Produkte > MITSUBISHI > Alle Produkte des Herstellers MITSUBISHI (4266) > Seite 65 nach 72
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RA30H1317M | Mitsubishi | ВЧ усилитель мощности 135-175МГц, 30Вт Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
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RA30H1317M-01 Produktcode: 7598
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Mitsubishi |
IC > IC Analog Radiobereich Gehäuse: H2 Funktionsbeschreibung: HF-Leistungsverstärker 135-175MHz, 30W Versorgungsspannung Uvers., V: 12,5 V Temperaturbereich T, °C: -30...+110°C |
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RA30H1317M-101 (RA30H1317M) Produktcode: 34471
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Mitsubishi |
IC > IC Analog Radiobereich Funktionsbeschreibung: Leistungsverstärker |
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| RA30H1317M1-501 | Mitsubishi | RA30H1317M1-501 RA30H1317M-101 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
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RA30H1317M Produktcode: 35138
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Mitsubishi |
IC > IC Analog Radiobereich Funktionsbeschreibung: Leistungsverstärker |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| RA30H2127M-101 | Mitsubishi |
 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| RA30H2127M-E01 | Mitsubishi |
Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| RA30H3340M-101 | Mitsubishi | Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
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RA30H3340M (RA30H3340M/H2S) Produktcode: 17049
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Mitsubishi |
IC > IC Analog Radiobereich Gehäuse: H2 Funktionsbeschreibung: HF-Leistungsverstärker 330-400MHz, 30W Versorgungsspannung Uvers., V: 12,5 V Temperaturbereich T, °C: -30...+110°C |
Produkt ist nicht verfügbar
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| RA30H4047M-101 | Mitsubishi | Транзистори |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
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RA30H4452M-101 Produktcode: 18312
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Mitsubishi |
Modulare Elemente > IC Radiomodule Funktionsbeschreibung: Verstärker Leistung |
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RA35H1516M Produktcode: 18150
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Mitsubishi |
IC > IC Analog Radiobereich Funktionsbeschreibung: HF-Leistungsverstärker |
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RA45H4047M-01 Produktcode: 7601
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Mitsubishi |
IC > IC Analog Radiobereich Gehäuse: H2 Funktionsbeschreibung: HF-Leistungsverstärker 400-470MHz, 45W Versorgungsspannung Uvers., V: 12,5 V Temperaturbereich T, °C: -30...+100°C |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| RA45H4047M-101 | Mitsubishi | RF MOSFET-Module 12.5V 45W (400-470MHz) Транзистори |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| RA45H8087M-101 | Mitsubishi | Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби |
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RA60H3847M1A Silizium-HF-Leistungsmodule Produktcode: 180934
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Mitsubishi |
IC > IC Analog Radiobereich Funktionsbeschreibung: 2-stufiger Verstärker 378-470MHz, 60W, 12,5V für digitalen Mobilfunk Versorgungsspannung Uvers., V: 12,5 В |
verfügbar: 7 St.
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RA60H4047M1-101 (MIT) Produktcode: 38501
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Mitsubishi |
IC > IC Analog Radiobereich Funktionsbeschreibung: Leistungsverstärker |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| RCT201P | MITSUBISHI | 1993 |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| RD00HHS1-101 | Mitsubishi |
TO-243 Транзистори |
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| RD00HVS1-101 | Mitsubishi | Si 175MHz, 0.5W,12.5V SLP Транзистори |
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| RD01MUS1-101 | Mitsubishi | SOT89 Транзистори |
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| RD01MUS1-T113 | Mitsubishi | SOT89 Транзистори |
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| RD01MUS2B | Mitsubishi | MOSFET Power Transistor 527MHz, 1W, 7.2V Транзистори |
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| RD01MUS2B-T513 | Mitsubishi | MOSFET Power Transistor 527MHz, 1W, 7.2V Транзистори |
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| RD01MUS2-T113 | Mitsubishi | MOSFET 7.2V 520MHz 0.8W SOT-89 Транзистори |
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| RD02LUS2-T113 | Mitsubishi |
MOSFET 470MHz 2W 3.6V RD02LUS2 TRD02LUS2 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| RD02MUS1 | Mitsubishi |
Транзистори |
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| RD02MUS1-T112 | Mitsubishi |
Транзистори |
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RD02MUS1-T112 Produktcode: 39999
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Mitsubishi |
Transistoren > MOSFET N-CH Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 1,5 А Bemerkung: 174 Mhz, 520Mhz |
auf Bestellung: 5 St.
