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2N4920G 2N4920G onsemi 2N4918_D-2309311.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W PNP
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
29+1.84 EUR
33+ 1.61 EUR
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Mindestbestellmenge: 29
2N4920G 2N4920G ONSEMI ONSM-S-A0013579370-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N4920G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N4920G 2N4920G ON Semiconductor 2n4918-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1470 Stücke:
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418+0.37 EUR
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2N4920G 2N4920G onsemi 2n4918-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 1A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
13+2.03 EUR
15+ 1.76 EUR
100+ 1.22 EUR
500+ 1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 13
2N4921G 2N4921G onsemi 2n4921-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 1A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 3375 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1028+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1028
2N4922G 2N4922G ONSEMI 2n4921-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 30W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO225
Current gain: 10...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+1.22 EUR
86+ 0.84 EUR
95+ 0.76 EUR
119+ 0.6 EUR
126+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 59
2N4922G 2N4922G ONSEMI 2n4921-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 30W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO225
Current gain: 10...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
59+1.22 EUR
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Mindestbestellmenge: 59
2N4922G 2N4922G ONSEMI ONSM-S-A0013776869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N4922G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N4922G 2N4922G onsemi 2N4921_D-2309376.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 30W NPN
auf Bestellung 193 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
30+1.77 EUR
35+ 1.53 EUR
100+ 1.06 EUR
500+ 0.88 EUR
1000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 30
2N4923G 2N4923G ONSEMI 2n4921-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 30W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO225
Current gain: 10...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+1.43 EUR
120+ 0.6 EUR
133+ 0.54 EUR
172+ 0.42 EUR
182+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 50
2N4923G 2N4923G ONSEMI 2n4921-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 30W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO225
Current gain: 10...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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50+1.43 EUR
120+ 0.6 EUR
133+ 0.54 EUR
172+ 0.42 EUR
182+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 50
2N4923G 2N4923G onsemi 2N4921_D-2309376.pdf Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN
auf Bestellung 462 Stücke:
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31+1.69 EUR
37+ 1.41 EUR
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500+ 0.85 EUR
1000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 31
2N4923G 2N4923G ONSEMI ONSM-S-A0013776869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N4923G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N4923G 2N4923G onsemi 2n4921-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
16+1.69 EUR
18+ 1.46 EUR
100+ 1.01 EUR
500+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 16
2N492 MOTOROLA
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2N4922 MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N4922 ON 09+
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2N4923 On Semiconductor 2n4921-d.pdf NPN 80V 3A TO-126
auf Bestellung 58 Stücke:
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2N4924 MOT 2N4924-25-ssi.pdf CAN
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2N4924 MOTOROLA 2N4924-25-ssi.pdf
auf Bestellung 1500 Stücke:
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2N4925 MOT 2N4924-25-ssi.pdf CAN
auf Bestellung 145 Stücke:
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2N4925 MOTOROLA 2N4924-25-ssi.pdf
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N4926 MOT CAN
auf Bestellung 328 Stücke:
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2N4926 MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N4927 MOT CAN
auf Bestellung 687 Stücke:
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2N4927 MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
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2N4928 MOT CAN
auf Bestellung 987 Stücke:
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2N4928 MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
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2N4929 MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
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2N4929 MOT CAN
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2N492A MOT CAN
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2N492A MOTOROLA
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2N492B MOT CAN
auf Bestellung 578 Stücke:
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JAN2N492A
auf Bestellung 100 Stücke:
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2N4920
Produktcode: 200323 		2N4918-20-ssi.pdf Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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2N4923
Produktcode: 153719 		2n4921-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2N4920 TIN/LEAD Central Semiconductor 2N4920 TIN/LEAD
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2N4920G 2N4920G ON Semiconductor 2n4918-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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2N4920G 2N4920G ON Semiconductor 2n4918-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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2N4921 2N4921 onsemi 2n4921-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 1A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 30 W
Produkt ist nicht verfügbar
2N4921G 2N4921G ON Semiconductor 2n4921-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N4921G 2N4921G onsemi 2n4921-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 1A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 30 W
Produkt ist nicht verfügbar
2N4922G 2N4922G ON Semiconductor 2n4921-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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2N4922G 2N4922G ON Semiconductor 2n4921-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
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2N4922G 2N4922G ON Semiconductor 2n4921-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N4922G 2N4922G onsemi 2n4921-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 30 W
Produkt ist nicht verfügbar
2N4923 CDIL 2n4921-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 30W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 30W
Case: TO126
Current gain: 10...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Produkt ist nicht verfügbar
2N4923 CDIL 2n4921-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 30W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 30W
Case: TO126
Current gain: 10...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
2N4923 2N4923 onsemi 2n4921-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
Produkt ist nicht verfügbar
2N4923 2N4923 STMicroelectronics 2n4921-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
Produkt ist nicht verfügbar
2N4923 PBFREE 2N4923 PBFREE Central Semiconductor Corp LSSGP087.PDF Description: TRANS NPN 80V 1A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
Produkt ist nicht verfügbar
2N4923G 2N4923G ON Semiconductor 2n4921-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N4923G 2N4923G ON Semiconductor 2n4921-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N4923G 2N4923G ON Semiconductor 2n4921-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N4925 Microchip Technology 2N4924-25-ssi.pdf Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
2N4926 Microchip Technology Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
2N4920G 2N4918_D-2309311.pdf
2N4920G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W PNP
auf Bestellung 561 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
29+1.84 EUR
33+ 1.61 EUR
100+ 1.13 EUR
500+ 0.93 EUR
1000+ 0.77 EUR
5000+ 0.73 EUR
10000+ 0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 29
2N4920G ONSM-S-A0013579370-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N4920G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4920G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N4920G 2n4918-d.pdf
2N4920G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
auf Bestellung 1470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
418+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 418
2N4920G 2n4918-d.pdf
2N4920G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 679 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
13+2.03 EUR
15+ 1.76 EUR
100+ 1.22 EUR
500+ 1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 13
2N4921G 2n4921-d.pdf
2N4921G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 1A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 3375 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1028+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1028
2N4922G 2n4921-d.pdf
2N4922G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 30W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO225
Current gain: 10...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
auf Bestellung 284 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
59+1.22 EUR
86+ 0.84 EUR
95+ 0.76 EUR
119+ 0.6 EUR
126+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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2N4922G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 30W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO225
Current gain: 10...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
59+1.22 EUR
86+ 0.84 EUR
95+ 0.76 EUR
119+ 0.6 EUR
126+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 59
2N4922G ONSM-S-A0013776869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N4922G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4922G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N4922G 2N4921_D-2309376.pdf
2N4922G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 30W NPN
auf Bestellung 193 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
30+1.77 EUR
35+ 1.53 EUR
100+ 1.06 EUR
500+ 0.88 EUR
1000+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 30
2N4923G 2n4921-d.pdf
2N4923G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 30W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO225
Current gain: 10...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
auf Bestellung 316 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.43 EUR
120+ 0.6 EUR
133+ 0.54 EUR
172+ 0.42 EUR
182+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 50
2N4923G 2n4921-d.pdf
2N4923G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 30W; TO225
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Case: TO225
Current gain: 10...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
50+1.43 EUR
120+ 0.6 EUR
133+ 0.54 EUR
172+ 0.42 EUR
182+ 0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 50
2N4923G 2N4921_D-2309376.pdf
2N4923G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 3A 80V 30W NPN
auf Bestellung 462 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
31+1.69 EUR
37+ 1.41 EUR
100+ 1.02 EUR
500+ 0.85 EUR
1000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 31
2N4923G ONSM-S-A0013776869-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N4923G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4923G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 3hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N4923G 2n4921-d.pdf
2N4923G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
16+1.69 EUR
18+ 1.46 EUR
100+ 1.01 EUR
500+ 0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 16
2N492
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N4922
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N4922
Hersteller: ON
09+
auf Bestellung 10308 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N4923 2n4921-d.pdf
Hersteller: On Semiconductor
NPN 80V 3A TO-126
auf Bestellung 58 Stücke:
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2N4924 2N4924-25-ssi.pdf
Hersteller: MOT
CAN
auf Bestellung 655 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N4924 2N4924-25-ssi.pdf
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N4925 2N4924-25-ssi.pdf
Hersteller: MOT
CAN
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N4925 2N4924-25-ssi.pdf
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N4926
Hersteller: MOT
CAN
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N4926
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N4927
Hersteller: MOT
CAN
auf Bestellung 687 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N4927
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N4928
Hersteller: MOT
CAN
auf Bestellung 987 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N4928
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N4929
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N4929
Hersteller: MOT
CAN
auf Bestellung 458 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N492A
Hersteller: MOT
CAN
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N492A
Hersteller: MOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N492B
Hersteller: MOT
CAN
auf Bestellung 578 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
JAN2N492A
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2N4920
Produktcode: 200323		 2N4918-20-ssi.pdf
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
2N4923
Produktcode: 153719		 2n4921-d.pdf
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
2N4920 TIN/LEAD
Hersteller: Central Semiconductor
2N4920 TIN/LEAD
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2N4920G 2n4918-d.pdf
2N4920G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N4920G 2n4918-d.pdf
2N4920G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N4921 2n4921-d.pdf
2N4921
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 1A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 30 W
Produkt ist nicht verfügbar
2N4921G 2n4921-d.pdf
2N4921G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N4921G 2n4921-d.pdf
2N4921G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 1A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 30 W
Produkt ist nicht verfügbar
2N4922G 2n4921-d.pdf
2N4922G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N4922G 2n4921-d.pdf
2N4922G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N4922G 2n4921-d.pdf
2N4922G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N4922G 2n4921-d.pdf
2N4922G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 1A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 30 W
Produkt ist nicht verfügbar
2N4923 2n4921-d.pdf
Hersteller: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 30W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 30W
Case: TO126
Current gain: 10...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Produkt ist nicht verfügbar
2N4923 2n4921-d.pdf
Hersteller: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 3A; 30W; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 3A
Power dissipation: 30W
Case: TO126
Current gain: 10...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
2N4923 2n4921-d.pdf
2N4923
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
Produkt ist nicht verfügbar
2N4923 2n4921-d.pdf
2N4923
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1A SOT-32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
Produkt ist nicht verfügbar
2N4923 PBFREE LSSGP087.PDF
2N4923 PBFREE
Hersteller: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 80V 1A TO-126
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
Produkt ist nicht verfügbar
2N4923G 2n4921-d.pdf
2N4923G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N4923G 2n4921-d.pdf
2N4923G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N4923G 2n4921-d.pdf
2N4923G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Produkt ist nicht verfügbar
2N4925 2N4924-25-ssi.pdf
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
Produkt ist nicht verfügbar
2N4926
Hersteller: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
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