8Ω Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 450W Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Mechanical mounting: screw Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT12080LVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT12080LVRG THT N channel transistors |
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APT12M80B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT13F120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT13F120S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT13GP120BDQ1G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT13GP120BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT14F100B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; 500W; TO247 Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Case: TO247 Drain-source voltage: 1kV Drain current: 14A On-state resistance: 980mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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APT14F100S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 9A; Idm: 56A; 500W; D3PAK Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 56A Case: D3PAK Drain-source voltage: 1kV Drain current: 9A On-state resistance: 980mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT14M100B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 9A; Idm: 55A; 500W; TO247-3 Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 55A Case: TO247-3 Drain-source voltage: 1kV Drain current: 9A On-state resistance: 880mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT14M100S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 9A; Idm: 55A; 500W; D3PAK Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 55A Case: D3PAK Drain-source voltage: 1kV Drain current: 9A On-state resistance: 880mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT14M120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 51A; 625W; TO247-3 Power dissipation: 625W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: THT Gate charge: 145nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 51A Case: TO247-3 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 9A On-state resistance: 1.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT14M120S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 51A; 625W; D3PAK Power dissipation: 625W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Mounting: SMD Gate charge: 145nC Technology: POWER MOS 8® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 51A Case: D3PAK Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 9A On-state resistance: 1.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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APT150GN120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT150GN120JDQ4 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT150GN60B2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT150GN60J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT150GN60JDQ4 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT150GN60LDQ4G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT150GT120JR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT15D100BCTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT15D100BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT15D100BHBG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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APT106N60B2C6 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO247MAX
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Power dissipation: 833W
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 35mΩ
Drain current: 68A
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 318A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO247MAX
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Power dissipation: 833W
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Gate charge: 308nC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 35mΩ
Drain current: 68A
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 318A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT106N60LC6 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO264
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 68A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 833W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 308nC
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 318A
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 68A; Idm: 318A; 833W; TO264
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 68A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 833W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 308nC
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 318A
Case: TO264
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
APT10M07JVFR |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 225A; ISOTOP; screw; Idm: 900A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 225A
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 225A; ISOTOP; screw; Idm: 900A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 225A
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 900A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
APT10M09LVFRG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10M09LVFRG THT N channel transistors
APT10M09LVFRG THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
APT10M11JVFR |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 144A; ISOTOP; screw; Idm: 576A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 144A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 450W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 576A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 144A; ISOTOP; screw; Idm: 576A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 144A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 450W
Polarisation: unipolar
Case: ISOTOP
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 576A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Stück im Wert von UAH
APT10M11JVRU2 |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10M11JVRU2 Transistor modules MOSFET
APT10M11JVRU2 Transistor modules MOSFET
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Stück im Wert von UAH
APT10M11JVRU3 |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 106A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: buck chopper
Pulsed drain current: 576A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 100V; 106A; ISOTOP; screw; Idm: 576A; 450W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 106A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Topology: buck chopper
Pulsed drain current: 576A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT10M11LVRG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10M11LVRG THT N channel transistors
APT10M11LVRG THT N channel transistors
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APT10M19BVRG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10M19BVRG THT N channel transistors
APT10M19BVRG THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
APT10M19SVFRG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10M19SVFRG SMD N channel transistors
APT10M19SVFRG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
APT10M19SVRG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10M19SVRG SMD N channel transistors
APT10M19SVRG SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT10M25BVRG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT10M25BVRG THT N channel transistors
APT10M25BVRG THT N channel transistors
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APT11F80B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT11F80B THT N channel transistors
APT11F80B THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
APT11N80BC3G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 33A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60nC
Pulsed drain current: 33A
Part status: Not recommended for new designs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 33A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60nC
Pulsed drain current: 33A
Part status: Not recommended for new designs
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APT1201R2BFLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1201R2BFLLG THT N channel transistors
APT1201R2BFLLG THT N channel transistors
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Stück im Wert von UAH
APT1201R2BLLG |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 400W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT1201R4BFLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1201R4BFLLG THT N channel transistors
APT1201R4BFLLG THT N channel transistors
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APT1201R4BLLG |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Technology: POWER MOS 7®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT1201R4SFLLG |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1201R4SFLLG SMD N channel transistors
APT1201R4SFLLG SMD N channel transistors
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APT1201R5BVFRG |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1201R5BVFRG THT N channel transistors
APT1201R5BVFRG THT N channel transistors
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APT1201R5BVRG |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 10A; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; 10A; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 10A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhancement
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APT1201R6BVFRG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1201R6BVFRG THT N channel transistors
APT1201R6BVFRG THT N channel transistors
