Produkte > MICROSEMI CORPORATION > Alle Produkte des Herstellers MICROSEMI CORPORATION (11177) > Seite 151 nach 187
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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3EZ13D/TR8 | Microsemi Corporation |
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3EZ13D2E3/TR8 | Microsemi Corporation |
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3EZ130D5E3/TR8 | Microsemi Corporation |
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3EZ130D2/TR8 | Microsemi Corporation |
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3EZ130D10/TR8 | Microsemi Corporation |
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3EZ130D5/TR8 | Microsemi Corporation |
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3EZ130DE3/TR12 | Microsemi Corporation |
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3EZ130D10E3/TR12 | Microsemi Corporation |
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3EZ130D5E3/TR12 | Microsemi Corporation |
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3EZ130D2E3/TR12 | Microsemi Corporation |
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3EZ130D/TR8 | Microsemi Corporation |
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3EZ130D10/TR12 | Microsemi Corporation |
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3EZ130D2/TR12 | Microsemi Corporation |
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3EZ130D5/TR12 | Microsemi Corporation |
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3EZ130D10E3/TR8 | Microsemi Corporation |
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3EZ130D/TR12 | Microsemi Corporation |
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3EZ130D2E3/TR8 | Microsemi Corporation |
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3EZ130DE3/TR8 | Microsemi Corporation |
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JANTX2N3027 | Microsemi Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole SCR Type: Sensitive Gate Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 5A, 8A Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.5 V Current - Off State (Max): 100 nA Supplier Device Package: TO-18 Current - On State (It (RMS)) (Max): 250 mA Voltage - Off State: 30 V |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MSMBG2K4.0e3 | Microsemi Corporation |
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LE71HR0021 | Microsemi Corporation |
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1.5KE13AE3/TR13 | Microsemi Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 82A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 11.1V Supplier Device Package: CASE-1 Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 12.4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.2V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No Part Status: Obsolete |
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MAP5KE90CAe3 | Microsemi Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.4A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 90V Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 100V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 146V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No |
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MAP5KE90Ae3 | Microsemi Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.4A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 90V Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 100V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 146V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No Part Status: Obsolete |
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MAP5KE90CA | Microsemi Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.4A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 90V Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 100V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 146V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No Part Status: Obsolete |
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LXMG1628-12-62 | Microsemi Corporation |
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APT15F50K | Microsemi Corporation |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 223W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220 [K] Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V |
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JANTX1N4989CUS | Microsemi Corporation |
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JANTX1N4989C | Microsemi Corporation |
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JANTX1N4989DUS | Microsemi Corporation |
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JANTX1N4989D | Microsemi Corporation |
![]() Tolerance: ±1% Packaging: Bulk Package / Case: E, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 200 V Impedance (Max) (Zzt): 500 Ohms Supplier Device Package: E, Axial Grade: Military Power - Max: 5 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 152 V Qualification: MIL-PRF-19500/435 |
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MXPLAD30KP260Ae3 | Microsemi Corporation |
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APTGV30H60T3G | Microsemi Corporation |
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APTGT30H60T3G | Microsemi Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP3 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 90 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.6 nF @ 25 V |
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152OR-S300-OCXO | Microsemi Corporation | Description: NETWORK TIME SERVER |
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MXLPLAD7.5KP51AE3 | Microsemi Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Nonstandard SMD Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: Automotive Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V Supplier Device Package: Mini-PLAD Unidirectional Channels: 1 Power - Peak Pulse: 7500W (7.5kW) Power Line Protection: No Part Status: Active |
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MXLPLAD7.5KP51A | Microsemi Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Nonstandard SMD Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: Automotive Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V Supplier Device Package: Mini-PLAD Unidirectional Channels: 1 Power - Peak Pulse: 7500W (7.5kW) Power Line Protection: No Part Status: Active |
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MAPLAD7.5KP51A | Microsemi Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Nonstandard SMD Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: Automotive Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V Supplier Device Package: Mini-PLAD Unidirectional Channels: 1 Power - Peak Pulse: 7500W (7.5kW) Power Line Protection: No Part Status: Active |
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MPLAD7.5KP51A | Microsemi Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Nonstandard SMD Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: Automotive Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V Supplier Device Package: Mini-PLAD Unidirectional Channels: 1 Power - Peak Pulse: 7500W (7.5kW) Power Line Protection: No Part Status: Active |
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JANTX2N4857 | Microsemi Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: TO-18 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Power - Max: 360 mW Resistance - RDS(On): 40 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 500 pA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 mA @ 15 V |
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APTM50DHM35G | Microsemi Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: SP6 Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 781W Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA Supplier Device Package: SP6 |
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APTC60DAM35T1G | Microsemi Corporation |
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APTM50DAM35TG | Microsemi Corporation |
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APT8018JN | Microsemi Corporation |
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APT40M42JN | Microsemi Corporation |
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1N4531UR | Microsemi Corporation |
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1N4531 | Microsemi Corporation |
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1N4534 | Microsemi Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AG, DO-34, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: DO-34 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 20 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 50 V |
