Die Produkte microsemi corporation

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JAN1N3025CUR-1 JAN1N3025CUR-1 5787-1n3016bur-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 16V 1W DO213AB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 1W
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 12.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
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JANTX1N3025CUR-1 JANTX1N3025CUR-1 5787-1n3016bur-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 16V 1W DO213AB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 1W
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 12.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
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JAN1N3025DUR-1 JAN1N3025DUR-1 5787-1n3016bur-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 16V 1W DO213AB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16V
Tolerance: ±1%
Power - Max: 1W
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 12.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
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JANTXV1N3025CUR-1 JANTXV1N3025CUR-1 5787-1n3016bur-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 16V 1W DO213AB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 1W
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 12.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
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A3P600-FGG256 A3P600-FGG256 130704-ds0097-proasic3-family-flash-fpgas-datasheet Microsemi Corporation Description: IC FPGA 177 I/O 256FBGA
Packaging: Tray
Part Status: Active
Total RAM Bits: 110592
Number of I/O: 177
Number of Gates: 600000
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TJ)
Package / Case: 256-LBGA
Supplier Device Package: 256-FPBGA (17x17)
Base Part Number: A3P600
auf Bestellung 85 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1N4103-1 129734-lds-0245-2-datasheet Microsemi Corporation Description: ZENER DIODE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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1N5950B 1N5950B 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: ZENER DIODE
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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1N5950B G 1N5950B G 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 110V 1.25W DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 110V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 1.25W
Impedance (Max) (Zzt): 300 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 83.6V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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JANTXV1N5807 123509-lds-0168-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 4A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 10V, 1MHz
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
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JAN1N5807URS 124792-lds-0168-1-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 4A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, B
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
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JANTX1N5807URS 124792-lds-0168-1-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG
Part Status: Active
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, B
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
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JANTXV1N5807URS 124792-lds-0168-1-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 4A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, B
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
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JAN1N5807 123509-lds-0168-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL
Packaging: Bulk
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 4A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
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JANTXV1N5807US 124792-lds-0168-1-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE GEN PURP 50V 3A D5B
Packaging: Bulk
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 4A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, B
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
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2N5430 2N5430.pdf PwrTransistors_TO-66_Case.pdf Microsemi Corporation Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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auf Bestellung 1082 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
1N5659 8922-lds-0096-datasheet Microsemi Corporation Description: TVS DIODE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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auf Bestellung 2100 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
1N5927A G 1N5927A G 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 12V 1.25W DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12V
Tolerance: ±10%
Power - Max: 1.25W
Impedance (Max) (Zzt): 6.5 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 9.1V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 1N5927
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1N5927C G 1N5927C G 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 12V 1.25W DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 1.25W
Impedance (Max) (Zzt): 6.5 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 9.1V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 1N5927
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1N5927D G 1N5927D G 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 12V 1.25W DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12V
Tolerance: ±1%
Power - Max: 1.25W
Impedance (Max) (Zzt): 6.5 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 9.1V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 1N5927
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MP4KE39A MP4KE39A 9517-mp4ke-pdf Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO204AL
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Unidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
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MP4KE39AE3 MP4KE39AE3 9517-mp4ke-pdf Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO204AL
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Unidirectional Channels: 1
Type: Zener
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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MAP4KE39A MAP4KE39A 9517-mp4ke-pdf Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO204AL
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Unidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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MAP4KE39AE3 MAP4KE39AE3 9517-mp4ke-pdf Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO204AL
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Unidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
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MXLP4KE39A MXLP4KE39A 9517-mp4ke-pdf Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO204AL
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Unidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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MXLP4KE39AE3 MXLP4KE39AE3 9517-mp4ke-pdf Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO204AL
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Unidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
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MXP4KE39A MXP4KE39A 9517-mp4ke-pdf Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO204AL
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Unidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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MXP4KE39AE3 MXP4KE39AE3 9517-mp4ke-pdf Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO204AL
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Unidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SMBJ5340BE3/TR13 SMBJ5340BE3/TR13 124875-lds-0246-2-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 6V 5W SMBJ
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMBJ (DO-214AA)
Impedance (Max) (Zzt): 1 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 11346 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
MSMLJ36CA/TR 10563-msml-datasheet Microsemi Corporation Description: TVS
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 51.6A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 58.1V
Voltage - Breakdown (Min): 40V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 36V
Bidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SMLJ (DO-214AB)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MSMLJ43CA/TR 10563-msml-datasheet Microsemi Corporation Description: TVS
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 43.2A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 69.4V
Voltage - Breakdown (Min): 47.8V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43V
Bidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SMLJ (DO-214AB)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MSMLJ40CA/TR 10563-msml-datasheet Microsemi Corporation Description: TVS
Voltage - Breakdown (Min): 44.4V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40V
Bidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SMLJ (DO-214AB)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 46.4A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.5V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N5255A (DO-35) 1N5255A (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 28V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 21V
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 44 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±10%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 28V
Part Status: Active
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auf Bestellung 10000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
1N5255B (DO-35) 1N5255B (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 28V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 21V
Impedance (Max) (Zzt): 44 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±5%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 28V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: DO-35
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 200mA
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JANTXV1N5802US JANTXV1N5802US 132687-lds-0211-1-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A
Packaging: Bulk
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 1A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Notification: QPL or Military Specs are for reference only. Parts are not for military use. See Terms and Conditions.
