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BSS306N H6327 BSS306N H6327 Infineon Technologies Infineon-BSS306N-DS-v02_03-en-918350.pdf MOSFETs N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS306NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS306NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
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BSS306NH6327XTSA1 Infineon BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5 N-MOSFET 30V 2.3A 57mΩ 500mW BSS306NH6327HTSA1 BSS306NH6327 Infineon TBSS306n
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS306N_DS_v02_03_en-1731171.pdf MOSFETs N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss306n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss306n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS308PE H6327 BSS308PE H6327 Infineon Technologies Infineon-BSS308PE-DS-v02_03-en-918327.pdf MOSFETs P-Ch -30V -2A SOT-23-3
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BSS308PEH6327XT BSS308PEH6327XT Infineon Technologies Infineon-BSS308PE-DS-v02_03-en-918327.pdf MOSFETs P-Ch -30V -2A SOT-23-3
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BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Case: PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
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BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Case: PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
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BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS308PE_DS_v02_03_en-1731197.pdf MOSFETs P-Ch -30V -2A SOT-23-3
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BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies bss308pe_rev2.03_.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS314PE H6327 BSS314PE H6327 Infineon Technologies Infineon_BSS314PE_DataSheet_v02_03_EN-767598.pdf MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
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Mindestbestellmenge: 5
BSS314PEH6327XT BSS314PEH6327XT Infineon Technologies Infineon_BSS314PE_DataSheet_v02_03_EN-1226584.pdf MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS314PEH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Case: PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
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BSS314PEH6327XTSA1 Infineon BSS314PE_rev2.2.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a304330f68606013109b696aa0084 P-MOSFET 30V 1.5A 140mΩ 500mW BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327 Infineon TBSS314pe
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS314PEH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Case: PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3127 Stücke:
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152+0.47 EUR
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Mindestbestellmenge: 152
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS314PE_DataSheet_v02_03_EN-3360870.pdf MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bss314pe-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bss314pe-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bss314pe-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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872+ 0.17 EUR
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bss314pe-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bss314pe-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 3000
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bss314pe-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7749 Stücke:
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838+ 0.16 EUR
872+ 0.15 EUR
882+ 0.14 EUR
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6000+ 0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 266
BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327XTSA1 Infineon Technologies infineon-bss314pe-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Bss315 HBE Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 315mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.315MXP; 179020.0,315; 0034.1511 Fuse: fast-acting; 315mA Bss315
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1780 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 500
BSS315P H6327 BSS315P H6327 Infineon Technologies Infineon-BSS315P-DS-v02_03-en-1225631.pdf MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
auf Bestellung 13511 Stücke:
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100+ 0.32 EUR
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9000+ 0.13 EUR
24000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS315PH6327XT BSS315PH6327XT Infineon Technologies Infineon-BSS315P-DS-v02_03-en-1225631.pdf MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
auf Bestellung 19686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+ 0.51 EUR
100+ 0.32 EUR
1000+ 0.18 EUR
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9000+ 0.13 EUR
24000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Case: PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
auf Bestellung 4868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+0.5 EUR
196+ 0.37 EUR
323+ 0.22 EUR
371+ 0.19 EUR
676+ 0.11 EUR
715+ 0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 143
BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Case: PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS315P_DS_v02_03_en-3360682.pdf MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies bss315p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies bss315p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies bss315p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies bss315p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1 Infineon Technologies bss315p_rev2.3.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS316N H6327 BSS316N H6327 Infineon Technologies BSS316N_Rev2.3-63035.pdf MOSFETs N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3
