GT50JR22
Produktcode: 108218
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,55 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 50 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 44 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 230 Вт
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote GT50JR22
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GT50JR22(STA1,E,S) | TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 44A Power dissipation: 115W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 250ns Turn-off time: 330ns |
auf Bestellung 67 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GT50JR22(STA1,E,S) |
|
Hersteller: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
auf Bestellung 67 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)