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5962-0151801QZC index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=130722 Microsemi Corporation Description: IC FPGA 69 I/O 84CQFP
Packaging: Tray
Part Status: Active
Number of LABs/CLBs: 2880
Number of I/O: 69
Number of Gates: 48000
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.25V
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case: 84-CQFP Exposed Pad and Tie Bar
Supplier Device Package: 84-CQFP (42x42)
Base Part Number: 5962-01518
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5962-0151801QYC index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=130722 Microsemi Corporation Description: IC FPGA 174 I/O 208CQFP
Packaging: Tray
Part Status: Active
Number of LABs/CLBs: 2880
Number of I/O: 174
Number of Gates: 48000
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.25V
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case: 208-BFCQFP with Tie Bar
Supplier Device Package: 208-CQFP (75x75)
Base Part Number: 5962-01518
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5962-0151801QXC index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=130722 Microsemi Corporation Description: IC FPGA 203 I/O 256CQFP
Packaging: Tray
Part Status: Active
Number of LABs/CLBs: 2880
Number of I/O: 203
Number of Gates: 48000
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.25V
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case: 256-BFCQFP with Tie Bar
Supplier Device Package: 256-CQFP (75x75)
Base Part Number: 5962-01518
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MP4KE16CA MP4KE16CA 9517-mp4ke-pdf Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13.6V
Voltage - Breakdown (Min): 15.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22.5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18A
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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MAP4KE16CA MAP4KE16CA 9517-mp4ke-pdf Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Type: Zener
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13.6V
Voltage - Breakdown (Min): 15.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22.5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18A
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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MXLP4KE16CA MXLP4KE16CA 9517-mp4ke-pdf Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Type: Zener
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13.6V
Voltage - Breakdown (Min): 15.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22.5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18A
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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MXLP4KE16CAE3 MXLP4KE16CAE3 9517-mp4ke-pdf Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Type: Zener
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13.6V
Voltage - Breakdown (Min): 15.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22.5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18A
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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MXP4KE16CA MXP4KE16CA 9517-mp4ke-pdf Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Type: Zener
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13.6V
Voltage - Breakdown (Min): 15.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22.5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18A
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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MXP4KE16CAE3 MXP4KE16CAE3 9517-mp4ke-pdf Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Type: Zener
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13.6V
Voltage - Breakdown (Min): 15.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22.5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18A
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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MP4KE160CA MP4KE160CA 9517-mp4ke-pdf Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 136V 219V DO204AL
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 219V
Voltage - Breakdown (Min): 152V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 136V
Bidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.8A
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MP4KE160CAE3 MP4KE160CAE3 9517-mp4ke-pdf Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 136V 219V DO204AL
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 136V
Bidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.8A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 219V
Voltage - Breakdown (Min): 152V
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MSMLJ10CA MSMLJ10CA 10563-msml-datasheet Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 10V 17V DO214AB
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AB
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 176.4A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Bulk
auf Bestellung 14 Stücke
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auf Bestellung 150 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
4+ 7.72 EUR
P6KE130AE3/TR13 10895-sa4-59-datasheet Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 111VWM 179VC AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 111V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 124V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 179V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
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JANTX2N3421 JANTX2N3421 124375-lds-0192-datasheet Microsemi Corporation Description: TRANS NPN 80V 3A TO-5
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-5
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Transistor Type: NPN
auf Bestellung 80 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 1080 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
2N3421S 124287-lds-0192-1-datasheet Microsemi Corporation Description: NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JAN2N3421S 124287-lds-0192-1-datasheet Microsemi Corporation Description: TRANS NPN 80V 3A TO39
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JANTXV2N3421 JANTXV2N3421 124375-lds-0192-datasheet Microsemi Corporation Description: TRANS NPN 80V 3A TO5
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: TO-5
