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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
JANTX2N2944A Microsemi Corporation 124373-lds-0236-datasheet Description: TRANS PNP 10V 0.1A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 500mV
Supplier Device Package: TO-46 (TO-206AB)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Power - Max: 400 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/382
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APTM20TDUM16PG APTM20TDUM16PG Microsemi Corporation APTM20TDUM16PG.pdf Description: MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAP5KE170Ae3 MAP5KE170Ae3 Microsemi Corporation 11043-p5ke-datasheet Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MXLP5KE170CAe3 MXLP5KE170CAe3 Microsemi Corporation 11043-p5ke-datasheet Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAP5KE170CAe3 MAP5KE170CAe3 Microsemi Corporation 11043-p5ke-datasheet Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MP5KE170CAe3 MP5KE170CAe3 Microsemi Corporation MP5KE5.0A-170CA(e3).pdf Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MXP5KE170CA MXP5KE170CA Microsemi Corporation 11043-p5ke-datasheet Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 170V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 189V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 275V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MXLP5KE170CA MXLP5KE170CA Microsemi Corporation 11043-p5ke-datasheet Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MXLP5KE170A MXLP5KE170A Microsemi Corporation 11043-p5ke-datasheet Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MXP5KE170A MXP5KE170A Microsemi Corporation 11043-p5ke-datasheet Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MAP5KE170CA MAP5KE170CA Microsemi Corporation 11043-p5ke-datasheet Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MXLP5KE170Ae3 MXLP5KE170Ae3 Microsemi Corporation 11043-p5ke-datasheet Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 170V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 189V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 275V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MP5KE170CA MP5KE170CA Microsemi Corporation MP5KE5.0A-170CA(e3).pdf Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MP5KE170Ae3 MP5KE170Ae3 Microsemi Corporation MP5KE5.0A-170CA(e3).pdf Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MP5KE170A MP5KE170A Microsemi Corporation MP5KE5.0A-170CA(e3).pdf Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35SM70B APT35SM70B Microsemi Corporation APT35SM70B.pdf Description: SICFET N-CH 700V 35A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 700 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35SM70S APT35SM70S Microsemi Corporation Microsemi_SiC_Product_Brochure_2017_05.pdf Description: SICFET 700V 35A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT35DL120HJ APT35DL120HJ Microsemi Corporation APT35DL120HJ.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 35A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APTM50A15FT1G Microsemi Corporation APTM50A15UT1G-Rev0.pdf Description: MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5281BDO35TR 1N5281BDO35TR Microsemi Corporation 1N5221%20-%201N5281B%2C%20e3%20DO-35.pdf Description: DIODE ZENER 200V 500MW DO204AH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 200 V
Impedance (Max) (Zzt): 2500 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 152 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5281BDO35TR 1N5281BDO35TR Microsemi Corporation 1N5221%20-%201N5281B%2C%20e3%20DO-35.pdf Description: DIODE ZENER 200V 500MW DO204AH
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 200 V
Impedance (Max) (Zzt): 2500 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 152 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387/TR12 1N5387/TR12 Microsemi Corporation 1N5333B-88B.pdf Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387E3/TR13 1N5387E3/TR13 Microsemi Corporation 1N5333B-88B.pdf Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387A/TR12 1N5387A/TR12 Microsemi Corporation 1N5333B-88B.pdf Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387E3/TR8 1N5387E3/TR8 Microsemi Corporation 1N5333B-88B.pdf Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387B/TR8 1N5387B/TR8 Microsemi Corporation 1N5333B-88B.pdf Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 190 V
Impedance (Max) (Zzt): 450 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 137 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387CE3/TR12 1N5387CE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5333B-88B.pdf Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387AE3/TR12 1N5387AE3/TR12 Microsemi Corporation 1N5333B-88B.pdf Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387AE3/TR8 1N5387AE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5333B-88B.pdf Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387AE3/TR13 1N5387AE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5333B-88B.pdf Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387E3/TR12 1N5387E3/TR12 Microsemi Corporation 1N5333B-88B.pdf Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387C/TR8 1N5387C/TR8 Microsemi Corporation 1N5333B-88B.pdf Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387B/TR12 1N5387B/TR12 Microsemi Corporation 1N5333B-88B.pdf Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 190 V
Impedance (Max) (Zzt): 450 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 137 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387CE3/TR8 1N5387CE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5333B-88B.pdf Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387BE3/TR13 1N5387BE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5333B-88B.pdf Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 190 V