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APT1201R6BVRG |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1.2kV; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Technology: POWER MOS 5®
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT1201R6SVFRG |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1201R6SVFRG SMD N channel transistors
APT1201R6SVFRG SMD N channel transistors
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APT12031JFLL |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12031JFLL Transistor modules MOSFET
APT12031JFLL Transistor modules MOSFET
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APT12040JVR |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 26A; ISOTOP; screw; 700W; tube
Technology: POWER MOS 5®
Drain current: 26A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: ISOTOP
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 26A; ISOTOP; screw; 700W; tube
Technology: POWER MOS 5®
Drain current: 26A
On-state resistance: 0.4Ω
Power dissipation: 700W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Case: ISOTOP
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Semiconductor structure: single transistor
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT12040L2FLLG |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12040L2FLLG THT N channel transistors
APT12040L2FLLG THT N channel transistors
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APT1204R7BFLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1204R7BFLLG THT N channel transistors
APT1204R7BFLLG THT N channel transistors
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APT1204R7SFLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1204R7SFLLG SMD N channel transistors
APT1204R7SFLLG SMD N channel transistors
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APT12057B2FLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12057B2FLLG THT N channel transistors
APT12057B2FLLG THT N channel transistors
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APT12057B2LLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12057B2LLG THT N channel transistors
APT12057B2LLG THT N channel transistors
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APT12057JFLL |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12057JFLL Transistor modules MOSFET
APT12057JFLL Transistor modules MOSFET
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APT12057LFLLG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12057LFLLG THT N channel transistors
APT12057LFLLG THT N channel transistors
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APT12060LVFRG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12060LVFRG THT N channel transistors
APT12060LVFRG THT N channel transistors
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APT12060LVRG |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12060LVRG THT N channel transistors
APT12060LVRG THT N channel transistors
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APT12067JFLL |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12067JFLL Transistor modules MOSFET
APT12067JFLL Transistor modules MOSFET
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APT12067LFLLG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12067LFLLG THT N channel transistors
APT12067LFLLG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT12080JVFR |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 15A; ISOTOP; screw; Idm: 60A; 450W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
On-state resistance: 0.8Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 450W
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 15A; ISOTOP; screw; Idm: 60A; 450W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
On-state resistance: 0.8Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 450W
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
APT12080LVRG |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12080LVRG THT N channel transistors
APT12080LVRG THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT12M80B |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT12M80B THT N channel transistors
APT12M80B THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT13F120B |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT13F120B THT N channel transistors
APT13F120B THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
APT13F120S |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT13F120S SMD N channel transistors
APT13F120S SMD N channel transistors
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT13GP120BDQ1G |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT13GP120BDQ1G THT IGBT transistors
APT13GP120BDQ1G THT IGBT transistors
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 16.23 EUR |
7+ | 10.52 EUR |
APT13GP120BG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT13GP120BG THT IGBT transistors
APT13GP120BG THT IGBT transistors
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APT14F100B |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; 500W; TO247
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
On-state resistance: 980mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 14A; 500W; TO247
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO247
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 14A
On-state resistance: 980mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.21 EUR |
APT14F100S |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 9A; Idm: 56A; 500W; D3PAK
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Case: D3PAK
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 9A
On-state resistance: 980mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 9A; Idm: 56A; 500W; D3PAK
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 56A
Case: D3PAK
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 9A
On-state resistance: 980mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
APT14M100B |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 9A; Idm: 55A; 500W; TO247-3
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 55A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 9A
On-state resistance: 880mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 9A; Idm: 55A; 500W; TO247-3
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 55A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 9A
On-state resistance: 880mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT14M100S |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 9A; Idm: 55A; 500W; D3PAK
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 55A
Case: D3PAK
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 9A
On-state resistance: 880mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 9A; Idm: 55A; 500W; D3PAK
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 55A
Case: D3PAK
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 9A
On-state resistance: 880mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT14M120B |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 51A; 625W; TO247-3
Power dissipation: 625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 51A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 51A; 625W; TO247-3
Power dissipation: 625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 51A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
APT14M120S |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 51A; 625W; D3PAK
Power dissipation: 625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Gate charge: 145nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 51A
Case: D3PAK
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; Idm: 51A; 625W; D3PAK
Power dissipation: 625W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Gate charge: 145nC
Technology: POWER MOS 8®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 51A
Case: D3PAK
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 9A
On-state resistance: 1.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT150GN120J |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT150GN120J IGBT modules
APT150GN120J IGBT modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT150GN120JDQ4 |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT150GN120JDQ4 IGBT modules
APT150GN120JDQ4 IGBT modules
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT150GN60B2G |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT150GN60B2G THT IGBT transistors
APT150GN60B2G THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT150GN60J |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT150GN60J IGBT modules
APT150GN60J IGBT modules
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT150GN60JDQ4 |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT150GN60JDQ4 IGBT modules
APT150GN60JDQ4 IGBT modules
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT150GN60LDQ4G |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT150GN60LDQ4G THT IGBT transistors
APT150GN60LDQ4G THT IGBT transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT150GT120JR |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT150GT120JR IGBT modules
APT150GT120JR IGBT modules
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT15D100BCTG |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15D100BCTG THT universal diodes
APT15D100BCTG THT universal diodes
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Stück im Wert von UAH
APT15D100BG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15D100BG THT universal diodes
APT15D100BG THT universal diodes
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT15D100BHBG |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15D100BHBG THT universal diodes
APT15D100BHBG THT universal diodes
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