Produkte > MITSUBISHI > Alle Produkte des Herstellers MITSUBISHI (4254) > Seite 65 nach 71
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RA07M4452M-501 | Mitsubishi | MODULE 440-520MHZ 7W 7.2V H46S Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт |
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RA07N4047M-01 Produktcode: 7596
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Mitsubishi |
IC > IC Analog Radiobereich Gehäuse: H46 Funktionsbeschreibung: HF Leistungsverstärker 400-470MHz, 7,5W Spannung: 9,6V Temperaturbereich: -30...+90°C |
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RA08H1317M-101 Produktcode: 17854
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Mitsubishi |
 IC > IC Analog RadiobereichFunktionsbeschreibung: portabel/mobil Radio, 135-175 MHz, 8W Spannung: 16V Temperaturbereich: -30...+90°C |
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RA13H1317M-101 Produktcode: 31695
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Mitsubishi |
Modulare Elemente > IC Radiomodule Beschreibung: Verstarker Leistung |
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RA13H4047M-101 Produktcode: 31606
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Mitsubishi |
Modulare Elemente > IC Radiomodule Beschreibung: Verstarker Leistung |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||
| RA20H8087M101 | Mitsubishi | Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт |
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| RA20H8087M-E01 | Mitsubishi | Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт |
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| RA20H8994M-101 | Mitsubishi | 896-941 MHz 20 W 12.5 V, 3 Stage Amp. For MOBILE RADIO, H2S Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт |
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| RA20H8994M-E01 | Mitsubishi | Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт |
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| RA30H0608M | Mitsubishi | Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт |
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RA30H0608M Produktcode: 44012
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Mitsubishi |
IC > IC Analog Radiobereich Funktionsbeschreibung: RF amplifier 70MHz Spannung: 12 V Temperaturbereich: -30…+110°C |
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| RA30H1317M | Mitsubishi | ВЧ усилитель мощности 135-175МГц, 30Вт Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт |
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RA30H1317M-01 Produktcode: 7598
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Mitsubishi |
IC > IC Analog Radiobereich Gehäuse: H2 Funktionsbeschreibung: HF Leistungsverstärker 135-175MHz, 30W Spannung: 12,5V Temperaturbereich: -30...+110°C |
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RA30H1317M-101 Produktcode: 34471
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Mitsubishi |
IC > IC Analog Radiobereich Funktionsbeschreibung: Leistungsverstärker |
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| RA30H1317M1-501 RA30H1317M-101 | Mitsubishi | Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт |
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RA30H1317M Produktcode: 35138
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Mitsubishi |
IC > IC Analog Radiobereich Funktionsbeschreibung: Leistungsverstärker |
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| RA30H2127M-101 | Mitsubishi |
Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт |
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| RA30H2127M-E01 | Mitsubishi |
Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт |
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| RA30H3340M-101 | Mitsubishi | Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт |
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RA30H3340M Produktcode: 17049
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Mitsubishi |
IC > IC Analog Radiobereich Gehäuse: H2 Funktionsbeschreibung: HF Leistungsverstärker 330-400MHz, 30W Spannung: 12,5V Temperaturbereich: -30...+110°C |
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| RA30H4047M-101 | Mitsubishi | Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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RA30H4452M-101 Produktcode: 18312
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Mitsubishi |
Modulare Elemente > IC Radiomodule Beschreibung: Verstarker Leistung |
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RA35H1516M-101 Produktcode: 18150
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Mitsubishi |
IC > IC Analog Radiobereich Funktionsbeschreibung: HF Leistungsverstärker |
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| RA45H4047M-101 | Mitsubishi | RF MOSFET-Module 12.5V 45W (400-470MHz) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| RA45H8087M-101 | Mitsubishi | Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт |
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RA45Н4047M-01 Produktcode: 7601
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Mitsubishi |
IC > IC Analog Radiobereich Gehäuse: H2 Funktionsbeschreibung: HF Leistungsverstärker 400-470MHz, 45W Spannung: 12,5V Temperaturbereich: -30...+100°C |
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RA60H3847M1A Silicon RF Power Modules Mitsubishi Produktcode: 180934
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Mitsubishi |
IC > IC Analog Radiobereich Funktionsbeschreibung: Compliance, 378-470MHz 60W 12.5V, 2 Stage Amp. For Digital Mobile Radio Spannung: 12,5 V |
verfügbar: 7 St.