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
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auf Bestellung 329 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
2N3421 124375-lds-0192-datasheet Microsemi Corporation Description: NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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auf Bestellung 5017 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
2N3421U4 124374-lds-0192-2-datasheet Microsemi Corporation Description: NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JANTXV2N3421U4 JANTXV2N3421U4 Microsemi Corporation Description: TRANS NPN 125V 3A
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Bulk
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JANTX2N3421S 124287-lds-0192-1-datasheet Microsemi Corporation Description: TRANS NPN 80V 3A TO39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Transistor Type: NPN
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Bulk
Power - Max: 1W
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
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auf Bestellung 199 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
JANTXV2N3421S JANTXV2N3421S 124287-lds-0192-1-datasheet Microsemi Corporation Description: TRANS NPN 80V 3A TO39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Transistor Type: NPN
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
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2N5152L 8864-lds-0039-datasheet Microsemi Corporation Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JAN2N5152L 8864-lds-0039-pdf Microsemi Corporation Description: TRANS NPN 80V 2A TO5
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-5
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
JAN2N5152 8864-lds-0039-pdf Microsemi Corporation Description: TRANS NPN 80V 2A TO39
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
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auf Bestellung 4400 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
JANTX2N5152 8864-lds-0039-pdf Microsemi Corporation Description: TRANS NPN 80V 2A TO39
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 4000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
JANTX2N5152L 8864-lds-0039-pdf Microsemi Corporation Description: TRANS NPN 80V 2A TO5
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-5
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
JANTXV2N5152 8864-lds-0039-pdf Microsemi Corporation Description: TRANS NPN 80V 2A TO39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
JANTXV2N5152L 8864-lds-0039-pdf Microsemi Corporation Description: TRANS NPN 80V 2A TO5
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-5
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2N5152 8864-lds-0039-datasheet Microsemi Corporation Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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auf Bestellung 5695 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
JANSR2N5152U3 125206-lds-0100-2-datasheet Microsemi Corporation Description: RH POWER BJT
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Tray
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Supplier Device Package: U3
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2N5154L 8864-lds-0039-datasheet Microsemi Corporation Description: PNP POWER SILICON TRANSISTOR
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JAN2N5154L 8864-lds-0039-pdf Microsemi Corporation Description: TRANS NPN 80V 2A TO5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-5
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
JANTX2N5154L JANTX2N5154L 8864-lds-0039-pdf Microsemi Corporation Description: TRANS NPN 80V 2A TO5
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-5
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2N5154 8864-lds-0039-datasheet Microsemi Corporation Description: PNP POWER SILICON TRANSISTOR
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 5749 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
JANTX2N5154 JANTX2N5154 8864-lds-0039-pdf Microsemi Corporation Description: TRANS NPN 80V 2A TO-39
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
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auf Bestellung 4193 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
JANTXV2N5154 JANTXV2N5154 8864-lds-0039-pdf Microsemi Corporation Description: TRANS NPN 80V 2A TO-39
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
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auf Bestellung 189 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
JANTXV2N5154L JANTXV2N5154L 8864-lds-0039-pdf Microsemi Corporation Description: TRANS NPN 80V 2A TO5
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Bulk
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Supplier Device Package: TO-5
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
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JAN1N3037B-1 JAN1N3037B-1 125225-lds-0285-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 51V 1W DO41
Supplier Device Package: DO-41
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 35.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±5%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JANTXV1N3037B-1 JANTXV1N3037B-1 125225-lds-0285-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 51V 1W DO41
Supplier Device Package: DO-41
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 38.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±5%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JAN1N3037BUR-1 JAN1N3037BUR-1 5787-1n3016bur-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 51V 1W DO213AB
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 35.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±5%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JANTX1N3037BUR-1 JANTX1N3037BUR-1 5787-1n3016bur-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 51V 1W DO213AB
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 38.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±5%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JAN1N3037C-1 JAN1N3037C-1 125225-lds-0285-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 51V 1W DO41
Supplier Device Package: DO-41
