GT50JR22
Produktcode: 108218
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Hersteller:
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,55 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 50 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 44 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 230 Вт
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Weitere Produktangebote GT50JR22
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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GT50JR22(STA1,E,S) | TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN Case: TO3PN Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Power dissipation: 115W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Pulsed collector current: 100A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 250ns Turn-off time: 330ns Gate-emitter voltage: ±25V Collector current: 44A |
auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GT50JR22(STA1,E,S) |
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Hersteller: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Case: TO3PN
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 115W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 44A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Case: TO3PN
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 115W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 100A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 44A
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)