Produkte > MICROSEMI CORPORATION > Alle Produkte des Herstellers MICROSEMI CORPORATION (11173) > Seite 144 nach 187
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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P6KE11AE3/TR13 | Microsemi Corporation |
 Description: TVS DIODE 9.4VWM 15.6VC AXIALPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 38A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9.4V Supplier Device Package: Axial Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 10.5V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.6V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No Part Status: Active |
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2N5014S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39 |
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2N5012S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO39 |
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2N5015S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39 |
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2N5013S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO39 |
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JANTXV2N5013 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO5 |
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JANTX2N5012S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO39 |
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JANTX2N5013S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO39 |
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JANTX2N5015S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39 |
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JANTX2N5014S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39 |
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JANTXV2N5014 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO5 |
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JAN2N5015S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39 |
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JANTXV2N5013S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO39 |
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JANTXV2N5012S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO39 |
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JAN2N5013 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO5 |
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JANTX2N5012 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO5 |
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JANTXV2N5015 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO5 |
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JANTXV2N5014S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39 |
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JANTXV2N5015S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39 |
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JANTXV2N5012 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO5 |
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JAN2N5014S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39 |
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JANTX2N5013 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO5 |
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JAN2N5012 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO5 |
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JANTX2N5015 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO5 |
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JANTX2N5014 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO5 |
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JAN2N5015 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO5 |
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JAN2N5013S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO39 |
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JAN2N5014 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO5 |
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JAN2N5012S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO39 |
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2N5013 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO5 |
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2N5014 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO5 |
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2N5012 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO5 |
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2N5015 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO5 |
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1N5253B (DO-35) | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 25V 500MW DO35 Packaging: Bulk Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 25 V Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms Supplier Device Package: DO-35 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 19 V |
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MP5KE64Ae3 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 64VWM 103VC DO204AL |
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1N4730AG | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 3.9V 1W DO204AL Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Part Status: Active Power - Max: 1 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V |
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| 1N5381A/TR12 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 130V 5W T18 |
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1N5382B/TR8 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 140V 5W T18 Tolerance: ±5% Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 140 V Impedance (Max) (Zzt): 230 Ohms Supplier Device Package: T-18 Power - Max: 5 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 101 V |
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MAP5KE16Ae3 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 16VWM 26VC DO204AL Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 19.2A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16V Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 17.8V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No Part Status: Obsolete Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500 |
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MXP5KE16A | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 16VWM 26VC DO204AL Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 19.2A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16V Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 17.8V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No Part Status: Obsolete Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500 |
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MXLP5KE16Ae3 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 16VWM 26VC DO204AL Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 19.2A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16V Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 17.8V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No Part Status: Obsolete Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500 |
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| 2N6788U | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC |
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| JANTXV2N6782U | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A 18ULCC Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V |
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| JANTX2N6798U | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.07 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/557 |
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P6KE91AE3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.8A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 77.8V Supplier Device Package: Axial Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 86.5V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 125V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No Part Status: Active |
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P6KE91AE3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC AXIAL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.8A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 77.8V Supplier Device Package: Axial Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 86.5V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 125V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No Part Status: Active |
auf Bestellung 631 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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P6KE9.1CAE3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 45A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.78V Supplier Device Package: Axial Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 8.65V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13.4V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No Part Status: Active |
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P6KE91AE3 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.8A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 77.8V Supplier Device Package: Axial Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 86.5V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 125V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No |
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P6KE91AE3 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC AXIAL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.8A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 77.8V Supplier Device Package: Axial Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 86.5V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 125V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No |
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| SMBG5932BE3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 20V 2W SMBG |
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| SMBG5932B/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 20V 2W SMBG |
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APTC90DAM60T1G | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 900V 59A SP1 |
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| APTC90DAM60CT1G | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 900V 59A SP1 |
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| APTM50DUM35TG | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4 |
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| BR246D-320A2-28V-024M | Microsemi Corporation | Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V |
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| JANTX2N6898 | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15.8A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V |
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| JAN2N6898 | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15.8A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V |
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| JANTXV2N6898 | Microsemi Corporation |
Description: MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15.8A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V |
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1N5225B (DO-35) | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35 Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V |
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| LE88111BLCT | Microsemi Corporation |
Description: IC TELECOM INTERFACE 44LQFP |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| P6KE11AE3/TR13 |
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Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 9.4VWM 15.6VC AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 38A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9.4V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 10.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.6V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 9.4VWM 15.6VC AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 38A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9.4V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 10.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.6V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5014S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5012S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5015S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5013S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N5013 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO5