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 35.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JANTXV1N3037BUR-1 JANTXV1N3037BUR-1 5787-1n3016bur-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 51V 1W DO213AB
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 38.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±5%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JAN1N3037D-1 JAN1N3037D-1 125225-lds-0285-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 51V 1W DO41
Supplier Device Package: DO-41
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 35.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±1%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JANTX1N3037D-1 JANTX1N3037D-1 125225-lds-0285-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 51V 1W DO41
Supplier Device Package: DO-41
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 38.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±1%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JAN1N3037CUR-1 JAN1N3037CUR-1 5787-1n3016bur-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 51V 1W DO213AB
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 35.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JANTXV1N3037D-1 JANTXV1N3037D-1 125225-lds-0285-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 51V 1W DO41
Supplier Device Package: DO-41
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 38.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±1%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JANTX1N3037CUR-1 JANTX1N3037CUR-1 5787-1n3016bur-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 51V 1W DO213AB
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 38.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JANTXV1N3037C-1 JANTXV1N3037C-1 125225-lds-0285-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 51V 1W DO41
Supplier Device Package: DO-41
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 38.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JAN1N3037DUR-1 JAN1N3037DUR-1 5787-1n3016bur-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 51V 1W DO213AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 35.8V
Power - Max: 1W
Tolerance: ±1%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
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JANTXV1N3037CUR-1 JANTXV1N3037CUR-1 5787-1n3016bur-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 51V 1W DO213AB
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 38.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JANTX1N3037DUR-1 JANTX1N3037DUR-1 5787-1n3016bur-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 51V 1W DO213AB
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 38.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±1%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JANTXV1N3037DUR-1 JANTXV1N3037DUR-1 5787-1n3016bur-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 51V 1W DO213AB
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Tolerance: ±1%
Power - Max: 1W
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 38.8V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
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JAN1N5190 11517-lds-0216-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2µA @ 600V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Notification: QPL or Military Specs are for reference only. Parts are not for military use. See Terms and Conditions.
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JANTXV1N5190 11517-lds-0216-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2µA @ 600V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Notification: QPL or Military Specs are for reference only. Parts are not for military use. See Terms and Conditions.
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JAN1N5194 8848-lds-0031-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70V
Current - Average Rectified (Io): 200mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.25mA @ 80V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 170°C
Notification: QPL or Military Specs are for reference only. Parts are not for military use. See Terms and Conditions.
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JANTX1N5194 JANTX1N5194 8848-lds-0031-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE GEN PURP 70V 50MA DO35
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70V
Current - Average Rectified (Io): 50mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25nA @ 70V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Notification: QPL or Military Specs are for reference only. Parts are not for military use. See Terms and Conditions.
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auf Bestellung 10 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
JANTX1N5195 8852-lds-0033-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180V
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 200V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Notification: QPL or Military Specs are for reference only. Parts are not for military use. See Terms and Conditions.
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JANTX1N5196 8856-lds-0035-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE GEN PURP 225V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 225V
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 250V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Notification: QPL or Military Specs are for reference only. Parts are not for military use. See Terms and Conditions.
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JANTXV1N5642A 8922-lds-0096-datasheet Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO13
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Type: Zener
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20.5V
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 33.2V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 45A
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-13
Supplier Device Package: DO-13 (DO-202AA)
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JANTX1N6126 127891-lds-0277-datasheet Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 51.7V 101.96V AXIAL
Bidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.85A
Notification: QPL or Military Specs are for reference only. Parts are not for military use. See Terms and Conditions.