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BSS316NH6327XT BSS316NH6327XT Infineon Technologies BSS316N_Rev2.3-63035.pdf MOSFETs N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS316NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS316NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSS316NH6327XTSA1 Infineon BSS316N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff7ee4b07f16 N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSS316N_DS_v02_03_EN-1226276.pdf MOSFETs N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss316n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss316n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss316n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss316n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss316n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 Infineon Technologies bss316n_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.079 EUR
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BSS30 PHI/MOT
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BSS306NH6327 Infineon technologies
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BSS306N H6327 Infineon-BSS306N-DS-v02_03-en-918350.pdf
BSS306N H6327
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
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Anzahl Preis ohne MwSt
173+0.41 EUR
204+ 0.35 EUR
317+ 0.23 EUR
363+ 0.2 EUR
725+ 0.099 EUR
770+ 0.093 EUR
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306NH6327XTSA1.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 7070 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
173+0.41 EUR
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 30V 2.3A 57mΩ 500mW BSS306NH6327HTSA1 BSS306NH6327 Infineon TBSS306n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BSS306NH6327XTSA1 BSS306N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff4c1f867ef5
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 30V 2.3A 57mΩ 500mW BSS306NH6327HTSA1 BSS306NH6327 Infineon TBSS306n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
100+0.33 EUR
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BSS306NH6327XTSA1 Infineon_BSS306N_DS_v02_03_en-1731171.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 2.3A SOT-23-3
auf Bestellung 77410 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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3000+ 0.15 EUR
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24000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS306NH6327XTSA1 bss306n_rev2.3.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.12 EUR
9000+ 0.1 EUR
24000+ 0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS306NH6327XTSA1 bss306n_rev2.3.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS306NH6327XTSA1 bss306n_rev2.3.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.12 EUR
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BSS306NH6327XTSA1 bss306n_rev2.3.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.12 EUR
9000+ 0.099 EUR
24000+ 0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS306NH6327XTSA1 bss306n_rev2.3.pdf
BSS306NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 95080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
288+0.53 EUR
455+ 0.32 EUR
491+ 0.29 EUR
607+ 0.22 EUR
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2000+ 0.17 EUR
9000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 288
BSS308PE H6327 Infineon-BSS308PE-DS-v02_03-en-918327.pdf
BSS308PE H6327
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -30V -2A SOT-23-3
auf Bestellung 167734 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.69 EUR
10+ 0.55 EUR
100+ 0.37 EUR
1000+ 0.22 EUR
3000+ 0.18 EUR
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Mindestbestellmenge: 5
BSS308PEH6327XT Infineon-BSS308PE-DS-v02_03-en-918327.pdf
BSS308PEH6327XT
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -30V -2A SOT-23-3
auf Bestellung 82954 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.69 EUR
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BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Case: PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
107+0.67 EUR
171+ 0.42 EUR
275+ 0.26 EUR
313+ 0.23 EUR
481+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 107
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Case: PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
107+0.67 EUR
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Mindestbestellmenge: 107
BSS308PEH6327XTSA1 Infineon_BSS308PE_DS_v02_03_en-1731197.pdf
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -30V -2A SOT-23-3
auf Bestellung 183819 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
4+0.83 EUR
10+ 0.52 EUR
100+ 0.27 EUR
1000+ 0.23 EUR
3000+ 0.17 EUR
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24000+ 0.15 EUR
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BSS308PEH6327XTSA1 bss308pe_rev2.03_.pdf
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.15 EUR
9000+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS308PEH6327XTSA1 bss308pe_rev2.03_.pdf
BSS308PEH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS314PE H6327
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BSS314PEH6327XT Infineon_BSS314PE_DataSheet_v02_03_EN-1226584.pdf
BSS314PEH6327XT
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BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Case: PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
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P-MOSFET 30V 1.5A 140mΩ 500mW BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327 Infineon TBSS314pe
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BSS314PEH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Case: PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
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BSS314PEH6327XTSA1
