GT50JR22
Produktcode: 108218
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Hersteller:
Kollektor-Emitter-Spannung Vces, V: 600 В
Sättigungsspannung Vce, V: 1,55 В
Kollektorstrom Ic bei 25°C, A: 50 А
Kollektorstrom Ic bei 100°C, A: 44 А
Verlustleistung Pd bei 25°C, W: 230 Вт
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Weitere Produktangebote GT50JR22 nach Preis ab 4.58 EUR bis 8.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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GT50JR22(STA1,E,S) | TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 44A Power dissipation: 115W Case: TO3PN Gate-emitter voltage: ±25V Pulsed collector current: 100A Mounting: THT Kind of package: tube Turn-on time: 250ns Turn-off time: 330ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GT50JR22(STA1,E,S) |
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Hersteller: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 8.19 EUR |
| 16+ | 5.57 EUR |
| 25+ | 4.75 EUR |
| 50+ | 4.58 EUR |