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Mindestbestellmenge: 478
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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2SC5501A-4-TR-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5501A-4-TR-E - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 78377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5501A-4-TR-E | onsemi |
Description: 2SC5501A - RF TRANSISTOR, 10V, 7 Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 13dB Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V Frequency - Transition: 7GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Supplier Device Package: 4-MCP |
auf Bestellung 78377 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5507-T2-A | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: SOT-343F Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 17dB Power - Max: 39mW Current - Collector (Ic) (Max): 12mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V Frequency - Transition: 25GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz Supplier Device Package: M04 |
auf Bestellung 37303 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5508-T2B-A | Renesas Electronics Corporation |
Description: NPN RF TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active |
auf Bestellung 2072130 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5509-T2-A | California Eastern Laboratories | Trans RF BJT NPN 3.3V 0.1A 190mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R |
auf Bestellung 508 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5509-T2-A | California Eastern Laboratories | Trans RF BJT NPN 3.3V 0.1A 190mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R |
auf Bestellung 508 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5509-T2-A | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 14dB Power - Max: 190mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 15GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz Supplier Device Package: SOT-343 Part Status: Obsolete |
auf Bestellung 184500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5536A-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5536A-TL-H - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 1.7 GHz, 100 mW, 50 mA, SC-81 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SC-81 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 1.7GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 168731 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5536A-TL-H | onsemi |
Description: RF TRANS NPN 12V 1.7GHZ 3SSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-81 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 2V Frequency - Transition: 1.7GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz Supplier Device Package: 3-SSFP Part Status: Obsolete |
auf Bestellung 12620 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5537A-TL-H | ONSEMI (VIA ROCHESTER) |
Description: ONSEMI (VIA ROCHESTER) - 2SC5537A-TL-H - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5537A-TL-H | onsemi |
Description: BIP NPN 15MA 6V FT=5G Packaging: Bulk Part Status: Active |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5562(TP,Q) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 800V 0.8A T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5566-TD-E | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 3.5W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 3.5W Case: SOT89 Current gain: 200...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 400MHz |
auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5566-TD-E | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 3.5W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 4A Power dissipation: 3.5W Case: SOT89 Current gain: 200...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 400MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 214 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2SC5566-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 874 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5566-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 746313 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5566-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5566-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5566-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5566-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 788 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5566-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 874 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5566-TD-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.3 W |
auf Bestellung 1765 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5566-TD-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.3 W |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5569-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5569-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5569-TD-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 7A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 330MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5569-TD-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 7A SOT89/PCP-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.3 W |
auf Bestellung 10114 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5569-TD-E | onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 7A SOT89/PCP-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 330MHz Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.3 W |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5585E3TL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R |
auf Bestellung 5950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5585E3TL | ROHM |
Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5585E3TL | ROHM |
Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 320MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5585E3TL | Rohm Semiconductor |
Description: NPN, SOT-416, 12V 0.5A, LOW VCE( Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5585TL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R |
auf Bestellung 853 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5585TL | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R |
auf Bestellung 24165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SC5585TL | Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: EMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 777 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5594XP-TL-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 24GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: CMPAK-4 |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5594XP-TL-H | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 18dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V Frequency - Transition: 24GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz Supplier Device Package: CMPAK-4 |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC55 | NEC | CAN |
auf Bestellung 246 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC550 | TOSHIBA |
auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5508 | NEC | SOT-343 |
auf Bestellung 1580 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5508 | NSC |
auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5508-T2 | NEC | SOT343 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5508-T2-A |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5508-T2B | NEC/RENESAS | 10+ SOT-343 |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5508-TL-A | RENESAS | SOT343 |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5509 |
auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC551 |
auf Bestellung 17400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5517 | ISC |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC552 | TOSHIBA |
auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC553 | TOSHIBA |
auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC554 | NEC | CAN |
auf Bestellung 159 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC554 | TOSHIBA |
auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5544YZ-TR | RENESAS | 03+ |
auf Bestellung 400000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5545ZS-01TL-E | RENESAS | SOT143-ZS PB-FRE |
auf Bestellung 2735 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5548A |
auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC555 | NEC | CAN |
auf Bestellung 687 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC555 | TOSHIBA |
auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC556 | NEC | CAN |
auf Bestellung 489 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC556 | TOSHIBA |
auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2SC5565-TD | SANYO | SOT-89 |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
2SC5501A-4-TR-E |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5501A-4-TR-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC5501A-4-TR-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 78377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2SC5501A-4-TR-E |