Impedance (Max) (Zzt): 450 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 137 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387BE3/TR8 1N5387BE3/TR8 Microsemi Corporation 1N5333B-88B.pdf Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 190 V
Impedance (Max) (Zzt): 450 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 137 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387C/TR12 1N5387C/TR12 Microsemi Corporation 1N5333B-88B.pdf Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387CE3/TR13 1N5387CE3/TR13 Microsemi Corporation 1N5333B-88B.pdf Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387A/TR8 1N5387A/TR8 Microsemi Corporation 1N5333B-88B.pdf Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5232B (DO-35) 1N5232B (DO-35) Microsemi Corporation 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 11 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LX2201CLQ LX2201CLQ Microsemi Corporation 9121-lx2201-pdf Description: IC BATT CHG LI-ION 1CELL 20MLPQ
Packaging: Tube
Package / Case: 20-TFQFN Exposed Pad
Number of Cells: 1
Mounting Type: Surface Mount
Interface: USB
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Battery Chemistry: Lithium Ion
Supplier Device Package: 20-MLPQ (4x4)
Charge Current - Max: 2A
Programmable Features: Current
Voltage - Supply (Max): 6V
Battery Pack Voltage: 4.2V
Current - Charging: Constant - Programmable
auf Bestellung 2951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LX2205ILQ-TR Microsemi Corporation LX2205ILQ.pdf Description: IC BATT CHG LI-ION 1CELL 16MLPQ
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LX2208ILD-TR Microsemi Corporation LX2208ILD.pdf Description: IC BATT CHG LI-ION 1CELL 12MLPD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LX2202CLQ-TR Microsemi Corporation LX2202.pdf Description: IC BATT CHG LI-ION 1CELL 20MLPQ
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LX1721-01 EVAL KIT LX1721-01 EVAL KIT Microsemi Corporation 9048-lx1721-22-pdf Description: KIT EVAL AMP STEREO CLASS D
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT15GP90KG APT15GP90KG Microsemi Corporation APT15GP90K(G).pdf Description: IGBT 900V 43A 250W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220 [K]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/33ns
Switching Energy: 200µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 60 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 250 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT15GP90BG APT15GP90BG Microsemi Corporation APT15GP90B%28G%29.pdf Description: IGBT PT 900V 43A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/33ns
Switching Energy: 200µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 60 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 250 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3EZ15D5/TR8 3EZ15D5/TR8 Microsemi Corporation 10926-sa5-67-datasheet Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3EZ15D5/TR12 3EZ15D5/TR12 Microsemi Corporation 10926-sa5-67-datasheet Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3EZ15D5E3/TR12 3EZ15D5E3/TR12 Microsemi Corporation 10926-sa5-67-datasheet Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3EZ15D5E3/TR8 3EZ15D5E3/TR8 Microsemi Corporation 10926-sa5-67-datasheet Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN1N2821RB Microsemi Corporation 8915-lds-0076-pdf Description: DIODE ZENER 25V 5W TO204AD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6356 Microsemi Corporation 1N6356-73,e3_MPT-(5-45),e3.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 7.5VC DO13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-13
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 160A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: DO-13
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SMDA24C-7 SMDA24C-7 Microsemi Corporation SMDA03C-7 thru 24C-7.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 55VC 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: 8-SO
Bidirectional Channels: 7
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 55V
Power - Peak Pulse: 300W
Power Line Protection: No
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5941AG 1N5941AG Microsemi Corporation 10922-sa5-57-datasheet Description: DIODE ZENER 47V 1.25W DO204AL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5941CG 1N5941CG Microsemi Corporation 10922-sa5-57-datasheet Description: DIODE ZENER 47V 1.25W DO204AL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5941DG 1N5941DG Microsemi Corporation 10922-sa5-57-datasheet Description: DIODE ZENER 47V 1.25W DO204AL
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APTGT100DDA60T3G Microsemi Corporation 7679-aptgt100dda60t3g-datasheet Description: IGBT MODULE 600V 150A 340W SP3
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APTM100DDA35T3G Microsemi Corporation index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8005 Description: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
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BR247D-600A2-28V Microsemi Corporation 126337-br247d-datasheet Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
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JANTX2N2944A 124373-lds-0236-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS PNP 10V 0.1A TO46
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 500mV
Supplier Device Package: TO-46 (TO-206AB)
Grade: Military
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10 V
Power - Max: 400 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/382
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APTM20TDUM16PG APTM20TDUM16PG.pdf
APTM20TDUM16PG
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P
