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GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA GT50JR22.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+6.13 EUR
13+ 5.52 EUR
17+ 4.23 EUR
18+ 3.99 EUR
Mindestbestellmenge: 12
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA GT50JR22.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 297 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Транзистор IGBT GT50JR22 TO-3PN
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GT50JR22
Produktcode: 108218 		Toshiba gt50jr22-datasheet.pdf Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3PN
Vces: 600 V
Vce: 1,55 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 44 A
Pd 25: 230 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 0,25/0,33
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GT50JR22(STA1,E,S)
Produktcode: 152398 		GT50JR22_datasheet_en_20140106.pdf?did=13664&prodName=GT50JR22 Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) Toshiba 146gt50jr22_datasheet_en_20140106.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
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NTE3320 NTE Electronics nte3320.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 240W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 240W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Turn-on time: 240ns
Turn-off time: 430ns
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GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22.pdf
GT50JR22(STA1,E,S)
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22.pdf
GT50JR22(STA1,E,S)
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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Транзистор IGBT GT50JR22 TO-3PN
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GT50JR22
Produktcode: 108218		 gt50jr22-datasheet.pdf
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Gehäuse: TO-3PN
Vces: 600 V
Vce: 1,55 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 44 A
Pd 25: 230 W
td(on)/td(off) 100-150 Grad: 0,25/0,33
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GT50JR22(STA1,E,S)
Produktcode: 152398		 GT50JR22_datasheet_en_20140106.pdf?did=13664&prodName=GT50JR22
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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GT50JR22(STA1,E,S) 146gt50jr22_datasheet_en_20140106.pdf.pdf
GT50JR22(STA1,E,S)
Hersteller: Toshiba
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
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NTE3320 nte3320.pdf
Hersteller: NTE Electronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 240W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 240W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Turn-on time: 240ns
Turn-off time: 430ns
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