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2N6849 | Microsemi Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-39 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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JANTXV2N6849 | Microsemi Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/564 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
JAN2N6849U | Microsemi Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/564 |
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JANTXV2N6849U | Microsemi Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/564 |
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JAN2N6849 | Microsemi Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-39 Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/564 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
2N6849U | Microsemi Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
SMCG6050AE3/TR13 | Microsemi Corporation |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
SMCG6050A/TR13 | Microsemi Corporation |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
APTM50DUM17G | Microsemi Corporation |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
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JANTX1N4955DUS | Microsemi Corporation |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
LE51HR0164G | Microsemi Corporation | Description: BOARD LE792388VQC LE79272PQC |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
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1N5914BG | Microsemi Corporation |
![]() Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Power - Max: 1.25 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
3EZ13D/TR8 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 13V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 13V 3W DO204AL
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
3EZ13D2E3/TR8 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 13V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 13V 3W DO204AL
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
3EZ130D5E3/TR8 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
3EZ130D2/TR8 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
3EZ130D10/TR8 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
3EZ130D5/TR8 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
3EZ130DE3/TR12 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
3EZ130D10E3/TR12 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
3EZ130D5E3/TR12 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
3EZ130D2E3/TR12 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
3EZ130D/TR8 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
3EZ130D10/TR12 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
3EZ130D2/TR12 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
3EZ130D5/TR12 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
3EZ130D10E3/TR8 |
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Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
3EZ130D/TR12 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
3EZ130D2E3/TR8 |
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Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
3EZ130DE3/TR8 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 130V 3W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
JANTX2N3027 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: SCR 30V 250MA TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 5A, 8A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.5 V
Current - Off State (Max): 100 nA
Supplier Device Package: TO-18
Current - On State (It (RMS)) (Max): 250 mA
Voltage - Off State: 30 V
Description: SCR 30V 250MA TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 5A, 8A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.5 V
Current - Off State (Max): 100 nA
Supplier Device Package: TO-18
Current - On State (It (RMS)) (Max): 250 mA
Voltage - Off State: 30 V
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis |
---|---|
1+ | 151.47 EUR |
MSMBG2K4.0e3 |
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Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 4VWM 6.3VC SMBG
Description: TVS DIODE 4VWM 6.3VC SMBG
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
LE71HR0021 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: LINE MODULE QLSLAC/R79
Description: LINE MODULE QLSLAC/R79
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Stück im Wert von UAH
1.5KE13AE3/TR13 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC CASE-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 82A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 11.1V
Supplier Device Package: CASE-1
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 12.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
Description: TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC CASE-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 82A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 11.1V
Supplier Device Package: CASE-1
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 12.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
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Stück im Wert von UAH
MAP5KE90CAe3 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 90VWM 146VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 90V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 100V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 146V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 90VWM 146VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 90V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 100V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 146V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
MAP5KE90Ae3 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 90VWM 146VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 90V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 100V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 146V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
Description: TVS DIODE 90VWM 146VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 90V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 100V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 146V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
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Stück im Wert von UAH
MAP5KE90CA |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 90VWM 146VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 90V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 100V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 146V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
Description: TVS DIODE 90VWM 146VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 90V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 100V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 146V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
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Stück im Wert von UAH
LXMG1628-12-62 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 6W 12V
Description: MOD INVERTER CCFL DUAL 6W 12V
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Stück im Wert von UAH
APT15F50K |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220 [K]
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220 [K]
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
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Stück im Wert von UAH
JANTX1N4989CUS |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 200V 5W D5B
Description: DIODE ZENER 200V 5W D5B
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Stück im Wert von UAH
JANTX1N4989C |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 200V 5W E AXIAL
Description: DIODE ZENER 200V 5W E AXIAL
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Stück im Wert von UAH
JANTX1N4989DUS |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 200V 5W D5B
Description: DIODE ZENER 200V 5W D5B
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Stück im Wert von UAH
JANTX1N4989D |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 200V 5W E AXIAL
Tolerance: ±1%
Packaging: Bulk
Package / Case: E, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 200 V
Impedance (Max) (Zzt): 500 Ohms
Supplier Device Package: E, Axial
Grade: Military
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 152 V
Qualification: MIL-PRF-19500/435
Description: DIODE ZENER 200V 5W E AXIAL
Tolerance: ±1%
Packaging: Bulk
Package / Case: E, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 200 V
Impedance (Max) (Zzt): 500 Ohms
Supplier Device Package: E, Axial
Grade: Military
