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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
2N7224	Microsemi Corporation	Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-254AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
JANTX2N7224	Microsemi Corporation	Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-254AA Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/592	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
JANTXV2N7224	Microsemi Corporation	Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-254AA Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/592	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
JANTXV2N7224U	Microsemi Corporation	Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO267AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-267AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-267AB Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/592	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
JAN2N7224	Microsemi Corporation	Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
JANTX2N7224U	Microsemi Corporation	Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO267AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-267AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-267AB Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/592	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
JAN2N7224U	Microsemi Corporation	Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO267AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-267AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-267AB Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/592	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2N7224U	Microsemi Corporation	Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO267AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-267AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-267AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
APTGF25DSK120T3G	Microsemi Corporation	Description: IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Dual Buck Chopper Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP3 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 208 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
APTGF30X60T3G	Microsemi Corporation	Description: IGBT MODULE 600V 42A 140W SP3	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
APTGF25DDA120T3G	Microsemi Corporation	Description: IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP3	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
APTGV75H60T3G	Microsemi Corporation	Description: IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
APTGT20X60T3G	Microsemi Corporation	Description: IGBT MODULE 600V 32A 62W SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP3 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 32 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 62 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
APTGT20H60T3G	Microsemi Corporation	Description: IGBT MODULE 600V 32A 62W SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP3 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 32 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 62 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
APTGV100H60T3G	Microsemi Corporation	Description: IGBT MODULE 600V 150A 340W SP3	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
APTGT20DSK60T3G	Microsemi Corporation	Description: IGBT MODULE 600V 32A 62W SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Dual Buck Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP3 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 32 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 62 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
APTGF15X120T3G	Microsemi Corporation	Description: IGBT MODULE 1200V 25A 140W SP3 Packaging: Bulk Package / Case: SP3 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP3 IGBT Type: NPT Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 140 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MPLAD6.5KP130CA	Microsemi Corporation	Description: TVS DIODE 130VWM 209VC PLAD Packaging: Bulk Package / Case: Nonstandard SMD Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 31.1A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 130V Supplier Device Package: PLAD Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 144V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 209V Power - Peak Pulse: 6500W (6.5kW) Power Line Protection: No	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
1N5524B (DO35)	Microsemi Corporation	Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ZLR88822L	Microsemi Corporation	Description: REFERENCE DESIGN ZL8882L	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DRF1202	Microsemi Corporation	Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DRF1203	Microsemi Corporation	Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
P6KE47AE3/TR13	Microsemi Corporation	Description: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.3A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.2V Supplier Device Package: Axial Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 44.7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.8V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
1N4683 (DO35)	Microsemi Corporation	Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
SBR3050E3	Microsemi Corporation	Description: DIODE SCHOTTKY 50V 30A DO203AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: DO-203AA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 50 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2EZ47D5	Microsemi Corporation	Description: DIODE ZENER 47V 2W DO204AL	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2EZ47D5DO41E3	Microsemi Corporation	Description: DIODE ZENER 47V 2W DO204AL	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2EZ47D5DO41E3	Microsemi Corporation	Description: DIODE ZENER 47V 2W DO204AL	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2EZ47D5/TR12	Microsemi Corporation	Description: DIODE ZENER 47V 2W DO204AL	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2EZ47D5/TR8	Microsemi Corporation	Description: DIODE ZENER 47V 2W DO204AL	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2EZ47D5E3/TR8	Microsemi Corporation	Description: DIODE ZENER 47V 2W DO204AL	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
2EZ47D5E3/TR12	Microsemi Corporation	Description: DIODE ZENER 47V 2W DO204AL	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
1N5916BG	Microsemi Corporation	Description: DIODE ZENER 4.3V 1.25W DO204AL Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Power - Max: 1.25 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
1N5916BP/TR8	Microsemi Corporation	Description: DIODE ZENER 4.3V 1.5W DO204AL Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Power - Max: 1.5 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
