Produkte > MICROSEMI CORPORATION > Alle Produkte des Herstellers MICROSEMI CORPORATION (11217) > Seite 116 nach 187
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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JANTX1N4979CUS | Microsemi Corporation |
 Description: DIODE ZENER 75V 5W D5B |
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| JANTX1N4979D | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 75V 5W E AXIAL |
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JANTX1N4979DUS | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 75V 5W D5B Tolerance: ±1% Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 75 V Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms Supplier Device Package: D-5B Grade: Military Power - Max: 5 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 56 V Qualification: MIL-PRF-19500/435 |
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MSG106 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO204AL |
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| MS2176 | Microsemi Corporation |
Description: TRANSISTOR |
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APT53N60SC6 | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 600V 53A D3PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25.8A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.72mA Supplier Device Package: D3Pak Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V |
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2EZ56D/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL |
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2EZ56D/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL |
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2EZ56D10/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL |
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2EZ56D10/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL |
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2EZ56D10E3/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL |
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2EZ56D10E3/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL |
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2EZ56D2/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL |
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2EZ56D2/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL |
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2EZ56D2E3/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL |
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2EZ56D2E3/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL |
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2EZ56D5/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL |
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2EZ56D5/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL |
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2EZ56D5 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL |
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2EZ56D5DO41E3 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL |
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2EZ56D5DO41E3 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL |
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2EZ56D5E3/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL |
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2EZ56D5E3/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL |
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2EZ56DE3/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL |
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2EZ56DE3/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL |
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3EZ56D/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL |
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3EZ56D/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL |
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3EZ56D10/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL |
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3EZ56D10/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL |
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3EZ56D10E3/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL |
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3EZ56D10E3/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL |
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3EZ56D2/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL |
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3EZ56D2/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL |
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3EZ56D2E3/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL |
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3EZ56D2E3/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL |
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3EZ56D5/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL |
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3EZ56D5/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL |
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3EZ56D5E3/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL |
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3EZ56D5E3/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL |
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3EZ56DE3/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL |
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3EZ56DE3/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL |
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| APTM100A23SCTG | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 |
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| JANTX1N4973C | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 43V 5W E-AXIAL Tolerance: ±2% Packaging: Bulk Package / Case: E, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms Supplier Device Package: E, Axial Grade: Military Power - Max: 5 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 32.7 V Qualification: MIL-PRF-19500/435 |
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MX1H5615 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Supplier Device Package: Axial Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V |
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.jpg "SK34/TR13") |
SK34/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB |
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SK34E3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB |
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UFT14140 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE MODULE GP 400V 70A TO249 Packaging: Bulk Package / Case: TO-249AA Mounting Type: Screw Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A Supplier Device Package: TO-249 Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 70 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V |
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UFT14140A | Microsemi Corporation |
Description: DIODE MODULE GP 400V 70A TO249 Packaging: Bulk Package / Case: TO-249AA Isolated Base Mounting Type: Screw Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A Supplier Device Package: TO-249 Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 70 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V |
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UFT14140D | Microsemi Corporation |
Description: DIODE MODULE 400V 70A TO249 Packaging: Bulk Package / Case: TO-249AA Isolated Base Mounting Type: Screw Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A Supplier Device Package: TO-249 Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 70 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V |
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UFT20140 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Screw Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Module Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 400 V |
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| UFT20140A | Microsemi Corporation |
Description: DIODE MODULE 400V 100A |
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| UFT20140D | Microsemi Corporation |
Description: DIODE MODULE 400V 100A |
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| 2731-200P | Microsemi Corporation | Description: RF TRANS 3.1GHZ MODULE |
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APT94N65B2C3G | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 833W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.8mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13940 pF @ 25 V |
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1N5811/TR | Microsemi Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V |
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1N5811TR | Microsemi Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL |
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APT20N60BC3G | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 25 V |
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APT20N60SC3G | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA Supplier Device Package: D3Pak Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 25 V |
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MSD130-08 | Microsemi Corporation |
Description: BRIDGE RECT 3PHASE 800V 130A M3 |
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MSD130-12 | Microsemi Corporation |
Description: BRIDGE RECT 3PHASE 1.2KV 130A M3 Packaging: Bulk Package / Case: M3 Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Three Phase Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: M3 Part Status: Obsolete Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV Current - Average Rectified (Io): 130 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTX1N4979CUS |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 75V 5W D5B
Description: DIODE ZENER 75V 5W D5B