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX2N5012S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX2N5013S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO39
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX2N5015S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX2N5014S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39
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Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N5014 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO5
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO5
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN2N5015S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N5013S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N5012S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO39
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Stück im Wert von UAH
| JAN2N5013 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO5
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO5
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Stück im Wert von UAH
| JANTX2N5012 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO5
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO5
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Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N5015 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO5
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO5
Produkt ist nicht verfügbar
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Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N5014S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N5015S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N5012 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO5
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN2N5014S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX2N5013 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO5
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO5
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN2N5012 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO5
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO5
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX2N5015 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO5
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO5
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX2N5014 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO5
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO5
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN2N5015 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO5
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO5
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN2N5013S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO39
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN2N5014 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO5
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO5
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN2N5012S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5013 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO5
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5014 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO5
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5012 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO5
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5015 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO5
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO5
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N5253B (DO-35) |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 25V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 25 V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 19 V
Description: DIODE ZENER 25V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 25 V
Impedance (Max) (Zzt): 35 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 19 V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MP5KE64Ae3 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 64VWM 103VC DO204AL
Description: TVS DIODE 64VWM 103VC DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N4730AG |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 3.9V 1W DO204AL
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 3.9V 1W DO204AL
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 9 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Part Status: Active
Power - Max: 1 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N5381A/TR12 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 130V 5W T18
Description: DIODE ZENER 130V 5W T18
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N5382B/TR8 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 140V 5W T18
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 140 V
Impedance (Max) (Zzt): 230 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 101 V
Description: DIODE ZENER 140V 5W T18
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 140 V
Impedance (Max) (Zzt): 230 Ohms
Supplier Device Package: T-18
Power - Max: 5 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 101 V
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MAP5KE16Ae3 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 16VWM 26VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 19.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 17.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
Description: TVS DIODE 16VWM 26VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 19.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 17.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MXP5KE16A |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 16VWM 26VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 19.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 17.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
Description: TVS DIODE 16VWM 26VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 19.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 17.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MXLP5KE16Ae3 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 16VWM 26VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 19.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 17.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
Description: TVS DIODE 16VWM 26VC DO204AL
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 19.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 16V
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 17.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
Grade: Military
Qualification: MIL-PRF-19500
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N6788U |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC
Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N6782U |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A 18ULCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A 18ULCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX2N6798U |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.07 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/557
Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 18-CLCC
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.07 nC @ 10 V
Qualification: MIL-PRF-19500/557
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6KE91AE3/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 77.8V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 86.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 125V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 77.8V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 86.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 125V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6KE91AE3/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 77.8V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 86.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 125V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 77.8V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 86.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 125V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
auf Bestellung 631 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 18+ | 1.02 EUR |
| 28+ | 0.63 EUR |
| 34+ | 0.52 EUR |
| 100+ | 0.40 EUR |
| P6KE9.1CAE3/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 45A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.78V
Supplier Device Package: Axial
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.65V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 45A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.78V
Supplier Device Package: Axial
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.65V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6KE91AE3 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 77.8V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 86.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 125V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 77.8V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 86.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 125V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6KE91AE3 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 77.8V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 86.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 125V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 77.8VWM 125VC AXIAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 77.8V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 86.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 125V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| SMBG5932BE3/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 20V 2W SMBG
Description: DIODE ZENER 20V 2W SMBG
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Stück im Wert von UAH
| SMBG5932B/TR13 |
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Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 20V 2W SMBG
Description: DIODE ZENER 20V 2W SMBG
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Stück im Wert von UAH
| APTC90DAM60T1G |
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Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Description: MOSFET N-CH 900V 59A SP1
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Stück im Wert von UAH
| APTC90DAM60CT1G |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Description: MOSFET N-CH 900V 59A SP1
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Stück im Wert von UAH
| APTM50DUM35TG |
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Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4
Description: MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4
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Stück im Wert von UAH
| BR246D-320A2-28V-024M |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
Description: RELAY GEN PURPOSE DPDT 10A 28V
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Stück im Wert von UAH
| JANTX2N6898 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
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Stück im Wert von UAH
| JAN2N6898 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
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Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N6898 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
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| 1N5225B (DO-35) |
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Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 3V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Impedance (Max) (Zzt): 29 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
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Stück im Wert von UAH
| LE88111BLCT |
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Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC TELECOM INTERFACE 44LQFP
Description: IC TELECOM INTERFACE 44LQFP
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Stück im Wert von UAH