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| RD06HHF1 | Mitsubishi | Транзистори |
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RD06HHF1 Transistor Produktcode: 63444
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Lieblingsprodukt
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Mitsubishi |
Transistoren > HF-Transistoren Gehäuse: TO-220 Frequenz, fT: 30 MHz |
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| RD06HVF1 | Mitsubishi | 6W 12.5V 13dB 175MHz (2SC1971) TO-220 Транзистори |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| RD06HVF1 | Mitsubishi | Транзистори |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| RD06HVF1-101 | Mitsubishi | TO-220 Транзистори |
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| RD06HVF1-501 | Mitsubishi |
N-MOSFET RF 3A 12.5V 175MHz 6W Replacement: 2SC1970 RD06HVF1 TRD06hvf1 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RD06HVF1 Produktcode: 29181
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Mitsubishi |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V Drain-Strom Idd, A: 3 A Bemerkung: 175 Mz, 28W Montage: THT |
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| RD07MUS1 | Mitsubishi | Транзистори |
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| RD07MVS1 | Mitsubishi |
RF_MOSFET_7W_175MHz Транзистори |
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| RD07MVS1-101 | Mitsubishi | Транзистори |
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| RD100HHF1-101 | Mitsubishi | RF Power MOS FET 30MHz 100W Транзистори |
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| RD10HMF1 | Mitsubishi | Транзистори |
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| RD15HVF1 | Mitsubishi | 15W 12.5V 14dB 175MHz (2SC1972) TO-220 Транзистори |
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| RD15HVF1-101 | Mitsubishi | TO-220 Транзистори |
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RD15HVF1-101 Produktcode: 43063
1
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|
Mitsubishi |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В Drain-Strom Idd, A: 4 А Bemerkung: MOSFET Montage: THT |
auf Bestellung: 20 St.
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| RD16HHF1 | Mitsubishi | Транзистори |
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| RD16HHF1-101 | Mitsubishi | RF Power MOSFET 30MHz 16W Транзистори |
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| RD16HHF1-501 | Mitsubishi | TO220 Транзистори |
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RD16HHF1 Produktcode: 28673
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|
Mitsubishi |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V Drain-Strom Idd, A: 5 A Bemerkung: 30 Mz Montage: THT |
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| RD20HMF1 | Mitsubishi | Транзистори |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| RD30HVF1-101 | Mitsubishi |
30W 14.7V 14dB 175MHz (2SC1946A) Транзистори |
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| RD70HVF1-101 | Mitsubishi | RD70HVF1-101 RD70HVF1 Транзистори |
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| RFND2-31ET | MITSUBISHI | QFP |
auf Bestellung 3222 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| RH100DZ-H | MITSUBISHI | 100A/800V/DIODE/2U |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| RH150DZ-H | MITSUBISHI | 150A/800V/DIODE/2U |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| RH250DZ-H | MITSUBISHI | 250A/800V/DIODE/2U |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| RH30DZ-H | MITSUBISHI | 30A/800V/DIODE/2U |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| RH500DZ-H | MITSUBISHI | 500A/800V/DIODE/2U |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| RH60DZ-H | MITSUBISHI | 60A/800V/DIODE/2U |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| RM100C1A-12(24F) | MITSUBISHI | 07+; |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||
| RM100C2Z-M | MITSUBISHI | 100A/400V/DIODE/2U |
auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| RA30H1317M |
Hersteller: Mitsubishi
ВЧ усилитель мощности 135-175МГц, 30Вт Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
ВЧ усилитель мощности 135-175МГц, 30Вт Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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| RA30H1317M-01 Produktcode: 7598
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|
Hersteller: Mitsubishi
IC > IC Analog Radiobereich
Gehäuse: H2
Funktionsbeschreibung: HF-Leistungsverstärker 135-175MHz, 30W
Versorgungsspannung Uvers., V: 12,5 V
Temperaturbereich T, °C: -30...+110°C
IC > IC Analog Radiobereich
Gehäuse: H2
Funktionsbeschreibung: HF-Leistungsverstärker 135-175MHz, 30W
Versorgungsspannung Uvers., V: 12,5 V
Temperaturbereich T, °C: -30...+110°C
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Stück im Wert von UAH
| RA30H1317M-101 (RA30H1317M) Produktcode: 34471
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|
