Produkte > MICROSEMI CORPORATION > Alle Produkte des Herstellers MICROSEMI CORPORATION (11156) > Seite 143 nach 186
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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JANTX1N6623U | Microsemi Corporation | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF |
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JAN1N6628U | Microsemi Corporation |
 Description: DIODE GEN PURP 600V 1.75A D-5BPackaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.75A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V Qualification: MIL-PRF-19500/590 |
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JANTX1N6624U | Microsemi Corporation | Description: DIODE GEN PURP 900V 1A D-5A |
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JANTXV1N6621U | Microsemi Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 400V 1.2A D-5A Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.2A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V Qualification: MIL-PRF-19500/585 |
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| JAN1N6627U | Microsemi Corporation | Description: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF |
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JAN1N6622U | Microsemi Corporation | Description: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF |
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JAN1N6623U | Microsemi Corporation | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF |
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JANTXV1N6623U | Microsemi Corporation | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF |
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JAN1N6629U | Microsemi Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.4A D-5B Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, E Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.4A Supplier Device Package: D-5B Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 800 V Qualification: MIL-PRF-19500/590 |
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JAN1N6625U | Microsemi Corporation | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A D-5A |
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JANTXV1N6624U | Microsemi Corporation | Description: DIODE GEN PURP 900V 1A D-5A |
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JAN1N6629US | Microsemi Corporation | Description: DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B |
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1N5937AG | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 33V 1.25W DO204AL Tolerance: ±10% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V Impedance (Max) (Zzt): 33 Ohms Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Power - Max: 1.25 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 25.1 V |
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1N5937CG | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 33V 1.25W DO204AL Tolerance: ±2% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V Impedance (Max) (Zzt): 33 Ohms Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Power - Max: 1.25 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 25.1 V |
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1N5937BG | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 33V 1.25W DO204AL Tolerance: ±5% Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V Impedance (Max) (Zzt): 33 Ohms Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Power - Max: 1.25 W Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 25.1 V |
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| APTGT50DA170T1G | Microsemi Corporation |
Description: IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP1 |
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| APTGT50DU170TG | Microsemi Corporation |
Description: IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP4 Packaging: Bulk Package / Case: SP4 Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Dual, Common Source Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: SP4 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 312 W Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V |
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| APTGT50DSK60T3G | Microsemi Corporation |
Description: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3 |
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| 5962-9958601QXC | Microsemi Corporation |
Description: IC FPGA 203 I/O 256CQFP Packaging: Bulk Package / Case: 256-BFCQFP Exposed Pad and Tie Bar Mounting Type: Surface Mount Number of Gates: 48000 Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V Supplier Device Package: 256-CQFP (75x75) Number of LABs/CLBs: 2880 Number of I/O: 203 DigiKey Programmable: Not Verified |
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1N5228BDO35E3 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW DO204AH Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Discontinued at Digi-Key Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V |
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1N5228BDO35E3 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW DO204AH Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 175°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Part Status: Discontinued at Digi-Key Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V |
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MC33164-3DM | Microsemi Corporation |
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Output: Open Drain or Open Collector Type: Simple Reset/Power-On Reset Reset: Active Low Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Number of Voltages Monitored: 1 Voltage - Threshold: 2.7V Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
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MC33164DM | Microsemi Corporation |
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 8SOIC Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Output: Open Drain or Open Collector Type: Simple Reset/Power-On Reset Reset: Active Low Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Number of Voltages Monitored: 1 Voltage - Threshold: 4.33V Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
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MC33164-3LP | Microsemi Corporation |
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Output: Open Drain or Open Collector Type: Simple Reset/Power-On Reset Reset: Active Low Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Number of Voltages Monitored: 1 Voltage - Threshold: 2.7V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
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MC33164LP | Microsemi Corporation |
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Output: Open Drain or Open Collector Type: Simple Reset/Power-On Reset Reset: Active Low Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Number of Voltages Monitored: 1 Voltage - Threshold: 4.33V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
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| UFT20120D | Microsemi Corporation |
Description: DIODE MODULE 200V 100A |
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| UFT20120A | Microsemi Corporation |
Description: DIODE MODULE 200V 100A |
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| UFT20120 | Microsemi Corporation |
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Screw Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 70 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: Module Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V |
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P6KE75AE3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 64.1VWM 103VC AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.8A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 64.1V Supplier Device Package: Axial Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 71.3V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 103V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No Part Status: Active |
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1N5275A (DO-35) | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 140V 500MW DO35 |
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| UTV020 | Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 25V 860MHZ 55FT |