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MAP5KE170Ae3 11043-p5ke-datasheet
MAP5KE170Ae3
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
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MXLP5KE170CAe3 11043-p5ke-datasheet
MXLP5KE170CAe3
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
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MAP5KE170CAe3 11043-p5ke-datasheet
MAP5KE170CAe3
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
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MP5KE170CAe3 MP5KE5.0A-170CA(e3).pdf
MP5KE170CAe3
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
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MXP5KE170CA 11043-p5ke-datasheet
MXP5KE170CA
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 170V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 189V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 275V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
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MXLP5KE170CA 11043-p5ke-datasheet
MXLP5KE170CA
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
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MXLP5KE170A 11043-p5ke-datasheet
MXLP5KE170A
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
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MXP5KE170A 11043-p5ke-datasheet
MXP5KE170A
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
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MAP5KE170CA 11043-p5ke-datasheet
MAP5KE170CA
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
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MXLP5KE170Ae3 11043-p5ke-datasheet
MXLP5KE170Ae3
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 170V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 189V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 275V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
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MP5KE170CA MP5KE5.0A-170CA(e3).pdf
MP5KE170CA
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MP5KE170Ae3 MP5KE5.0A-170CA(e3).pdf
MP5KE170Ae3
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
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MP5KE170A MP5KE5.0A-170CA(e3).pdf
MP5KE170A
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 170VWM 275VC DO204AL
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APT35SM70B APT35SM70B.pdf
APT35SM70B
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: SICFET N-CH 700V 35A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1035 pF @ 700 V
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APT35SM70S Microsemi_SiC_Product_Brochure_2017_05.pdf
APT35SM70S
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: SICFET 700V 35A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
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APT35DL120HJ APT35DL120HJ.pdf
APT35DL120HJ
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 1.2KV 35A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 1.2 kV
Current - Average Rectified (Io): 35 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 35 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
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APTM50A15FT1G APTM50A15UT1G-Rev0.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1
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1N5281BDO35TR 1N5221%20-%201N5281B%2C%20e3%20DO-35.pdf
1N5281BDO35TR
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 200V 500MW DO204AH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 200 V
Impedance (Max) (Zzt): 2500 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 152 V
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1N5281BDO35TR 1N5221%20-%201N5281B%2C%20e3%20DO-35.pdf
1N5281BDO35TR
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 200V 500MW DO204AH
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 200 V
Impedance (Max) (Zzt): 2500 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 152 V
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1N5387/TR12 1N5333B-88B.pdf
1N5387/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
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1N5387E3/TR13 1N5333B-88B.pdf
1N5387E3/TR13
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
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1N5387A/TR12 1N5333B-88B.pdf
1N5387A/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
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1N5387E3/TR8 1N5333B-88B.pdf
1N5387E3/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
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1N5387B/TR8 1N5333B-88B.pdf
1N5387B/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 190 V
Impedance (Max) (Zzt): 450 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 137 V
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1N5387CE3/TR12 1N5333B-88B.pdf
1N5387CE3/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
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1N5387AE3/TR12 1N5333B-88B.pdf
1N5387AE3/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387AE3/TR8 1N5333B-88B.pdf
1N5387AE3/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
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1N5387AE3/TR13 1N5333B-88B.pdf
1N5387AE3/TR13
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387E3/TR12 1N5333B-88B.pdf
1N5387E3/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
Produkt ist nicht verfügbar
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1N5387C/TR8 1N5333B-88B.pdf
1N5387C/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387B/TR12 1N5333B-88B.pdf
1N5387B/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 190 V
Impedance (Max) (Zzt): 450 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 137 V
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1N5387CE3/TR8 1N5333B-88B.pdf
