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S200-50

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Technische Details S200-50

Description: RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX, Package / Case: 55HX, Packaging: Bulk, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 55HX, Frequency - Transition: 1.5MHz ~ 30MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 110V, Current - Collector (Ic) (Max): 30A, Power - Max: 320W, Gain: 12dB ~ 14.5dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Chassis Mount.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	S200-50	Microsemi Corporation	Description: RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX Package / Case: 55HX Packaging: Bulk Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 55HX Frequency - Transition: 1.5MHz ~ 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 110V Current - Collector (Ic) (Max): 30A Power - Max: 320W Gain: 12dB ~ 14.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Chassis Mount	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

S200-50

Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX
Package / Case: 55HX
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 55HX
Frequency - Transition: 1.5MHz ~ 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 110V
Current - Collector (Ic) (Max): 30A
Power - Max: 320W
Gain: 12dB ~ 14.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis Mount

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