Die Produkte microsemi corporation

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APTGT150A170D1G Microsemi Corporation Description: IGBT MODULE 1700V 280A 780W D1
Packaging: Bulk
Package / Case: D1
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D1
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 280 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 780 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
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APTGT150DA120TG APTGT150DA120TG.pdf Microsemi Corporation Description: IGBT MODULE 1200V 220A 690W SP4
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP4
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.7 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA
Power - Max: 690 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Part Status: Obsolete
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: SP4
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
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APTGT150DA170G 7725-aptgt150da170g-rev1-pdf Microsemi Corporation Description: IGBT MODULE 1700V 250A 890W SP6
Packaging: Bulk
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SP6
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 890 W
Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5 nF @ 25 V
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APTC80DA15T1G APTC80DA15T1G.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 800V 28A SP1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Supplier Device Package: SP1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Packaging: Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
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APTC80SK15T1G APTC80SK15T1G.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 800V 28A SP1
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP1
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SP1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507 pF @ 25 V
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APTC80DSK15T3G Microsemi Corporation Description: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SP3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
FET Feature: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP3
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Power - Max: 277W
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APTC80DSK29T3G APTC80DSK29T3G.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 156W
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: SP3
Part Status: Obsolete
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APTC80A15T1G APTC80A15T1G.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP1
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SP1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge)
Power - Max: 277W
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DS31408DK DS31408DK_2012May.pdf Microsemi Corporation Description: KIT DEMO DS31408
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply
Utilized IC / Part: DS31408
Type: Timing
Function: PLL
Packaging: Box
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DS31404DK DS31404DK_2012May.pdf Microsemi Corporation Description: KIT DEMO DS31404
Packaging: Box
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply
Utilized IC / Part: DS31404
Type: Timing
Function: PLL
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DS31415DK DS31415DK_2012May.pdf Microsemi Corporation Description: BOARD EVAL DS1415 W/DPLL IC
Type: Timing
Function: PLL
Packaging: Box
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply
Utilized IC / Part: DS31415
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DS31400DK DS31400DK_2012May.pdf Microsemi Corporation Description: KIT DEMO DS31400
Packaging: Box
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply
Utilized IC / Part: DS31400
Type: Timing
Function: PLL
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DS31407DK DS31407DK_2012May.pdf Microsemi Corporation Description: KIT DEMO DS31407
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply
Utilized IC / Part: DS31407
Type: Timing
Function: PLL
Packaging: Box
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DS31406DK DS31406DK_2012May.pdf Microsemi Corporation Description: KIT DEMO DS31406
Packaging: Box
Function: PLL
Type: Timing
Utilized IC / Part: DS31406
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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APT20M19JVR APT20M19JVR APT20M19JVR.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 200V 112A ISOTOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 495 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11640 pF @ 25 V
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1N5250A (DO-35) 1N5250A (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 20V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 15 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1.5KE22CAE3/TR13 1.5KE22CAE3/TR13 1.5KE%20Series.pdf Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC CASE-1
Part Status: Obsolete
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.6V
Voltage - Breakdown (Min): 20.9V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: CASE-1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18.8V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 49A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MP5KE22CA MP5KE22CA MP5KE5.0A-170CA(e3).pdf Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO204AL
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Bulk
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
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MP5KE22CAE3 MP5KE22CAE3 MP5KE5.0A-170CA(e3).pdf Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
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MAP5KE22CA MAP5KE22CA 11043-p5ke-datasheet Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
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MAP5KE22CAE3 MAP5KE22CAE3 11043-p5ke-datasheet Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
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MXP5KE22CAE3 MXP5KE22CAE3 11043-p5ke-datasheet Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO204AL
Part Status: Obsolete
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.1A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Bulk
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MXP5KE22CA MXP5KE22CA 11043-p5ke-datasheet Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
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MXP5KE33CA MXP5KE33CA 11043-p5ke-datasheet Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO204AL
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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APT5025BN APT5025BN,_APT5030BN.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
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APT50GT120B2RDLG APT50GT120B2RDLG 7105-apt50gt120b2rdlg-datasheet Microsemi Corporation Description: IGBT 1200V 106A 694W TO-247
Power - Max: 694 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 106 A
Part Status: Active
Gate Charge: 240 nC
Test Condition: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 3585µJ (on), 1910µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/215ns
IGBT Type: NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
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auf Bestellung 8 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+ 48.07 EUR