1N5916BE3/TR13	Microsemi Corporation	Description: DIODE ZENER 4.3V 1.5W DO204AL Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Power - Max: 1.5 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
1N5916BPE3/TR12	Microsemi Corporation	Description: DIODE ZENER 4.3V 1.5W DO204AL Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Power - Max: 1.5 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
1N5916BPE3/TR8	Microsemi Corporation	Description: DIODE ZENER 4.3V 1.5W DO204AL Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Power - Max: 1.5 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
1N5916BP/TR12	Microsemi Corporation	Description: DIODE ZENER 4.3V 1.5W DO204AL Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Power - Max: 1.5 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
APTGF150SK120TG	Microsemi Corporation	Description: IGBT MODULE 1200V 200A 961W SP4 Packaging: Bulk Package / Case: SP4 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP4 IGBT Type: NPT Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 961 W Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.2 nF @ 25 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
S200-50	Microsemi Corporation	Description: RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX Packaging: Bulk Package / Case: 55HX Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB ~ 14.5dB Power - Max: 320W Current - Collector (Ic) (Max): 30A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 110V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 1.5MHz ~ 30MHz Supplier Device Package: 55HX Part Status: Obsolete	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
APT33N90JCCU2	Microsemi Corporation	Description: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Supplier Device Package: SOT-227 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
APT33N90JCCU3	Microsemi Corporation	Description: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Supplier Device Package: SOT-227 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
1N5366B	Microsemi Corporation	Description: DIODE ZENER 39V 5W T18 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 39 V Impedance (Max) (Zzt): 14 Ohms Supplier Device Package: T-18 Part Status: Active Power - Max: 5 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 28.1 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
APT11GF120KRG	Microsemi Corporation	Description: IGBT 1200V 25A 156W TO220	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MAP5KE28CA	Microsemi Corporation	Description: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO204AL Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 31.1V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.4V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No Part Status: Obsolete	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MAP5KE28A	Microsemi Corporation	Description: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO204AL Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 31.1V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.4V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No Part Status: Obsolete	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MAP5KE48A	Microsemi Corporation	Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO204AL Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.5A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 48V Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 53.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 77.4V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
1N5223A (DO-35)TR	Microsemi Corporation	Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 Tolerance: ±10% Packaging: Bag Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
1N5223B (DO-35)	Microsemi Corporation	Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
APT30SCD65B	Microsemi Corporation	Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 46A TO247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 945pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 46A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 650 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MDS400	Microsemi Corporation	Description: RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55KT Packaging: Bulk Package / Case: 55KT Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Gain: 6.5dB Power - Max: 1450W Current - Collector (Ic) (Max): 40A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 1.03GHz ~ 1.09GHz Supplier Device Package: 55KT Part Status: Obsolete	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TAN300	Microsemi Corporation	Description: RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55KT	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
TPR700	Microsemi Corporation	Description: RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KT	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
DME500	Microsemi Corporation	Description: RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55KT Packaging: Bulk Package / Case: 55KT Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Gain: 6dB ~ 6.5dB Power - Max: 1700W Current - Collector (Ic) (Max): 40A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz Supplier Device Package: 55KT Part Status: Obsolete	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
1214-110M	Microsemi Corporation	Description: RF TRANS NPN 75V 1.4GHZ 55KT	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
1N4116 (DO35)	Microsemi Corporation	Description: DIODE ZENER 24V 400MW DO35	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ZL30347GGG	Microsemi Corporation	Description: IC PLL IEEE SYNCH 100LFBGA Packaging: Tray Package / Case: 100-FBGA Mounting Type: Surface Mount Output: Clock Frequency - Max: 622.08MHz Input: Clock Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Main Purpose: Ethernet, SONET/SDH Ratio - Input:Output: 1:13 Differential - Input:Output: No/Yes Supplier Device Package: 100-CABGA (9x9) PLL: Yes Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
ZL30321GGG	Microsemi Corporation	Description: IC NETWORK SYNCHRONIZE 100LFBGA Packaging: Tray Package / Case: 100-FBGA Mounting Type: Surface Mount Output: LVCMOS Frequency - Max: 125MHz Input: LVCMOS Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Main Purpose: Ethernet, SONET/SDH/PDH, Telecom Ratio - Input:Output: 11:9 Differential - Input:Output: No/No Supplier Device Package: 100-CABGA (9x9) PLL: Yes Number of Circuits: 1 DigiKey Programmable: Not Verified	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MSDM75-16	Microsemi Corporation	Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 75A M2-1	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
MS2212	Microsemi Corporation	Description: RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M222	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2N7224

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-254AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

JANTX2N7224

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-254AA
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/592

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

JANTXV2N7224

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-254AA
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/592

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

JANTXV2N7224U

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO267AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-267AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-267AB
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/592

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JAN2N7224

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO254AA

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JANTX2N7224U

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JAN2N7224U

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2N7224U

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 34A TO267AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-267AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-267AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V

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APTGF25DSK120T3G

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Buck Chopper
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP3
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 208 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V

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APTGF30X60T3G

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 600V 42A 140W SP3

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APTGF25DDA120T3G

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 1200V 40A 208W SP3

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APTGV75H60T3G

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 600V 100A 250W SP3

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APTGT20X60T3G

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 600V 32A 62W SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 62 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

APTGT20H60T3G

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 600V 32A 62W SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 62 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V

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APTGV100H60T3G

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 600V 150A 340W SP3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

APTGT20DSK60T3G

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 600V 32A 62W SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Buck Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 62 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

APTGF15X120T3G

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 1200V 25A 140W SP3
Packaging: Bulk
Package / Case: SP3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP3
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 140 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MPLAD6.5KP130CA

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 130VWM 209VC PLAD
Packaging: Bulk
Package / Case: Nonstandard SMD
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 31.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 130V
Supplier Device Package: PLAD
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 144V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 209V
Power - Peak Pulse: 6500W (6.5kW)
Power Line Protection: No

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1N5524B (DO35)

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35

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ZLR88822L

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: REFERENCE DESIGN ZL8882L

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DRF1202

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1

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DRF1203

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1

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P6KE47AE3/TR13

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 9.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.2V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 44.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 64.8V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No

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1N4683 (DO35)

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35

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SBR3050E3

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 30A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: DO-203AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.5 mA @ 50 V

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2EZ47D5

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 2W DO204AL

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2EZ47D5DO41E3

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 2W DO204AL

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2EZ47D5DO41E3

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 2W DO204AL

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

2EZ47D5/TR12

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 2W DO204AL

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2EZ47D5/TR8

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 2W DO204AL

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2EZ47D5E3/TR8

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 2W DO204AL

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2EZ47D5E3/TR12

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 47V 2W DO204AL

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1N5916BG

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.3V 1.25W DO204AL
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

1N5916BP/TR8

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 4.3V 1.5W DO204AL
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

1N5916BE3/TR13

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1N5916BPE3/TR12

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

1N5916BPE3/TR8

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

1N5916BP/TR12

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APTGF150SK120TG

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 1200V 200A 961W SP4
Packaging: Bulk
Package / Case: SP4
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP4
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 961 W
Current - Collector Cutoff (Max): 350 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.2 nF @ 25 V

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S200-50

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX
Packaging: Bulk
Package / Case: 55HX
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 14.5dB
Power - Max: 320W
Current - Collector (Ic) (Max): 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 110V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 1.5MHz ~ 30MHz
Supplier Device Package: 55HX
Part Status: Obsolete

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APT33N90JCCU2

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 900V 33A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

APT33N90JCCU3

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1N5366B

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 39V 5W T18
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 39 V
Impedance (Max) (Zzt): 14 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Part Status: Active
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 28.1 V

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APT11GF120KRG

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT 1200V 25A 156W TO220

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MAP5KE28CA

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.4V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MAP5KE28A

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 31.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 45.4V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete

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MAP5KE48A

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 6.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 48V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 53.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 77.4V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500

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1N5223A (DO-35)TR

1N5221%20-%201N5281B%2C%20e3%20DO-35.pdf

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35
Tolerance: ±10%
Packaging: Bag
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V

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1N5223B (DO-35)

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V

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APT30SCD65B

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 46A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 945pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 46A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 600 µA @ 650 V

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MDS400

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55KT
Packaging: Bulk
Package / Case: 55KT
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 6.5dB
Power - Max: 1450W
Current - Collector (Ic) (Max): 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 1.03GHz ~ 1.09GHz
Supplier Device Package: 55KT
Part Status: Obsolete

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TAN300

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55KT

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TPR700

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KT

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DME500

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55KT
Packaging: Bulk
Package / Case: 55KT
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 6dB ~ 6.5dB
Power - Max: 1700W
Current - Collector (Ic) (Max): 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz
Supplier Device Package: 55KT
Part Status: Obsolete

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1214-110M

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 75V 1.4GHZ 55KT

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1N4116 (DO35)

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 24V 400MW DO35

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ZL30347GGG

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC PLL IEEE SYNCH 100LFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 100-FBGA
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 622.08MHz
Input: Clock
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Main Purpose: Ethernet, SONET/SDH
Ratio - Input:Output: 1:13
Differential - Input:Output: No/Yes
Supplier Device Package: 100-CABGA (9x9)
PLL: Yes
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

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ZL30321GGG

127142-zl30321-shortform-datasheet-jul09

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC NETWORK SYNCHRONIZE 100LFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 100-FBGA
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS
Frequency - Max: 125MHz
Input: LVCMOS
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Main Purpose: Ethernet, SONET/SDH/PDH, Telecom
Ratio - Input:Output: 11:9
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 100-CABGA (9x9)
PLL: Yes
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified

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MSDM75-16

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 75A M2-1

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MS2212

index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=9630

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M222

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