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RA30H1317M1-501 |
Hersteller: Mitsubishi
RA30H1317M1-501 RA30H1317M-101 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
RA30H1317M1-501 RA30H1317M-101 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RA30H1317M Produktcode: 35138
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|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RA30H2127M-101 |
|
Hersteller: Mitsubishi
Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RA30H2127M-E01 |
|
Hersteller: Mitsubishi
Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RA30H3340M-101 |
Hersteller: Mitsubishi
Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RA30H3340M (RA30H3340M/H2S) Produktcode: 17049
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|
|
Hersteller: Mitsubishi
IC > IC Analog Radiobereich
Gehäuse: H2
Funktionsbeschreibung: HF-Leistungsverstärker 330-400MHz, 30W
Versorgungsspannung Uvers., V: 12,5 V
Temperaturbereich T, °C: -30...+110°C
IC > IC Analog Radiobereich
Gehäuse: H2
Funktionsbeschreibung: HF-Leistungsverstärker 330-400MHz, 30W
Versorgungsspannung Uvers., V: 12,5 V
Temperaturbereich T, °C: -30...+110°C
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 31.32 EUR |
| RA30H4047M-101 |
Hersteller: Mitsubishi
Транзистори
Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RA30H4452M-101 Produktcode: 18312
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Lieblingsprodukt
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RA35H1516M Produktcode: 18150
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Lieblingsprodukt
|
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RA45H4047M-01 Produktcode: 7601
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Mitsubishi
IC > IC Analog Radiobereich
Gehäuse: H2
Funktionsbeschreibung: HF-Leistungsverstärker 400-470MHz, 45W
Versorgungsspannung Uvers., V: 12,5 V
Temperaturbereich T, °C: -30...+100°C
IC > IC Analog Radiobereich
Gehäuse: H2
Funktionsbeschreibung: HF-Leistungsverstärker 400-470MHz, 45W
Versorgungsspannung Uvers., V: 12,5 V
Temperaturbereich T, °C: -30...+100°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RA45H4047M-101 |
Hersteller: Mitsubishi
RF MOSFET-Module 12.5V 45W (400-470MHz) Транзистори
RF MOSFET-Module 12.5V 45W (400-470MHz) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RA45H8087M-101 |
Hersteller: Mitsubishi
Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RA60H3847M1A Silizium-HF-Leistungsmodule Produktcode: 180934
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Lieblingsprodukt
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|
Hersteller: Mitsubishi
IC > IC Analog Radiobereich
Funktionsbeschreibung: 2-stufiger Verstärker 378-470MHz, 60W, 12,5V für digitalen Mobilfunk
Versorgungsspannung Uvers., V: 12,5 В
IC > IC Analog Radiobereich
Funktionsbeschreibung: 2-stufiger Verstärker 378-470MHz, 60W, 12,5V für digitalen Mobilfunk
Versorgungsspannung Uvers., V: 12,5 В
verfügbar: 7 St.
- 7 St. - stock Köln
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 54.84 EUR |
| RA60H4047M1-101 (MIT) Produktcode: 38501
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Lieblingsprodukt
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RCT201P |
Hersteller: MITSUBISHI
1993
1993
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| RD00HHS1-101 |
|
Hersteller: Mitsubishi
TO-243 Транзистори
TO-243 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RD00HVS1-101 |
Hersteller: Mitsubishi
Si 175MHz, 0.5W,12.5V SLP Транзистори
Si 175MHz, 0.5W,12.5V SLP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RD01MUS1-101 |
Hersteller: Mitsubishi
SOT89 Транзистори
SOT89 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RD01MUS1-T113 |
Hersteller: Mitsubishi
SOT89 Транзистори
SOT89 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RD01MUS2B |
Hersteller: Mitsubishi
MOSFET Power Transistor 527MHz, 1W, 7.2V Транзистори
MOSFET Power Transistor 527MHz, 1W, 7.2V Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RD01MUS2B-T513 |
Hersteller: Mitsubishi
MOSFET Power Transistor 527MHz, 1W, 7.2V Транзистори
MOSFET Power Transistor 527MHz, 1W, 7.2V Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RD01MUS2-T113 |
Hersteller: Mitsubishi
MOSFET 7.2V 520MHz 0.8W SOT-89 Транзистори
MOSFET 7.2V 520MHz 0.8W SOT-89 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RD02LUS2-T113 |
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 10.46 EUR |
| RD02MUS1 |
|
Hersteller: Mitsubishi
Транзистори
Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RD02MUS1-T112 |
|
Hersteller: Mitsubishi
Транзистори
Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RD02MUS1-T112 Produktcode: 39999
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Lieblingsprodukt
|
|
Hersteller: Mitsubishi
Transistoren > MOSFET N-CH
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 1,5 А
Bemerkung: 174 Mhz, 520Mhz
Transistoren > MOSFET N-CH
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 1,5 А
Bemerkung: 174 Mhz, 520Mhz
auf Bestellung: 5 St.
