Produkte > MICROCHIP TECHNOLOGY > Alle Produkte des Herstellers MICROCHIP TECHNOLOGY (361573) > Seite 3582 nach 6027
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MSC035SMA070S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 46A; Idm: 163A; 206W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 46A Pulsed drain current: 163A Power dissipation: 206W Case: D3PAK On-state resistance: 44mΩ Mounting: SMD Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC035SMA170B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC035SMA170B4 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC035SMA170S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC040SMA120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC040SMA120B4 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC040SMA120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC040SMA120S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC040SMA120S/TR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC050SDA070B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC050SDA070BCT | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC050SDA070S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC050SDA120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC050SDA120BCT | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-3; Ir: 250uA Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Case: TO247-3 Technology: SiC Max. forward voltage: 2.1V Load current: 50A Max. forward impulse current: 290A Leakage current: 0.25mA Power dissipation: 186W Kind of package: tube Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSC050SDA120S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC050SDA170B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC060SMA070B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 28A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 143W Case: TO247-3 On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC060SMA070B4 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 28A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 143W Case: TO247-4 On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC060SMA070S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 26A; Idm: 93A; 130W; D3PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 26A Pulsed drain current: 93A Power dissipation: 130W Case: D3PAK On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC060SMA070SA | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 26A; Idm: 93A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 26A Pulsed drain current: 93A Power dissipation: 130W Case: TO263-7 On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSC060SMA070SDT/R | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 36A; Idm: 188A; 240W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 36A Pulsed drain current: 188A Power dissipation: 240W Case: TO263-7XL On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 56nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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MSC080SMA120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 91A; 200W Drain current: 26A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 64nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 91A Mounting: THT Case: TO247-3 Drain-source voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC080SMA120B4 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 90A; 200W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 26A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 200W Case: TO247-4 On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: SiC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC080SMA120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC080SMA120JS15 | MICROCHIP TECHNOLOGY | MSC080SMA120JS15 Transistor modules MOSFET |
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MSC080SMA120S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC080SMA120SA | MICROCHIP TECHNOLOGY | MSC080SMA120SA SMD N channel transistors |
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MSC080SMA120SDT/R | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC080SMA330B4 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC090SDA330B2 | MICROCHIP TECHNOLOGY | MSC090SDA330B2 THT Schottky diodes |
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MSC090SMA070B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 20A; Idm: 69A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 20A Pulsed drain current: 69A Power dissipation: 90W Case: TO247-3 On-state resistance: 108mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC090SMA070S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 18A; Idm: 65A; 91W; D3PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 18A Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 91W Case: D3PAK On-state resistance: 0.115Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC090SMA070SA | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 18A; Idm: 65A; 91W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 18A Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 91W Case: TO263-7 On-state resistance: 0.115Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSC090SMA070SDT/R | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 24A; Idm: 126A; 156W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 24A Pulsed drain current: 126A Power dissipation: 156W Case: TO263-7XL On-state resistance: 112mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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MSC100SM70JCU2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC100SM70JCU3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC130SM120JCU2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SOT227B; screw; 745W Case: SOT227B Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 138A On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 745W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: SiC Topology: boost chopper Pulsed drain current: 350A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSC130SM120JCU3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SOT227B; screw; 745W Case: SOT227B Semiconductor structure: SiC diode/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 138A On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 745W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: SiC Topology: buck chopper Pulsed drain current: 350A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MSC180SMA120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC180SMA120S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 15A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: D3PAK On-state resistance: 0.225Ω Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC180SMA120SA | MICROCHIP TECHNOLOGY | MSC180SMA120SA SMD N channel transistors |
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MSC180SMA120SDT/R | MICROCHIP TECHNOLOGY | MSC180SMA120SDT/R SMD N channel transistors |
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MSC2X100SDA070J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC2X100SDA120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC2X101SDA070J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC2X101SDA120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC2X30SDA070J | MICROCHIP TECHNOLOGY | MSC2X30SDA070J Diode modules |
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MSC2X30SDA120J | MICROCHIP TECHNOLOGY | MSC2X30SDA120J Diode modules |
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MSC2X30SDA170J | MICROCHIP TECHNOLOGY | MSC2X30SDA170J Diode modules |
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MSC2X31SDA070J | MICROCHIP TECHNOLOGY | MSC2X31SDA070J Diode modules |
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MSC2X31SDA120J | MICROCHIP TECHNOLOGY | MSC2X31SDA120J Diode modules |
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MSC2X31SDA170J | MICROCHIP TECHNOLOGY | MSC2X31SDA170J Diode modules |
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MSC2X50SDA070J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC2X50SDA120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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MSC2X50SDA170J | MICROCHIP TECHNOLOGY | MSC2X50SDA170J Diode modules |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MSC2X51SDA070J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC2X51SDA120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