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BSS314PEH6327XTSA1
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Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS314PEH6327XTSA1
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Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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Bss315
Hersteller: HBE
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 315mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.315MXP; 179020.0,315; 0034.1511 Fuse: fast-acting; 315mA Bss315
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BSS315P H6327 Infineon-BSS315P-DS-v02_03-en-1225631.pdf
BSS315P H6327
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MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
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1000+ 0.18 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.13 EUR
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BSS315PH6327XT Infineon-BSS315P-DS-v02_03-en-1225631.pdf
BSS315PH6327XT
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MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf
BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Case: PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
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143+0.5 EUR
196+ 0.37 EUR
323+ 0.22 EUR
371+ 0.19 EUR
676+ 0.11 EUR
715+ 0.1 EUR
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BSS315PH6327XTSA1 BSS315PH6327XTSA1-dte.pdf
BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Case: PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
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auf Bestellung 4868 Stücke:
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143+0.5 EUR
196+ 0.37 EUR
323+ 0.22 EUR
371+ 0.19 EUR
676+ 0.11 EUR
715+ 0.1 EUR
6000+ 0.097 EUR
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BSS315PH6327XTSA1 Infineon_BSS315P_DS_v02_03_en-3360682.pdf
BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
auf Bestellung 26112 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
6+0.52 EUR
10+ 0.34 EUR
100+ 0.2 EUR
1000+ 0.17 EUR
3000+ 0.14 EUR
9000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
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BSS315PH6327XTSA1 bss315p_rev2.3.pdf
BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 26800 Stücke:
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589+0.26 EUR
635+ 0.23 EUR
661+ 0.21 EUR
1000+ 0.16 EUR
2000+ 0.14 EUR
9000+ 0.12 EUR
18000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 589
BSS315PH6327XTSA1 bss315p_rev2.3.pdf
BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS315PH6327XTSA1 bss315p_rev2.3.pdf
BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.078 EUR
6000+ 0.075 EUR
9000+ 0.067 EUR
24000+ 0.064 EUR
30000+ 0.061 EUR
75000+ 0.058 EUR
99000+ 0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS315PH6327XTSA1 bss315p_rev2.3.pdf
BSS315PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 114000 Stücke:
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3000+0.13 EUR
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BSS315PH6327XTSA1
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Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
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BSS316N H6327 BSS316N_Rev2.3-63035.pdf
BSS316N H6327
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3
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10+ 0.42 EUR
100+ 0.24 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.083 EUR
24000+ 0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSS316NH6327XT BSS316N_Rev2.3-63035.pdf
BSS316NH6327XT
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3
auf Bestellung 19317 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+0.57 EUR
10+ 0.42 EUR
100+ 0.24 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.083 EUR
24000+ 0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 5
BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1.pdf
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
auf Bestellung 12389 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
209+0.34 EUR
281+ 0.25 EUR
441+ 0.16 EUR
547+ 0.13 EUR
964+ 0.074 EUR
1019+ 0.07 EUR
1500+ 0.069 EUR
2500+ 0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 209
BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1.pdf
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 12389 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
209+0.34 EUR
281+ 0.25 EUR
441+ 0.16 EUR
547+ 0.13 EUR
964+ 0.074 EUR
1019+ 0.07 EUR
1500+ 0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 209
BSS316NH6327XTSA1 BSS316N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff7ee4b07f16
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1505 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
200+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 200
BSS316NH6327XTSA1 BSS316N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a304330f686060130ff7ee4b07f16
Hersteller: Infineon
N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
200+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 200
BSS316NH6327XTSA1 Infineon_BSS316N_DS_v02_03_EN-1226276.pdf
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3
auf Bestellung 158490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+0.56 EUR
10+ 0.42 EUR
100+ 0.24 EUR
1000+ 0.12 EUR
3000+ 0.11 EUR
9000+ 0.083 EUR
24000+ 0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 6
BSS316NH6327XTSA1 bss316n_rev2.3.pdf
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 591000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.059 EUR
9000+ 0.049 EUR
24000+ 0.046 EUR
45000+ 0.042 EUR
99000+ 0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
BSS316NH6327XTSA1 bss316n_rev2.3.pdf
BSS316NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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