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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MSD52-18Microsemi Power Products GroupDescription: MOD BRIDGE 3PH 1800V 50A M2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD6-001GS(P01SEIHagiwara SolutionsDescription: microSD, I-Temp, SLC, 1GB
Part Status: Active
Technology: SLC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: microSD™
Memory Size: 1GB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+79.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD6-002GS(P01SEIHagiwara SolutionsDescription: microSD, I-Temp, SLC, 2GB
Part Status: Active
Technology: SLC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Type: microSD™
Memory Size: 2GB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+134.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601ON5 SMD
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-R
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RST1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MSD601-RT1 - TRANS NPN 50V 0.1A SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT1onsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SC59
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT1onsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT1ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 21580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT1onsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT1onsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SC59
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 30580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 11539 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT1 SOT23-YRON
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT1/YR
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT1GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-59
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 16629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.39 EUR
75+0.29 EUR
154+0.13 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 225000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.049 EUR
100000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT1GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SC59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-59
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.069 EUR
6000+0.063 EUR
9000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MSD601-RT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 336000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16447+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 16447 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
auf Bestellung 12486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.35 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.083 EUR
3000+0.065 EUR
6000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT1GON09+
auf Bestellung 195018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT1GSOT23-YRPB-FREEON
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT1RF2323TR7ON
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT1SOT23
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT1SOT23-YRON
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT2ON SemiconductorMSD601-RT2
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT2onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 11539 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-RT2MOTOROLA
auf Bestellung 544770 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-S
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-ST1onsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SC59
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-ST1onsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-ST1
Produktcode: 121223
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-ST1(YS)
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-ST1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-ST1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 1026000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5465+0.12 EUR
10000+0.1 EUR
100000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 5465 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-ST1GONSEMIDescription: ONSEMI - MSD601-ST1G - MSD601-ST1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1158000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-ST1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5465+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5465 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-ST1GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SC59
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1158000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5323+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5323 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-ST1G
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-ST1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 123000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5465+0.12 EUR
10000+0.1 EUR
100000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 5465 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-ST1GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-T1YR
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601-TR1(YR)
auf Bestellung 2181 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD601R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD602
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD602-RT1onsemiBipolar Transistors - BJT 500mA 60V NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD602-RT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MSD602-RT1 - TRANS NPN 50V 0.5A SC59
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 15000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD602-RT1ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14085+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 14085 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD602-RT1onsemiDescription: TRANS GP NPN 100MA 50V SC59
Packaging: Bulk
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11539+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 11539 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD602-RT1(WR*)
auf Bestellung 16656 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD602-RT1/2SD602
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD602-RT1/2SD602-RONSOT-23 05+
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD602-RT1/WR
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD602-RT1GON Semiconductor
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD602-RT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD602-RT1GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 19306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
100+0.21 EUR
162+0.13 EUR
500+0.094 EUR
1000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD602-RT1GonsemiBipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 25V
auf Bestellung 14785 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.35 EUR
19+0.18 EUR
100+0.08 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.052 EUR
9000+0.044 EUR
24000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD602-RT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD602-RT1GonsemiDescription: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.068 EUR
6000+0.061 EUR
9000+0.057 EUR
15000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD602-RT1GToshibaBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD602-RT2ON
auf Bestellung 93000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD602-TR1
auf Bestellung 16842 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD602-TR1(WR*)
auf Bestellung 16842 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD602A-R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MSD60P16BruckewellDescription: P-Channel MOSFET,60V,-16A,TO-252
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MSD6100ON93 TO-92
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MSD6100ON SemiconductorDescription: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3
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MSD6100G
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MSD6100GON SemiconductorDescription: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3
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MSD6100RLRAonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 135°C
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Bulk
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MSD6100RLRA
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MSD6100RLRAonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 135°C
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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MSD6100RLRAGonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 135°C
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Bulk
auf Bestellung 38039 Stücke:
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MSD6100RLRAGonsemiDescription: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC)
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 135°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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MSD6100RLRAG
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MSD6150
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MSD6178ZX-LF-TN
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MSD6178ZX-LF-TQ
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MSD61988AV-U4
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MSD6328BXA-Z1
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MSD65US18BP-DUKE Technology, Inc.Description: ISOLATED / 65W/ VOUT:18
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MSD65US48BP-DUKE Technology, Inc.Description: ISOLATED / 65W/ VOUT:48
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MSD6I48TXA-LF-TB
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MSD6I48TXA-LF-TG
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MSD6I48TXA-LF-TL
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MSD6I48TXA-LF-TN
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MSD6I48TXA-LF-Z1-TN
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MSD6I48TXC-LF-TB
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MSD6I48TXC-LF-TL
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MSD6I48TXC-LF-TN
auf Bestellung 195 Stücke:
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MSD6i48TXC-LF-Z1
auf Bestellung 422 Stücke:
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MSD6I48TXC-LF-Z1-T
auf Bestellung 2161 Stücke:
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MSD6i981BTA
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MSD6I981BTA-Z1-SJ
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MSD6i981TX-TN
auf Bestellung 111 Stücke:
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MSD6i982BX-TL
auf Bestellung 2690 Stücke:
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