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 152 V
Qualification: MIL-PRF-19500/435
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Stück im Wert von UAH
MXPLAD30KP260Ae3 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 260VWM 419VC PLAD
Description: TVS DIODE 260VWM 419VC PLAD
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Stück im Wert von UAH
APTGV30H60T3G |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 600V 50A 90W SP3
Description: IGBT MODULE 600V 50A 90W SP3
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Stück im Wert von UAH
APTGT30H60T3G |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 600V 50A 90W SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 90 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.6 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 600V 50A 90W SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 90 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.6 nF @ 25 V
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Stück im Wert von UAH
152OR-S300-OCXO |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: NETWORK TIME SERVER
Description: NETWORK TIME SERVER
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Stück im Wert von UAH
MXLPLAD7.5KP51AE3 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard SMD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V
Supplier Device Package: Mini-PLAD
Unidirectional Channels: 1
Power - Peak Pulse: 7500W (7.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard SMD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V
Supplier Device Package: Mini-PLAD
Unidirectional Channels: 1
Power - Peak Pulse: 7500W (7.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MXLPLAD7.5KP51A |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard SMD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V
Supplier Device Package: Mini-PLAD
Unidirectional Channels: 1
Power - Peak Pulse: 7500W (7.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard SMD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V
Supplier Device Package: Mini-PLAD
Unidirectional Channels: 1
Power - Peak Pulse: 7500W (7.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MAPLAD7.5KP51A |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard SMD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V
Supplier Device Package: Mini-PLAD
Unidirectional Channels: 1
Power - Peak Pulse: 7500W (7.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard SMD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V
Supplier Device Package: Mini-PLAD
Unidirectional Channels: 1
Power - Peak Pulse: 7500W (7.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
MPLAD7.5KP51A |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard SMD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V
Supplier Device Package: Mini-PLAD
Unidirectional Channels: 1
Power - Peak Pulse: 7500W (7.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard SMD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V
Supplier Device Package: Mini-PLAD
Unidirectional Channels: 1
Power - Peak Pulse: 7500W (7.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
JANTX2N4857 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: JFET N-CH 40V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Power - Max: 360 mW
Resistance - RDS(On): 40 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 500 pA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 mA @ 15 V
Description: JFET N-CH 40V TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V
Supplier Device Package: TO-18
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Power - Max: 360 mW
Resistance - RDS(On): 40 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 6 V @ 500 pA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 mA @ 15 V
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Stück im Wert von UAH
APTM50DHM35G |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6
Packaging: Bulk
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 781W
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Supplier Device Package: SP6
Description: MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6
Packaging: Bulk
Package / Case: SP6
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 781W
Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 49.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA
Supplier Device Package: SP6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTC60DAM35T1G |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 600V 72A SP1
Description: MOSFET N-CH 600V 72A SP1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APTM50DAM35TG |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 500V 99A SP4
Description: MOSFET N-CH 500V 99A SP4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT8018JN |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP
Description: MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
APT40M42JN |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP
Description: MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
1N4531UR |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 75V 125MA DO213AA
Description: DIODE GEN PURP 75V 125MA DO213AA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
1N4531 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 75V 125MA DO34
Description: DIODE GEN PURP 75V 125MA DO34
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
1N4534 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE STANDARD 50V 150MA DO34
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AG, DO-34, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-34
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 20 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 50 V
Description: DIODE STANDARD 50V 150MA DO34
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AG, DO-34, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-34
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 20 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
2N6849 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
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Stück im Wert von UAH
JANTXV2N6849 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET P-CH 100V 6.5A TO205AF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/564
Description: MOSFET P-CH 100V 6.5A TO205AF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/564
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Stück im Wert von UAH
JAN2N6849U |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/564
Description: MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/564
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Stück im Wert von UAH
JANTXV2N6849U |
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Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/564
Description: MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/564
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Stück im Wert von UAH
JAN2N6849 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-39
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/564
Description: MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-39
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/564
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
2N6849U |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
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Stück im Wert von UAH
SMCG6050AE3/TR13 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 25VWM 41.4VC DO215AB
Description: TVS DIODE 25VWM 41.4VC DO215AB
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Stück im Wert von UAH
SMCG6050A/TR13 |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 25VWM 41.4VC DO215AB
Description: TVS DIODE 25VWM 41.4VC DO215AB
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Stück im Wert von UAH
APTM50DUM17G |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6
Description: MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6
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Stück im Wert von UAH
JANTX1N4955DUS |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 7.5V 5W D5B
Description: DIODE ZENER 7.5V 5W D5B
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Stück im Wert von UAH
LE51HR0164G |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: BOARD LE792388VQC LE79272PQC
Description: BOARD LE792388VQC LE79272PQC
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Stück im Wert von UAH
1N5914BG |
![]() |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 3.6V 1.25W DO204AL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 3.6V 1.25W DO204AL
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V
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Stück im Wert von UAH