APT5022BNG APT5020BN,_APT5022BN.pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AD
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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APT50M80B2VRG APT50M80B2VRG Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8797 pF @ 25 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 423 nC @ 10 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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APT50M65B2LLG APT50M65B2LLG 6346-apt50m65b2llg-apt50m65lllg-datasheet Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7010 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 33.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
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APT5020SVRG APT5020SVRG Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 500V 26A D3PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D3 [S]
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
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APT5014SLLG/TR APT5014SLLG/TR APT5014xLL(G).pdf Microsemi Corporation Description: MOSFET N-CH 500V 35A TO247
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3261 pF @ 25 V
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P6KE300AE3/TR13 10895-sa4-59-datasheet Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 256VWM 414VC AXIAL
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 414V
Voltage - Breakdown (Min): 285V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: Axial
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 256V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.5A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
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P6KE300CAE3/TR13 10895-sa4-59-datasheet Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 256VWM 414VC AXIAL
Voltage - Breakdown (Min): 285V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: Axial
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 256V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.5A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 414V
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APTGV25H120T3G index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7979 Microsemi Corporation Description: IGBT MODULE 1200V 40A 156W SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP3
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 156 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.8 nF @ 25 V
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1N5375C/TR8 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5375AE3/TR8 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5375E3/TR8 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Active
Power - Max: 5 W
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5375CE3/TR12 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-18
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5375/TR12 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Active
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5375CE3/TR8 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Active
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
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1N5375C/TR12 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
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1N5375E3/TR12 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5375AE3/TR12 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
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1N5375AE3/TR13 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Obsolete
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5375E3/TR13 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
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1N5375A/TR8 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5375/TR8 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: T-18, Axial
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
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1N5375A/TR12 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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1N5375CE3/TR13 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
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1N5384B 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Part Status: Active
Power - Max: 5 W
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
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1N5384A/TR12 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384B/TR12 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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1N5384AE3/TR8 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384B/TR8 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384E3/TR8 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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1N5384C/TR8 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384BE3/TR12 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384C/TR12 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384/TR12 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384CE3/TR13 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384BE3/TR8 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384BE3/TR13 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384CE3/TR12 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
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1N5384AE3/TR12 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
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1N5384A/TR8 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
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1N5384AE3/TR13 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
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1N5384E3/TR12 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
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1N5384E3/TR13 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
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1N5384/TR8 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
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1N5384CE3/TR8 1N5333B-88B.pdf Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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SM12E3/TR7 sm03-sM36,E3.pdf Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 12VWM 19VC SOT23
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 300W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19V
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Bidirectional Channels: 1
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: SOT-23
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 160pF @ 1MHz, 80pF @ 1MHz
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LX1672-03CPW LX1672-03CPW 9003-lx1672-pdf Microsemi Corporation Description: IC REG CTRLR BUCK 28TSSOP
Topology: Buck
Frequency - Switching: 300kHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Function: Step-Down
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor Driver
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Number of Outputs: 3
Part Status: Obsolete
Clock Sync: No
Duty Cycle (Max): 85%
Output Phases: 2
Control Features: Current Limit, Soft Start
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: 28-TSSOP
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