Supplier Device Package: Axial
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 101.96V
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Breakdown (Min): 61.37V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51.7V
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2N3763 6053-2n3762-datasheet Microsemi Corporation Description: PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 31628 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
2N3763L 6053-2n3762-datasheet Microsemi Corporation Description: PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
JANTX2N3763 JANTX2N3763 6053-2n3762-pdf Microsemi Corporation Description: TRANSISTOR PNP TO-39
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 30000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
JANS2N3763 6053-2n3762-pdf Microsemi Corporation Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-39
Packaging: Bulk
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Transistor Type: PNP
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
Power - Max: 1W
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
JAN1N3025CUR-1 5787-1n3016bur-datasheet
JAN1N3025CUR-1
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 16V 1W DO213AB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 1W
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 12.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
JANTX1N3025CUR-1 5787-1n3016bur-datasheet
JANTX1N3025CUR-1
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 16V 1W DO213AB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 1W
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 12.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
JAN1N3025DUR-1 5787-1n3016bur-datasheet
JAN1N3025DUR-1
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 16V 1W DO213AB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16V
Tolerance: ±1%
Power - Max: 1W
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 12.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
JANTXV1N3025CUR-1 5787-1n3016bur-datasheet
JANTXV1N3025CUR-1
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 16V 1W DO213AB
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 1W
Impedance (Max) (Zzt): 16 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 12.2V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
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A3P600-FGG256 130704-ds0097-proasic3-family-flash-fpgas-datasheet
A3P600-FGG256
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 177 I/O 256FBGA
Packaging: Tray
Part Status: Active
Total RAM Bits: 110592
Number of I/O: 177
Number of Gates: 600000
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TJ)
Package / Case: 256-LBGA
Supplier Device Package: 256-FPBGA (17x17)
Base Part Number: A3P600
auf Bestellung 85 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1N4103-1 129734-lds-0245-2-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: ZENER DIODE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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1N5950B 10922-sa5-57-datasheet
1N5950B
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: ZENER DIODE
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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1N5950B G 10922-sa5-57-datasheet
1N5950B G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 110V 1.25W DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 110V
Tolerance: ±5%
Power - Max: 1.25W
Impedance (Max) (Zzt): 300 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 83.6V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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JANTXV1N5807 123509-lds-0168-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 4A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F: 65pF @ 10V, 1MHz
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
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JAN1N5807URS 124792-lds-0168-1-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 4A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, B
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
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JANTX1N5807URS 124792-lds-0168-1-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG
Part Status: Active
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, B
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
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JANTXV1N5807URS 124792-lds-0168-1-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 4A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, B
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
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JAN1N5807 123509-lds-0168-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL
Packaging: Bulk
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 6A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 4A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
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JANTXV1N5807US 124792-lds-0168-1-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A D5B
Packaging: Bulk
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 4A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, B
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
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2N5430 2N5430.pdf PwrTransistors_TO-66_Case.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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auf Bestellung 1082 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
1N5659 8922-lds-0096-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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auf Bestellung 2100 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
1N5927A G 10922-sa5-57-datasheet
1N5927A G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 1.25W DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12V
Tolerance: ±10%
Power - Max: 1.25W
Impedance (Max) (Zzt): 6.5 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 9.1V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 1N5927
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1N5927C G 10922-sa5-57-datasheet
1N5927C G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 1.25W DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12V
Tolerance: ±2%
Power - Max: 1.25W
Impedance (Max) (Zzt): 6.5 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 9.1V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 1N5927
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1N5927D G 10922-sa5-57-datasheet
1N5927D G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 1.25W DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12V
Tolerance: ±1%
Power - Max: 1.25W
Impedance (Max) (Zzt): 6.5 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 9.1V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Base Part Number: 1N5927
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MP4KE39A 9517-mp4ke-pdf
MP4KE39A
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO204AL
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Unidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
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MP4KE39AE3 9517-mp4ke-pdf
MP4KE39AE3
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO204AL
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Unidirectional Channels: 1
Type: Zener
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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MAP4KE39A 9517-mp4ke-pdf
MAP4KE39A
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO204AL
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Unidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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MAP4KE39AE3 9517-mp4ke-pdf
MAP4KE39AE3
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO204AL
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Unidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
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MXLP4KE39A 9517-mp4ke-pdf
MXLP4KE39A
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO204AL
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Unidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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MXLP4KE39AE3 9517-mp4ke-pdf
MXLP4KE39AE3
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO204AL
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Unidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
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MXP4KE39A 9517-mp4ke-pdf
MXP4KE39A
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO204AL
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Unidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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MXP4KE39AE3 9517-mp4ke-pdf
MXP4KE39AE3
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO204AL
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.5A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Unidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SMBJ5340BE3/TR13 124875-lds-0246-2-datasheet
SMBJ5340BE3/TR13
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 6V 5W SMBJ
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 3 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMBJ (DO-214AA)
Impedance (Max) (Zzt): 1 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AA, SMB
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 11346 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
MSMLJ36CA/TR 10563-msml-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 51.6A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 58.1V
Voltage - Breakdown (Min): 40V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 36V
Bidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SMLJ (DO-214AB)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MSMLJ43CA/TR 10563-msml-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 43.2A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 69.4V
Voltage - Breakdown (Min): 47.8V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43V
Bidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SMLJ (DO-214AB)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
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MSMLJ40CA/TR 10563-msml-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS
Voltage - Breakdown (Min): 44.4V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40V
Bidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SMLJ (DO-214AB)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 46.4A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.5V
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1N5255A (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5255A (DO-35)
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 28V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 21V
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 44 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±10%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 28V
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 10000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
1N5255B (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5255B (DO-35)
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 28V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100nA @ 21V
Impedance (Max) (Zzt): 44 Ohms
Power - Max: 500mW
Tolerance: ±5%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 28V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: DO-35
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 200mA
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JANTXV1N5802US 132687-lds-0211-1-datasheet
JANTXV1N5802US
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A D5A
Packaging: Bulk
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50V
Current - Average Rectified (Io): 1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 1A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Notification: QPL or Military Specs are for reference only. Parts are not for military use. See Terms and Conditions.
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5962-0151801QZC index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=130722
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 69 I/O 84CQFP
Packaging: Tray
Part Status: Active
Number of LABs/CLBs: 2880
Number of I/O: 69
Number of Gates: 48000
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.25V
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case: 84-CQFP Exposed Pad and Tie Bar
Supplier Device Package: 84-CQFP (42x42)
Base Part Number: 5962-01518
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5962-0151801QYC index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=130722
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 174 I/O 208CQFP
Packaging: Tray
Part Status: Active
Number of LABs/CLBs: 2880
Number of I/O: 174
Number of Gates: 48000
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.25V
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case: 208-BFCQFP with Tie Bar
Supplier Device Package: 208-CQFP (75x75)
Base Part Number: 5962-01518
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
5962-0151801QXC index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=130722
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 203 I/O 256CQFP
Packaging: Tray
Part Status: Active
Number of LABs/CLBs: 2880
Number of I/O: 203
Number of Gates: 48000
Voltage - Supply: 2.25V ~ 5.25V
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case: 256-BFCQFP with Tie Bar
Supplier Device Package: 256-CQFP (75x75)
Base Part Number: 5962-01518
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
MP4KE16CA 9517-mp4ke-pdf
MP4KE16CA
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13.6V
Voltage - Breakdown (Min): 15.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22.5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18A
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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MAP4KE16CA 9517-mp4ke-pdf
MAP4KE16CA
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Type: Zener
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13.6V
Voltage - Breakdown (Min): 15.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22.5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18A
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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MXLP4KE16CA 9517-mp4ke-pdf
MXLP4KE16CA
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Type: Zener
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13.6V
Voltage - Breakdown (Min): 15.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22.5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18A
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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MXLP4KE16CAE3 9517-mp4ke-pdf
MXLP4KE16CAE3
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Type: Zener
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13.6V
Voltage - Breakdown (Min): 15.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22.5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18A
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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MXP4KE16CA 9517-mp4ke-pdf
MXP4KE16CA
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Type: Zener
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13.6V
Voltage - Breakdown (Min): 15.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22.5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18A
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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MXP4KE16CAE3 9517-mp4ke-pdf
MXP4KE16CAE3
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 13.6V 22.5V DO204AL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Type: Zener
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13.6V
Voltage - Breakdown (Min): 15.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 22.5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18A
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
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MP4KE160CA 9517-mp4ke-pdf
MP4KE160CA
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 136V 219V DO204AL
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 219V
Voltage - Breakdown (Min): 152V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 136V
Bidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.8A
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MP4KE160CAE3 9517-mp4ke-pdf
MP4KE160CAE3
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 136V 219V DO204AL
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 136V
Bidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 400W
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.8A
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 219V
Voltage - Breakdown (Min): 152V
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MSMLJ10CA 10563-msml-datasheet
MSMLJ10CA
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 10V 17V DO214AB
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 3000W (3kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-214AB
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 176.4A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Bulk
auf Bestellung 14 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 150 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
4+ 7.72 EUR
P6KE130AE3/TR13 10895-sa4-59-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 111VWM 179VC AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 111V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 124V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 179V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
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JANTX2N3421 124375-lds-0192-datasheet
JANTX2N3421
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 80V 3A TO-5
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-5
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Transistor Type: NPN
auf Bestellung 80 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 1080 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
2N3421S 124287-lds-0192-1-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JAN2N3421S 124287-lds-0192-1-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 80V 3A TO39
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JANTXV2N3421 124375-lds-0192-datasheet
JANTXV2N3421
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 80V 3A TO5
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Transistor Type: NPN
Supplier Device Package: TO-5
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
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auf Bestellung 329 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
2N3421 124375-lds-0192-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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auf Bestellung 5017 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
2N3421U4 124374-lds-0192-2-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JANTXV2N3421U4
JANTXV2N3421U4
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 125V 3A
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Bulk
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JANTX2N3421S 124287-lds-0192-1-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 80V 3A TO39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Transistor Type: NPN
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Bulk
Power - Max: 1W
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
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auf Bestellung 199 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
JANTXV2N3421S 124287-lds-0192-1-datasheet
JANTXV2N3421S
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 80V 3A TO39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Transistor Type: NPN
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
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2N5152L 8864-lds-0039-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JAN2N5152L 8864-lds-0039-pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 80V 2A TO5
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-5
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
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JAN2N5152 8864-lds-0039-pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 80V 2A TO39
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
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auf Bestellung 4400 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
JANTX2N5152 8864-lds-0039-pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 80V 2A TO39
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
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auf Bestellung 4000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
JANTX2N5152L 8864-lds-0039-pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 80V 2A TO5
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-5
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
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JANTXV2N5152 8864-lds-0039-pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 80V 2A TO39
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
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JANTXV2N5152L 8864-lds-0039-pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 80V 2A TO5
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-5
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2N5152 8864-lds-0039-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: NPN SILICON TRANSISTOR
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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auf Bestellung 5695 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
JANSR2N5152U3 125206-lds-0100-2-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RH POWER BJT
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Tray
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Supplier Device Package: U3
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2N5154L 8864-lds-0039-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: PNP POWER SILICON TRANSISTOR
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JAN2N5154L 8864-lds-0039-pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 80V 2A TO5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-5
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
JANTX2N5154L 8864-lds-0039-pdf
JANTX2N5154L
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 80V 2A TO5
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-5
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2N5154 8864-lds-0039-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: PNP POWER SILICON TRANSISTOR
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 5749 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
JANTX2N5154 8864-lds-0039-pdf
JANTX2N5154
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-39
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 4193 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
JANTXV2N5154 8864-lds-0039-pdf
JANTXV2N5154
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 80V 2A TO-39
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 189 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
JANTXV2N5154L 8864-lds-0039-pdf
JANTXV2N5154L
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 80V 2A TO5
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Current - Collector (Ic) (Max): 2A
Transistor Type: NPN
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Packaging: Bulk
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A
Supplier Device Package: TO-5
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Power - Max: 1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
JAN1N3037B-1 125225-lds-0285-datasheet
JAN1N3037B-1
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 1W DO41
Supplier Device Package: DO-41
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 35.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±5%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
JANTXV1N3037B-1 125225-lds-0285-datasheet
JANTXV1N3037B-1
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 1W DO41
Supplier Device Package: DO-41
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 38.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±5%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JAN1N3037BUR-1 5787-1n3016bur-datasheet
JAN1N3037BUR-1
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 1W DO213AB
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 35.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±5%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JANTX1N3037BUR-1 5787-1n3016bur-datasheet
JANTX1N3037BUR-1
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 1W DO213AB
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 38.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±5%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JAN1N3037C-1 125225-lds-0285-datasheet