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX1N4979D |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 75V 5W E AXIAL
Description: DIODE ZENER 75V 5W E AXIAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX1N4979DUS |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 75V 5W D5B
Tolerance: ±1%
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 75 V
Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms
Supplier Device Package: D-5B
Grade: Military
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 56 V
Qualification: MIL-PRF-19500/435
Description: DIODE ZENER 75V 5W D5B
Tolerance: ±1%
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 75 V
Impedance (Max) (Zzt): 55 Ohms
Supplier Device Package: D-5B
Grade: Military
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 56 V
Qualification: MIL-PRF-19500/435
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSG106 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO204AL
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MS2176 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANSISTOR
Description: TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| APT53N60SC6 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 600V 53A D3PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: D3Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 53A D3PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 25.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: D3Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2EZ56D/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2EZ56D/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2EZ56D10/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2EZ56D10/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2EZ56D10E3/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2EZ56D10E3/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2EZ56D2/TR12 |
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Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2EZ56D2/TR8 |
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Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2EZ56D2E3/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2EZ56D2E3/TR8 |
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Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
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| 2EZ56D5/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
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| 2EZ56D5/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
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| 2EZ56D5 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
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| 2EZ56D5DO41E3 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 2EZ56D5DO41E3 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
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| 2EZ56D5E3/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
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| 2EZ56D5E3/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 2EZ56DE3/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
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| 2EZ56DE3/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 2W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ56D/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ56D/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ56D10/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ56D10/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ56D10E3/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ56D10E3/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ56D2/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ56D2/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ56D2E3/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ56D2E3/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ56D5/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ56D5/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ56D5E3/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ56D5E3/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ56DE3/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ56DE3/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 56V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| APTM100A23SCTG |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
Description: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
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Stück im Wert von UAH
| JANTX1N4973C |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 43V 5W E-AXIAL
Tolerance: ±2%
Packaging: Bulk
Package / Case: E, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: E, Axial
Grade: Military
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 32.7 V
Qualification: MIL-PRF-19500/435
Description: DIODE ZENER 43V 5W E-AXIAL
Tolerance: ±2%
Packaging: Bulk
Package / Case: E, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 43 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: E, Axial
Grade: Military
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 32.7 V
Qualification: MIL-PRF-19500/435
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Stück im Wert von UAH
| MX1H5615 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Supplier Device Package: Axial
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
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Stück im Wert von UAH
| SK34/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB
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Stück im Wert von UAH
| SK34E3/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB
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Stück im Wert von UAH
| UFT14140 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE GP 400V 70A TO249
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AA
Mounting Type: Screw Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A
Supplier Device Package: TO-249
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 70A TO249
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AA
Mounting Type: Screw Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A
Supplier Device Package: TO-249
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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Stück im Wert von UAH
| UFT14140A |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE GP 400V 70A TO249
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AA Isolated Base
Mounting Type: Screw Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A
Supplier Device Package: TO-249
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 70A TO249
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AA Isolated Base
Mounting Type: Screw Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A
Supplier Device Package: TO-249
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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Stück im Wert von UAH
| UFT14140D |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE 400V 70A TO249
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AA Isolated Base
Mounting Type: Screw Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A
Supplier Device Package: TO-249
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Description: DIODE MODULE 400V 70A TO249
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-249AA Isolated Base
Mounting Type: Screw Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A
Supplier Device Package: TO-249
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| UFT20140 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Screw Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 400 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 100A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Screw Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| UFT20140A |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE 400V 100A
Description: DIODE MODULE 400V 100A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| UFT20140D |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE 400V 100A
Description: DIODE MODULE 400V 100A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2731-200P |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS 3.1GHZ MODULE
Description: RF TRANS 3.1GHZ MODULE
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| APT94N65B2C3G |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 833W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.8mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13940 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 833W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.8mA
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13940 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N5811/TR |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N5811TR |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
Description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| APT20N60BC3G |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| APT20N60SC3G |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: D3Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSD130-08 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: BRIDGE RECT 3PHASE 800V 130A M3
Description: BRIDGE RECT 3PHASE 800V 130A M3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MSD130-12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: BRIDGE RECT 3PHASE 1.2KV 130A M3
Packaging: Bulk
Package / Case: M3
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: M3
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 130 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
Description: BRIDGE RECT 3PHASE 1.2KV 130A M3
Packaging: Bulk
Package / Case: M3
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: M3
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 130 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 1200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH