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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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2SC5027 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 26519 |
Toshiba |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: 2-8M1A fT: 70 MHz Uceo,V: 300 Ucbo,V: 300 Ic,A: 0,1 h21: 200 |
auf Bestellung 1 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5027-R транзистор Produktcode: 116898 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-220 fT: 15 MHz Uceo,V: 750 V Ucbo,V: 850 V Ic,A: 3 А h21: 15 ZCODE: THT |
auf Bestellung 1 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5030 Produktcode: 82683 |
Toshiba |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: 2-8M1A fT: 150 MHz Uceo,V: 20 Ucbo,V: 50 Ic,A: 0,5 |
auf Bestellung 17 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5001TLR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 20V 10A CPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 10 W |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5001TLR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 10A |
auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5001TLR | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 20V 10A CPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 10 W |
auf Bestellung 4242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5001TLR | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 20V 10A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5004-T1-A | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Gain: 5dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 5GHz Supplier Device Package: SC-75 (USM) |
auf Bestellung 2381 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5008-T1-A | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 7.5dB Power - Max: 125mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Obsolete |
auf Bestellung 1752 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5013-T1-A | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9.5dB Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-343 Part Status: Obsolete |
auf Bestellung 162000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5065-O(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT USM MM (HF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1GHz |
auf Bestellung 2455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5065-Y(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Gain: 12dB ~ 17dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 7GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5066-Y,LF(B | Toshiba | 2SC5066-Y,LF(B |
auf Bestellung 1160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5069-TD-E | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN Packaging: Bulk Part Status: Active |
auf Bestellung 152000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5069-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5069-TD-E - 2SC5069 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 2A 25V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 152000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5080ZD-TL | Renesas Electronics Corporation |
Description: RF 0.05A, NPN Packaging: Bulk Part Status: Active |
auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5085-O(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT USM MM (HF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1GHz |
auf Bestellung 3283 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5087R(TE85L,F) | Toshiba | RF Bipolar Transistors RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB |
auf Bestellung 963 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5087R(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-61AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz Supplier Device Package: SMQ Part Status: Active |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5087R(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-61AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz Supplier Device Package: SMQ Part Status: Active |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC5095-R(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar 15mA 100mW 10V |
auf Bestellung 4223 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SC50 |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC500 | NEC | CAN |
auf Bestellung 691 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5000 |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5001 | ROHM | 09+ |
auf Bestellung 2518 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5001 TL | RHOM | TO252 01+ |
auf Bestellung 1560 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5001-TL |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5001-Z-E1 |
auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5001F5 |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5001F5Q |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5001F5R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5001F5S |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5001Q |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5001R | TOS | 2004 SOT23 |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5001S |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5001TL |
auf Bestellung 1560 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5001TLP |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5001TLR | ROHM | SOT-252 |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5001TLR | ROH | 07+; |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5001TLRSOT252 | ROHM |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5002 |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5003 |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5005-T1 |
auf Bestellung 615000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5006 | NEC |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5006-T1 | NEC | 0032 |
auf Bestellung 8500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5006-T1 | NEC | 06+ |
auf Bestellung 2370 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5006-T1 | NEC | 09+ |
auf Bestellung 2388 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5006-T1 | NEC | 00+ |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5006-T1 | NEC | SOT423 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5006-T1-A | RENESAS | SOT23 |
auf Bestellung 1521 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5006T1 |
auf Bestellung 2720 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5007 | NEC | 03/04+ 603 |
auf Bestellung 3100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5007-T1 |
auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5007/34 | NEC | 09+ |
auf Bestellung 1218 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5008 | NEC | SOT-323 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5008-T1 | NEC | SOT23/SOT323 |
auf Bestellung 1724 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5008-T1 | NEC | 04+ |
auf Bestellung 2437 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5008/44 | NEC | 09+ |
auf Bestellung 3018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5009-T1 | NEC | 09+ |
auf Bestellung 528 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5009-T1 | NEC | 06+ |
auf Bestellung 485 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
2SC5027 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 26519 |
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: 2-8M1A
fT: 70 MHz
Uceo,V: 300
Ucbo,V: 300
Ic,A: 0,1
h21: 200
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: 2-8M1A
fT: 70 MHz
Uceo,V: 300
Ucbo,V: 300
Ic,A: 0,1
h21: 200
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.44 EUR |
2SC5027-R транзистор Produktcode: 116898 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 15 MHz
Uceo,V: 750 V
Ucbo,V: 850 V
Ic,A: 3 А
h21: 15
ZCODE: THT
Gehäuse: TO-220
fT: 15 MHz
Uceo,V: 750 V
Ucbo,V: 850 V
Ic,A: 3 А
h21: 15
ZCODE: THT
auf Bestellung 1 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)2SC5030 Produktcode: 82683 |
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: 2-8M1A
fT: 150 MHz
Uceo,V: 20
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,5
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: 2-8M1A
fT: 150 MHz
Uceo,V: 20
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,5
auf Bestellung 17 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.57 EUR |
2SC5001TLR |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 20V 10A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 10 W
Description: TRANS NPN 20V 10A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 10 W
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2500+ | 0.73 EUR |
2SC5001TLR |
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 10A
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 10A
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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2+ | 2.18 EUR |
10+ | 1.7 EUR |
100+ | 1.22 EUR |
500+ | 0.96 EUR |
1000+ | 0.86 EUR |
2500+ | 0.75 EUR |
5000+ | 0.73 EUR |
2SC5001TLR |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 20V 10A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 10 W
Description: TRANS NPN 20V 10A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 10 W
auf Bestellung 4242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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7+ | 2.75 EUR |
11+ | 1.75 EUR |
100+ | 1.17 EUR |
500+ | 0.93 EUR |
1000+ | 0.85 EUR |
2SC5001TLR |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 20V 10A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
Trans GP BJT NPN 20V 10A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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232+ | 0.65 EUR |
250+ | 0.61 EUR |
500+ | 0.56 EUR |
1000+ | 0.52 EUR |
2SC5004-T1-A |
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 5GHz
Supplier Device Package: SC-75 (USM)
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 5dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 5GHz
Supplier Device Package: SC-75 (USM)
auf Bestellung 2381 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1623+ | 0.28 EUR |
2SC5008-T1-A |
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 7.5dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Obsolete
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 7.5dB
Power - Max: 125mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 1752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1268+ | 0.38 EUR |
2SC5013-T1-A |
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9.5dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
Part Status: Obsolete
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9.5dB
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 162000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1249+ | 0.38 EUR |
2SC5065-O(TE85L,F) |
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT USM MM (HF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1GHz
Bipolar Transistors - BJT USM MM (HF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1GHz
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 0.67 EUR |
10+ | 0.52 EUR |
100+ | 0.31 EUR |
500+ | 0.27 EUR |
1000+ | 0.2 EUR |
3000+ | 0.17 EUR |
9000+ | 0.16 EUR |
2SC5065-Y(TE85L,F) |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 17dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 17dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)2SC5066-Y,LF(B |
Hersteller: Toshiba
2SC5066-Y,LF(B
2SC5066-Y,LF(B
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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409+ | 0.37 EUR |
500+ | 0.34 EUR |
1000+ | 0.32 EUR |
2SC5069-TD-E |
auf Bestellung 152000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1567+ | 0.3 EUR |
2SC5069-TD-E |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5069-TD-E - 2SC5069 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 2A 25V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC5069-TD-E - 2SC5069 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 2A 25V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 152000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2SC5080ZD-TL |
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: RF 0.05A, NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: RF 0.05A, NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1082+ | 0.44 EUR |
2SC5085-O(TE85L,F) |
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT USM MM (HF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1GHz
Bipolar Transistors - BJT USM MM (HF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1GHz
auf Bestellung 3283 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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4+ | 0.7 EUR |
10+ | 0.55 EUR |
100+ | 0.33 EUR |
500+ | 0.28 EUR |
1000+ | 0.22 EUR |
3000+ | 0.18 EUR |
9000+ | 0.17 EUR |
2SC5087R(TE85L,F) |
Hersteller: Toshiba
RF Bipolar Transistors RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB
RF Bipolar Transistors RF Device VHF/UHF 12V 150mW 13.5dB
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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7+ | 0.46 EUR |
10+ | 0.36 EUR |
100+ | 0.31 EUR |
500+ | 0.28 EUR |
1000+ | 0.23 EUR |
3000+ | 0.21 EUR |
9000+ | 0.18 EUR |
2SC5087R(TE85L,F) |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SMQ
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SMQ
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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3000+ | 0.25 EUR |
2SC5087R(TE85L,F) |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SMQ
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SMQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-61AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SMQ
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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40+ | 0.44 EUR |
47+ | 0.38 EUR |
50+ | 0.35 EUR |
100+ | 0.32 EUR |
250+ | 0.3 EUR |
500+ | 0.28 EUR |
1000+ | 0.27 EUR |
2SC5095-R(TE85L,F) |
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar 15mA 100mW 10V
Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar 15mA 100mW 10V
auf Bestellung 4223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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5+ | 0.64 EUR |
10+ | 0.49 EUR |
100+ | 0.29 EUR |
500+ | 0.26 EUR |
1000+ | 0.19 EUR |
3000+ | 0.16 EUR |
9000+ | 0.15 EUR |
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