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RA60H4047M1-101 (MIT) Produktcode: 38501
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Mitsubishi |
IC > IC Analog Radiobereich Funktionsbeschreibung: Leistungsverstärker |
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| RCT201P | MITSUBISHI | 1993 |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| RD00HHS1-101 | Mitsubishi |
TO-243 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| RD00HVS1-101 | Mitsubishi | Si 175MHz, 0.5W,12.5V SLP Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| RD01MUS1-101 | Mitsubishi | SOT89 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| RD01MUS1-T113 | Mitsubishi | SOT89 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| RD01MUS2B | Mitsubishi | MOSFET Power Transistor 527MHz, 1W, 7.2V Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| RD01MUS2B-T513 | Mitsubishi | MOSFET Power Transistor 527MHz, 1W, 7.2V Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| RD01MUS2-T113 | Mitsubishi | MOSFET 7.2V 520MHz 0.8W SOT-89 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| RD02LUS2-T113 | Mitsubishi |
MOSFET 470MHz 2W 3.6V RD02LUS2 TRD02LUS2 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| RD02MUS1 | Mitsubishi |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| RD02MUS1-T112 | Mitsubishi |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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RD02MUS1-T112 Produktcode: 39999
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Mitsubishi |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 30 Idd,A: 1,5 A Bem.: 174 Mhz, 520Mhz |
auf Bestellung 5 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| RD06HHF1 | Mitsubishi | Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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RD06HHF1 Transistor Produktcode: 63444
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Mitsubishi |
Transistoren > HF-Transistoren Gehäuse: TO-220 Freq.: 30 MHz |
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| RD06HVF1 | Mitsubishi | 6W 12.5V 13dB 175MHz (2SC1971) TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| RD06HVF1 | Mitsubishi | Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| RD06HVF1-101 | Mitsubishi | TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| RD06HVF1-501 | Mitsubishi |
N-MOSFET RF 3A 12.5V 175MHz 6W Replacement: 2SC1970 RD06HVF1 TRD06hvf1 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RD06HVF1 Produktcode: 29181
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|
Mitsubishi |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 50 Idd,A: 3 Bem.: 175 Mz, 28W JHGF: THT |
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| RD07MUS1 | Mitsubishi | Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| RD07MVS1 | Mitsubishi |
RF_MOSFET_7W_175MHz Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| RD07MVS1-101 | Mitsubishi | Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| RD100HHF1-101 | Mitsubishi | RF Power MOS FET 30MHz 100W Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| RD10HMF1 | Mitsubishi | Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| RD15HVF1 | Mitsubishi | 15W 12.5V 14dB 175MHz (2SC1972) TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| RD15HVF1-101 | Mitsubishi | TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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RD15HVF1-101 Produktcode: 43063
1
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|
Mitsubishi |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 30 V Idd,A: 4 A Bem.: MOSFET JHGF: THT |
auf Bestellung 20 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| RD16HHF1 | Mitsubishi | Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| RD16HHF1-101 | Mitsubishi | RF Power MOSFET 30MHz 16W Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| RD16HHF1-501 | Mitsubishi | TO220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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RD16HHF1 Produktcode: 28673
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|
Mitsubishi |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 50 Idd,A: 5 Bem.: 30 Mz JHGF: THT |
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| RD20HMF1 | Mitsubishi | Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| RA07M4452M-501 |
Hersteller: Mitsubishi
MODULE 440-520MHZ 7W 7.2V H46S Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
MODULE 440-520MHZ 7W 7.2V H46S Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
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| RA07N4047M-01 Produktcode: 7596
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|
Hersteller: Mitsubishi
IC > IC Analog Radiobereich
Gehäuse: H46
Funktionsbeschreibung: HF Leistungsverstärker 400-470MHz, 7,5W
Spannung: 9,6V
Temperaturbereich: -30...+90°C
IC > IC Analog Radiobereich
Gehäuse: H46
Funktionsbeschreibung: HF Leistungsverstärker 400-470MHz, 7,5W
Spannung: 9,6V
Temperaturbereich: -30...+90°C
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| RA08H1317M-101 Produktcode: 17854
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|
Hersteller: Mitsubishi
IC > IC Analog Radiobereich
Funktionsbeschreibung: portabel/mobil Radio, 135-175 MHz, 8W
Spannung: 16V
Temperaturbereich: -30...+90°C
IC > IC Analog Radiobereich
Funktionsbeschreibung: portabel/mobil Radio, 135-175 MHz, 8W