1N5387CE3/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
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1N5387BE3/TR13 1N5333B-88B.pdf
1N5387BE3/TR13
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 190 V
Impedance (Max) (Zzt): 450 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 137 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387BE3/TR8 1N5333B-88B.pdf
1N5387BE3/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 190 V
Impedance (Max) (Zzt): 450 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Obsolete
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 137 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387C/TR12 1N5333B-88B.pdf
1N5387C/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387CE3/TR13 1N5333B-88B.pdf
1N5387CE3/TR13
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5387A/TR8 1N5333B-88B.pdf
1N5387A/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 190V 5W T18
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N5232B (DO-35) 1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35.pdf
1N5232B (DO-35)
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 11 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LX2201CLQ 9121-lx2201-pdf
LX2201CLQ
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC BATT CHG LI-ION 1CELL 20MLPQ
Packaging: Tube
Package / Case: 20-TFQFN Exposed Pad
Number of Cells: 1
Mounting Type: Surface Mount
Interface: USB
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Battery Chemistry: Lithium Ion
Supplier Device Package: 20-MLPQ (4x4)
Charge Current - Max: 2A
Programmable Features: Current
Voltage - Supply (Max): 6V
Battery Pack Voltage: 4.2V
Current - Charging: Constant - Programmable
auf Bestellung 2951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+8.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LX2205ILQ-TR LX2205ILQ.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC BATT CHG LI-ION 1CELL 16MLPQ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LX2208ILD-TR LX2208ILD.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC BATT CHG LI-ION 1CELL 12MLPD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LX2202CLQ-TR LX2202.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC BATT CHG LI-ION 1CELL 20MLPQ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
LX1721-01 EVAL KIT 9048-lx1721-22-pdf
LX1721-01 EVAL KIT
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: KIT EVAL AMP STEREO CLASS D
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APT15GP90KG APT15GP90K(G).pdf
APT15GP90KG
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT 900V 43A 250W TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220 [K]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/33ns
Switching Energy: 200µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 60 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 250 W
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APT15GP90BG APT15GP90B%28G%29.pdf
APT15GP90BG
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT PT 900V 43A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247 [B]
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/33ns
Switching Energy: 200µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 60 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 43 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 250 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3EZ15D5/TR8 10926-sa5-67-datasheet
3EZ15D5/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3EZ15D5/TR12 10926-sa5-67-datasheet
3EZ15D5/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3EZ15D5E3/TR12 10926-sa5-67-datasheet
3EZ15D5E3/TR12
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
3EZ15D5E3/TR8 10926-sa5-67-datasheet
3EZ15D5E3/TR8
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 3W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
JAN1N2821RB 8915-lds-0076-pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 25V 5W TO204AD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1N6356 1N6356-73,e3_MPT-(5-45),e3.pdf
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 5VWM 7.5VC DO13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-13
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 160A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: DO-13
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 7.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
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SMDA24C-7 SMDA03C-7 thru 24C-7.pdf
SMDA24C-7
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 24VWM 55VC 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: 8-SO
Bidirectional Channels: 7
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 55V
Power - Peak Pulse: 300W
Power Line Protection: No
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1N5941AG 10922-sa5-57-datasheet
1N5941AG
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1.25W DO204AL
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1N5941CG 10922-sa5-57-datasheet
1N5941CG
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1.25W DO204AL
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1N5941DG 10922-sa5-57-datasheet
1N5941DG
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 1.25W DO204AL
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APTGT100DDA60T3G 7679-aptgt100dda60t3g-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 600V 150A 340W SP3
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APTM100DDA35T3G index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=8005
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
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BR247D-600A2-28V 126337-br247d-datasheet
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
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