Hersteller: onsemi
Description: 2SC5501A - RF TRANSISTOR, 10V, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 4-MCP
Description: 2SC5501A - RF TRANSISTOR, 10V, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 4-MCP
auf Bestellung 78377 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2420+ | 0.29 EUR |
2SC5507-T2-A |
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 39mW
Current - Collector (Ic) (Max): 12mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: M04
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 39mW
Current - Collector (Ic) (Max): 12mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: M04
auf Bestellung 37303 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1623+ | 0.43 EUR |
2SC5508-T2B-A |
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 2072130 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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833+ | 0.86 EUR |
2SC5509-T2-A |
Hersteller: California Eastern Laboratories
Trans RF BJT NPN 3.3V 0.1A 190mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
Trans RF BJT NPN 3.3V 0.1A 190mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2SC5509-T2-A |
Hersteller: California Eastern Laboratories
Trans RF BJT NPN 3.3V 0.1A 190mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
Trans RF BJT NPN 3.3V 0.1A 190mW 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2SC5509-T2-A |
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 14dB
Power - Max: 190mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
Part Status: Obsolete
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 14dB
Power - Max: 190mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-343
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 184500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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833+ | 0.86 EUR |
2SC5536A-TL-H |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5536A-TL-H - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 1.7 GHz, 100 mW, 50 mA, SC-81
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SC-81
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 1.7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC5536A-TL-H - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 1.7 GHz, 100 mW, 50 mA, SC-81
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SC-81
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 1.7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 168731 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2SC5536A-TL-H |
Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS NPN 12V 1.7GHZ 3SSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 2V
Frequency - Transition: 1.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
Part Status: Obsolete
Description: RF TRANS NPN 12V 1.7GHZ 3SSFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-81
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 16dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 2V
Frequency - Transition: 1.7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 150MHz
Supplier Device Package: 3-SSFP
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 12620 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
21+ | 1.25 EUR |
27+ | 0.98 EUR |
100+ | 0.58 EUR |
500+ | 0.54 EUR |
1000+ | 0.37 EUR |
2000+ | 0.34 EUR |
2SC5537A-TL-H |
Hersteller: ONSEMI (VIA ROCHESTER)
Description: ONSEMI (VIA ROCHESTER) - 2SC5537A-TL-H - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI (VIA ROCHESTER) - 2SC5537A-TL-H - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2SC5537A-TL-H |
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5323+ | 0.14 EUR |
2SC5562(TP,Q) |
Hersteller: Toshiba
Trans GP BJT NPN 800V 0.8A T/R
Trans GP BJT NPN 800V 0.8A T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2000+ | 0.99 EUR |
2SC5566-TD-E |
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 3.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 3.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 3.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 3.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
148+ | 0.49 EUR |
155+ | 0.46 EUR |
161+ | 0.44 EUR |
2SC5566-TD-E |
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 3.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 3.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4A; 3.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4A
Power dissipation: 3.5W
Case: SOT89
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
148+ | 0.49 EUR |
155+ | 0.46 EUR |
161+ | 0.44 EUR |
2SC5566-TD-E |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2SC5566-TD-E |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 746313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2SC5566-TD-E |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
411+ | 0.39 EUR |
460+ | 0.33 EUR |
465+ | 0.32 EUR |
531+ | 0.27 EUR |
2SC5566-TD-E |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1000+ | 0.29 EUR |
2000+ | 0.28 EUR |
2SC5566-TD-E |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1000+ | 0.29 EUR |
2000+ | 0.28 EUR |
2SC5566-TD-E |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
382+ | 0.41 EUR |
408+ | 0.37 EUR |
411+ | 0.36 EUR |
460+ | 0.31 EUR |
465+ | 0.29 EUR |
531+ | 0.24 EUR |
2SC5566-TD-E |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SC5566-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 874 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2SC5566-TD-E |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 1765 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
19+ | 1.43 EUR |
22+ | 1.21 EUR |
100+ | 0.84 EUR |
500+ | 0.66 EUR |
2SC5566-TD-E |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
Description: TRANS NPN 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1000+ | 0.53 EUR |
2SC5569-TD-E |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2SC5569-TD-E |
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans GP BJT NPN 50V 7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2SC5569-TD-E |
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - 2SC5569-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 7 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 7A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2SC5569-TD-E |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 7A SOT89/PCP-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
Description: TRANS NPN 50V 7A SOT89/PCP-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 10114 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
17+ | 1.59 EUR |
19+ | 1.37 EUR |
100+ | 0.95 EUR |
500+ | 0.79 EUR |
2SC5569-TD-E |
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 7A SOT89/PCP-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
Description: TRANS NPN 50V 7A SOT89/PCP-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: SOT-89/PCP-1
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.3 W
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1000+ | 0.67 EUR |
2000+ | 0.6 EUR |
5000+ | 0.57 EUR |
2SC5585E3TL |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
378+ | 0.42 EUR |
500+ | 0.39 EUR |
1000+ | 0.36 EUR |
2500+ | 0.34 EUR |
5000+ | 0.32 EUR |
2SC5585E3TL |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2SC5585E3TL |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
Description: ROHM - 2SC5585E3TL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 500 mA, 150 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)2SC5585E3TL |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NPN, SOT-416, 12V 0.5A, LOW VCE(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Description: NPN, SOT-416, 12V 0.5A, LOW VCE(
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
28+ | 0.94 EUR |
39+ | 0.67 EUR |
100+ | 0.34 EUR |
500+ | 0.3 EUR |
1000+ | 0.23 EUR |
2SC5585TL |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
380+ | 0.42 EUR |
500+ | 0.39 EUR |
2SC5585TL |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
Trans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R
auf Bestellung 24165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1042+ | 0.15 EUR |
1286+ | 0.11 EUR |
2000+ | 0.1 EUR |
3000+ | 0.098 EUR |
6000+ | 0.093 EUR |
12000+ | 0.08 EUR |
2SC5585TL |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 777 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
25+ | 1.04 EUR |
33+ | 0.8 EUR |
100+ | 0.48 EUR |
500+ | 0.44 EUR |
2SC5594XP-TL-E |
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
478+ | 1.51 EUR |
2SC5594XP-TL-H |
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: CMPAK-4
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
478+ | 1.51 EUR |
2SC5545ZS-01TL-E |
Hersteller: RENESAS
SOT143-ZS PB-FRE
SOT143-ZS PB-FRE
auf Bestellung 2735 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Wählen Sie Seite:
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