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LX1672-05CPW LX1672-05CPW 9003-lx1672-pdf Microsemi Corporation Description: IC REG CTRLR BUCK 28TSSOP
Topology: Buck
Frequency - Switching: 500kHz
Number of Outputs: 3
Part Status: Obsolete
Clock Sync: No
Duty Cycle (Max): 75%
Output Phases: 2
Control Features: Current Limit, Soft Start
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: 28-TSSOP
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Function: Step-Down
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor Driver
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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LX1672-03CLQ 9003-lx1672-pdf Microsemi Corporation Description: IC REG CTRLR BUCK 38MLPQ
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Function: Step-Down
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor Driver
Package / Case: 38-VFQFN Exposed Pad
Number of Outputs: 3
Part Status: Obsolete
Clock Sync: No
Duty Cycle (Max): 85%
Output Phases: 2
Control Features: Current Limit, Soft Start
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: 38-MLPQ (5x7)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Topology: Buck
Frequency - Switching: 300kHz
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LX1672-06CLQ 9003-lx1672-pdf Microsemi Corporation Description: IC REG CTRLR BUCK 38MLPQ
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Function: Step-Down
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor Driver
Package / Case: 38-VFQFN Exposed Pad
Number of Outputs: 3
Part Status: Obsolete
Clock Sync: No
Duty Cycle (Max): 70%
Output Phases: 2
Control Features: Current Limit, Soft Start
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: 38-MLPQ (5x7)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Topology: Buck
Frequency - Switching: 600kHz
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1N5918CG 1N5918CG 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 5.1V 1.25W DO204AL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1.25 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Bulk
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1N5918DG 1N5918DG 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 5.1V 1.25W DO204AL
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Tolerance: ±1%
Packaging: Bulk
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1N5918AG 1N5918AG 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 5.1V 1.25W DO204AL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1.25 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
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1N5918BG 1N5918BG 10922-sa5-57-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 5.1V 1.25W DO204AL
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Tolerance: ±5%
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1.25 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Packaging: Bulk
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WDS3-UFE4-12-DC download_p.pl?res_id=211621&filename=2110545_UFE412_PB_126931.pdf Microsemi Corporation Description: UFE4 BOARD
Packaging: Bulk
Package / Case: 676-BGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Asynchronous Host Interface
Applications: Network Processor
Core Processor: UFE4
Supplier Device Package: 676-FCBGA (27x27)
Part Status: Active
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JAN2N4957UB 132607-lds-0313-1-datasheet Microsemi Corporation Description: RF TRANS PNP 30V 30MA UB
Part Status: Active
Supplier Device Package: UB
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Power - Max: 200mW
Gain: 25dB
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
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P6KE82AE3/TR13 10895-sa4-59-datasheet Microsemi Corporation Description: TVS DIODE 70.1VWM 113VC AXIAL
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Voltage - Breakdown (Min): 77.9V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: Axial
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70.1V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.3A
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MRF581G MRF581G 11675-mrf581-mrf581a-reva-datasheet Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 1.25W
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Micro-X ceramic (84C)
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro-X ceramic (84C)
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
Frequency - Transition: 5GHz
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MRF581A MRF581A 11675-mrf581-mrf581a-reva-datasheet Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ MICRO X
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro-X ceramic (84C)
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
Frequency - Transition: 5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 1.25W
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Micro-X ceramic (84C)
Packaging: Bulk
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MRF581AG MRF581AG 11675-mrf581-mrf581a-reva-datasheet Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ MACRO X
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Macro-X
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Macro-X
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
Frequency - Transition: 5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 1.25W
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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MRF5812GR2 MRF5812GR2 MRF5812(G)R1,R2.pdf Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Frequency - Transition: 5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 1.25W
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MRF5812G MRF5812G 9536-mrf5812r1r2reva-datasheet Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Frequency - Transition: 5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 1.25W
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
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MRF5812 MRF5812 9536-mrf5812r1r2reva-datasheet Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
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MRF5812R1 MRF5812R1 9536-mrf5812r1r2reva-datasheet Microsemi Corporation Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Frequency - Transition: 5GHz
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 1.25W
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BR231D-28B2-6V 126325-br231d Microsemi Corporation Description: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 10A 6V
Coil Current: 214.3 mA
Relay Type: General Purpose
Termination Style: Solder Hook
Operating Temperature: -70°C ~ 125°C
Coil Voltage: 6VDC
Mounting Type: Chassis Mount
Part Status: Active
Release Time: 15 ms
Operate Time: 15 ms
Must Operate Voltage: 4.5 VDC
Switching Voltage: 208VAC, 28VDC - Max
Contact Rating (Current): 10 A
Contact Form: 4PDT (4 Form C)
Coil Type: Latching, Single Coil
Packaging: Bulk
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1N4109 (DO35) 1N4109 (DO35) 10907-sa5-25-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 15V 400MW DO204AH
Power - Max: 400 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35 Glass)
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 11.4 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
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3EZ24D5E3/TR12 3EZ24D5E3/TR12 10926-sa5-67-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 24V 3W DO204AL
