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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DTC114TM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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DTC114TM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
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DTC114TM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
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DTC114TM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
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DTC114TM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
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DTC114TM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
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DTC114TM3T5GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 48000 Stücke:
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8000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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DTC114TM3T5GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
Produkt ist nicht verfügbar
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DTC114TM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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8000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TM3T5GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 600mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5726+0.11 EUR
10000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5726 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TMFHAT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TMFHAT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW Automotive 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 7900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1710+0.1 EUR
2500+0.098 EUR
5000+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 1710 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TMFHAT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TMFHAT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-723, R1 Alone Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
Produkt ist nicht verfügbar
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DTC114TMTROHMSOT-523
auf Bestellung 2838 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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DTC114TMT2LROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 100MA
auf Bestellung 8499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
5000+0.13 EUR
8000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TMT2LROHMDescription: ROHM - DTC114TMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 441 Stücke
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DTC114TMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 8601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1397+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1397 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TMT2LRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 13220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
48+0.44 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TMT2LRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VMT T/R
auf Bestellung 5603 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2850+0.061 EUR
2942+0.058 EUR
5000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 2850 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TMT2LROHMDescription: ROHM - DTC114TMT2L - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114T Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 441 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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DTC114TSAROHM
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114TSATaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TSATPRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SPT
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SPT
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TSATPROHM SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA
Produkt ist nicht verfügbar
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DTC114TSATPRohmTO-92S Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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DTC114TSATP (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 28218
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RohmTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92S
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 50 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 600
Bemerkung: 10k+10k
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TUROHM10+ SOT-323
auf Bestellung 166500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114TU/04ROHM
auf Bestellung 6321 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114TU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2445+0.071 EUR
2519+0.068 EUR
5000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 2445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC114TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
441+0.57 EUR
725+0.32 EUR
1165+0.18 EUR
1590+0.13 EUR
1799+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 441 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC114TU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.57 EUR
725+0.32 EUR
1165+0.18 EUR
1590+0.13 EUR
1799+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 1897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
61+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TU3HZGT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TU3HZGT106ROHM SemiconductorDigital Transistors Digital Trans w/Res UMT3
auf Bestellung 2852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
10+0.33 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 2405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1924 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TU3T106ROHM SemiconductorDigital Transistors Digital Trans w/Res UMT3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
77+0.27 EUR
124+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114TU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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DTC114TU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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DTC114TUAYangjie Electronic TechnologyDTC114TUA
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DTC114TUAYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
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3000+0.05 EUR
15000+0.048 EUR
30000+0.044 EUR
60000+0.042 EUR
120000+0.038 EUR
300000+0.036 EUR
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DTC114TUA-T106ROHMSOT423
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DTC114TUA-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN 10KOhms 250MHz
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DTC114TUA-TP
Produktcode: 184302
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DTC114TUA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
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DTC114TUA-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DTC114TUAFRAT106ROHMDescription: ROHM - DTC114TUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 171 Stücke:
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DTC114TUAFRAT106ROHMSOT23/
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DTC114TUAFRAT106ROHMDescription: ROHM - DTC114TUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 171 Stücke:
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DTC114TUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
Produkt ist nicht verfügbar
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DTC114TUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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DTC114TUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMT T/R
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DTC114TUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
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DTC114TUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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DTC114TUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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DTC114TUAT106ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 100MA SOT-323
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DTC114TUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
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1764+0.099 EUR
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DTC114TUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
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67+0.31 EUR
105+0.2 EUR
170+0.12 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
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DTC114TUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin UMTF T/R
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DTC114TUBTLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 50V 100MA
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DTC114TUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
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3000+0.065 EUR
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DTC114TUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R
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2646+0.065 EUR
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DTC114TUT106ROHMSOT323
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DTC114TXV3T1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SC-89 T/R
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13275+0.049 EUR
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DTC114TXV3T1ONSEMIDescription: ONSEMI - DTC114TXV3T1 - DTC114TXV3T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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15000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
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DTC114TXV3T1onsemiDescription: TRANS PREBIAS
Packaging: Bulk
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7869+0.071 EUR
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DTC114WCA-HFComchip TechnologyDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DTC114WCA-HFComchip TechnologyDigital Transistors TRANS DIGITAL NPN 50V 200mW SOT-23
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DTC114WEROHM
auf Bestellung 67000 Stücke:
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DTC114WE TLROHMSOT23/SOT323
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DTC114WETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
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DTC114WETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3664+0.048 EUR
4609+0.037 EUR
4879+0.035 EUR
6000+0.032 EUR
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DTC114WETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
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DTC114WETLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 100MA
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DTC114WETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
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DTC114WETL
auf Bestellung 228000 Stücke:
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DTC114WKROHM
auf Bestellung 6000 Stücke:
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DTC114WKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
auf Bestellung 8915 Stücke:
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DTC114WKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 37806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
414+0.42 EUR
3000+0.084 EUR
6000+0.073 EUR
9000+0.067 EUR
15000+0.061 EUR
21000+0.056 EUR
30000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 414 Stücke
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DTC114WKAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 100MA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DTC114WKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 37806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
414+0.42 EUR
3000+0.082 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.063 EUR
15000+0.056 EUR
21000+0.05 EUR
30000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 414 Stücke
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DTC114WKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 4398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1802+0.096 EUR
2500+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 1802 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114WKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
auf Bestellung 8915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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DTC114WKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1802+0.096 EUR
2500+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 1802 Stücke
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DTC114WKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1764+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 1764 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114WKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 38006 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1725+0.1 EUR
2000+0.088 EUR
3000+0.06 EUR
6000+0.049 EUR
24000+0.046 EUR
30000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 1725 Stücke
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DTC114WKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DTC114WKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1802+0.096 EUR
2500+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 1802 Stücke
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DTC114WKT146
auf Bestellung 29500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114WKT147
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114WSATPRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SPT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: SC-72 Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
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DTC114WUROHM01+ SOT323
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DTC114WU3HZGT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1034+0.33 EUR
2000+0.2 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1034 Stücke
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DTC114WU3HZGT106ROHMDescription: ROHM - DTC114WU3HZGT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 24hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
353+0.71 EUR
521+0.44 EUR
926+0.23 EUR
1359+0.15 EUR
1523+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 353 Stücke
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