0910-60M Microsemi Corporation
Hersteller: Microsemi CorporationDescription: RF TRANS NPN 65V 1GHZ 55AW
Packaging: Bulk
Package / Case: 55AW
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Gain: 8dB ~ 8.5dB
Power - Max: 180W
Current - Collector (Ic) (Max): 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Frequency - Transition: 890MHz ~ 1GHz
Supplier Device Package: 55AW
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Technische Details 0910-60M Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 65V 1GHZ 55AW, Packaging: Bulk, Package / Case: 55AW, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 8dB ~ 8.5dB, Power - Max: 180W, Current - Collector (Ic) (Max): 8A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, Frequency - Transition: 890MHz ~ 1GHz, Supplier Device Package: 55AW.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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0910-60M | Hersteller : Microsemi |
RF Bipolar Transistors P-Band/Bipolar Radar Transistor |
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