0910-60M Microsemi Corporation
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 65V 1GHZ 55AW
Supplier Device Package: 55AW
Frequency - Transition: 890MHz ~ 1GHz
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Current - Collector (Ic) (Max): 8A
Power - Max: 180W
Gain: 8dB ~ 8.5dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: 55AW
Packaging: Bulk
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Technische Details 0910-60M Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 65V 1GHZ 55AW, Supplier Device Package: 55AW, Frequency - Transition: 890MHz ~ 1GHz, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Current - Collector (Ic) (Max): 8A, Power - Max: 180W, Gain: 8dB ~ 8.5dB, Operating Temperature: 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: 55AW, Packaging: Bulk.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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0910-60M | Microsemi |
RF Bipolar Transistors P-Band/Bipolar Radar Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| 0910-60M |
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