- 5 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.07 EUR |
| RD06HHF1 |
Hersteller: Mitsubishi
Транзистори
Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RD06HHF1 Transistor Produktcode: 63444
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Lieblingsprodukt
|
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.66 EUR |
| RD06HVF1 |
Hersteller: Mitsubishi
6W 12.5V 13dB 175MHz (2SC1971) TO-220 Транзистори
6W 12.5V 13dB 175MHz (2SC1971) TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RD06HVF1 |
Hersteller: Mitsubishi
Транзистори
Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RD06HVF1-101 |
Hersteller: Mitsubishi
TO-220 Транзистори
TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RD06HVF1-501 |
Hersteller: Mitsubishi
N-MOSFET RF 3A 12.5V 175MHz 6W Replacement: 2SC1970 RD06HVF1 TRD06hvf1
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
N-MOSFET RF 3A 12.5V 175MHz 6W Replacement: 2SC1970 RD06HVF1 TRD06hvf1
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 23.97 EUR |
| RD06HVF1 Produktcode: 29181
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Mitsubishi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 3 A
Bemerkung: 175 Mz, 28W
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 3 A
Bemerkung: 175 Mz, 28W
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6 EUR |
| RD07MUS1 |
Hersteller: Mitsubishi
Транзистори
Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RD07MVS1 |
|
Hersteller: Mitsubishi
RF_MOSFET_7W_175MHz Транзистори
RF_MOSFET_7W_175MHz Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RD07MVS1-101 |
Hersteller: Mitsubishi
Транзистори
Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RD100HHF1-101 |
Hersteller: Mitsubishi
RF Power MOS FET 30MHz 100W Транзистори
RF Power MOS FET 30MHz 100W Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RD10HMF1 |
Hersteller: Mitsubishi
Транзистори
Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RD15HVF1 |
Hersteller: Mitsubishi
15W 12.5V 14dB 175MHz (2SC1972) TO-220 Транзистори
15W 12.5V 14dB 175MHz (2SC1972) TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RD15HVF1-101 |
Hersteller: Mitsubishi
TO-220 Транзистори
TO-220 Транзистори
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| RD15HVF1-101 Produktcode: 43063
1
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|
|
Hersteller: Mitsubishi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 4 А
Bemerkung: MOSFET
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Idd, A: 4 А
Bemerkung: MOSFET
Montage: THT
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.36 EUR |
| 10+ | 10.77 EUR |
| RD16HHF1 |
Hersteller: Mitsubishi
Транзистори
Транзистори
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| RD16HHF1-101 |
Hersteller: Mitsubishi
RF Power MOSFET 30MHz 16W Транзистори
RF Power MOSFET 30MHz 16W Транзистори
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| RD16HHF1-501 |
Hersteller: Mitsubishi
TO220 Транзистори
TO220 Транзистори
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Stück im Wert von UAH
| RD16HHF1 Produktcode: 28673
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Mitsubishi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Bemerkung: 30 Mz
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V
Drain-Strom Idd, A: 5 A
Bemerkung: 30 Mz
Montage: THT
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.85 EUR |
| RD20HMF1 |
Hersteller: Mitsubishi
Транзистори
Транзистори
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| RD30HVF1-101 |
|
Hersteller: Mitsubishi
30W 14.7V 14dB 175MHz (2SC1946A) Транзистори
30W 14.7V 14dB 175MHz (2SC1946A) Транзистори
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| RD70HVF1-101 |
Hersteller: Mitsubishi
RD70HVF1-101 RD70HVF1 Транзистори
RD70HVF1-101 RD70HVF1 Транзистори
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| RFND2-31ET |
Hersteller: MITSUBISHI
QFP
QFP
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| RH100DZ-H |
Hersteller: MITSUBISHI
100A/800V/DIODE/2U
100A/800V/DIODE/2U
auf Bestellung 60 Stücke:
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| RH150DZ-H |
Hersteller: MITSUBISHI
150A/800V/DIODE/2U
150A/800V/DIODE/2U
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| RH250DZ-H |
Hersteller: MITSUBISHI
250A/800V/DIODE/2U
250A/800V/DIODE/2U
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| RH30DZ-H |
Hersteller: MITSUBISHI
30A/800V/DIODE/2U
30A/800V/DIODE/2U
auf Bestellung 60 Stücke:
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| RH500DZ-H |
Hersteller: MITSUBISHI
500A/800V/DIODE/2U
500A/800V/DIODE/2U
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| RH60DZ-H |
Hersteller: MITSUBISHI
60A/800V/DIODE/2U
60A/800V/DIODE/2U
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| RM100C1A-12(24F) |
Hersteller: MITSUBISHI
07+;
07+;
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| RM100C2Z-M |
Hersteller: MITSUBISHI
100A/400V/DIODE/2U
100A/400V/DIODE/2U
auf Bestellung 60 Stücke:
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