JAN1N3037C-1
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 1W DO41
Supplier Device Package: DO-41
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 35.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JANTXV1N3037BUR-1 5787-1n3016bur-datasheet
JANTXV1N3037BUR-1
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 1W DO213AB
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 38.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±5%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JAN1N3037D-1 125225-lds-0285-datasheet
JAN1N3037D-1
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 1W DO41
Supplier Device Package: DO-41
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 35.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±1%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JANTX1N3037D-1 125225-lds-0285-datasheet
JANTX1N3037D-1
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 1W DO41
Supplier Device Package: DO-41
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 38.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±1%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JAN1N3037CUR-1 5787-1n3016bur-datasheet
JAN1N3037CUR-1
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 1W DO213AB
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 35.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JANTXV1N3037D-1 125225-lds-0285-datasheet
JANTXV1N3037D-1
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 1W DO41
Supplier Device Package: DO-41
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 38.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±1%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JANTX1N3037CUR-1 5787-1n3016bur-datasheet
JANTX1N3037CUR-1
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 1W DO213AB
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 38.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JANTXV1N3037C-1 125225-lds-0285-datasheet
JANTXV1N3037C-1
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 1W DO41
Supplier Device Package: DO-41
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 38.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±2%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JAN1N3037DUR-1 5787-1n3016bur-datasheet
JAN1N3037DUR-1
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 1W DO213AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 35.8V
Power - Max: 1W
Tolerance: ±1%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
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JANTXV1N3037CUR-1 5787-1n3016bur-datasheet
JANTXV1N3037CUR-1
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 1W DO213AB
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 38.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±2%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JANTX1N3037DUR-1 5787-1n3016bur-datasheet
JANTX1N3037DUR-1
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 1W DO213AB
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 38.8V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Power - Max: 1W
Tolerance: ±1%
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Part Status: Active
Packaging: Bulk
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JANTXV1N3037DUR-1 5787-1n3016bur-datasheet
JANTXV1N3037DUR-1
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 1W DO213AB
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 51V
Tolerance: ±1%
Power - Max: 1W
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10µA @ 38.8V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41)
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JAN1N5190 11517-lds-0216-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400ns
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2µA @ 600V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Notification: QPL or Military Specs are for reference only. Parts are not for military use. See Terms and Conditions.
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JANTXV1N5190 11517-lds-0216-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600V
Current - Average Rectified (Io): 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2µA @ 600V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Supplier Device Package: Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Notification: QPL or Military Specs are for reference only. Parts are not for military use. See Terms and Conditions.
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JAN1N5194 8848-lds-0031-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70V
Current - Average Rectified (Io): 200mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.25mA @ 80V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 170°C
Notification: QPL or Military Specs are for reference only. Parts are not for military use. See Terms and Conditions.
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JANTX1N5194 8848-lds-0031-datasheet
JANTX1N5194
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 70V 50MA DO35
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70V
Current - Average Rectified (Io): 50mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25nA @ 70V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Notification: QPL or Military Specs are for reference only. Parts are not for military use. See Terms and Conditions.
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auf Bestellung 10 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
JANTX1N5195 8852-lds-0033-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180V
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 200V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Notification: QPL or Military Specs are for reference only. Parts are not for military use. See Terms and Conditions.
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JANTX1N5196 8856-lds-0035-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 225V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Diode Type: Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 225V
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1µA @ 250V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Notification: QPL or Military Specs are for reference only. Parts are not for military use. See Terms and Conditions.
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JANTXV1N5642A 8922-lds-0096-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 20.5V 33.2V DO13
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Type: Zener
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20.5V
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 33.2V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 45A
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-13
Supplier Device Package: DO-13 (DO-202AA)
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JANTX1N6126 127891-lds-0277-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 51.7V 101.96V AXIAL
Bidirectional Channels: 1
Type: Zener
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.85A
Notification: QPL or Military Specs are for reference only. Parts are not for military use. See Terms and Conditions.
Supplier Device Package: Axial
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 101.96V
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Voltage - Breakdown (Min): 61.37V
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51.7V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
2N3763 6053-2n3762-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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auf Bestellung 31628 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
2N3763L 6053-2n3762-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
JANTX2N3763 6053-2n3762-pdf
JANTX2N3763
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANSISTOR PNP TO-39
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
auf Bestellung 30000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
JANS2N3763 6053-2n3762-pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-39
Packaging: Bulk
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Transistor Type: PNP
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
Power - Max: 1W
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD)
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