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| UTV040 | Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 25V 860MHZ 55FT |
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APT12057JLL | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 |
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APA300-CQ352M | Microsemi Corporation |
Description: IC FPGA 248 I/O 352CQFP |
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APA300-CQ352B | Microsemi Corporation |
Description: IC FPGA 248 I/O 352CQFP |
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1N5920B G | Microsemi Corporation |
Description: DIODE ZENER 6.2V 1.25W DO204AL |
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P6KE11AE3/TR13 | Microsemi Corporation |
Description: TVS DIODE 9.4VWM 15.6VC AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: T-18, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 38A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9.4V Supplier Device Package: Axial Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 10.5V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.6V Power - Peak Pulse: 600W Power Line Protection: No Part Status: Active |
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2N5014S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39 |
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2N5012S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO39 |
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2N5015S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39 |
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2N5013S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO39 |
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JANTXV2N5013 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO5 |
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JANTX2N5012S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO39 |
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JANTX2N5013S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO39 |
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JANTX2N5015S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39 |
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JANTX2N5014S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39 |
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JANTXV2N5014 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO5 |
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JAN2N5015S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39 |
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JANTXV2N5013S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO39 |
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JANTXV2N5012S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO39 |
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JAN2N5013 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO5 |
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JANTX2N5012 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO5 |
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JANTXV2N5015 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO5 |
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JANTXV2N5014S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39 |
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JANTXV2N5015S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39 |
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JANTXV2N5012 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO5 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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JAN2N5014S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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JANTX2N5013 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO5 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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JAN2N5012 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO5 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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JANTX2N5015 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO5 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| JANTX1N6623U |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN1N6628U |
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Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.75A D-5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.75A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Qualification: MIL-PRF-19500/590
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.75A D-5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.75A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
Qualification: MIL-PRF-19500/590
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX1N6624U |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 900V 1A D-5A
Description: DIODE GEN PURP 900V 1A D-5A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV1N6621U |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1.2A D-5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
Qualification: MIL-PRF-19500/585
Description: DIODE GEN PURP 400V 1.2A D-5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.2A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
Qualification: MIL-PRF-19500/585
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN1N6627U |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF
Description: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN1N6622U |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF
Description: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN1N6623U |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV1N6623U |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN1N6629U |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.4A D-5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 800 V
Qualification: MIL-PRF-19500/590
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.4A D-5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1.4A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Military
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 1.4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 800 V
Qualification: MIL-PRF-19500/590
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN1N6625U |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A D-5A
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A D-5A
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Stück im Wert von UAH
| JANTXV1N6624U |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 900V 1A D-5A
Description: DIODE GEN PURP 900V 1A D-5A
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Stück im Wert von UAH
| JAN1N6629US |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B
Description: DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B
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Stück im Wert von UAH
| 1N5937AG |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 33V 1.25W DO204AL
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 33 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 25.1 V
Description: DIODE ZENER 33V 1.25W DO204AL
Tolerance: ±10%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 33 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 25.1 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N5937CG |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 33V 1.25W DO204AL
Tolerance: ±2%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 33 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 25.1 V
Description: DIODE ZENER 33V 1.25W DO204AL
Tolerance: ±2%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 33 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 25.1 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N5937BG |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 33V 1.25W DO204AL
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 33 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 25.1 V
Description: DIODE ZENER 33V 1.25W DO204AL
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 33 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 25.1 V
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Stück im Wert von UAH
| APTGT50DA170T1G |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP1
Description: IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP1
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Stück im Wert von UAH
| APTGT50DU170TG |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP4
Packaging: Bulk
Package / Case: SP4
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP4
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 312 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 1700V 75A 312W SP4
Packaging: Bulk
Package / Case: SP4
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: SP4
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 312 W
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V
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Stück im Wert von UAH
| APTGT50DSK60T3G |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
Description: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 5962-9958601QXC |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 203 I/O 256CQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 256-BFCQFP Exposed Pad and Tie Bar
Mounting Type: Surface Mount
Number of Gates: 48000
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 256-CQFP (75x75)
Number of LABs/CLBs: 2880
Number of I/O: 203
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC FPGA 203 I/O 256CQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 256-BFCQFP Exposed Pad and Tie Bar
Mounting Type: Surface Mount
Number of Gates: 48000
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 256-CQFP (75x75)
Number of LABs/CLBs: 2880
Number of I/O: 203
DigiKey Programmable: Not Verified
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N5228BDO35E3 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW DO204AH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW DO204AH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N5228BDO35E3 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW DO204AH
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW DO204AH
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MC33164-3DM |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Voltage - Threshold: 2.7V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Voltage - Threshold: 2.7V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MC33164DM |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Voltage - Threshold: 4.33V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Voltage - Threshold: 4.33V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MC33164-3LP |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Voltage - Threshold: 2.7V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Voltage - Threshold: 2.7V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| MC33164LP |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Voltage - Threshold: 4.33V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Voltage - Threshold: 4.33V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| UFT20120D |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE 200V 100A
Description: DIODE MODULE 200V 100A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| UFT20120A |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE 200V 100A
Description: DIODE MODULE 200V 100A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| UFT20120 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Screw Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V
Description: DIODE MODULE GP 200V 100A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Screw Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A
Supplier Device Package: Module
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6KE75AE3/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 64.1VWM 103VC AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 64.1V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 71.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 103V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 64.1VWM 103VC AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 64.1V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 71.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 103V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N5275A (DO-35) |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 140V 500MW DO35
Description: DIODE ZENER 140V 500MW DO35
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| UTV020 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 25V 860MHZ 55FT
Description: RF TRANS NPN 25V 860MHZ 55FT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| UTV040 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 25V 860MHZ 55FT
Description: RF TRANS NPN 25V 860MHZ 55FT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| APT12057JLL |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227
Description: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| APA300-CQ352M |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 248 I/O 352CQFP
Description: IC FPGA 248 I/O 352CQFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| APA300-CQ352B |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: IC FPGA 248 I/O 352CQFP
Description: IC FPGA 248 I/O 352CQFP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 1N5920B G |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: DIODE ZENER 6.2V 1.25W DO204AL
Description: DIODE ZENER 6.2V 1.25W DO204AL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| P6KE11AE3/TR13 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TVS DIODE 9.4VWM 15.6VC AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 38A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9.4V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 10.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.6V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 9.4VWM 15.6VC AXIAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: T-18, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 38A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 9.4V
Supplier Device Package: Axial
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 10.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15.6V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5014S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5012S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5015S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| 2N5013S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N5013 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO5
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX2N5012S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX2N5013S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX2N5015S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX2N5014S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N5014 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO5
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN2N5015S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N5013S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N5012S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JAN2N5013 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO5
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTX2N5012 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO5
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N5015 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO5
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N5014S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| JANTXV2N5015S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO39
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| JANTXV2N5012 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO5
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Stück im Wert von UAH
| JAN2N5014S |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 900V 0.2A TO39
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| JANTX2N5013 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 800V 0.2A TO5
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Stück im Wert von UAH
| JAN2N5012 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 700V 0.2A TO5
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| JANTX2N5015 |
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: TRANS NPN 1000V 0.2A TO5
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