Spannung: 16V
Temperaturbereich: -30...+90°C
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| RA13H1317M-101 Produktcode: 31695
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| RA13H4047M-101 Produktcode: 31606
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| RA20H8087M101 |
Hersteller: Mitsubishi
Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
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| RA20H8087M-E01 |
Hersteller: Mitsubishi
Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
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Stück im Wert von UAH
| RA20H8994M-101 |
Hersteller: Mitsubishi
896-941 MHz 20 W 12.5 V, 3 Stage Amp. For MOBILE RADIO, H2S Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
896-941 MHz 20 W 12.5 V, 3 Stage Amp. For MOBILE RADIO, H2S Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
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Stück im Wert von UAH
| RA20H8994M-E01 |
Hersteller: Mitsubishi
Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
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Stück im Wert von UAH
| RA30H0608M |
Hersteller: Mitsubishi
Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
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| RA30H0608M Produktcode: 44012
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|
|
Hersteller: Mitsubishi
IC > IC Analog Radiobereich
Funktionsbeschreibung: RF amplifier 70MHz
Spannung: 12 V
Temperaturbereich: -30…+110°C
IC > IC Analog Radiobereich
Funktionsbeschreibung: RF amplifier 70MHz
Spannung: 12 V
Temperaturbereich: -30…+110°C
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Stück im Wert von UAH
| RA30H1317M |
Hersteller: Mitsubishi
ВЧ усилитель мощности 135-175МГц, 30Вт Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
ВЧ усилитель мощности 135-175МГц, 30Вт Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
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Stück im Wert von UAH
| RA30H1317M-01 Produktcode: 7598
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|
Hersteller: Mitsubishi
IC > IC Analog Radiobereich
Gehäuse: H2
Funktionsbeschreibung: HF Leistungsverstärker 135-175MHz, 30W
Spannung: 12,5V
Temperaturbereich: -30...+110°C
IC > IC Analog Radiobereich
Gehäuse: H2
Funktionsbeschreibung: HF Leistungsverstärker 135-175MHz, 30W
Spannung: 12,5V
Temperaturbereich: -30...+110°C
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Stück im Wert von UAH
| RA30H1317M-101 Produktcode: 34471
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RA30H1317M1-501 RA30H1317M-101 |
Hersteller: Mitsubishi
Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
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Stück im Wert von UAH
| RA30H1317M Produktcode: 35138
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RA30H2127M-101 |
|
Hersteller: Mitsubishi
Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
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Stück im Wert von UAH
| RA30H2127M-E01 |
|
Hersteller: Mitsubishi
Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
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Stück im Wert von UAH
| RA30H3340M-101 |
Hersteller: Mitsubishi
Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
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Stück im Wert von UAH
| RA30H3340M Produktcode: 17049
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|
|
Hersteller: Mitsubishi
IC > IC Analog Radiobereich
Gehäuse: H2
Funktionsbeschreibung: HF Leistungsverstärker 330-400MHz, 30W
Spannung: 12,5V
Temperaturbereich: -30...+110°C
IC > IC Analog Radiobereich
Gehäuse: H2
Funktionsbeschreibung: HF Leistungsverstärker 330-400MHz, 30W
Spannung: 12,5V
Temperaturbereich: -30...+110°C
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 26.32 EUR |
| RA30H4047M-101 |
Hersteller: Mitsubishi
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Stück im Wert von UAH
| RA30H4452M-101 Produktcode: 18312
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Stück im Wert von UAH
| RA35H1516M-101 Produktcode: 18150
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RA45H4047M-101 |
Hersteller: Mitsubishi
RF MOSFET-Module 12.5V 45W (400-470MHz) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
RF MOSFET-Module 12.5V 45W (400-470MHz) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RA45H8087M-101 |
Hersteller: Mitsubishi
Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
Група товару: Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RA45Н4047M-01 Produktcode: 7601
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|
Hersteller: Mitsubishi
IC > IC Analog Radiobereich
Gehäuse: H2
Funktionsbeschreibung: HF Leistungsverstärker 400-470MHz, 45W
Spannung: 12,5V
Temperaturbereich: -30...+100°C
IC > IC Analog Radiobereich
Gehäuse: H2
Funktionsbeschreibung: HF Leistungsverstärker 400-470MHz, 45W
Spannung: 12,5V
Temperaturbereich: -30...+100°C
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RA60H3847M1A Silicon RF Power Modules Mitsubishi Produktcode: 180934
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Hersteller: Mitsubishi
IC > IC Analog Radiobereich
Funktionsbeschreibung: Compliance, 378-470MHz 60W 12.5V, 2 Stage Amp. For Digital Mobile Radio
Spannung: 12,5 V
IC > IC Analog Radiobereich
Funktionsbeschreibung: Compliance, 378-470MHz 60W 12.5V, 2 Stage Amp. For Digital Mobile Radio
Spannung: 12,5 V
verfügbar: 7 St.
