Technische Details DME500 MICROSEMI
Description: RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55KT, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 55KT, Frequency - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V, Current - Collector (Ic) (Max): 40A, Power - Max: 1700W, Gain: 6dB ~ 6.5dB, Operating Temperature: 200°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: 55KT, Packaging: Bulk.
Weitere Produktangebote DME500
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| DME500 | Microsemi Corporation |
 Description: RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55KTPart Status: Obsolete Supplier Device Package: 55KT Frequency - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V Current - Collector (Ic) (Max): 40A Power - Max: 1700W Gain: 6dB ~ 6.5dB Operating Temperature: 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: 55KT Packaging: Bulk |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| DME500 | Microsemi |
RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| DME500 |
|
Hersteller: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55KT
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 55KT
Frequency - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V
Current - Collector (Ic) (Max): 40A
Power - Max: 1700W
Gain: 6dB ~ 6.5dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: 55KT
Packaging: Bulk
Description: RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55KT
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 55KT
Frequency - Transition: 1.025GHz ~ 1.15GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55V
Current - Collector (Ic) (Max): 40A
Power - Max: 1700W
Gain: 6dB ~ 6.5dB
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: 55KT
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| DME500 |
|
Hersteller: Microsemi
RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor
RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH