Produkte > MICROSEMI CORPORATION > Alle Produkte des Herstellers MICROSEMI CORPORATION (11173) > Seite 154 nach 187
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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|---|---|---|---|---|---|
| BR247D-600B2-28V | Microsemi Corporation |
 Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28VPackaging: Bulk Mounting Type: Chassis Mount Coil Voltage: 28VDC Operating Temperature: -70°C ~ 125°C Termination Style: Solder Hook Relay Type: General Purpose Coil Current: 46.7 mA Coil Type: Latching, Single Coil Contact Form: DPDT (2 Form C) Contact Rating (Current): 10 A Switching Voltage: 208VAC, 28VDC - Max Must Operate Voltage: 18 VDC Operate Time: 10 ms Release Time: 10 ms |
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| BR247D-600A2-28V-008L | Microsemi Corporation |
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V |
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| BR247D-600A3-28V | Microsemi Corporation |
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V |
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| BR247D-600C2-28V | Microsemi Corporation |
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V |
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| BR247D-600B3-28V-009L | Microsemi Corporation |
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V |
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| BR247D-600B1-28V | Microsemi Corporation |
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V |
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| BR247D-600C1-28V | Microsemi Corporation |
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V |
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| BR247D-600B2-28V-007L | Microsemi Corporation |
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V Packaging: Bulk Mounting Type: Chassis Mount Coil Voltage: 28VDC Operating Temperature: -70°C ~ 125°C Termination Style: Solder Hook Relay Type: General Purpose Coil Current: 46.7 mA Coil Type: Latching, Single Coil Contact Form: DPDT (2 Form C) Contact Rating (Current): 10 A Switching Voltage: 208VAC, 28VDC - Max Must Operate Voltage: 18 VDC Operate Time: 10 ms Release Time: 10 ms |
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| BR247D-600A1-28V | Microsemi Corporation |
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V |
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| BR247D-600B3-28V | Microsemi Corporation |
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V |
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MXLPLAD6.5KP85CAe3 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 85VWM 137VC PLAD Packaging: Bulk Package / Case: Nonstandard SMD Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 47.5A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 85V Supplier Device Package: PLAD Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 94.4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 137V Power - Peak Pulse: 6500W (6.5kW) Power Line Protection: No Part Status: Obsolete Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500 |
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3EZ15D2/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL |
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3EZ15DE3/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL |
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3EZ15D10E3/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL |
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3EZ15D2/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL |
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3EZ15D10/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL |
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3EZ15D10/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL |
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3EZ15D/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL |
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3EZ15D10E3/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL |
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3EZ15D/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL |
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3EZ15DE3/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL |
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3EZ15D2E3/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL |
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3EZ15D2E3/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL |
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3EZ150D5E3/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL |
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3EZ150D10/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL |
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3EZ150D5/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL |
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3EZ150D10E3/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL |
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3EZ150D2E3/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL |
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3EZ150D/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL |
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3EZ150DE3/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL |
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3EZ150D2E3/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL |
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3EZ150D/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL |
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3EZ150D10E3/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL |
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3EZ150D5E3/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL |
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3EZ150D5/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL |
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3EZ150D2/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL |
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3EZ150DE3/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL |
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3EZ150D10/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL |
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3EZ150D2/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL |
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MSD52-08 | Microsemi Corporation |
Description: BRIDGE RECT 3PHASE 800V 50A SM2 |
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1N5363B | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 30V 5W T18 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms Supplier Device Package: T-18 Part Status: Active Power - Max: 5 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 21.6 V |
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2N6766 | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO3 |
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| JANTX2N6766 | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/543 |
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| JAN2N6766 | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/543 |
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| JANTXV2N6766 | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO3 |
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| APTGT100SK170D1G | Microsemi Corporation |
Description: IGBT MODULE 1700V 200A 695W D1 Packaging: Bulk Package / Case: D1 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: D1 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 695 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.5 nF @ 25 V |
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1N4688 (DO35) | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO204AH Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V |
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APT31N60BCSG | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 25 V |
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APT11GP60BDQBG | Microsemi Corporation |
Description: IGBT PT 600V 41A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 11A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 7ns/29ns Switching Energy: 46µJ (on), 90µJ (off) Test Condition: 400V, 11A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 40 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 41 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 187 W |
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APT15GP60BDLG | Microsemi Corporation |
Description: IGBT 600V 56A 250W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 8ns/29ns Switching Energy: 130µJ (on), 121µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 55 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 56 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 65 A Power - Max: 250 W |
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1N5228A (DO-35) | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW DO204AH Packaging: Bulk Tolerance: ±10% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 950 mV |
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| 2A8 | Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 21V 2GHZ 55EU |
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JANTX1N6118US | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 25.1VWM 47.99VC AXIAL |
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JANTX1N6117US | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 22.8VWM 43.68V SQ-MELF |
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LX27912DW-TR | Microsemi Corporation |
Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 24SOIC |
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LX27902DW-TR | Microsemi Corporation |
Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 24SOIC |
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1N5361B | Microsemi Corporation |
 Description: DIODE ZENER 27V 5W T18Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V Impedance (Max) (Zzt): 5 Ohms Supplier Device Package: T-18 Part Status: Active Power - Max: 5 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 19.4 V |
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JAN1N6624U | Microsemi Corporation | Description: DIODE GEN PURP 900V 1A D-5A |
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JANTXV1N6625U | Microsemi Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A D-5A Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V Qualification: MIL-PRF-19500/585 |
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| PD-IM-7608A | Microsemi Corporation | Description: POE EVB |
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| BR247D-600B2-28V |
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Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Coil Voltage: 28VDC
Operating Temperature: -70°C ~ 125°C
Termination Style: Solder Hook