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 18.2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 3 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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3EZ24D5E3/TR8 3EZ24D5E3/TR8 10926-sa5-67-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 24V 3W DO204AL
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 3 W
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 18.2 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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3EZ24D5/TR8 3EZ24D5/TR8 10926-sa5-67-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 24V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 18.2 V
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
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3EZ24D5/TR12 3EZ24D5/TR12 10926-sa5-67-datasheet Microsemi Corporation Description: DIODE ZENER 24V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 18.2 V
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LXMG1811-05-61S LXMG1811-05-61S 9451-lxmg1811-05-6xs-pdf Microsemi Corporation Description: MOD INVERTER CCFL 6W 5V PROG
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 4.33" L x 0.63" W x 0.24" H (110mm x 16mm x 6mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Output: 1650V
Voltage - Input: 5V
Type: CCFL and UV Lamps
Part Status: Obsolete
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LXMG1811-05-62 LXMG1811-05-62 9450-lxmg1811-05-6x-pdf Microsemi Corporation Description: MOD INVERTER CCFL 6W 5V PROG
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 4.33" L x 0.63" W x 0.24" H (110mm x 16mm x 6mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Output: 1650V
Voltage - Input: 5V
Type: CCFL and UV Lamps
Part Status: Obsolete
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LXMG1811-05-62S LXMG1811-05-62S 9451-lxmg1811-05-6xs-pdf Microsemi Corporation Description: MOD INVERTER CCFL 6W 5V PROG
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 4.33" L x 0.63" W x 0.24" H (110mm x 16mm x 6mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Output: 1650V
Voltage - Input: 5V
Type: CCFL and UV Lamps
Part Status: Obsolete
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LXMG1811-05-61 LXMG1811-05-61 9450-lxmg1811-05-6x-pdf Microsemi Corporation Description: MOD INVERTER CCFL 6W 5V PROG
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 4.33" L x 0.63" W x 0.24" H (110mm x 16mm x 6mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Output: 1650V
Voltage - Input: 5V
Type: CCFL and UV Lamps
Part Status: Obsolete
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APTGT150A170D1G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 1700V 280A 780W D1
Packaging: Bulk
Package / Case: D1
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D1
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 280 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 780 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
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auf Bestellung 150 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
APTGT150DA120TG APTGT150DA120TG.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 1200V 220A 690W SP4
Configuration: Single
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP4
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.7 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA
Power - Max: 690 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 220 A
Part Status: Obsolete
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: SP4
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
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APTGT150DA170G 7725-aptgt150da170g-rev1-pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 1700V 250A 890W SP6
Packaging: Bulk
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SP6
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 250 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 890 W
Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.5 nF @ 25 V
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auf Bestellung 100 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
APTC80DA15T1G APTC80DA15T1G.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 800V 28A SP1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: SP1
Mounting Type: Chassis Mount
Supplier Device Package: SP1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Packaging: Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
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APTC80SK15T1G APTC80SK15T1G.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 800V 28A SP1
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP1
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SP1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507 pF @ 25 V
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APTC80DSK15T3G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP3
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SP3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
FET Feature: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP3
Packaging: Bulk
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Power - Max: 277W
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APTC80DSK29T3G APTC80DSK29T3G.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 800V 15A SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 156W
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2254pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: SP3
Part Status: Obsolete
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APTC80A15T1G APTC80A15T1G.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SP1
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SP1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4507pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge)
Power - Max: 277W
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DS31408DK DS31408DK_2012May.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: KIT DEMO DS31408
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply
Utilized IC / Part: DS31408
Type: Timing
Function: PLL
Packaging: Box
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DS31404DK DS31404DK_2012May.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: KIT DEMO DS31404
Packaging: Box
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply
Utilized IC / Part: DS31404
Type: Timing
Function: PLL
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DS31415DK DS31415DK_2012May.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: BOARD EVAL DS1415 W/DPLL IC
Type: Timing
Function: PLL
Packaging: Box
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply
Utilized IC / Part: DS31415
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DS31400DK DS31400DK_2012May.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: KIT DEMO DS31400
Packaging: Box
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply
Utilized IC / Part: DS31400
Type: Timing
Function: PLL
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DS31407DK DS31407DK_2012May.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: KIT DEMO DS31407
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply
Utilized IC / Part: DS31407
Type: Timing
Function: PLL
Packaging: Box
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DS31406DK DS31406DK_2012May.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: KIT DEMO DS31406
Packaging: Box
Function: PLL
Type: Timing
Utilized IC / Part: DS31406