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MSC2X51SDA170J | MICROCHIP TECHNOLOGY | MSC2X51SDA170J Diode modules |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MSC360SMA120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 28A; 78W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A Power dissipation: 78W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 21nC Technology: SiC Pulsed drain current: 28A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 58 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC360SMA120S | MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 27A; 71W; D3PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A Power dissipation: 71W Case: D3PAK On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 21nC Technology: SiC Pulsed drain current: 27A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MSC035SMA070S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 46A; Idm: 163A; 206W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 163A
Power dissipation: 206W
Case: D3PAK
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 46A; Idm: 163A; 206W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 163A
Power dissipation: 206W
Case: D3PAK
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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5+ | 14.99 EUR |
MSC035SMA170B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC035SMA170B THT N channel transistors
MSC035SMA170B THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC035SMA170B4 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC035SMA170B4 THT N channel transistors
MSC035SMA170B4 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC035SMA170S |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC035SMA170S SMD N channel transistors
MSC035SMA170S SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC040SMA120B |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC040SMA120B THT N channel transistors
MSC040SMA120B THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC040SMA120B4 |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC040SMA120B4 THT N channel transistors
MSC040SMA120B4 THT N channel transistors
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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3+ | 24.81 EUR |
5+ | 15.57 EUR |
MSC040SMA120J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC040SMA120J Transistor modules MOSFET
MSC040SMA120J Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC040SMA120S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC040SMA120S SMD N channel transistors
MSC040SMA120S SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC040SMA120S/TR |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC040SMA120S/TR SMD N channel transistors
MSC040SMA120S/TR SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC050SDA070B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC050SDA070B THT Schottky diodes
MSC050SDA070B THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC050SDA070BCT |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC050SDA070BCT THT Schottky diodes
MSC050SDA070BCT THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC050SDA070S |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC050SDA070S SMD Schottky diodes
MSC050SDA070S SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC050SDA120B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC050SDA120B THT Schottky diodes
MSC050SDA120B THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC050SDA120BCT |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-3; Ir: 250uA
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Technology: SiC
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 50A
Max. forward impulse current: 290A
Leakage current: 0.25mA
Power dissipation: 186W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-3; Ir: 250uA
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Technology: SiC
Max. forward voltage: 2.1V
Load current: 50A
Max. forward impulse current: 290A
Leakage current: 0.25mA
Power dissipation: 186W
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC050SDA120S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC050SDA120S SMD Schottky diodes
MSC050SDA120S SMD Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC050SDA170B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC050SDA170B THT Schottky diodes
MSC050SDA170B THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC060SMA070B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 143W
Case: TO247-3
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 143W
Case: TO247-3
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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7+ | 10.44 EUR |
MSC060SMA070B4 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 143W
Case: TO247-4
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 143W
Case: TO247-4
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 9.54 EUR |
MSC060SMA070S |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 26A; Idm: 93A; 130W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 93A
Power dissipation: 130W
Case: D3PAK
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 26A; Idm: 93A; 130W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 93A
Power dissipation: 130W
Case: D3PAK
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 10.18 EUR |
MSC060SMA070SA |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 26A; Idm: 93A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 93A
Power dissipation: 130W
Case: TO263-7
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 26A; Idm: 93A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 93A
Power dissipation: 130W
Case: TO263-7
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC060SMA070SDT/R |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 36A; Idm: 188A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 188A
Power dissipation: 240W
Case: TO263-7XL
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 36A; Idm: 188A; 240W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 188A
Power dissipation: 240W
Case: TO263-7XL
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC080SMA120B |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 91A; 200W
Drain current: 26A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 64nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 91A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 91A; 200W
Drain current: 26A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 64nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 91A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 17.82 EUR |
MSC080SMA120B4 |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 90A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-4
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 26A; Idm: 90A; 200W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 200W
Case: TO247-4
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: SiC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
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7+ | 11 EUR |
MSC080SMA120J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC080SMA120J Transistor modules MOSFET
MSC080SMA120J Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC080SMA120JS15 |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC080SMA120JS15 Transistor modules MOSFET
MSC080SMA120JS15 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC080SMA120S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC080SMA120S SMD N channel transistors
MSC080SMA120S SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC080SMA120SA |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC080SMA120SA SMD N channel transistors
MSC080SMA120SA SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC080SMA120SDT/R |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC080SMA120SDT/R SMD N channel transistors
MSC080SMA120SDT/R SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC080SMA330B4 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC080SMA330B4 THT N channel transistors
MSC080SMA330B4 THT N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC090SDA330B2 |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC090SDA330B2 THT Schottky diodes