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 46.7 mA
Coil Type: Latching, Single Coil
Contact Form: DPDT (2 Form C)
Contact Rating (Current): 10 A
Switching Voltage: 208VAC, 28VDC - Max
Must Operate Voltage: 18 VDC
Operate Time: 10 ms
Release Time: 10 ms
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Coil Voltage: 28VDC
Operating Temperature: -70°C ~ 125°C
Termination Style: Solder Hook
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 46.7 mA
Coil Type: Latching, Single Coil
Contact Form: DPDT (2 Form C)
Contact Rating (Current): 10 A
Switching Voltage: 208VAC, 28VDC - Max
Must Operate Voltage: 18 VDC
Operate Time: 10 ms
Release Time: 10 ms
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BR247D-600A2-28V-008L |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BR247D-600A3-28V |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BR247D-600C2-28V |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BR247D-600B3-28V-009L |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BR247D-600B1-28V |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
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| BR247D-600C1-28V |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| BR247D-600B2-28V-007L |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Coil Voltage: 28VDC
Operating Temperature: -70°C ~ 125°C
Termination Style: Solder Hook
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 46.7 mA
Coil Type: Latching, Single Coil
Contact Form: DPDT (2 Form C)
Contact Rating (Current): 10 A
Switching Voltage: 208VAC, 28VDC - Max
Must Operate Voltage: 18 VDC
Operate Time: 10 ms
Release Time: 10 ms
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Coil Voltage: 28VDC
Operating Temperature: -70°C ~ 125°C
Termination Style: Solder Hook
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 46.7 mA
Coil Type: Latching, Single Coil
Contact Form: DPDT (2 Form C)
Contact Rating (Current): 10 A
Switching Voltage: 208VAC, 28VDC - Max
Must Operate Voltage: 18 VDC
Operate Time: 10 ms
Release Time: 10 ms
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| BR247D-600A1-28V |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
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Stück im Wert von UAH
| BR247D-600B3-28V |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
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Stück im Wert von UAH
| MXLPLAD6.5KP85CAe3 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 85VWM 137VC PLAD
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard SMD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 47.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 85V
Supplier Device Package: PLAD
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 94.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 137V
Power - Peak Pulse: 6500W (6.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
Description: TVS DIODE 85VWM 137VC PLAD
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard SMD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 47.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 85V
Supplier Device Package: PLAD
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 94.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 137V
Power - Peak Pulse: 6500W (6.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ15D2/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ15DE3/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ15D10E3/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
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| 3EZ15D2/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ15D10/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ15D10/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ15D/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ15D10E3/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ15D/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ15DE3/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ15D2E3/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ15D2E3/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ150D5E3/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ150D10/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ150D5/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ150D10E3/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ150D2E3/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ150D/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ150DE3/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ150D2E3/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 3EZ150D/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 3EZ150D10E3/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ150D5E3/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ150D5/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ150D2/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ150DE3/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ150D10/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| 3EZ150D2/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
Description: DIODE ZENER 150V 3W DO204AL
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Stück im Wert von UAH
| MSD52-08 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: BRIDGE RECT 3PHASE 800V 50A SM2
Description: BRIDGE RECT 3PHASE 800V 50A SM2
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Stück im Wert von UAH
| 1N5363B |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 30V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Active
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 21.6 V
Description: DIODE ZENER 30V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Impedance (Max) (Zzt): 8 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Active
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 21.6 V
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Stück im Wert von UAH
| 2N6766 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO3
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO3
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX2N6766 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/543
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/543
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN2N6766 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/543
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500/543
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N6766 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO3
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO3
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| APTGT100SK170D1G |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 1700V 200A 695W D1
Packaging: Bulk
Package / Case: D1
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D1
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 695 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.5 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 1700V 200A 695W D1
Packaging: Bulk
Package / Case: D1
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: D1
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 695 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.5 nF @ 25 V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N4688 (DO35) |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 3 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| APT31N60BCSG |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 25 V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| APT11GP60BDQBG |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT PT 600V 41A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/29ns
Switching Energy: 46µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 11A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 187 W
Description: IGBT PT 600V 41A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 11A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/29ns
Switching Energy: 46µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 11A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 187 W
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| APT15GP60BDLG |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT 600V 56A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/29ns
Switching Energy: 130µJ (on), 121µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 65 A
Power - Max: 250 W
Description: IGBT 600V 56A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 8ns/29ns
Switching Energy: 130µJ (on), 121µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 55 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 65 A
Power - Max: 250 W
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N5228A (DO-35) |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 950 mV
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±10%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 950 mV
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2A8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 21V 2GHZ 55EU
Description: RF TRANS NPN 21V 2GHZ 55EU
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX1N6118US |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 25.1VWM 47.99VC AXIAL
Description: TVS DIODE 25.1VWM 47.99VC AXIAL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX1N6117US |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 22.8VWM 43.68V SQ-MELF
Description: TVS DIODE 22.8VWM 43.68V SQ-MELF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LX27912DW-TR |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 24SOIC
Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 24SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| LX27902DW-TR |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 24SOIC
Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 24SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N5361B | |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 27V 5W T18
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 5 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Active
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 19.4 V
Description: DIODE ZENER 27V 5W T18
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 5 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Active
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 19.4 V
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Stück im Wert von UAH
| JAN1N6624U |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 900V 1A D-5A
Description: DIODE GEN PURP 900V 1A D-5A
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Stück im Wert von UAH
| JANTXV1N6625U |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A D-5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Qualification: MIL-PRF-19500/585
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A D-5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
Qualification: MIL-PRF-19500/585
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Stück im Wert von UAH
| PD-IM-7608A |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: POE EVB
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