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply
Embedded: Yes, MCU, 8-Bit
Part Status: Discontinued at Digi-Key
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APT20M19JVR APT20M19JVR.pdf
APT20M19JVR
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 112A ISOTOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 495 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11640 pF @ 25 V
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auf Bestellung 8798 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
1N5250A (DO-35) 1N5221%20-%201N5281B,%20e3%20DO-35.pdf
1N5250A (DO-35)
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 20V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 15 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-35
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 20 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1.5KE22CAE3/TR13 1.5KE%20Series.pdf
1.5KE22CAE3/TR13
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC CASE-1
Part Status: Obsolete
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 30.6V
Voltage - Breakdown (Min): 20.9V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: CASE-1
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18.8V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 49A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MP5KE22CA MP5KE5.0A-170CA(e3).pdf
MP5KE22CA
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO204AL
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Bulk
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
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auf Bestellung 20 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
MP5KE22CAE3 MP5KE5.0A-170CA(e3).pdf
MP5KE22CAE3
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
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auf Bestellung 20 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
MAP5KE22CA 11043-p5ke-datasheet
MAP5KE22CA
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
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MAP5KE22CAE3 11043-p5ke-datasheet
MAP5KE22CAE3
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
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MXP5KE22CAE3 11043-p5ke-datasheet
MXP5KE22CAE3
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO204AL
Part Status: Obsolete
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.1A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Bulk
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MXP5KE22CA 11043-p5ke-datasheet
MXP5KE22CA
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 22VWM 35.5VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
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MXP5KE33CA 11043-p5ke-datasheet
MXP5KE33CA
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO204AL
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 500W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.4A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
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APT5025BN APT5025BN,_APT5030BN.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
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auf Bestellung 4200 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
APT50GT120B2RDLG 7105-apt50gt120b2rdlg-datasheet
APT50GT120B2RDLG
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT 1200V 106A 694W TO-247
Power - Max: 694 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 106 A
Part Status: Active
Gate Charge: 240 nC
Test Condition: 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 3585µJ (on), 1910µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/215ns
IGBT Type: NPT
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
auf Bestellung 8 Stücke
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APT5022BNG APT5020BN,_APT5022BN.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 500V 27A TO247AD
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AD
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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APT50M80B2VRG
APT50M80B2VRG
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8797 pF @ 25 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 423 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
APT50M65B2LLG 6346-apt50m65b2llg-apt50m65lllg-datasheet
APT50M65B2LLG
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7010 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 33.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
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APT5020SVRG
APT5020SVRG
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 500V 26A D3PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D3 [S]
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
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APT5014SLLG/TR APT5014xLL(G).pdf
APT5014SLLG/TR
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 500V 35A TO247
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 403W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 17.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3261 pF @ 25 V
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P6KE300AE3/TR13 10895-sa4-59-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 256VWM 414VC AXIAL
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 414V
Voltage - Breakdown (Min): 285V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: Axial
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 256V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.5A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
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P6KE300CAE3/TR13 10895-sa4-59-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 256VWM 414VC AXIAL
Voltage - Breakdown (Min): 285V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: Axial
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 256V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.5A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 414V
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APTGV25H120T3G index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=7979
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 1200V 40A 156W SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP3
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 156 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.8 nF @ 25 V
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1N5375C/TR8 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5375AE3/TR8 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5375E3/TR8 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Active
Power - Max: 5 W
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5375CE3/TR12 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-18
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5375/TR12 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Active
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5375CE3/TR8 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Active
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
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1N5375C/TR12 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
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1N5375E3/TR12 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5375AE3/TR12 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
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1N5375AE3/TR13 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Obsolete