MSC090SDA330B2 THT Schottky diodes
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC090SMA070B |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 20A; Idm: 69A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 90W
Case: TO247-3
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 20A; Idm: 69A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 90W
Case: TO247-3
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
10+ | 7.31 EUR |
MSC090SMA070S |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 18A; Idm: 65A; 91W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 91W
Case: D3PAK
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 18A; Idm: 65A; 91W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 91W
Case: D3PAK
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.21 EUR |
MSC090SMA070SA |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 18A; Idm: 65A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 91W
Case: TO263-7
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 18A; Idm: 65A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 91W
Case: TO263-7
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC090SMA070SDT/R |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 24A; Idm: 126A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 126A
Power dissipation: 156W
Case: TO263-7XL
On-state resistance: 112mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 24A; Idm: 126A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 126A
Power dissipation: 156W
Case: TO263-7XL
On-state resistance: 112mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC100SM70JCU2 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC100SM70JCU2 Transistor modules MOSFET
MSC100SM70JCU2 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC100SM70JCU3 |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC100SM70JCU3 Transistor modules MOSFET
MSC100SM70JCU3 Transistor modules MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC130SM120JCU2 |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SOT227B; screw; 745W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 138A
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 745W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: SiC
Topology: boost chopper
Pulsed drain current: 350A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SOT227B; screw; 745W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 138A
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 745W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: SiC
Topology: boost chopper
Pulsed drain current: 350A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC130SM120JCU3 |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SOT227B; screw; 745W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 138A
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 745W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: SiC
Topology: buck chopper
Pulsed drain current: 350A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 138A; SOT227B; screw; 745W
Case: SOT227B
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 138A
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 745W
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: SiC
Topology: buck chopper
Pulsed drain current: 350A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
MSC180SMA120B |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC180SMA120B THT N channel transistors
MSC180SMA120B THT N channel transistors
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
5+ | 15.89 EUR |
7+ | 10.25 EUR |
8+ | 9.7 EUR |
MSC180SMA120S |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D3PAK
On-state resistance: 0.225Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 15A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D3PAK
On-state resistance: 0.225Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
6+ | 12.57 EUR |
8+ | 9.64 EUR |
MSC180SMA120SA |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC180SMA120SA SMD N channel transistors
MSC180SMA120SA SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC180SMA120SDT/R |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC180SMA120SDT/R SMD N channel transistors
MSC180SMA120SDT/R SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC2X100SDA070J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC2X100SDA070J Diode modules
MSC2X100SDA070J Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC2X100SDA120J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC2X100SDA120J Diode modules
MSC2X100SDA120J Diode modules
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC2X101SDA070J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC2X101SDA070J Diode modules
MSC2X101SDA070J Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
MSC2X101SDA120J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC2X101SDA120J Diode modules
MSC2X101SDA120J Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
MSC2X30SDA070J |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC2X30SDA070J Diode modules
MSC2X30SDA070J Diode modules
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Stück im Wert von UAH
MSC2X30SDA120J |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC2X30SDA120J Diode modules
MSC2X30SDA120J Diode modules
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Stück im Wert von UAH
MSC2X30SDA170J |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC2X30SDA170J Diode modules
MSC2X30SDA170J Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
MSC2X31SDA070J |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC2X31SDA070J Diode modules
MSC2X31SDA070J Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
MSC2X31SDA120J |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC2X31SDA120J Diode modules
MSC2X31SDA120J Diode modules
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Stück im Wert von UAH
MSC2X31SDA170J |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC2X31SDA170J Diode modules
MSC2X31SDA170J Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC2X50SDA070J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC2X50SDA070J Diode modules
MSC2X50SDA070J Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC2X50SDA120J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC2X50SDA120J Diode modules
MSC2X50SDA120J Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC2X50SDA170J |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC2X50SDA170J Diode modules
MSC2X50SDA170J Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC2X51SDA070J |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC2X51SDA070J Diode modules
MSC2X51SDA070J Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC2X51SDA120J |
![]() |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC2X51SDA120J Diode modules
MSC2X51SDA120J Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC2X51SDA170J |
Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
MSC2X51SDA170J Diode modules
MSC2X51SDA170J Diode modules
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MSC360SMA120B |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 28A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Power dissipation: 78W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Technology: SiC
Pulsed drain current: 28A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 28A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Power dissipation: 78W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Technology: SiC
Pulsed drain current: 28A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 58 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
9+ | 8.18 EUR |
10+ | 7.36 EUR |
11+ | 6.78 EUR |
MSC360SMA120S |
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Hersteller: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 27A; 71W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Power dissipation: 71W
Case: D3PAK
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Technology: SiC
Pulsed drain current: 27A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 27A; 71W; D3PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Power dissipation: 71W
Case: D3PAK
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Technology: SiC
Pulsed drain current: 27A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
8+ | 8.95 EUR |