| RA60H4047M1-101 (MIT) Produktcode: 38501
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RCT201P |
Hersteller: MITSUBISHI
1993
1993
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| RD00HHS1-101 |
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Hersteller: Mitsubishi
TO-243 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
TO-243 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| RD00HVS1-101 |
Hersteller: Mitsubishi
Si 175MHz, 0.5W,12.5V SLP Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Si 175MHz, 0.5W,12.5V SLP Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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Stück im Wert von UAH
| RD01MUS1-101 |
Hersteller: Mitsubishi
SOT89 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| RD01MUS1-T113 |
Hersteller: Mitsubishi
SOT89 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| RD01MUS2B |
Hersteller: Mitsubishi
MOSFET Power Transistor 527MHz, 1W, 7.2V Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| RD01MUS2B-T513 |
Hersteller: Mitsubishi
MOSFET Power Transistor 527MHz, 1W, 7.2V Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| RD01MUS2-T113 |
Hersteller: Mitsubishi
MOSFET 7.2V 520MHz 0.8W SOT-89 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| RD02LUS2-T113 |
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|---|---|
| 4+ | 8.76 EUR |
| RD02MUS1 |
|
Hersteller: Mitsubishi
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| RD02MUS1-T112 |
|
Hersteller: Mitsubishi
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| RD02MUS1-T112 Produktcode: 39999
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|
|
auf Bestellung 5 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.52 EUR |
| RD06HHF1 |
Hersteller: Mitsubishi
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| RD06HHF1 Transistor Produktcode: 63444
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|
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.6 EUR |
| RD06HVF1 |
Hersteller: Mitsubishi
6W 12.5V 13dB 175MHz (2SC1971) TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| RD06HVF1 |
Hersteller: Mitsubishi
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| RD06HVF1-101 |
Hersteller: Mitsubishi
TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| RD06HVF1-501 |
Hersteller: Mitsubishi
N-MOSFET RF 3A 12.5V 175MHz 6W Replacement: 2SC1970 RD06HVF1 TRD06hvf1
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
N-MOSFET RF 3A 12.5V 175MHz 6W Replacement: 2SC1970 RD06HVF1 TRD06hvf1
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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|---|---|
| 10+ | 16.79 EUR |
| RD06HVF1 Produktcode: 29181
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|
Hersteller: Mitsubishi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 50
Idd,A: 3
Bem.: 175 Mz, 28W
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 50
Idd,A: 3
Bem.: 175 Mz, 28W
JHGF: THT
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.04 EUR |
| RD07MUS1 |
Hersteller: Mitsubishi
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| RD07MVS1 |
|
Hersteller: Mitsubishi
RF_MOSFET_7W_175MHz Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| RD07MVS1-101 |
Hersteller: Mitsubishi
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| RD100HHF1-101 |
Hersteller: Mitsubishi
RF Power MOS FET 30MHz 100W Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| RD10HMF1 |
Hersteller: Mitsubishi
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| RD15HVF1 |
Hersteller: Mitsubishi
15W 12.5V 14dB 175MHz (2SC1972) TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| RD15HVF1-101 |
Hersteller: Mitsubishi
TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| RD15HVF1-101 Produktcode: 43063
1
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|
|
Hersteller: Mitsubishi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4 A
Bem.: MOSFET
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 30 V
Idd,A: 4 A
Bem.: MOSFET
JHGF: THT
auf Bestellung 20 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| RD16HHF1 |
Hersteller: Mitsubishi
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| RD16HHF1-101 |
Hersteller: Mitsubishi
RF Power MOSFET 30MHz 16W Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| RD16HHF1-501 |
Hersteller: Mitsubishi
TO220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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| RD16HHF1 Produktcode: 28673
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Lieblingsprodukt
|
Hersteller: Mitsubishi
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 50
Idd,A: 5
Bem.: 30 Mz
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 50
Idd,A: 5
Bem.: 30 Mz
JHGF: THT
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 6.6 EUR |
| RD20HMF1 |
Hersteller: Mitsubishi
Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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