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5375E3/TR13 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±20%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
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1N5375A/TR8 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
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1N5375/TR8 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: T-18, Axial
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
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1N5375A/TR12 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Power - Max: 5 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
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1N5375CE3/TR13 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 82V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 82 V
Impedance (Max) (Zzt): 64 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 59 V
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1N5384B 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Part Status: Active
Power - Max: 5 W
Supplier Device Package: T-18
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
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auf Bestellung 3329 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
1N5384A/TR12 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384B/TR12 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384AE3/TR8 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384B/TR8 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384E3/TR8 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384C/TR8 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384BE3/TR12 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384C/TR12 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N5384/TR12 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N5384CE3/TR13 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N5384BE3/TR8 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384BE3/TR13 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
1N5384CE3/TR12 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384AE3/TR12 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384A/TR8 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384AE3/TR13 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384E3/TR12 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384E3/TR13 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384/TR8 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±20%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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1N5384CE3/TR8 1N5333B-88B.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 160V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 160 V
Impedance (Max) (Zzt): 350 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 115 V
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SM12E3/TR7 sm03-sM36,E3.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 12VWM 19VC SOT23
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 300W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19V
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Bidirectional Channels: 1
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: SOT-23
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 160pF @ 1MHz, 80pF @ 1MHz
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auf Bestellung 16 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
LX1672-03CPW 9003-lx1672-pdf
LX1672-03CPW
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC REG CTRLR BUCK 28TSSOP
Topology: Buck
Frequency - Switching: 300kHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Function: Step-Down
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor Driver
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Number of Outputs: 3
Part Status: Obsolete
Clock Sync: No
Duty Cycle (Max): 85%
Output Phases: 2
Control Features: Current Limit, Soft Start
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: 28-TSSOP
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
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LX1672-05CPW 9003-lx1672-pdf
LX1672-05CPW
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC REG CTRLR BUCK 28TSSOP
Topology: Buck
Frequency - Switching: 500kHz
Number of Outputs: 3
Part Status: Obsolete
Clock Sync: No
Duty Cycle (Max): 75%
Output Phases: 2
Control Features: Current Limit, Soft Start
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: 28-TSSOP
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Function: Step-Down
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor Driver
Package / Case: 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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auf Bestellung 5000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
LX1672-03CLQ 9003-lx1672-pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC REG CTRLR BUCK 38MLPQ
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Function: Step-Down
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor Driver
Package / Case: 38-VFQFN Exposed Pad
Number of Outputs: 3
Part Status: Obsolete
Clock Sync: No
Duty Cycle (Max): 85%
Output Phases: 2
Control Features: Current Limit, Soft Start
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: 38-MLPQ (5x7)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Topology: Buck
Frequency - Switching: 300kHz
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LX1672-06CLQ 9003-lx1672-pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC REG CTRLR BUCK 38MLPQ
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Function: Step-Down
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Transistor Driver
Package / Case: 38-VFQFN Exposed Pad
Number of Outputs: 3
Part Status: Obsolete
Clock Sync: No
Duty Cycle (Max): 70%
Output Phases: 2
Control Features: Current Limit, Soft Start
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: 38-MLPQ (5x7)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Topology: Buck
Frequency - Switching: 600kHz
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1N5918CG 10922-sa5-57-datasheet
1N5918CG
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 5.1V 1.25W DO204AL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1.25 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Tolerance: ±2%
Packaging: Bulk
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1N5918DG 10922-sa5-57-datasheet
1N5918DG
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 5.1V 1.25W DO204AL
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Tolerance: ±1%
Packaging: Bulk
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1N5918AG 10922-sa5-57-datasheet
1N5918AG
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 5.1V 1.25W DO204AL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1.25 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
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1N5918BG 10922-sa5-57-datasheet
1N5918BG
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 5.1V 1.25W DO204AL
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 2 V
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Tolerance: ±5%
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 1.25 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Impedance (Max) (Zzt): 4 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Packaging: Bulk
