Produkte > MUN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| MUN5135T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 24000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5135T1 | auf Bestellung 78000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5135T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | auf Bestellung 11112 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5135T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5135T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 122 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5135T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5135T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5135T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5135T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP | auf Bestellung 33043 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5135T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5135T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5135T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5135T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 73000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5135T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5136DW1T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5136DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5136DW1T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5136DW1T1G | onsemi | Description: MUN5136 - DUAL BIAS RESISTOR TRA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms Resistor - Base (R1): 100kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Bulk | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5136DW1T1G | onsemi | Digital Transistors SS SC88 BR XSTR PNP 50V | auf Bestellung 9830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5136T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5136T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 111000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5136T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 24000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5136T1 | ON | SOT-323 01+ | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5136T1G | onsemi | Digital Transistors SS SC70 BR XSTR PNP 50V | auf Bestellung 29749 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5136T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5136T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 87000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5136T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 18000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5137DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5137DW1T1 - TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 5975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5137DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5137DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Bulk | auf Bestellung 5975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5137DW1T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88 Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5137DW1T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88 Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5137DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual PNP | auf Bestellung 13595 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5137T1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5137T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5137T1 - TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5137T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 | auf Bestellung 105000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 18000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5137T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5137T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 210000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5137T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | auf Bestellung 2861 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5138T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5138T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 165000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5138T1G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5138T1G | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 202MW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 18000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5140RT1 | auf Bestellung 156000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5140T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Bulk Resistor - Base (R1): 47 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA | auf Bestellung 144000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5140T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Resistor - Base (R1): 47 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5140T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5141T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 202 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms | auf Bestellung 285000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5141T1G | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5141T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3 Resistor - Base (R1): 100 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5211 | MOTOROLA | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| MUN5211 | onsemi | SS SC70 BR XSTR NPN 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5211-(TX) | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5211DW1 | onsemi | onsemi SS SC88 BR XSTR NPN 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1 | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT Dual | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1 | auf Bestellung 597000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Power - Max: 250mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 210000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 50443 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35 @ 5 мА, 10 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 250 мВ @ 300 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0.25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-363 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 2800 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 385mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 7114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 15094 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211DW1T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | auf Bestellung 1244 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 50443 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211DW1T1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.187W; R1: 10kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.187W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 60 | auf Bestellung 23555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211DW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5211DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 385mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 7114 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211DW1T1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN | auf Bestellung 78189 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 4900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 210000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211DW1T1G | On Semiconductor | SOT-363 100mA 250mW Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R | auf Bestellung 15094 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211T1 | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5211T1 | auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5211T1 | onsemi | Description: TRANS BRT NPN 50V SS MONO SOT323 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 310 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5211T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5211T1 - MUN5211T1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211T1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 270000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 4124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211T1G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 35 @ 5мА, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 250 @ 300 мкА, 10 мА, Р, Вт = 0,202, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-323 Очікується: 500 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5211T1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.31W; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.31W Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 60 | auf Bestellung 1274 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211T1G Produktcode: 113765
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| MUN5211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 13829 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 4124 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5211T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 34070 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 390000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 270000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211T1G | ON-Semiconductor | Tranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS; MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MUN5211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 13829 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 390000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211T1G | On Semiconductor | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5211T1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 310mW 3-Pin SC-70 T/R | auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211T1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Power - Max: 202 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 77065 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5211T1G | onsemi | Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V | auf Bestellung 1161 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MUN5211T1G | ON-Semiconductor | Tranzystor NPN; 60; 310mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; MUN5211T1G ONS; MUN5211T1G ON Semiconductor TMUN5211t1g Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MUN5211T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5211T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm Verlustleistung: 310mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 34070 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MUN5211T1G/DTC114EU | PANASONIC | 09+ SOT323 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5212 | onsemi | SS SC70 BR XSTR NPN 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5212 | auf Bestellung 3020 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| MUN5212DW1T1 | onsemi | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5212DW1T1 | ON | 09+ | auf Bestellung 27018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MUN5212DW1T1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MUN5212DW1T1 - TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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