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WDS3-UFE4-12-DC download_p.pl?res_id=211621&filename=2110545_UFE412_PB_126931.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: UFE4 BOARD
Packaging: Bulk
Package / Case: 676-BGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Asynchronous Host Interface
Applications: Network Processor
Core Processor: UFE4
Supplier Device Package: 676-FCBGA (27x27)
Part Status: Active
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JAN2N4957UB 132607-lds-0313-1-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS PNP 30V 30MA UB
Part Status: Active
Supplier Device Package: UB
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 450MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Power - Max: 200mW
Gain: 25dB
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
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P6KE82AE3/TR13 10895-sa4-59-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 70.1VWM 113VC AXIAL
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: T-18, Axial
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 600W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 113V
Voltage - Breakdown (Min): 77.9V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: Axial
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 70.1V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.3A
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MRF581G 11675-mrf581-mrf581a-reva-datasheet
MRF581G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 1.25W
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Micro-X ceramic (84C)
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro-X ceramic (84C)
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
Frequency - Transition: 5GHz
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MRF581A 11675-mrf581-mrf581a-reva-datasheet
MRF581A
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ MICRO X
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Micro-X ceramic (84C)
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
Frequency - Transition: 5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 1.25W
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Micro-X ceramic (84C)
Packaging: Bulk
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auf Bestellung 2000 Stücke - Preis und Lieferfrist anzeigen
MRF581AG 11675-mrf581-mrf581a-reva-datasheet
MRF581AG
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ MACRO X
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Macro-X
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: Macro-X
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
Frequency - Transition: 5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 1.25W
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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MRF5812GR2 MRF5812(G)R1,R2.pdf
MRF5812GR2
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Frequency - Transition: 5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 1.25W
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MRF5812G 9536-mrf5812r1r2reva-datasheet
MRF5812G
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Frequency - Transition: 5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 1.25W
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
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MRF5812 9536-mrf5812r1r2reva-datasheet
MRF5812
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Power - Max: 1.25W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
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MRF5812R1 9536-mrf5812r1r2reva-datasheet
MRF5812R1
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
Noise Figure (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Frequency - Transition: 5GHz
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Power - Max: 1.25W
Gain: 13dB ~ 15.5dB
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
BR231D-28B2-6V 126325-br231d
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 10A 6V
Coil Current: 214.3 mA
Relay Type: General Purpose
Termination Style: Solder Hook
Operating Temperature: -70°C ~ 125°C
Coil Voltage: 6VDC
Mounting Type: Chassis Mount
Part Status: Active
Release Time: 15 ms
Operate Time: 15 ms
Must Operate Voltage: 4.5 VDC
Switching Voltage: 208VAC, 28VDC - Max
Contact Rating (Current): 10 A
Contact Form: 4PDT (4 Form C)
Coil Type: Latching, Single Coil
Packaging: Bulk
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1N4109 (DO35) 10907-sa5-25-datasheet
1N4109 (DO35)
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 400MW DO204AH
Power - Max: 400 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35 Glass)
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 11.4 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
3EZ24D5E3/TR12 10926-sa5-67-datasheet
3EZ24D5E3/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 24V 3W DO204AL
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 18.2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 3 W
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
3EZ24D5E3/TR8 10926-sa5-67-datasheet
3EZ24D5E3/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 24V 3W DO204AL
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 3 W
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 18.2 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
3EZ24D5/TR8 10926-sa5-67-datasheet
3EZ24D5/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 24V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 18.2 V
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
3EZ24D5/TR12 10926-sa5-67-datasheet
3EZ24D5/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 24V 3W DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 3 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 18.2 V
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LXMG1811-05-61S 9451-lxmg1811-05-6xs-pdf
LXMG1811-05-61S
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOD INVERTER CCFL 6W 5V PROG
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 4.33" L x 0.63" W x 0.24" H (110mm x 16mm x 6mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Output: 1650V
Voltage - Input: 5V
Type: CCFL and UV Lamps
Part Status: Obsolete
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LXMG1811-05-62 9450-lxmg1811-05-6x-pdf
LXMG1811-05-62
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOD INVERTER CCFL 6W 5V PROG
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 4.33" L x 0.63" W x 0.24" H (110mm x 16mm x 6mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Output: 1650V
Voltage - Input: 5V
Type: CCFL and UV Lamps
Part Status: Obsolete
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LXMG1811-05-62S 9451-lxmg1811-05-6xs-pdf
LXMG1811-05-62S
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOD INVERTER CCFL 6W 5V PROG
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 4.33" L x 0.63" W x 0.24" H (110mm x 16mm x 6mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Output: 1650V
Voltage - Input: 5V
Type: CCFL and UV Lamps
Part Status: Obsolete
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LXMG1811-05-61 9450-lxmg1811-05-6x-pdf
LXMG1811-05-61
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOD INVERTER CCFL 6W 5V PROG
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 4.33" L x 0.63" W x 0.24" H (110mm x 16mm x 6mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Output: 1650V
Voltage - Input: 5V
Type: CCFL and UV Lamps
Part Status: Obsolete
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